半导体光电子器

拉曼激光器拉曼光谱测试都需要高功率，高稳定，窄线宽的激光光源，常用的波长主要是785和532nm。785nm的最大激光功率一般要求300mw以上，532nm的最大激光功率在50mW以上。线宽也要优于0.2nm。我们供应SPL-785、SPL-532系列高质量光源用于拉曼检测。SPL-Laser-785拉曼半导体激光器系统 SPL--532nm拉曼稳定光谱窄线宽激光器SPL-532nm拉曼稳光谱窄线宽激光器，基于先进的激光技术，具备优越的可靠性与长期的稳定性，产品内装配有温度控制模块与APC激光功率反馈功能，以确保激光长期工作的稳定性。SPL-532nm拉曼稳光谱窄线宽激光器可以提供2种类别的激光器选择方案，其一是自由光路输出的方式；其二是可以提供耦合到光纤输出的方式。应用领域：拉曼光谱、光纤传感等。 杭州谱镭光电技术有限公司(HangzhouSPL Photonics Co.,Ltd)是一家专业的光电类科研仪器代理商，致力于服务于国内科研院所、高等院校实验室、企业研发部门。我们代理的产品涉及光电子、激光、光通讯、物理、化学、材料、环保、食品、农业和生物等领域，可广泛应用于教学、科研及产品开发。 我们主要代理的产品有：微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件、飞秒/皮秒光纤激光器、KHz皮秒固体激光器、超窄线宽光纤激光器、超连续宽带激光器、He-Ne激光器、激光器附件及激光测量仪器、光学元器件、精密机械位移调整架、光纤、光学仪器、光源和太赫兹元器件、高性能大口径瞬态（脉冲）激光波前畸变检测干涉仪（用于流场、波前等分析）、高性能光滑表面缺陷分析仪、大口径近红外平行光管、Semrock公司的高品质生物用滤波片以及Meos公司的光学教学仪器等。 Tell:0571-88076956 Email: SPL 785nm 拉曼半导体激光器系统 特性和参数：

PHIGENESISModel 900 for HAXPES无需溅射刻蚀的深度探索下一代透明发光材料使用直径约为10nm~50nm 的纳米量子点(QDs)，结合使用 XPS(Al Ka X射线)和 HAXPES(Cr Ka x射线)对同一微观特征区域进行分析，可以对 QDs 进行详细的深度结构分析。XPS 和HAXPES 的结合使用，可以对纳米颗粒进行深度分辨、定量和化学态分析，从而避免离子束溅射引起的损伤。 深层界面的分析在两种x射线源中，只有 Cr Ka XPs 能探测到 Y0,下方距离表面 14nm 处的 Cr层。拟合后的谱图确定了 Cr 的化学态。另外，通过比较，光电子起飞角90°和30°的 Cr Ka 谱图结果发现在较浅(表面灵敏度更高)的起飞角时，氧化物的强度较高，表明 Cr 氧化物处于 Y,0,和 Cr 层之间的界面。 内核电子的探测Cr Ka 提供了额外的 Al Ka 不能获取的内核电子基于 Cr Ka 的高能光电子，通常有多个额外的跃迁可用于分析。应用领域主要应用于电池、半导体、光伏、新能源、有机器件、纳米颗粒、催化剂、金属材料、聚合物、陶瓷等固体材料及器件领域。用于全固态电池、半导体、光伏、催化剂等领域的先进功能材料都是复杂的多组分材料，其研发依赖于化学结构到性能的不断优化。ULVAC-PHI，Inc.提供的全新表面分析仪器“PHI GENESIS” 全自动多功能扫描聚焦X射线光电子能谱仪，具有卓越性能、高自动化和灵活的扩展能力，可以满足客户的所有分析需求。PHI GENESIS 多功能 分析平台在各种研究领域的应用电池 AES/Transfer Vessel“LiPON/LiCoO 2 横截面的 pA-AES Li 化学成像”Li 基材料例如 LiPON，对电子束辐照敏感。 PHI GENESIS 提供的高灵敏度能量分析器可以在低束流（300pA）下快速获取 AES 化学成像。有机器件 UPS/LEIPS/GCIB使用 UPS/LEIPS 和 Ar-GCIB 测量能带结构(1)C60薄膜表面(2)C60薄膜表面清洁后(3)C60薄膜 /Au 界面(4)Au 表面通过 UPS/LEIPS 分析和 Ar-GCIB 深度剖析可以确定有机层的能级结构。半导体 XPS/HAXPES半导体器件通常由包含许多元素的复杂薄膜组成，它们的研发通常需要对界面处的化学态进行无损分析。为了从深层界面获取信息，例如栅极氧化膜下的 GaN，使用 HAXPES 是非常有必要的。微电子 HAXPES 微小焊锡点分析HAXPES 分析数据显示金属态Sn 的含量高于 XPS 分析数据，这是由于Sn 球表面被氧化，随着深度的加深，金属态Sn的含量越高，正好符合HAXPES 分析深度比 XPS 深的特点。

PHIGENESIS Model 900 for HAXPES无需溅射刻蚀的深度探索下一代透明发光材料使用直径约为10nm~50nm 的纳米量子点(QDs)，结合使用 XPS(Al Ka X射线)和 HAXPES(Cr Ka x射线)对同一微观特征区域进行分析，可以对 QDs 进行详细的深度结构分析。XPS 和HAXPES 的结合使用，可以对纳米颗粒进行深度分辨、定量和化学态分析，从而避免离子束溅射引起的损伤。 深层界面的分析 在两种x射线源中，只有 Cr Ka XPs 能探测到 Y0,下方距离表面 14nm 处的 Cr层。拟合后的谱图确定了 Cr 的化学态。另外，通过比较，光电子起飞角90°和30°的 Cr Ka 谱图结果发现在较浅(表面灵敏度更高)的起飞角时，氧化物的强度较高，表明 Cr 氧化物处于 Y,0,和 Cr 层之间的界面。 内核电子的探测Cr Ka 提供了额外的 Al Ka 不能获取的内核电子基于 Cr Ka 的高能光电子，通常有多个额外的跃迁可用于分析。应用领域 主要应用于电池、半导体、光伏、新能源、有机器件、纳米颗粒、催化剂、金属材料、聚合物、陶瓷等固体材料及器件领域。用于全固态电池、半导体、光伏、催化剂等领域的先进功能材料都是复杂的多组分材料，其研发依赖于化学结构到性能的不断优化。ULVAC-PHI，Inc.提供的全新表面分析仪器“PHI GENESIS” 全自动多功能扫描聚焦X射线光电子能谱仪，具有优越性能、高自动化和灵活的扩展能力，可以满足客户的所有分析需求。PHI GENESIS 多功能 分析平台在各种研究领域的应用电池 AES/Transfer Vessel“LiPON/LiCoO 2 横截面的 pA-AES Li 化学成像”Li 基材料例如 LiPON，对电子束辐照敏感。 PHI GENESIS 提供的高灵敏度能量分析器可以在低束流（300pA）下快速获取 AES 化学成像。有机器件 UPS/LEIPS/GCIB使用 UPS/LEIPS 和 Ar-GCIB 测量能带结构(1)C60薄膜表面(2)C60薄膜表面清洁后(3)C60薄膜 /Au 界面(4)Au 表面通过 UPS/LEIPS 分析和 Ar-GCIB 深度剖析可以确定有机层的能级结构。半导体 XPS/HAXPES半导体器件通常由包含许多元素的复杂薄膜组成，它们的研发通常需要对界面处的化学态进行无损分析。为了从深层界面获取信息，例如栅极氧化膜下的 GaN，使用 HAXPES 是非常有必要的。微电子 HAXPES 微小焊锡点分析HAXPES 分析数据显示金属态Sn 的含量高于 XPS 分析数据，这是由于Sn 球表面被氧化，随着深度的加深，金属态Sn的含量越高，正好符合HAXPES 分析深度比 XPS 深的特点。

高真空电子束蒸发镀膜机（电子束蒸镀机是在高真空条件下，采用电子束轰击材料加热蒸发的方法，在衬底上镀制各种金属、氧化物、导电薄膜、光学薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬膜等；可镀制混合物单层膜、多层膜或掺杂膜；可镀各种高熔点材料。可用于生产、科学实验及教学，可根据用户要求专门订制。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式, 通过PLC 和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制, 包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。设备特点设备具有真空度高、抽速快、基片装卸方便的特点，配备 E 型电子束蒸发源和电阻蒸发源。PID自动控温，具有成膜均匀、放气量小和温度均匀的优点。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式,通过PLC和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制,包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。真空性能极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa恢复工作真空时间短，大气至7×10-4Pa≤30分钟；设备构成E 型电子束蒸发枪、电阻热蒸发源组件（可选配）、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵真空机组或低温泵真空机组、旋转基片加热台、工作气路、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置 E 型电子束蒸发系统 1套 功率 6kW～10kW 其它功率(可根据用户要求选配） 坩埚 1～8只 （可根据用户要求选配） 电阻热蒸发源组件 1～4套 （可根据用户要求配装）电阻热蒸发源种类-钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件-石英舟热蒸发源组件-钨极或钨蓝热蒸发源组件-钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）-束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）操作方式手动、半自动关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

一、设备简述：天士立科技ST-CVX半导体功率器件CV特性结电容分析测试仪是陕西天士立科技有限公司根据当前半导体功率器件发展趋势，针对半导体材料及功率器件设计的分析仪器。仪器采用了一体化集成设计，二极管、三极管、MOS管及IGBT等半导体功率器件寄生电容、CV特性可一键测试，无需频繁切换接线及设置参数，单管功率器件及模组功率器件均可一键快速测试，适用于生产线快速测试、自动化集成。CV曲线扫描分析能力亦能满足实验室对半导体材料及功率器件的研发及分析。仪器设计频率为1kHz-2MHz，VGS电压可达±40V，VDS电压可达±200V/±1500V/±3000V，足以满足大多数功率器件测试。 二、应用领域： 半导体功率器件：二极管、三极管、MOSFET、IGBT、晶闸管、集成电路、光电子芯片等寄生电容测试、C-V特性分析 半导体材料：晶圆切割、C-V特性分析 液晶材料 弹性常数分析 电容元件：电容器C-V特性测试及分析，电容式传感器测试分析 三、性能特点： 一体化设计：LCR+VGS低压源+VDS高压源+通道切换+上位机软件 单管器件、模组器件、曲线扫描)三种测试方式一体 四寄生参数(Ciss、Coss、Crss、Rg或Cies、Coes、Cres、Rg) 同屏一键测量及显示 CV曲线扫描、Ciss-Rg曲线扫描 四、功能指标： Vds：0~1200V Vgs：±25V Rg ：0~10KΩ 信号电压：1mV~1000mV 测试精度：0.01pf 测试频率：0.01KHZ~1MHZ 主要功能：IGBT，二极管，氮化镓、碳化硅 MOSFET等功率器件Rg\Ciss\Coss\Crss参数和CV特性测试分析 五、软件操作上位机使用Labview界面开发，该程序体现为人机交互界面，作为测试平台的交互系统，通过与LCR表、主控板等设备通讯，实现对设备的自动操作并进行数据采集、在界面上显示LCR表的测试波形、并对测试波形进行分析、计算，最终得到结果进行显示和存储。➢ 进入主界面，主界面分为参数录入区、波形显示区和参数显示区，如下图所示：六、系统主要部件：七、验收流程1. 在需方工作现场完成设备安装；2. 安装完成后, 双方依据技术协议对设备进行验收进行验收。3. 验收完成后, 双方签署《验收报告》，作为合同执行依据。 八、技术培训供方在需方工作现场免费为需方进行测试技术培训。培训内容包括：1. 系统介绍；2. 软件使用方法；3. 硬件使用方法；4. 器件测试技术；5. 测试实际操作；6. 系统使用注意事项；7. 日常维护与保养 九、售后服务1、全部供货范围内的设备、材料、零配件和工器具等，除合同特别约定外，其质保期均自终验收签字生效之日起 12 个月。2、若买方需卖方派工程师来现场解决设备问题，我方应在 3 小时内响应，2 个工作日内派人员抵达买方现场，因我方造成的设备停工时间应在质量保证期中予以相应延长。3、质保期之内，系统及设备发生任何非人为原因造成的故障和损坏，均由我方负责免费维修和服务，失效零件予以免费更换，所更换的部件三包期从更换之日起重新计算。4、质保期终止之日起一年内重复出现的质保期之内出现的故障，仍在质保范围而且免费维修。5、对于备件及易损件的报价，三年内不得提升，确保设备验收后五年内所需的配件国内能够实现现货供应。6、对于质量保证期后可能涉及的大修改造情况，我司承诺以不高于国内其他用户的供货价格为原则，根据新增功能的难易程度和全新设备的整体价格来综合报价。7、我方派往买方使用现场的人员，具有 5 年以上的专用素质；现场解决问题时，不得无故拖延或推迟，应为买方提供最佳的服务。8、产品终生免费技术支持，包括硬件维修，软件升级等。硬件维修只收取 相应的器件 成本费用，软件实行终生免费升级。9、六个月定期产品巡检，对产品硬件及软件升级等。10、不定期对使用设备人员走访或者电话培训服务。

产品简介：电子半导体图像法清洁度分析系统是普勒新世纪实验按照普洛帝分析仪器事业部的规划，于2001年推向市场的成熟系统仪器；观察颗粒形貌，还可以得到粒度分布、数量、大小、平均长径比以及长径比分布等，为科研、生产领域增添了一种新的粒度测试手段；电子半导体图像法清洁度分析系统为一种图像法粒度分布测试以及颗粒型貌分析等多功能颗粒分析系统，该系统包括光学显微镜、图像测试 CCD 摄像头、三维立体载物平台、图像法颗粒分析系统软件、电脑、打印机等部分组成；为科研、生产领域增添了一种新的粒度测试手段。产品优势：测试软件具有审计追踪、权限管控、电子记录、测试标准、计量验证、报告模板、图像存储、颗粒追踪、报告输出、清洁度分析等功能；全面自动标准选择、颗粒尺寸设定、颗粒计数，或按用户设定范围计数，自动显示分析结果，并按照相关标准确定产品等级；将传统的显微测量方法与现代的图像处理技术结合的产物；软件控制分析过程，手动对焦，手动光强（颗粒清洁度测试必须人为干预进行），自动扫描，自动摄入，自动分析；专用数字摄像机将显微镜的图像拍摄及扫描；全自动膜片扫描系统，无缝拼接，数字化显微镜分析系统；R232接口数据传输方式将颗粒图像传输到分析系统；颗粒图像分析软件及平台对图像进行处理与分析；引入3D遥感三维调控技术，快速定位，快速聚焦，体验极速无卡顿测试。显示器及打印机输出分析结果；直观、形象、准确、测试范围宽以及自动识别、自动统计、自动标定等特点；避免激光法的产品缺陷，扩展检测范围；现实NAS、ISO等国际标准方法的认可；提供行业独有的“OIL17服务星”签约式服务；产品应用：航空、航天、电力、石油、化工、交通、港口、冶金、机械、汽车制造、制冷、电子、半导体、工程机械、液压系统等领域；对各类固体粉末、各类液体中的固体颗粒（非连续相测试）。执行标准：0.1~3000μm的超宽范围、超高分辨率。可根据客户要求，植入相应“图像法颗粒度”测试和评判标准。技术参数：产品型号：PLD-MPCS2.0订制要求：各类液体检测要求；测试范围: 1μm-500μm放大倍数：40X～l000X倍 zui大分辨：0.1μm显微镜误差：0.02（不包含样品制备因素造成的误差）重复性误差： 5%（不包含样品制备因素造成的误差）数字摄像头(CCD)：500万~1800万像素分析项目：粒度分布、长径比分布、圆形度分布等自动分割速度： 1秒分割成功率： 93%软件运行环境：Windows 10接口方式：RS232或USB方式精 确 度：±3% 典型值；重合精度：10000粒/mL（5%重合误差）；分 辨 率：95%售后服务：普洛帝中国服务中心/普研检测。

简介PHI Genesis 500是最新一代配置了全自动多功能扫描聚焦X 射线光电子能谱，易操作式多功能选配附件，能够实现全自动样品传送停放，同时还具备高性能大面积和微区XPS 分析，快速精准深度剖析，为电池、半导体、有机器件以及其他各领域提供全面解决方案。关键技术易操作式多功能选配附件全自动样品传送停放高性能大面积和微区XPS 分析快速精准深度剖析为电池、半导体、有机器件以及其他各领域提供全面解决方案 简单易操作PHI GENESIS 提供了一种全新的用户体验，仪器高性能、全自动化、简单易操作。操作界面可在同一个屏幕内设置常规和高级的多功能测试参数，同时保留诸如进样照片导航和SXI 二次电子影像精准定位等功能。简单友好的用户界面PHI GENESIS 提供了一个简单、直观且易于操作的用户界面，对于操作人员非常友好，操作人员执行简单的设置操作即可完成包括所有选配附件在内的自动化分析。 多功能选配附件原位的多功能自动化分析，涵盖了从LEIPS 测试导带到HAXPES 芯能级激发的全范围技术，相比于传统的XPS 而言，PHI GENESIS 体现了前所未有的性能价值。全面的优良解决方案：高性能XPS、UPS、LEIPS、REELS、AES、GCIB 及多种其他选配附件可以满足所有表面分析需求。多数量样品大面积分析把制备好样品的样品托放进进样腔室后将自动传送进分析腔室内可同时使用三个样品托80mm×80mm 的大样品托可放置多数量样品可分析粉末、粗糙表面、绝缘体、形状复杂等各种各样的样品独一无二的可聚焦≤ 5μm 的微区X 射线束斑在PHI GENESIS 中，聚焦扫描X 射线源可以激发二次电子影像（SXI），利用二次电子影像可以进行导航、精准零误差定位、多点多区域同时分析测试以及深度剖析。大幅提升的二次电子影像（SXI）二次电子影像（SXI）精准零误差定位，保证了所见即所得。卓越的5μmX 射线束斑为微区XPS分析应用提供了新的机遇。 快速深度剖析PHI GENESIS 可实现高性能的深度剖析。聚焦X 射线源、高灵敏度探测器、高性能氩离子枪和高效双束中和系统可实现全自动深度剖析，包括在同一个溅射刻蚀坑内进行多点同时分析。 高性能的深度剖析能力( 下图左) 全固态电池薄膜的深度剖析。深度剖面清晰地显示了在2.0 μm 以下富Li 界面的存在。( 下图右) 在LiPON 膜沉积初期，可以看到氧从LiCoO2 层转移到LiPON 层中，使Co 在LoCoO2 层富Li 界面由氧化态还原为金属态。角分辨XPS 分析PHI GENESIS XPS 的高灵敏度微区分析和高度可重现的中和性能确保了对样品角分辨分析的卓越性能。另外，样品倾斜和样品旋转相结合，可同时实现角度的高分辨率和能量的高分辨率。应用领域主要应用于电池、半导体、光伏、新能源、有机器件、纳米颗粒、催化剂、金属材料、聚合物、陶瓷等固体材料及器件领域。用于全固态电池、半导体、光伏、催化剂等领域的先进功能材料都是复杂的多组分材料，其研发依赖于化学结构到性能的不断优化。ULVAC-PHI,Inc. 提供的全新表面分析仪器“PHI GENESIS” 全自动多功能扫描聚焦X 射线光电子能谱仪，具有卓越性能、高自动化和灵活的扩展能力，可以满足客户的所有分析需求。 PHI GENESIS 多功能分析平台在各种研究领域的应用电池 (AES + Transfer Vessel)“LiPON/LiCoO2 横截面的 pA-AES Li 化学成像”Li 基材料例如LiPON，对电子束辐照敏感。PHI GENESIS 提供的高灵敏度能量分析器可以在低束流（300pA）下快速获取AES 化学成像。有机器件 (UPS / LEIPS + GCIB)使用UPS/LEIPS 和Ar-GCIB 测量能带结构（1）C60 薄膜表面（2）C60 薄膜表面清洁后（3）C60 薄膜/Au 界面（4）Au 表面通过UPS/LEIPS 分析和Ar-GCIB 深度剖析可以确定有机层的能级结构。半导体 (XPS + HAXPES)半导体器件通常由包含许多元素的复杂薄膜组成，它们的研发通常需要对界面处的化学态进行无损分析。为了从深层界面获取信息，例如栅极氧化膜下的GaN，使用HAXPES 是非常有必要的。微电子 (HAXPES)微小焊锡点分析HAXPES 分析数据显示金属态Sn 的含量高于XPS 分析数据，这是由于Sn 球表面被氧化，随着深度的加深，金属态Sn的含量越高，正好符合HAXPES 分析深度比XPS 深的特点。

PHI Genesis 500是新一代配置了全自动多功能扫描聚焦X 射线光电子能谱，易操作式多功能选配附件，能够实现全自动样品传送停放，同时还具备高性能大面积和微区XPS 分析，快速准确深度剖析，为电池、半导体、有机器件以及其他各领域提供多方面的解决方案。关键技术易操作式多功能选配附件全自动样品传送停放高性能大面积和微区XPS 分析快速准确深度剖析为电池、半导体、有机器件以及其他各领域提供多方面解决方案 简单易操作PHI GENESIS 提供了一种全新的用户体验，仪器高性能、全自动化、简单易操作。操作界面可在同一个屏幕内设置常规和高级的多功能测试参数，同时保留诸如进样照片导航和SXI 二次电子影像准确定位等功能。简单友好的用户界面PHI GENESIS 提供了一个简单、直观且易于操作的用户界面，对于操作人员非常友好，操作人员执行简单的设置操作即可完成包括所有选配附件在内的自动化分析。多功能选配附件原位的多功能自动化分析，涵盖了从LEIPS 测试导带到HAXPES 芯能级激发的全范围技术，相比于传统的XPS 而言，PHI GENESIS 体现了前所未有的性能价值。优良解决方案：高性能XPS、UPS、LEIPS、REELS、AES、GCIB 及多种其他选配附件可以满足所有表面分析需求。多数量样品大面积分析把制备好样品的样品托放进进样腔室后将自动传送进分析腔室内可同时使用三个样品托80mm×80mm 的大样品托可放置多数量样品可分析粉末、粗糙表面、绝缘体、形状复杂等各种各样的样品可聚焦≤ 5μm 的微区X 射线束斑在PHI GENESIS 中，聚焦扫描X 射线源可以激发二次电子影像（SXI），利用二次电子影像可以进行导航、准确零误差定位、多点多区域同时分析测试以及深度剖析。大幅提升的二次电子影像（SXI）二次电子影像（SXI）准确零误差定位，保证了所见即所得。优越的5μmX 射线束斑为微区XPS分析应用提供了新的机遇。快速深度剖析PHI GENESIS 可实现高性能的深度剖析。聚焦X 射线源、高灵敏度探测器、高性能氩离子设备和高效双束中和系统可实现全自动深度剖析，包括在同一个溅射刻蚀坑内进行多点同时分析。高性能的深度剖析能力( 下图左) 全固态电池薄膜的深度剖析。深度剖面清晰地显示了在2.0 μm 以下富Li 界面的存在。( 下图右) 在LiPON 膜沉积初期，可以看到氧从LiCoO2 层转移到LiPON 层中，使Co 在LoCoO2 层富Li 界面由氧化态还原为金属态。角分辨XPS 分析PHI GENESIS XPS 的高灵敏度微区分析和高度可重现的中和性能确保了对样品角分辨分析的优越性能。另外，样品倾斜和样品旋转相结合，可同时实现角度的高分辨率和能量的高分辨率。应用领域主要应用于电池、半导体、光伏、新能源、有机器件、纳米颗粒、催化剂、金属材料、聚合物、陶瓷等固体材料及器件领域。用于全固态电池、半导体、光伏、催化剂等领域的先进功能材料都是复杂的多组分材料，其研发依赖于化学结构到性能的不断优化。ULVAC-PHI,Inc. 提供的全新表面分析仪器“PHI GENESIS” 全自动多功能扫描聚焦X 射线光电子能谱仪，具有优越性能、高自动化和灵活的扩展能力，可以满足客户的所有分析需求。PHI GENESIS 多功能分析平台在各种研究领域的应用电池 (AES + Transfer Vessel)“LiPON/LiCoO2 横截面的 pA-AES Li 化学成像”Li 基材料例如LiPON，对电子束辐照敏感。PHI GENESIS 提供的高灵敏度能量分析器可以在低束流（300pA）下快速获取AES 化学成像。有机器件 (UPS / LEIPS + GCIB)使用UPS/LEIPS 和Ar-GCIB 测量能带结构（1）C60 薄膜表面（2）C60 薄膜表面清洁后（3）C60 薄膜/Au 界面（4）Au 表面通过UPS/LEIPS 分析和Ar-GCIB 深度剖析可以确定有机层的能级结构。半导体 (XPS + HAXPES)半导体器件通常由包含许多元素的复杂薄膜组成，它们的研发通常需要对界面处的化学态进行无损分析。为了从深层界面获取信息，例如栅极氧化膜下的GaN，使用HAXPES 是非常有必要的。微电子 (HAXPES)微小焊锡点分析HAXPES 分析数据显示金属态Sn 的含量高于XPS 分析数据，这是由于Sn 球表面被氧化，随着深度的加深，金属态Sn的含量越高，正好符合HAXPES 分析深度比XPS 深的特点。

Escalab 250Xi型电子能谱仪是一台多功能高性能的表面分析仪器，它可以用于研究各种固体材料样品表面（1-10nm厚度）的元素种类、化学价态以及相对含量。结合离子刻蚀技术还可以获得元素及化学态深度分布信息；通过成像技术可以获得元素及化学态的面分布信息；利用微聚焦X射线源或电子束可以获得微区表面信息。在金属、玻璃、高分子、半导体、纳米材料、生物材料以及催化等领域有广泛应用。本仪器以X射线光电子能谱为主要功能，还带有俄歇电子能谱、紫外光电子能谱、反射电子能量损失谱及离子散射谱等附件功能。主要功能特点如下：1． 常规XPS，鉴别样品表面的元素种类、化学价态以及相对含量。双阳极XPS，更适合用于不同的特殊过渡金属元素的研究，如催化领域。2． 微区XPS分析（单色化XPS），用于样品微区（＞20μm）表面成分分析，高能量分辨的化学态分析3． 深度剖析XPS，结合离子刻蚀技术对样品（如薄膜等）进行成分深度分布分析。通过角分辨XPS还可以进行非损伤成分深度分布分析。4． XPS成像，可以对元素或化学态进行表面面分布分析，使一些分析结果更直观。5． 反射电子能量损失谱REELS技术，可实现氢元素的检测。6． 离子能量损失谱ISS，可实现样品表面元素信息的检测7． 场发射俄歇AES，可实现样品表面100nm尺寸下的元素信息检测。可以进行成分分析、形貌像分析及扫描俄歇像分析等。8． 紫外光电子能谱（UPS），可以获得样品价带谱信息，对导体、半导体的能带、带隙等分析提供主要数据。还可以分析样品逸出功等。

SCD-1500型半导体C-V特性分析仪关键词：半导体，C-V特性，集成电路 SCD-1500型半导体C-V特性分析仪创新性地采用了双CPU架构、Linux底层系统、10.1英寸电容式触摸屏、中英文操作界面、内置使用说明及帮助等新一代技术，适用于生产线快速分选、自动化集成测试及满足实验室研发及分析。半导体C-V特性分析仪测试频率为10kHz-2MHz，VGS电压可达±40V，足以满足二极管、三极管、MOS管及IGBT等半导体件CV特性测试分析。一、主要应用范围：半导体元件/功率元件二极管、三极管、MOSFET、IGBT、晶闸管、集成电路、光电子芯片等寄生电容测试、C-V特性分析半导体材料晶圆、C-V特性分析液晶材料弹性常数分析二、性能特点：通道：2（可扩展至6）高偏置：VGS：0 - ±40V，VDS：0–200V,1500V,3000V双CPU架构，最短积分时间0.56ms（1800次/秒）10.1英寸电容式触摸屏，分辨率1280*800，Linux系统点测、列表扫描、图形扫描(选件)三种测试方式四寄生参数（Ciss、Coss、Crss、Rg）同屏显示快速导通测试Cont一体化设计：LCR+高压源+继电器矩阵快速充电，缩短电容充电时间，实现快速测试自动延时设置10档分选三、功能特点A.单点测试，10.1英寸大屏，四种寄生参数同屏显示，让细节一览无遗10.1英寸触摸屏、1280*800分辨率，Linux系统、中英文操作界面，支持键盘、鼠标、LAN接口，带来了无以伦比的操作便捷性。MOSFET最重要的四个寄生参数：Ciss、Coss、Crss、Rg在同一个界面直接显示测量结果，并将四个参数测试等效电路图同时显示，一目了然。多至6个通道测量参数可快速调用，分选结果在同一界面直接显示。B.列表测试，灵活组合SCD-1500型半导体C-V特性分析仪支持最多6个通道、4个测量参数的测试及分析，列表扫描模式支持不同通道、不同参数、不同测量条件任意组合，并可设置极限范围，并显示测量结果 。C.曲线扫描功能（选件）SCD-1500型半导体C-V特性分析仪支持C-V特性曲线分析，可以对数、线性两种方式实现曲线扫描，可同时显示多条曲线：同一参数、不同Vg的多条曲线；同一Vg、不同参数多条曲线 。。C.曲线扫描功能（选件）SCD-1500型半导体C-V特性分析仪支持C-V特性曲线分析，可以对数、线性两种方式实现曲线扫描，可同时显示多条曲线：同一参数、不同Vg的多条曲线；同一Vg、不同参数多条曲线 。D.简单快捷设置E.10档分选及可编程HANDLER接口仪器提供了10档分选，为客户产品质量分级提供了可能，分选结果直接输出至HANDLER接口。在与自动化设备连接时，怎么配置HANDLER接口输出，一直是自动化客户的难题，TH510系列将HANDLER接口脚位、输入输出方式、对应信号、应答方式等完全可视化，让自动化连接更简单。F.支持定制化，智能固件升级方式SCD-1500型半导体C-V特性分析仪客户而言是开放的，仪器所有接口、指令集均为开放设计，客户可自行编程集成或进行功能定制，定制功能若无硬件更改，可直接通过固件升级方式更新。仪器本身功能完善、BUG解决、功能升级等，都可以通过升级固件(Firmware)来进行更新，而无需返厂进行。固件升级非常智能，可以通过系统设置界面或者文件管理界面进行，智能搜索仪器内存、外接优盘甚至是局域网内升级包，并自动进行升级G.半导体元件寄生电容知识在高频电路中，半导体器件的寄生电容往往会影响半导体的动态特性，所以在设计半导体元件时需要考虑下列因数在高频电路设计中往往需要考虑二极管结电容带来的影响；MOS管的寄生电容会影响管子的动作时间、驱动能力和开关损耗等多方面特性；寄生电容的电压依赖性在电路设计中也是至关重要，以MOSFET为例。 技术参数1、 通道：2通道（可扩展6通道）2、 显示：液晶显示，触摸屏3、 测量参数：C、L、X、B、R、G、D、Q、ESR、Rp、θ、|Z|、|Y|4、 测试频率：10kHz-2MHz5、 精度：0.01%6、 分辨率：10mHz 1.00000kHz-9.99999kHz7、 电压范围：5mVrms-2Vrms8、 精度：±（10%×设定值+2mV）9、 VGS电压： ±40V，准确度：1%×设定电压+8Mv,分辨率 1mV(0V-±10V)10、 VDS电压：0 - 200V11、 精度：1%×设定电压+100mV12、 1%×设定电压+100mV13、 输出阻抗：100Ω，±2%@1kHz14、 软件：C-V特性曲线分析，对数、线性两种方式实现曲线扫描

BPZ电子半导体元件专用干燥箱用途概述：本产品适用于电子产品生产过程的脱泡，脱水，硬化和洗净处理后的干燥等真空状态下的热处理，广泛用于锂离子电池、LED光电元件、晶振等电子产品生产工艺的真空干燥处理，可同时满足不同试验条件下的实验对比，为用户节省试验时间提高效率。产品特点：工作室采用不锈钢板制成，确保产品经久耐用，外箱体可选配全不锈钢SUS304材料，便于清洁。长方形真空室，使用容积大，能充分利用空间。弹性双层钢化玻璃门观察工作室内物体，一目了然。箱门闭合松紧可调节，整体成型的合成硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。增设超温保护温控口，有效的防止温度失控等安全问题。 （选配）每层箱体可独立加温、独立抽真空、独立注氮气，互不干扰。低噪声进口真空泵，真空控制稳定可靠。（带“B”为进口真空泵）可增配置多层隔板（选配）可增配LED照明（选配）程序控制(选配) 程序控制操作，可根据工艺需求设定加热、真空保持和氮气保持时间，确保每批次烘烤一致性，降低产品的烘烤差异性。技术参数：型号多箱真空干燥箱BPZ-6090-2BPZ-6090-2B（二箱）BPZ-6120-2BPZ-6120-2B（二箱）BPZ-6210-2BPZ-6210-2B（二箱）BPZ-6140-3BPZ-6140-3B （三箱）电源电压AC220V 50HZ输入功率2200W3350W3550W3100W控温范围RT+10～200℃温度分辨率/波动度0.1℃ /±1℃达到真空度133Pa真空表机械指针式工作环境温度＋5～40℃内胆尺寸(mm)W×D×H450×450×450（单层）500×500×500（单层）600×600×600（单层）380×600×620（单层）外形尺寸(mm)W×D×H740×810×1470790×860×1570880×960×1770880×980×1910搁板2块(独立控温)×23块(独立控温)×23块(独立控温)×22块(独立控温)×3工作室材料不锈钢304 (1Cr～18Ni9Ti) / 静电喷塑工艺真空表进口真空表价格RMB41900RMB51900RMB56000RMB66000RMB69000RMB79000RMB89000RMB99000注：1、带“B”为进口真空泵。 2、BPZ系列真空干燥箱配真空泵和干燥罐

半导体TEC温控平台及设备产品介绍本系列的“半导体温控平台、设备”是建立在半导体制冷片(热电制冷片)基础上设计的高性能温度控制系统，其特点是高精度和高稳定度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-60℃～300℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 点阵液晶或触摸屏控制 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：根据产品型号不同，具体参见产品手册 接受定制：可根据客户需要定制温控平台，夹具平台、恒温盒、恒温箱产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等平台产品选型型号参数 TLT-FB120-30 TLT-FB120-50 TLT-WB120-80 TLT-WB120-120 TLT-WB120-200 TLT-WB120-300输入电压（VAC） AC220V±15%制冷功率（V） 30W 50W 80W 120W 200W 300W冷却方式 风冷 水冷控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -10℃~150℃ -60℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）平台体积 120*120*100mm温控仪体积 450×300×133mm 450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸

金丝球焊推拉力测试机标准：冷/热焊凸块拉力-JEITAEIAJET-7407BGA凸点剪切-JEDECJESD22-B117A冷焊凸块拉力-JEDECJESD22-B115金球剪切-JEDECJESD22-B116引线拉力-DT/NDTMILSTD883芯片剪切-MILSTD883注:JEDEC固态技术协会微电子行业的领导标准机构ASTM美国材料与试验协会MILSTD美国军用标准883微电子器件试验方法和程序金丝球焊推拉力测试机特点：1、可实现多功能推拉力测试 2、任意组合可实现多种功能测试 3、满足单一测试模组 4、创新的机械设计模式 5、强大的数据处理功能 6、简易的操作模式，方便、有效。型号：LB-8600产品介绍LB-8600多功能推拉力测试机广泛用于LED封装测试，IC半导体封装测试、TO封装测试，IGBT功率模块封装测试，光电子元器件封装测试，汽车领域，航天航空领域，军工产品测试，研究机构的测试及各类院校的测试研究等应用。设备功能介绍：1.设备整体结构采用五轴定位控制系统，X轴和Y轴行程100mm,Z轴行程80mm,结合人体学的独特设计，全方位保护措施，左右霍尔摇杆控制XYZ平台的自由移动，让操作更加简单、方便并更加人性化。2.可达200KG的坚固机身设计，Y轴测试力值100KG，Z轴测试力值20KG3.智能工位自动更换系统，减少手工更换模块的繁琐性，同时更好提升了测试的效率及便捷性4.高精密的动态传感结合独特的力学算法，使各传感器适应不同环境的精密测试并确保测试精度的准确性5.LED智能灯光控制系统，当设备空闲状况下，照明灯光自动熄灭，人员操作时，LED照明灯开启设备软件：1.中英文软件界面，三级操作权限，各级操作权限可自由设定力值单位Kg、g、N，可根据测试需要进行选择。2.软件可实时输出测试结果的直方图、力值曲线，测试数据实时保存与导出功能，测试数据并可实时连接MES系统软件可设置标准值并直接输出测试结果并自动对测试结果进行判定。3.SPC数据导出自带当前导出数据大值、小值、平均值及CPK计算。传感器精度：传感器精度±0.003％；综合测试精度±0.25％测试传感器量程自动切换。测试精度：多点位线性精度校正，并用标准法码进行重复性测试，保证传感器测试数据准确性。软件参数设置：根据各级权限可对合格力值、剪切高度、测试速度等参数进行调节。测试平台：真空360度自由旋转测试平台，适应于各种材料测试需求，只需要更换相应的治具或压板，即可轻松实现多种材料的测试需求。测试参数:设备型号：LB-8600外型尺寸：680*580*710(含左右摇杆)设备重量：95KG电源供应：110V/220V@4.0A 50/60HZ压缩空气：4.5-6Bar真空输出：500mm Hg控制电脑：联想PC软件运行：Windows7/Windows10显微镜：标配双目连续变倍显微镜（选配三目显微镜）传感器更换方式：自动切换平台治具：360度旋转，平台可共用各种测试治具XY轴有效行程：100*100mmZ轴有效行程：80mmXY轴分辩率：±1um Z轴分辩率±1um传感器精度：传感器精度±0.003％；综合测试精度±0.25％

...................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 用途：应用于微电子及光电子工艺电子器件：精密芯片，LED外延式芯片，LCD，BGA，精密光学仪器及光学元件，镀金铜线等；该系列产品被大量应用于在无尘净化车间电子器件及材料的安全防氧化保管。全自动氮气柜HSD系列（1%~60%RH）介绍Product Introduction 1.全自动氮气柜柜体采用1mm及1.2mm钢板制作，多处加强结构，承重性能好，重叠式结构设计，密封性能。2.表面处理采用先进的有18道工序组成的橘纹烤漆，耐腐蚀性强。 3.门镶3.2mm高强度钢化玻璃，防前倾耳式结构设计。带平面加压把手锁一体化设计,有防盗功能。底部安装可移动带刹车脚轮方便移动及固定（防静电机型脚轮为防静电）。4.LED超高亮数码显示，温湿度传感器采用品牌honeywell，温湿度独立显示，使用寿命长。湿度可设定且具有记忆功能，断电后无需再设定。5.湿度显示范围0%～99%RH,温度显示范围-9℃～99℃。显示精度:湿度±3%RH 温度±1℃6.配备氮气节约装置，当箱内湿度到达设定值时，系统会自动切断氮气供应，当超过设定值时，系统会智能打开氮气供应。相比市场其他直充氮气机型可节约70%氮气消耗量。大程度降低使用成本。7.采用多点供气系统。氮气通过30多个小孔冲入箱内，箱内氮气分布比较均匀。避免了普通单点供气而产生的死点死角现象。8.行业内一家拥有智能化控制系统的氮气柜。自动判断机器内湿度来决定工作时间，节省能源，延长产品使用寿命。产品机芯采用中外合作先进技术，使得产品性能稳定，质量大有保障。主机外壳采用高温阻燃材料，降低安全隐患。防静电机型表面处理采用先进的防静电烤漆，静电阻值为106-108欧姆，美观大方，耐腐蚀性强.,机型颜色为黑色。备注：普通不防静电柜子颜色为电脑白，防静电柜子颜色为黑褐色，型号为HSD98FD（可选配）。全自动氮气柜用途：应用于微电子及光电子工艺电子器件：精密芯片，LED外延式芯片，LCD，BGA，精密光学仪器及光学元件，镀金铜线等；该系列产品被大量应用于在无尘净化车间电子器件及材料的安全防氧化保管。 主要技术参数Specifications

...................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 用途：应用于微电子及光电子工艺电子器件：精密芯片，LED外延式芯片，LCD，BGA，精密光学仪器及光学元件，镀金铜线等；该系列产品被大量应用于在无尘净化车间电子器件及材料的安全防氧化保管。全自动氮气柜HSD系列（1%~60%RH）介绍Product Introduction 1.全自动氮气柜柜体采用1mm及1.2mm钢板制作，多处加强结构，承重性能好，重叠式结构设计，密封性能。2.表面处理采用先进的有18道工序组成的橘纹烤漆，耐腐蚀性强。 3.门镶3.2mm高强度钢化玻璃，防前倾耳式结构设计。带平面加压把手锁一体化设计,有防盗功能。底部安装可移动带刹车脚轮方便移动及固定（防静电机型脚轮为防静电）。4.LED超高亮数码显示，温湿度传感器采用品牌honeywell，温湿度独立显示，使用寿命长。湿度可设定且具有记忆功能，断电后无需再设定。5.湿度显示范围0%～99%RH,温度显示范围-9℃～99℃。显示精度:湿度±3%RH 温度±1℃6.配备氮气节约装置，当箱内湿度到达设定值时，系统会自动切断氮气供应，当超过设定值时，系统会智能打开氮气供应。相比市场其他直充氮气机型可节约70%氮气消耗量。大程度降低使用成本。7.采用多点供气系统。氮气通过30多个小孔冲入箱内，箱内氮气分布比较均匀。避免了普通单点供气而产生的死点死角现象。8.行业内一家拥有智能化控制系统的氮气柜。自动判断机器内湿度来决定工作时间，节省能源，延长产品使用寿命。产品机芯采用中外合作先进技术，使得产品性能稳定，质量大有保障。主机外壳采用高温阻燃材料，降低安全隐患。防静电机型表面处理采用先进的防静电烤漆，静电阻值为106-108欧姆，美观大方，耐腐蚀性强.,机型颜色为黑色。备注：普通不防静电柜子颜色为电脑白，防静电柜子颜色为黑褐色，型号为HSD98FD（可选配）。全自动氮气柜用途：应用于微电子及光电子工艺电子器件：精密芯片，LED外延式芯片，LCD，BGA，精密光学仪器及光学元件，镀金铜线等；该系列产品被大量应用于在无尘净化车间电子器件及材料的安全防氧化保管。 主要技术参数Specifications

产品概要：FS-Pro 半导体参数测试系统是一款功能全面、配置灵活的半导体器件电学特性分析设备，在一个系统中实现了电流电压(IV) 测试、电容电压(CV)测试、脉冲式 IV 测试、高速时域信号采集以及低频噪声测试能力。一套设备可完成半导体器件的全部低频特性表征，其强大而全面的测试分析能力极大地加速了半导体器件与工艺的研发评估进程，可无缝地与 9812 噪声测试系统集成，其快速 DC 测试能力进一步提升了 9812 系列产品的噪声测试效率。基本信息：软件功能：FS-Pro 系列内置 LabExpress 测量软件具有强大的测试和分析功能，该软件提供友好的图形化用户使用界面和灵活的设定，具有下列主要功能 :1、完整支持直流，脉冲，瞬态，电容和噪声测试功能2、内置的常见器件测试预设可大大提高测试设置效率，帮助新手操作者快速完成测试3、强大的自定义设定功能可以灵活编辑电信号4、内置强大数据处理能力可测试后直接展开器件特性分析5、多种数据保存方式，导出数据可供用户后续分析研究也可直接导入建模软件 BSIMProPlus 和 MeQLab 进行模型提取和特性分析6、LabExpress 专业版支持对主流半自动探针台和矩阵开关设备的控制，支持晶圆映射、并行测试实现自动测试功能，进一步提升测试效率IV电流电压测试CV电容电压测试1/f噪声测试 IVT测试采用工业通用的 PXI 模块化硬件结构，配合自主开发的测试软件 LabExpress，FS-Pro 在半导体工业产线测试与科研应用方面都具有优秀的性能表现，可广泛应用于各种半导体器件、 LED 材料、二维材料器件、金属材料、新型先进材料与器件测试等。LabExpress 为用户提供了丰富的测试预设和强大的测试功能，可实现非常友好的用户即插即用体验； 该系统还可支持多通道并行测试，进一步提升测试效率。技术优势：1、同时具备高速高精度直流测试和脉冲测试能力2、量程范围宽、测试速度快3、支持小于1us采样时间的高速时域信号采集4、高达10万点的数据量可以精细描绘信号随时间变化特性5、低频噪声(1/f noise,flicker noise)测试能力特别是RTN(随机电报噪声)测试能力与对准能力6、使用方式简单灵活，无需编程即可实现自由的波形发生或电压同步与跟随7、支持并行测试，内置功能强大的测试软件和算法，支持多通道并行测试成倍提升测试效率8、系统架构，PXI标准机箱，可扩展架构,支持通过多机箱扩展SMU卡数量应用方向：被半导体工业界和众多知名大学及科研机构采用作为标准测试仪器。

LB-8600多功能推拉力测试机广泛用于LED封装测试，IC半导体封装测试、TO封装测试，IGBT功率模块封装测试，光电子元器件封装测试，汽车领域，航天航空领域，军工产品测试，研究机构的测试及各类院校的测试研究等应用。设备功能介绍：1.设备整体结构采用五轴定位控制系统，X轴和Y轴行程100mm,Z轴行程80mm,结合人体学的独特设计，全方位保护措施，左右霍尔摇杆控制XYZ平台的自由移动，让操作更加简单、方便并更加人性化。2.可达200KG的坚固机身设计，Y轴测试力值100KG，Z轴测试力值20KG3.智能工位自动更换系统，减少手工更换模块的繁琐性，同时更好提升了测试的效率及便捷性4.高精密的动态传感结合独特的力学算法，使各传感器适应不同环境的精密测试并确保测试精度的准确性5.LED智能灯光控制系统，当设备空闲状况下，照明灯光自动熄灭，人员操作时，LED照明灯开启设备软件：1.中英文软件界面，三级操作权限，各级操作权限可自由设定力值单位Kg、g、N，可根据测试需要进行选择。2.软件可实时输出测试结果的直方图、力值曲线，测试数据实时保存与导出功能，测试数据并可实时连接MES系统软件可设置标准值并直接输出测试结果并自动对测试结果进行判定。3.SPC数据导出自带当前导出数据大值、小值、平均值及CPK计算。传感器精度：传感器精度±0.003％；综合测试精度±0.25％测试传感器量程自动切换。测试精度：多点位线性精度校正，并用标准法码进行重复性测试，保证传感器测试数据准确性。软件参数设置：根据各级权限可对合格力值、剪切高度、测试速度等参数进行调节。测试平台：真空360度自由旋转测试平台，适应于各种材料测试需求，只需要更换相应的治具或压板，即可轻松实现多种材料的测试需求。测试参数:设备型号：LB-8600外型尺寸：680*580*710(含左右摇杆)设备重量：95KG电源供应：110V/220V@4.0A 50/60HZ压缩空气：4.5-6Bar真空输出：500mm Hg控制电脑：联想PC软件运行：Windows7/Windows10显微镜：标配双目连续变倍显微镜（选配三目显微镜）传感器更换方式：自动切换平台治具：360度旋转，平台可共用各种测试治具XY轴有效行程：100*100mmZ轴有效行程：80mmXY轴分辩率：±1um Z轴分辩率±1um传感器精度：传感器精度±0.003％；综合测试精度±0.25％

型号：LB-8600产品介绍LB-8600多功能推拉力测试机广泛用于LED封装测试，IC半导体封装测试、TO封装测试，IGBT功率模块封装测试，光电子元器件封装测试，汽车领域，航天航空领域，军工产品测试，研究机构的测试及各类院校的测试研究等应用。设备功能介绍：1.设备整体结构采用五轴定位控制系统，X轴和Y轴行程100mm,Z轴行程80mm,结合人体学的独特设计，全方位保护措施，左右霍尔摇杆控制XYZ平台的自由移动，让操作更加简单、方便并更加人性化。2.高可达200KG的坚固机身设计，Y轴测试力值100KG，Z轴测试力值20KG3.智能工位自动更换系统，减少手工更换模块的繁琐性，同时更好提升了测试的效率及便捷性4.高精密的动态传感结合独特的力学算法，使各传感器适应不同环境的精密测试并确保测试精度的准确性5.LED智能灯光控制系统，当设备空闲状况下，照明灯光自动熄灭，人员操作时，LED照明灯开启设备软件：1.中英文软件界面，三级操作权限，各级操作权限可自由设定力值单位Kg、g、N，可根据测试需要进行选择。2.软件可实时输出测试结果的直方图、力值曲线，测试数据实时保存与导出功能，测试数据并可实时连接MES系统软件可设置标准值并直接输出测试结果并自动对测试结果进行判定。3.SPC数据导出自带当前导出数据大值、小值、平均值及CPK计算。传感器精度：传感器精度±0.003％；综合测试精度±0.25％测试传感器量程自动切换。测试精度：多点位线性精度校正，并用标准法码进行重复性测试，保证传感器测试数据准确性。软件参数设置：根据各级权限可对合格力值、剪切高度、测试速度等参数进行调节。测试平台：真空360度自由旋转测试平台，适应于各种材料测试需求，只需要更换相应的治具或压板，即可轻松实现多种材料的测试需求。测试参数:设备型号：LB-8600外型尺寸：680*580*710(含左右摇杆)设备重量：95KG电源供应：110V/220V@4.0A 50/60HZ压缩空气：4.5-6Bar真空输出：500mm Hg控制电脑：联想PC软件运行：Windows7/Windows10显微镜：标配双目连续变倍显微镜（选配三目显微镜）传感器更换方式：自动切换平台治具：360度旋转，平台可共用各种测试治具XY轴有效行程：100*100mmZ轴有效行程：80mmXY轴分辩率：±1um Z轴分辩率±1um传感器精度：传感器精度±0.003％；综合测试精度±0.25％

快速检测，快速行动微电子和半导体检查系统 DM3 XL检测速度在微电子和半导体行业的检查、过程控制或缺陷和故障分析中至关重要。您发现缺陷的速度越快，您可以做出更快的反应。大视野——视野增加30％DM3 XL检测系统视野开阔，可让您的团队更快地发现缺陷并提高合格率。利用独特的宏观物镜增加的30％视野。 视野更大，效率更高看到更多意味着更快地工作。为了快速扫描6英寸以下的大型组件，DM3 XL提供了独特的微距物镜。放大倍数为0.7倍，它可以立即捕获35.7毫米的视场-比其他常规扫描物镜大30％。有了宏观目标，缺陷就没有机会了：提高产量可靠地检测到晶圆边缘或中心的显影不足检测不均匀的径向膜厚度 LED适用于所有对比方法DM3 XL将LED照明用于所有对比方法。LED照明提供恒定的色温，并提供所有强度级别的真实彩色成像。 在所有强度级别上逼真的彩色成像免调整无需更换灯泡-无需停机可重复的结果由于使用寿命长且功耗低，LED还具有巨大的成本节省潜力。 光学高性能使用DM3 XL，您可以以可承受的价格享受卓越的光学效果。用倾斜照明检查侧面，边缘或碎片：从不同角度照亮样品，这是可视化地形图的简便有效方法。通过深入的暗场对比度检测样品下层中的微小划痕或小颗粒。灵敏度和分辨率的急剧提高会让您震惊。 各种样品–可变台插入无论您要检查哪种样品大小和样品类型，都可以从各种载物台中进行选择：载物台尺寸：150毫米x 150毫米舞台插件：金属插件，晶圆支架或掩模支架快速粗台或精台定位 舒适直观地工作彩色编码膜片助手（CCDA）简化了分辨率，对比度和景深的基本设置，有助于加快工作速度并减少操作错误。简单直观的功能使您的团队可以更快地提供可靠的结果。借助易于触及的控件，可在切换对比度或照明时将手放在显微镜上，将眼睛放在样品上用右手轻松操作光强度控制器使用可变的ErgoTubes和聚焦旋钮将显微镜调整到不同的身高

快速检测，快速行动微电子和半导体检查系统 DM3 XL检测速度在微电子和半导体行业的检查、过程控制或缺陷和故障分析中至关重要。您发现缺陷的速度越快，您可以做出更快的反应。大视野——视野增加30％DM3 XL检测系统视野开阔，可让您的团队更快地发现缺陷并提高合格率。利用独特的宏观物镜增加的30％视野。 视野更大，效率更高看到更多意味着更快地工作。为了快速扫描6英寸以下的大型组件，DM3 XL提供了独特的微距物镜。放大倍数为0.7倍，它可以立即捕获35.7毫米的视场-比其他常规扫描物镜大30％。有了宏观目标，缺陷就没有机会了：提高产量可靠地检测到晶圆边缘或中心的显影不足检测不均匀的径向膜厚度 LED适用于所有对比方法DM3 XL将LED照明用于所有对比方法。LED照明提供恒定的色温，并提供所有强度级别的真实彩色成像。 在所有强度级别上逼真的彩色成像免调整无需更换灯泡-无需停机可重复的结果由于使用寿命长且功耗低，LED还具有巨大的成本节省潜力。 光学高性能使用DM3 XL，您可以以可承受的价格享受卓越的光学效果。用倾斜照明检查侧面，边缘或碎片：从不同角度照亮样品，这是可视化地形图的简便有效方法。通过深入的暗场对比度检测样品下层中的微小划痕或小颗粒。灵敏度和分辨率的急剧提高会让您震惊。 各种样品–可变台插入无论您要检查哪种样品大小和样品类型，都可以从各种载物台中进行选择：载物台尺寸：150毫米x 150毫米舞台插件：金属插件，晶圆支架或掩模支架快速粗台或精台定位 舒适直观地工作彩色编码膜片助手（CCDA）简化了分辨率，对比度和景深的基本设置，有助于加快工作速度并减少操作错误。简单直观的功能使您的团队可以更快地提供可靠的结果。借助易于触及的控件，可在切换对比度或照明时将手放在显微镜上，将眼睛放在样品上用右手轻松操作光强度控制器使用可变的ErgoTubes和聚焦旋钮将显微镜调整到不同的身高

电子半导体行业净化瓶专 有 技术：清洁工艺-高频超声原位冲洗清洁（CIP系统）；灭菌工艺-超高低温紫外复合灭菌（UHTU系统）；烘干工艺-千万级真空清洁密封融合烘干（TMVSD系统）；检测工艺-采用颗粒计数器批次抽样监测、在线逐一检测（PC&OPC系统；包装工艺-结合的无菌包装厂商产品确保每一个独立产品的安全（SVP系统）。制 造 工艺：高质量的原位清洗（CIP）有助于维持卓越和一致的产品质量，避免因生产受污染及原料浪费所带来的风险与费用。超高温灭菌处理是一种科技灭菌的高温处理技术。UHT英文全称为Ultra High Temperature，意即超高温。细菌等微生物在很短的时间内（2至10秒）被137至140摄氏度的高温杀死。监 测 工艺：逐一检测批次抽检法是目前最为重苛刻的监督检测方法，生产中每一个产品需通过跟踪检测，再从成品中进行批次抽检，达到合格率。目前为PULUODY/普洛帝特有监测手段。产 品 应用：高纯水、电子纯试剂、光刻胶、硅晶片洗液、电子级清洗剂、液晶液、电路板洗液等等的取样。适合各类水液或油液的不溶性微粒检测。执 行 标准：GB 50073-2001洁净厂房设计规范JIS B9925-1997 液体中の粒子の大きさ及び数を測定する光散乱式自動粒子計数器JIS?K0554-1995超純水中の微粒子測定方法ISO 3722Fluid sample containers -- Qualifying and controlling cleaning methodsISO14644-1Cleanrooms and associated controlled environments—Part1:Classification of air cleanlinessGB/T 17484流体样品容器 鉴定和控制清洗方法可根据要求，进行各种粒径的清洗订制。技 术 参数：订制要求：各种粒径、颗粒数量、容积的订制粒径范围：0.1μm；0.3μm；0.5μm；1.0μm；2.0μm；5.0μm；取样容积：100ml、120ml、150ml、220ml、250ml、300ml、500ml、1000ml瓶体材质：PP、PE、PEFT、PEEK、PFAD、高硅硼等平均检出质量极限AOQL：0.5%洁净等级：RCL＜15个/100mL等级评判：CLASS 1 ~ 9级电子级PP瓶：编号容量ml口内径×瓶直径×高（mm）数量86-8011-PP-01广口100φ25×φ47×981箱（5个/袋×2袋）86-8011-PP-02广口250φ32×φ62×1301箱（5个/袋×2袋）86-8011-PP-03广口500φ42×φ76×1621箱（2个/袋×5袋）86-8011-PP-04广口1000φ48×φ92×1981箱（1个/袋×5袋）86-8011-PPS-01细口100φ47×φ16×1001箱（5个/袋×2袋）86-8011-PPS-02细口250φ62×φ16×1331箱（5个/袋×2袋）86-8011-PPS-03细口500φ76×φ20×1671箱（2个/袋×5袋）电子级PFA瓶：编号容量口内径×瓶直径×高×盖外径（mm）数量86-8011-PFA-01细口100φ16.7×φ47×94×301箱（1个/袋×5袋）86-8011-PFA-02细口250φ16.7×φ60×133×301箱（1个/袋×5袋）86-8011-PFA-03细口500φ26.7×φ77×158×401箱（1个/袋×5袋）86-8011-PFA-05广口100φ26.7×φ47×94×401箱（1个/袋×5袋）86-8011-PFA-06广口250φ33.8×φ60×133×501箱（1个/袋×5袋）86-8011-PFA-07广口500φ43.6×φ77×158×601箱（1个/袋×5袋）86-8011-PFA-08广口1000φ43.6×φ94×200×601箱（1个/袋×5袋）电子级玻璃瓶：编号容量瓶直径×高（mm）数量86-8011-HSG-0150φ38×681箱（10个/袋×8袋）86-8011-HSG-02110φ48×871箱（10个/袋×5袋）86-8011-HSG-03200φ58×1151箱（5个/袋×10袋）86-8011-HSG-04250φ65×1271箱（3个/袋×10袋）86-8011-HSG-05500φ84×1551箱（2个/袋×12袋）电子级PP无菌瓶：编号容量ml口内径×瓶直径×高（mm）数量86-8011-PPST-01细口100φ47×φ16×1001箱（5个/袋×2袋）86-8011-PPST-02细口250φ62×φ16×1331箱（5个/袋×2袋）86-8011-PPST-03细口500φ76×φ20×1671箱（2个/袋×5袋）86-8011-PPST-04广口100φ25×φ47×981箱（5个/袋×2袋）86-8011-PPST-05广口250φ32×φ62×1301箱（5个/袋×2袋）86-8011-PPST-06广口500φ42×φ76×1621箱（2个/袋×5袋）选型实例： 型号 等级 包装 数量86-8011-PFA-07 CLASS 2 2包 1只选型规格：86-8011-PFA-07-CLASS 2-2-1

产品名称：半导体制冷片温度控制半导体激光器温度控制产品介绍本系列的“半导体温控平台、设备”是建立在半导体制冷片(热电制冷片)基础上设计的高性能温度控制系统，其特点是高精度和高稳定度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-60℃～300℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 点阵液晶或触摸屏控制 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：根据产品型号不同，具体参见产品手册 接受定制：可根据客户需要定制温控平台，夹具平台、恒温盒、恒温箱等产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等平台产品选型型号参数 TLT-FB120-30 TLT-FB120-50 TLT-WB120-80 TLT-WB120-120 TLT-WB120-200 TLT-WB120-300输入电压（VAC） AC220V±15%制冷功率（V） 30W 50W 80W 120W 200W 300W冷却方式 风冷 水冷控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -10℃~150℃ -60℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）平台体积 120*120*100mm温控仪体积 450×300×133mm 450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸

利用 Thermo Scientific™ Theta Probe 角分辨 X 射线光电子能谱仪系统采集角分辨能谱，无须倾斜样品即可无损表征超薄薄膜新型技术产品所依赖的是固体近表面区域的设计。对于这种类型的材料，包括自组装单层、表面改性聚合物和半导体设备，确定表面几纳米的成分是关键。通过使用平行角分辨 XPS (PARXPS) 和能够提供准确精密结果的 Avantage 数据系统的先进软件，Theta Probe X 射线光电子能谱仪系统能够帮助您做到这一点。描述Theta Probe 角分辨 X 射线光电子能谱仪系统特性：专利的弧透镜技术，提供 60° 平行角范围内收集角分辨 XPS 能谱的能力X 射线单色器具有用户可选择的光斑尺寸（15 至 400 μm）系统能够处理大样品或多个样品CCD 样品对齐显微镜与样品表面垂直。透镜、分析仪和检测器弧透镜利用大接收角 (60°) 收集光电子大角度可以最大程度提高灵敏度，并且允许在 PARXPS 测量中收集大角度范围透镜轴与样品法线成 50°，因此可以收集 20 至 80° 角度范围的电子（相对于样品法线）180° 半球型分析器在输出端配备一个二维检测器二维检测器提供多通道检测，多达 112 个能量通道和 96 个角度通道透镜有两种操作方式：传统模式和角度分辨模式X 射线源配备一个微聚焦单色器X 射线光斑尺寸范围 15 - 400 μm深度剖析数控式 EX05 离子枪可用于提供深度剖析，哪怕在使用低能离子源时也有着很好的性能深度剖析可使用方位角样品旋转样品处理全电动样品台，能够实现 5 轴移动样品台可容纳大样品——X 和 Y 轴上的移动范围为 70 mm，Z 轴上的移动范围为 25 mm（高度）真空系统5 mm 厚高导磁?金属分析室，最大程度提高磁屏蔽效率与使用内部或外部屏蔽的方法相比，屏蔽效能更佳Avantage 数据系统集成了测试分析的所有方面，包括仪器控制、数据采集、数据处理和报告生成允许远程控制，并且可轻松与第三方软件交互（例如 Microsoft Word）管理从样品载入到报告生成的整个分析过程

利用 Thermo Scientific&trade Theta Probe 角分辨 X 射线光电子能谱仪系统采集角分辨能谱，无须倾斜样品即可无损表征超薄薄膜新型技术产品所依赖的是固体近表面区域的设计。对于这种类型的材料，包括自组装单层、表面改性聚合物和半导体设备，确定表面几纳米的成分是关键。通过使用平行角分辨 XPS (PARXPS) 和能够提供准确精密结果的 Avantage 数据系统的先进软件，Theta Probe X 射线光电子能谱仪系统能够帮助您做到这一点。描述Theta Probe 角分辨 X 射线光电子能谱仪系统特性：专利的弧透镜技术，提供 60° 平行角范围内收集角分辨 XPS 能谱的能力X 射线单色器具有用户可选择的光斑尺寸（15 至 400 μm）系统能够处理大样品或多个样品CCD 样品对齐显微镜与样品表面垂直。透镜、分析仪和检测器弧透镜利用大接收角 (60°) 收集光电子大角度可以zui大程度提高灵敏度，并且允许在 PARXPS 测量中收集大角度范围透镜轴与样品法线成 50°，因此可以收集 20 至 80° 角度范围的电子（相对于样品法线）180° 半球型分析器在输出端配备一个二维检测器二维检测器提供多通道检测，多达 112 个能量通道和 96 个角度通道透镜有两种操作方式：传统模式和角度分辨模式X 射线源配备一个微聚焦单色器X 射线光斑尺寸范围 15 - 400 μm深度剖析数控式 EX05 离子枪可用于提供深度剖析，哪怕在使用低能离子源时也有着很好的性能深度剖析可使用方位角样品旋转样品处理全电动样品台，能够实现 5 轴移动样品台可容纳大样品——X 和 Y 轴上的移动范围为 70 mm，Z 轴上的移动范围为 25 mm（高度）真空系统5 mm 厚高导磁?金属分析室，zui大程度提高磁屏蔽效率与使用内部或外部屏蔽的方法相比，屏蔽效能更佳Avantage 数据系统集成了测试分析的所有方面，包括仪器控制、数据采集、数据处理和报告生成允许远程控制，并且可轻松与第三方软件交互（例如 Microsoft Word）管理从样品载入到报告生成的整个分析过程

PMT-2半导体化学品液体颗粒计数器，采用英国普洛帝核心技术创新型的第八代双激光窄光颗粒检测传感器，双精准流量控制-精密计量柱塞泵和超精密流量电磁控制系统，可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线或离线颗粒监测和分析，目前是英国普洛帝分析测试集团向水质领域及微纳米检测领域的重要产品。 产品优势：应用：创新性、多用途、多模块条件；技术：第八代双激光窄光检测技术应用；软件：分析测试和校准计量相分离消除干扰；输出：IPAD数据采集技术使用；在线优势：清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线颗粒监测和分析，都是PMT-2微纳米监测仪的经典应用场所，并为生产线上的重要组成部分。在线、实时、连续取样、报警提示，能够即时掌握颗粒污染诊断和趋势。离线优势：移动测量和固定测量颗粒大小及多少双模式，解决连续跟踪监测的生产过程难题，无论您是即时测量还是清洁跟踪监测，都会为您提供完善的测试方案，让您的测试更加快捷。应用范围：可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片、手机零部件、纯水机、纳米过滤、微米过滤等领域进行固体颗粒污染度检测，及对有机液体、聚合物溶液进行不溶性微粒的检测。技术参数：订制要求：各类液体检测要求；传感器：第八代双激光窄光检测器；测试软件：V8.3分析测试软件集成版&PC版；测试标定：JJG1061或乳胶球或ISO21501；操作方式：彩色液晶触摸屏操作&无线键鼠组合；检测范围：0.1-0.5um、0.1-1.0um；特殊检测：自定义1~100μm或者4~70µ m（c）微粒，0.1μm或者0.1µ m（c）任意检测；取样方式：精准计量泵；进样精度：±1%精确度：±3%典型值；重合精度：1000粒/mL（2.5%重合误差）；模拟输出：4mA～20mA接口；并带超标报警功能（可定制）； 报告方法：颗粒数/ml及污染度等级；输入电压：100V～265V,50Hz～60Hz；售后服务：普洛帝服务中心/中特计量检测研究院。

普泰克主要经营恒温循环器/冷水机/低温恒温器/低温冷却液循环泵/（生物）低温恒温循环泵/超低温恒温器/超高温恒温器/工业级冷水机 /冷却水循环器 /超高温工艺过程恒温器/工艺过程恒温器/冷却水循环机/大功率循环冷却器/高低温动态温度控制系统/加热制冷循环器/动态温度控制系统/油浴循环器/低温恒温器 /加热制冷循环器/工艺过程恒温系统/高精度恒温器/TCU温度控制/实验室冷阱/投入式制冷器/动态温度控制系统/工业级冷水机 /半导体温控/反应釜温控/汽车温控/加热制冷恒温器 /制冷加热一体机/制冷加热循环装置/制冷加热设备/制冷加热循环机/高低温循环泵价格 /密闭高低温一体机/高品质低温冷冻机 /优质密闭低温冷冻机/低温冷冻机产品参数/精准控温高低温循环器/全封闭小型高低温循环装置 /微型高低温冷却循环器 /低温制冷循环器/加热循环器/制冷加热控温系统/低温冰机价格/半导体晶圆温度控制/样品冷热台高低温设备/冷热恒温一体机/高精度动态温度控制系统/半导体冷却加热恒温一体机/冷热源动态恒温控制系统/动态温度控制恒温循环器/精密冷水机/精密型冷水机/双温半导体冷水机/半导体冷水机/半导体冷却一体机/半导体制冷冷水机/半导体风冷式冷水机/半导体芯片测试冷水机/芯片半导体专用冷水机/恒温恒流恒压冷水机/半导体致冷冷水机/SMC国产替代水冷机/气体冷却机/气体温控设备/气体温度控制设备/冷气制冷机/气体冷却器/晶圆气体冷却设备/半导体测试国产替代温控设备/汽车行业温控设备/新能源行业温控设备/测试分选机高低温设备/电源模块及组件测试台/汽车冷却液循环泵(CCP)性能测试台/ECP电子元件性能试验台/新能源电池性能测试台/汽车热管理系统温度控制单元/汽车热管理系统温度控制系统/喷油器性能测试台/转换器 / 逆变器性能测试台/汽车无线电充系统性能测试台/液体冷却设备/液体冷却器/外部温度控制循环器/高低温一体机加热制冷温控系统/超低温气体制冷机/医疗设备气体制冷机/医用恒温、恒压、恒流功能制冷机/制冷型低温制冷机/冷水机厂家/半导体温控厂家/汽车温控厂家

LB-8600多功能推拉力测试机广泛用于LED封装测试，IC半导体封装测试、TO封装测试，IGBT功率模块封装测试，光电子元器件封装测试，汽车领域，航天航空领域，军工产品测试，研究机构的测试及各类院校的测试研究等应用。设备功能介绍：1.设备整体结构采用五轴定位控制系统，X轴和Y轴行程100mm,Z轴行程80mm,结合人体学的独特设计，全方位保护措施，左右霍尔摇杆控制XYZ平台的自由移动，让操作更加简单、方便并更加人性化。2.最高可达200KG的坚固机身设计，Y轴最大测试力值100KG，Z轴最大测试力值20KG3.智能工位自动更换系统，减少手工更换模块的繁琐性，同时更好提升了测试的效率及便捷性4.高精密的动态传感结合独特的力学算法，使各传感器适应不同环境的精密测试并确保测试精度的准确性5.LED智能灯光控制系统，当设备空闲状况下，照明灯光自动熄灭，人员操作时，LED照明灯开启设备软件：1.中英文软件界面，三级操作权限，各级操作权限可自由设定力值单位Kg、g、N，可根据测试需要进行选择。2.软件可实时输出测试结果的直方图、力值曲线，测试数据实时保存与导出功能，测试数据并可实时连接MES系统软件可设置标准值并直接输出测试结果并自动对测试结果进行判定。3.SPC数据导出自带当前导出数据最大值、最小值、平均值及CPK计算。传感器精度：传感器精度±0.003％；综合测试精度±0.25％测试传感器量程自动切换。测试精度：多点位线性精度校正，并用标准法码进行重复性测试，保证传感器测试数据准确性。软件参数设置：根据各级权限可对合格力值、剪切高度、测试速度等参数进行调节。测试平台：真空360度自由旋转测试平台，适应于各种材料测试需求，只需要更换相应的治具或压板，即可轻松实现多种材料的测试需求。测试参数:设备型号：LB-8600外型尺寸：680*580*710(含左右摇杆)设备重量：95KG电源供应：110V/220V@4.0A 50/60HZ压缩空气：4.5-6Bar真空输出：500mm Hg控制电脑：联想PC软件运行：Windows7/Windows10显微镜：标配双目连续变倍显微镜（选配三目显微镜）传感器更换方式：自动切换平台治具：360度旋转，平台可共用各种测试治具XY轴有效行程：100*100mmZ轴有效行程：80mmXY轴分辩率：±1um Z轴分辩率±1um传感器精度：传感器精度±0.003％；综合测试精度±0.25％

Thermo Scientific K-Alpha，一体化结构的X射线光电子能谱仪（XPS）。性能先进、高性价比、操作简便、结构紧凑，是现代实验室和企业的shou选仪器。采用全新的生产技术,在K-Alpha的设计中集合了所有这些优势。K-Alpha X射线光电子能谱仪Thermo Scientific* K-Alpha是一款完全集成的单色化小光斑X射线光电子能谱（XPS）系统。性能卓越，拥有成本降低，易用性提高和尺寸紧凑使得K-Alpha成为许多现有以及新研发的表面分析应用领域理想解决方案。K-Alpha是专为多用户环境推出的di一款XPS工具，从样品进入到报告生成完全实现自动化工作流程。专为生产率而设计，从研究分析到日常测试Thermo Scientific K-Alpha是一款完全集成的X射线光电子能谱。获奖的zui新版K-Alpha平台特征光谱性能显著提高，提供更高计数率和更快分析时间，改善化学探测能力。分析选配件包括一个角分辨XPS倾斜模块和一个循环惰性气体手套箱，用于转移空气敏感样品。K-Alpha带来一系列激动人心的新软件特征，旨在进一步增强用户体验。K-Alpha是专为多用户环境而设计，先进的单色X射线光电子能谱性能与智能自动化及直观控制相结合，同时满足有经验XPS分析人员及新人对此项技术的需求。强大的性能 可选区域光谱 深度剖析刻蚀 微聚集单色器 快照采集 高分辩率化学态光谱 绝缘样品分析 定量化学成像 无与伦比的易用性Avantage，完整XPS软件包具备： 控制——Avantage软件控制所有硬件 界面——点击样品实验导航 定义——自动化样品传送 采集——谱图、成像、剖析和线扫描 诠释——元素和化学态识别 过程——定量、峰拟合和实时剖析显示 光谱——成像处理，PCA，相分析，TFA、 NLLSF、PSF删除，光学/XPS像叠加 报告——自动化报告生成，简易输出至其它软件包 Avantage索引数据档案管理 审计跟踪记录 系统性能记录 校准要求——全谱仪源除气和设置 全遥控操作主要特征分析器——180°双聚集半球分析器-128通道检测器X射线源——铝Ka微聚集单色器-可获取的光斑大小（5微米步长30至400微米）离子枪——能量范围100至4000 eV电荷中和——又束流-超低能量电子束样品安装——四轴样品台-60 x60毫米样品区域-zui大样品厚度20毫米真空系统——2个220 l/s涡轮分子泵用于进样室和分析室–自动开机，3灯丝TSP数据系统——Avantage数据系统–过程许可–计算机选配件——倾斜角分辨XPS模块–惰性气体手套箱用于空气敏感样品安装产品应用领域氧化石墨烯的物理化学变化测控、半导体晶片上的超薄薄膜结构分析、分层太阳能电池、触摸屏复合涂层的检测评估、等离子表面改性、钢铁表面钝化工艺评估、BN玻璃、MEA燃料电池、耐磨镀层石油催化剂成像、食品安全——聚合物包装材料、MAGCIS深度剖析单一头发纤维。

半导体TEC温控驱动模块产品介绍本系列的“半导体制冷控制器”是专门为驱动半导体制冷片(热电制冷片)而设计的高性能温度控制系统(风冷)，其特点是高精度和高稳定度。输出负载为半导体制冷片(热电制冷片)。半导体制冷是利用帕尔帖效应原理工作的，具有高精度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-20℃～120℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 触摸屏控制接口 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：W×L×H＝90×50×35mm 接受定制：可根据客户需要定制温控电源，定制夹具平台等 同时提供各种温控模块产品选择产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等产品选型型号参数 TLTM-TEC0505 TLTM-TEC0510 TLTM-TEC0805 TLTM-TEC0810 TLTM-TEC1205 TLTM-TEC1210输入电压（VDAC） 5±15% 5±15% 12±15% 12±15% 15±15% 15±15%输出电压（V） 1~5V(可调节) 1~5V(可调节) 5~8V(可调节) 5~8V(可调节) 5~12V(可调节) 5~12V(可调节)输出电流（A） 0~5A 0~10A 0~5A 0~10A 0~5A 0~10A通道数 1通道或2通道控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -20℃~120℃温度传感器 NTC（25℃-10K）模块体积 90*50*35或150*100*35mm远程接口 RS232或RS485显示 真彩触摸屏3.5寸、4.3寸、5.7寸、7寸可选

半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。而且使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作，有更大的不确定度及更慢的总线传输速度等缺点。 实施特性参数分析的最佳工具之一是数字源表（SMU）。普赛斯历时多年打造了高精度、大动态范围、率先国产化的源表系列产品，集电压、电流的输入输出及测量等功能于一体。可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器，波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统，支持四象限工作。普赛斯“五合一”高精度数字源表（SMU）可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具。不论使用者对源表、电桥、曲线跟踪仪、半导体参数分析仪或示波器是否熟悉，都能简单而迅速地得到精确的结果。 普赛斯“五合一”高精度数字源表 普赛斯源表轻松实现二极管特性参数分析 二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导 电性元器件，产品结构一般为单个PN结结构，只允许电流从单一方向流过。发展至今，已陆续发展出整流二 极管、肖特基二极管、快恢复二极管、PIN二极管、光电 二极管等，具有安全可靠等特性，广泛应用于整流、稳压、保护等电路中，是电子工程上用途最广泛的电子元器件之一。IV特性是表征半导体二极管PN结制备性能的主要参数之一，二极管IV特性主要指正向特性和反向特性等； 普赛斯S系列、P系列源表简化场效应MOS管I-V特性分析 MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是 一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体器件，可以广泛应用在模拟电路和数字电路当中，MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳纳米管 等材料制作，是材料及器件研究的热点。主要参数有输入/输出特性曲线、阈值电压 VGS(th)、漏电流IGSS、 IDSS，击穿电压VDSS、低频互导gm、输出电阻RDS等。 普赛斯数字源表快速、准确进行三极管BJT特性分析 三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体 基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块 半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射 区和集电区。设计电路中常常会关注的参数有电流放大系数β、极间反向电流ICBO、ICEO、集电极最大允许电流ICM、反向击穿电压VEBO、VCBO、VCEO以及三极管的输入输出特性曲线等参数。 普赛斯五合一高精度数字源表（SMU）在半导体IV特性测试方面拥有丰富的行业经验，为半导体分立器件电性能参数测试提供全面的解决方案，包括二极管、MOS管、BJT、IGBT、二极管电阻器及晶闸管等。此外，普赛斯仪表还提供适当的电缆辅件和测试夹具，实现安全、精确和可靠的测试。欲了解更多半导体分立器件测试系统的信息，欢迎随时来电咨询普赛斯仪表！