半导体光电子器

为宣传和贯彻获准发布的9项半导体照明行业标准，中国电子技术标准化研究所、工业和信息化部半导体照明技术标准工作组定于2010年1月24-25日在广东省江门市举行2010年全国半导体照明电子行业标准发布及宣贯大会。本次大会得到工业和信息化部、广东省经济和信息化委员会、江门市人民政府及国内外上中下游厂商的大力支持。出席本次大会的领导有工业与信息化部科技司韩俊副司长、电子信息司丁文武副司长、关白玉副巡视员、广东省经济和信息化委员会彭平副主任，中国电子技术标准化研究所张宏图副所长、江门市人民政府常务副市长吴紫骊、副市长易中强等领导，共汇集了国内外上中下游重要厂商、研究机构、行业协会以及政府机构等代表400多人报名参会。 此次大会发布的标准包括《SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范》、《SJ/T 11394-2009半导体发光二极管测试方法》、《SJ/T 11396-2009 氮化镓基发光二极管用蓝宝石衬底片》、《SJ/T 11397-2009 半导体发光二极管用荧光粉》、《SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范》、《SJ/T 11399-2009半导体发光二极管芯片测试方法》、《SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件小功率发光二极管空白详细规范》、《SJ/T 11401-2009半导体发光二极管产品系列型谱》以及《SJ/T 11395-2009半导体照明术语》共9项，涵盖LED材料、芯片、器件及相关检验测试方法等领域。 大会邀请了工业和信息化部半导体照明技术标准工作组各项标准起草专家分别对9项电子行业标准进行详细讲解，主要讲师包括中国光电协会副秘书长胡爱华、中电十三所张万生教授、浙大三色董事长牟同升、深圳淼浩总经理李明远、有研稀土研发主任庄卫东等，他们现场讲解标准的技术内容、测试方法操作时应注意的问题以及产品规范类标准编写实例等。

半导体激光器又称激光二极管(LD)，是二十世纪八十年代半导体物理发展的最新成果之一。导体激光器的优点是体积小、重量轻、可靠性高、使用寿命长、功耗低，此外半导体激光器是采用低电压恒流供电方式，电源故障率低、使用安全，维修成本低等。因此应用领域日益扩大。目前，半导体激光器的使用数量居所有激光器之首，某些重要的应用领域过去常用的其他激光器，已逐渐为半导体激光器所取代。它的应用领域包括光存储、激光打印、激光照排、激光测距、条码扫描、工业探测、测试测量仪器、激光显示、医疗仪器、军事、安防、野外探测、建筑类扫平及标线类仪器、激光水平尺及各种标线定位等。以前半导体激光器的缺点是激光性能受温度影响大，光束的发散角较大(一般在几度到20度之间)，所以在方向性、单色性和相干性等方面较差.但随着科学技术的迅速发展，目前半导体激光器的的性能已经达到很高的水平，而且光束质量也有了很大的提高.以半导体激光器为核心的半导体光电子技术在21 世纪的信息社会中将取得更大的进展，发挥更大的作用。 在气体激光器中，最常见的是氦氖激光器。1960年在美国贝尔实验室里由伊朗物理学家贾万制成的。由于氦氖激光器发出的光束方向性和单色性好，光束发散角小，可以连续工作，所以这种激光器的应用领域也很广泛，是应用领域最多的激光器之一，主要用在全息照相的精密测量、准直定位上。He-Ne激光器的缺点是体积大，启动和运行电压高，电源复杂，维修成本高。

我现在在读量子半导体专业，由于之前的专业和目前的没有联系，所以从头学起。目前遇到关于XPS的分析方面的困扰，因为没什么基础，所以想寻求这方面的书。现求《光电子光谱学》或《x线光电子分光法》等书的下载，请大虾们帮忙，最好是中文版，不过英文版的也可。在此谢过了。

随着硅半导体技术的发展，全球知名半导体厂商也开始向医疗领域进军。医疗电子器件和技术的革新，不仅是医疗电子领域的一次大发展，也为患者带来新的体验。看看半导体厂商给医疗领域带来了哪些革新。 德州仪器在医疗领域的新成果，包括病人监护仪、消费者健身设备、可移植脊髓调节器等。德州仪器新开发的病人监护仪不同于传统监护仪，该仪器具有远距离可移植的系统。而消费者健身设备则嵌入了身体质量指数仪，能够精确测试出肥胖百分比。可移植脊髓调节器能够有效减轻患者背部疼痛，并对帕金森症患者有一定的治疗效果。 基于德州仪器芯片，GoWear便携医疗仪器被开发出来，主要用于测量人体生命体征健康和体重，同时这些数据将能够传输到手表等期间上，让你随时了解自己身体信息。比利时微电子研究中心则最新研发出了大脑电波无线检测器，特别之处是该检测器可以由耳机充当。通过八通道模拟ASIC芯片和EEG传感器，该耳机能够帮助癫痫患者实现交流，让其用大脑意念控制键盘。 一次性有源电子医疗电子器件也在飞速增长，而内置了8位微控制器驱动和血糖仪的一次性注射筒OmniPod就属于此类。Onyx II血氧计是Nonin的新品，能够对人体血氧含量进行检测并通过蓝牙传输将数据传输到手机等进行报告。ADI公司集成了模拟前端前沿的医疗产品就是——ADAS1000，该仪器能够对五组心电图系统数据和呼吸进行监测。 事实上，半导体厂商将技术应用于医疗领域的，远不止上面介绍的这些。包括飞思卡尔半导体等也在向该领域进军，开发出一系列医疗仪器。医疗电子器件和技术的革新，带来医疗领域的新发展。

大家好，目前想做原位测试金属与半导体接触界面光电子能谱变化情况，主要是先在能谱仪沉积室内蒸镀一层金属，测试金属的功函数和真空能级情况，然后再将样品回传到沉积室，继续蒸镀半导体材料（厚度不同），这样再进行表面光电子能谱分析。不过，很多单位没有样品制备室，请问国内有哪些单位有能够进行进行原位沉积、测试的XPS（含UPS）的设备啊？

各位大侠:谁有《半导体光电化学》这本电子书啊？？？能不能麻烦上传以下，或者给小弟我发到邮箱里，邮箱是 vvxd@hotmail.com ，麻烦了~~急用，谢谢

本人现在急需美国半导体行业标准，关于电子级硅烷的。标准号：SEMI3.54或许和这个号差不多的，实在惭愧，没有找到确定的号。那位老师能帮忙，先谢谢了。我的邮箱：songzf1981@163.com感激不尽。

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工作地点：苏州、上海、杭州，如人选优秀，其他区域亦可。职责描述：1、参与制订行业销售目标，进行分解、组织实施与达成；2、制订产品市场推广与销售策略，实施与反馈，完成既定目标；3、负责电子、半导体行业的销售管理，业务推广，大项目攻关，提升赢单率；4、竞品动态跟踪与分析，定期汇报工作；任职要求：1、大专及以上学历，五年以上仪器行业，有（尼康、徕卡、奥林巴斯）显微镜销售经验者优先；2、有电子半导体行业（芯片、电子元器件、PCB）相关销售或产线管理经验；3、优秀的团队意识与内部沟通、协作能力；4、适应频繁出差。工作地点：苏州、上海、杭州，如人选优秀，其他区域亦可。薪资结构：15-20k/月+业绩奖金（提成）有意者可直接申请或将简历发送至：2853069190@qq.com联系电话：15120019050（微信同号）

[b]职位名称：[/b]广东省半导体产业技术研究院-博士骨干研发人员[b]职位描述/要求：[/b]高层次人才1.资历：知名大学或科研机构的正副教授、高级研究人员、知名企业研发部门负责人或高级研发人员；在所从事的研究领域具有较高的学术造诣和影响力，或有重大的技术创新经验和成果；年龄一般在45周岁以下，特别优秀的可放宽。2.专业：半导体相关领域。3.待遇：提供具有国际竞争力的待遇，采取年薪、股权、或年薪+股权混合方式，具体面议；。4.根据个人意愿，积极支持申报国家、省级人才计划。博士骨干研发人员1.专业：凝聚态物理、微电子学、电子与电路设计、半导体物理与器件、光电子学、材料学等专业有较好的科研或技术开发业绩，年龄一般在35周岁以下，特别优秀的可放宽。2.主要研究领域：MOCVD半导体外延生长，半导体芯片工艺，半导体器件封装与集成，VECSEL，半导体激光器，电子电路设计及新型显示技术等（TFT及CMOS驱动显示IC设计），氮化物半导体材料与器件外延技术，新型宽禁带半导体材料及器件开发，半导体器件设计与制备，半导体材料器件表征分析，光学设计，图像处理算法。3.待遇：按广东省委省政府给予广东省科学院的优惠政策，待遇下有保底、上不封顶；特别优秀者可实行年薪制。博士后1.专业：凝聚态物理、微电子学、电子与电路设计、半导体物理与器件、光电子学、材料学等专业。2.主要研究领域：MOCVD半导体外延生长，半导体芯片工艺，VECSEL，半导体器件封装与集成，半导体材料器件表征分析，电子电路设计及新型显示技术等（TFT及CMOS驱动显示设计）。3.待遇：按广东省委省政府给予广东省科学院的优惠政策，提供具有竞争力的待遇，年薪20-35万；出站考核优秀者，可留院工作。研发支撑岗1.岗位需求：MOCVD半导体外延生长，半导体芯片工艺，半导体器件封装与集成，VECSEL，半导体激光器，电子电路设计及新型显示技术等（TFT及CMOS驱动显示IC设计），氮化物半导体材料与器件外延技术，新型宽禁带半导体材料及器件开发，半导体器件设计与制备，半导体材料器件表征分析，光学设计，图像处理算法等研究领域的硕士研究生，具有一定工作经验的优先考虑。2.待遇：提供具有竞争力的待遇，具体面谈。[b]公司介绍：[/b] 仪器信息网仪器直聘栏目针对高校科研院所的免费职位发布平台，汇集了全国数十所高校科研院所的招聘信息。发布信息请联系010-51654077...[url=https://www.instrument.com.cn/job/user/job/position/50289]查看全部[/url]

第四届中国国际半导体照明论坛暨展览会（2007上海） 展出时间： 2007-8-22 至 2007-8-24 周　　期： 1年/届 展会对象： 商家 展会区域： 国内展会 展会地区： 上海/黄浦区 具体地址： 中国• 上海新国际博览中心 展出行业： 参展范围： 1. 太阳能半导体照明发展现状及前景 全球发展现状及巨大商机（世界银行） 全球太阳能LED产业及市场趋势（台湾光电科技工业促进会） 江苏可再生能源规模化发展（江苏省科技厅） 国际太阳能半导体照明产业崛起中国“深圳力量”（深圳市科技和信息局） 扬州太阳能半导体照明产业异军突起（扬州市人民政府、扬州经济开发区管委会） 2. 太阳能半导体照明关键技术与发展前景探讨 照明级白光LED的技术现状与最新发展 （清华大学、南昌大学等） 太阳电池技术现状与最新发展 （中山大学太阳能系统研究所） 主 办 方： 国家半导体照明工程协调领导小组办公室上海市科学技术委员会深圳市科技和信息局/国家新材料行业生产力促进中心/国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA） 承 办 方： 国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）/上海半导体照明工程技术研究中心上海科技会展有限公司深圳会展中心 协 办 方： 中国照明学会（CIES）中国照明电器协会（CALI）中国光学学会（COS）美国国际光学工程师协会（SPIE）日本光产业技术振兴协会（OITDA）韩国光产业协会（KAPID）台湾光电科技工业协进会（PIDA）上海市光电子行业协会(SOTA)香港光电协会（HKOEA） 展会说明： 会议背景绿色能源的太阳能与绿色光源半导体照明相结合，将达到节能、环保、安全、长寿等优异效果。我国有着丰富的太阳能资源，目前却有约1800万人没有电力供应。当今全球能源短缺形势之下，巨大的市场需求不仅是在中国，海内外对太阳能半导体照明的研发和应用都处于热涨之中。如何提高LED和太阳电池的性能，降低成本，优化太阳能LED照明系统设计，抓住投资机遇，不断开拓经济实惠的新应用，将是本次会展的主要内容。参会对象1. 与太阳能和LED相关的研发、制造、设计人员；2. 太阳能半导体照明产品应用、经销和流通等领域的人员；3. 工程项目业主单位及相关设计单位人员；4. 光学、电学、热学等研究机构和测试单位人员；5. 投融资机构人员。

求助关于半导体表面的吸附的电子书[color=#DC143C]dong3626：你好，请将你求助的 书籍的详细信息给出。谢谢[/color]

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半导体气体传感器是利用半导体气敏元件作为敏感元件的气体传感器，是最常见的气体传感器，广泛应用于家庭和工厂的可燃气体泄露检测装置，适用于甲烷、液化气、氢气等的检测。　　分类　　对于半导体气体传感器，按照半导体与气体的相互作用是在其表面还是在其内部，可分为表面控制型和体控制型两种；按照半导体变化的物理性质，又可分为电阻型和非电阻型两种。电阻型半导体气体传感器是利用半导体接触气体时其阻值的改变来检测气体的成分或浓度；而非电阻型半导体气体传感器则是根据对气体的吸附和反应，使半导体的某些特性发生变化对气体进行直接或间接检测。

图解半导体制程概论来自：《电子技术应用》博客 作者：光子http://blog.chinaaet.com/detail/17334.html介绍：基本介绍了所有的电子元器件的工作原理和工作特性。对电路的理解非常有帮助。 【半导体】具有处于如铜或铁等容易导电的【导体】、与如橡胶或玻璃等不导电的【绝缘体】中间的电阻系数、该电阻比会受到下列的因素而变化。如： 杂质的添加·温度 光的照射·原子结合的缺陷 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9058894285301.jpg █ 半导体的材料 硅(Si)与锗(Ge)为众所周知的半导体材料.这些无素属于元素周期素中的第IV族,其最外壳(最外层的轨道)具有四个电子.半导体除以硅与锗的单一元素构成之处,也广泛使用两种以上之元素的化合物半导体. ●硅、锗半导体 （Si、Ge Semiconductor) 单结晶的硅、其各个原子与所邻接的原子共价电子（共有结合、共有化）且排列得井井有条。利用如此的单结晶，就可产生微观性的量子力学效果，而构成半导体器件。 ●化合物半导体 (Compound Semiconductor) 除硅（Si)之外，第III族与第V族的元素化合物，或者与第IV族元素组成的化合物也可用于半导体材料。 例如，GaAs（砷化镓）、 Gap（磷化砷）、 AlGaAs（砷化镓铝）、 GaN（氮化镓） SiC（碳化硅） SiGe（锗化硅）等均是由2个以上元素所构成的半导体。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059051067700.jpg http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059206133119.jpg http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059290682905.jpg █ 本征半导体与自由电子及空穴 我们将第IV族（最外层轨道有四个电子）的元素（Si、Ge等），以及和第IV族等价的化合物（GaAs、GaN等），且掺杂极少杂质的半导体的结晶，称之为本征半导体（intrinsic semiconductor）。 ●本征半导体（intrinsic semiconductor） 当温度十分低的时候，在其原子的最外侧的轨道上的电子（束缚电子（bound electrons）用于结合所邻接的原子，因此在本征半导体内几乎没有自由载子，所以本征半导体具有高电阻比。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059490838355.jpg ●自由电子（free electrons） 束缚电子若以热或光加以激发时就成为自由电子，其可在结晶内自由移动。 ●空穴（hole） 在束缚电子成为自由电子后而缺少电子的地方，就有电子从邻接的Si原子移动过来，同时在邻接的Si原子新发生缺少电子的地方，就会有电子从其所邻接的Si原子移动过来。在这种情况下，其与自由电子相异，即以逐次移动在一个邻接原子间。缺少电子地方的移动，刚好同肯有正电荷的粒子以反方向作移动的动作，并且产生具有正电荷载子（空穴）的效力。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059632324179.jpg █ 添加掺杂物质的逆流地导体与电子及空穴 将第V族的元素（最外层的轨道有五个电子）添加在第IV族的元素的结晶，即会形成1个自由电子且成为N型半导体。 将第Ⅲ族的元素（最外层的轨道有三个电子）添加在第IV族的元素的结晶，即会产生缺少一个电子的地方且成为P型半导体。 ●N型半导体（N type Semiconductor） N型半导体中，自由电子电成为电流的主流（多数载了），并将产生自由电子的原子，称为“施体（donor）“。施体将带正电而成为固定电荷。不过也会存在极少的空穴（少数载子）。 作为N型掺杂物质使用的元素有：P 磷；As 砷；sb 锑 ●P型半导体（P type Semiconductor） 在P型半导体中，空穴成为电流的主流（多数载子），并将产生空穴的原子，称为“受体（acceptor）”。受体将带负电而成为固定电荷。不过也会存在极少的自由电子（少数载子）。 作为P型掺杂物质使用的元素有：B 硼；in 锌 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059887851531.jpg http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059983012447.jpg █ 漂移电流及扩散电流 流动于半导体体中的电流有两种：漂移电流与扩散电流。MOS型半导体中漂移电流起着很重要的作用，而双极型半导体中扩散电流的作用很重要。 ●漂移电流（drift current） 与电阻体（哭）相同，由于外加电压所产生的电场，因电子和空穴的电性相吸引而流动所产生的电流。场效应管（FET）内流动的电流称为漂移电流。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9060152592260.jpg ●扩散电流（diffusion current） 将P型半导体与N型半导体接合且加电压。如电子从N型半导体注入到P型半导体，而空穴从P型半导体注入到N型半导体，即电子和空穴因热运动而平均地从密度浓密的注入处移动到密度稀薄的地方。以这样的结构所流动的电流称为扩散电流。在双极性（双载子）晶体管或PN接合二极管，扩散电流为主体。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9060288624919.jpg █ PN接合和势垒 在接合前，由于P型半导体存在与受体（负离子化原子）同数的空穴，而N型半导体存在与施体（正离子化原子）同数的电子，并在电性上成为电中性。将这样的P型半导体和N型半导体接合就会产生势垒。 ●接合前为中性状态 接合前，在P型半导体存在着与受体（负离子化原子）同数的空穴，而N型半导体即存在着与施体（正离子化原子）同数的电子，并在电性上成为电中性。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9060451806881.jpg ●空乏层与势垒（depletion layer＆potential barrier） 将P型与N型半导体接合时，由于P型与N型范围的空穴及电子就相互开始向对方散。因此在接合处附近，电子和空穴再接合后就仅剩下不能移动的受体与施体。该层称为“空乏层”。由于该空乏层会在PN接合部会产生能差，故将该能差称为“势垒”。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9062912097902.jpg █ PN接合面的电压及电流特性 如外加电压到PN接合处，使电流按照外加电压的方向（正负极）流通或不流通。这是二极管基本特性。 ●外加正相电压到PN接合面 从外部在减弱扩散电位的方向（正极在P型而负极在N型）外加电压时，PN接合面的势垒就被破坏了，空穴流从P型半导体注入N型半导体，电子流则从N型半导体注入P型半导体，而扩散电流得以继续流动。电流流动的方向就称为“正向”。 http://files.china

1．什么是导体、绝缘体、半导体？ 容易导电的物质叫导体，如：金属、石墨、人体、大地以及各种酸、碱、盐的水溶液等都是导体。 不容易导电的物质叫做绝缘体，如：橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷、纯水、油、空气等都是绝缘体。 所谓半导体是指导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。如：硅、锗、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅等。半导体大体上可以分为两类，即本征半导体和杂质半导体。本征半导体是指纯净的半导体，这里的纯净包括两个意思，一是指半导体材料中只含有一种元素的原子；二是指原子与原子之间的排列是有一定规律的。本征半导体的特点是导电能力极弱，且随温度变化导电能力有显著变化。杂质半导体是指人为地在本征半导体中掺入微量其他元素（称杂质）所形成的半导体。杂质半导体有两类：N型半导体和P型半导体。2．半导体材料的特征有哪些？ （1） 导电能力介于导体和绝缘体之间。 （2） 当其纯度较高时，电导率的温度系数为正值，随温度升高电导率增大；金属导体则相反，电导率的温度系数为负值。 （3） 有两种载流子参加导电，具有两种导电类型：一种是电子，另一种是空穴。同一种半导体材料，既可形成以电子为主的导电，也可以形成以空穴为主的导电。 （4） 晶体的各向异性。

半导体芯片失效分析实验室汇总随着半导体技术的发展，芯片已经成为现代电子产品中不可缺少的部分。然而，芯片在长时间运行后可能会出现失效或故障，这将导致电子产品无法正常使用。为了解决这个问题，半导体芯片失效分析实验室应运而生。半导体芯片失效分析实验室是一种专门用于分析芯片故障原因和找出解决方案的实验室。它主要由多种设备和技术组成，包括光学显微镜、扫描电子显微镜、离子注入系统、穿透电子显微镜、电子束刻蚀机等。半导体芯片失效分析实验室可以用于以下方面的分析：1.失效分析如果芯片出现了故障，失效分析可以用来找出导致问题的原因。分析的过程通常包括对芯片进行非常规测试，如X射线衍射、扫描探针显微镜和热分析等，以找出故障根源，如堆积缺陷、擦除缺陷、漏电等。2.质量控制半导体芯片失效分析实验室也可以用于质量控制，以确保每个芯片都符合准确的规格和标准。质量控制分析通常包括对芯片进行成品检验，如外观检查、电性能测量和可靠性测试等。半导体芯片失效分析实验室汇总1.北京软件产品质量检测检验中心芯片失效分析实验室（简称：北软检测）成立于2002 年7月。北软芯片失效分析实验室可以进行全流程的失效分析，可靠性测试，安全验证等。主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测（2D X-ray，3D X-ray）、超声波扫描显微就（SAT）、缺陷切割观察系统（FIB系统）、体式显微镜、金相显微镜、研磨台（定点研磨，非定点研磨，封装研磨）、激光黑胶层取出系统（自动decap，laser decap）、自动曲线追踪仪（IV）、切割制样模块、扫描电镜（SEM）、能谱成分分析（EDX）、交变温湿度试验箱、高温储存试验、低温存储试验、温湿度存储试验等。通讯地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园3A楼联系人：赵工?2.南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室是国内最早成立的芯片失效分析实验室之一。实验室配备有先进的设备和技术，可对芯片的物理结构、器件参数、芯片性能、线路连接等方面进行全面的分析和测试。3.上海半导体研究所失效分析实验室上海半导体研究所失效分析实验室成立于2005年，是一家具备IC生产能力的高新技术企业。实验室在芯片失效分析领域积累了丰富的经验和成果，并不断引入先进的设备和技术，为客户提供高水平的技术支持和服务。4.北京中科微电子有限公司失效分析实验室北京中科微电子有限公司是一家专业从事半导体封装测试与分析的公司。实验室配备有一批优秀的专业技术人员和一流的设备，能够为客户提供全面、高效的失效分析服务。5.惠州半导体失效分析中心惠州半导体失效分析中心是惠州市政府支持的创新创业平台，依托留学海归、国内外知名院校科研机构等优势资源，致力于半导体失效分析领域的研发和服务。6.中国电子科技集团公司第十四研究所该实验室成立于20世纪80年代，针对集成电路芯片的失效问题，建立了先进的实验室设备和完整的芯片失效分析技术流程。这些技术流程包括非常规样品处理、样品制备、分析测试和故障分析定位等。该实验室能够对各种类型的芯片进行失效分析，如DRAM、NOR FLASH、SRAM、Flip Chip等。7.中国电子科技集团公司第五十五研究所该实验室成立于20世纪90年代，主要研究领域是空间电子电路可靠性和失效分析。在芯片失效分析方面，该实验室研究了很多芯片失效的根本原因和解决办法。例如，该实验室率先提出了在高温下检测集成电路失效的方法，推出了系列失效分析和故障定位技术。8.中国航天科工集团有限公司第六十所该实验室成立于20世纪90年代初期，由中国第一位半导体芯片设计师胡启恒教授领导，主要研究集成电路的失效分析和检测。该实验室在失效分析方面的主要技术包括侵入式和非侵入式技术、信号分析、快速失效分析以及优化分析等。此外，该实验室还开创了集成电路失效分析的新技术领域。9.南京微米尺度材料分析与应用国家级实验室该实验室拥有完整的半导体芯片失效分析实验平台及技术团队，能够进行芯片性能评估、芯片分析、缺陷定位和失效机理研究等多方面的工作，可为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务。10.北京微电子所半导体芯片失效分析实验室该实验室依托于北京微电子所，能够利用所拥有的半导体芯片分析技术和完善的实验平台，提供专业的半导体芯片失效分析服务，包括芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。11.武汉微纳电子制造国家工程研究中心半导体芯片失效分析实验室武汉微纳电子制造国家工程研究中心依托于华中科技大学，其半导体芯片失效分析实验室拥有全套高端的半导体芯片失效分析仪器，为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务，涉及芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。12.上海微电子设备有限公司半导体芯片失效分析实验室该实验室作为上海微电子设备有限公司的技术支持，结合上海微电子设备有限公司的芯片检测与分析设备，可为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务，包括芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。以上仅是部分中国半导体芯片失效分析实验室，随着技术的不断更新和进步，相信未来将会涌现更多实验室，并且实验室之间也将进行更多的协作与交流，加速半导体芯片失效分析技术的发展和普及。国内较为知名的半导体芯片失效分析实验室还有中芯国际、台积电、联芯科技等。这些实验室拥有一流的实验设备和技术人才，可以开展多种类型的半导体芯片失效分析工作，并为客户提供专业的技术支持和服务。此外，在国际上也有多家著名的半导体芯片失效分析实验室，如SiliconExpert、IEEE Components Partitioning and Analysis Center等。这些实验室不仅具备高水平的技术装备和技术人才，还通过与多家知名公司合作，积累了丰富的经验和数据资源。同时，这些实验室还开展了大量的研究工作，不断推动半导体芯片失效分析领域的发展。总之，半导体芯片失效分析实验室在提高半导体芯片可靠性方面起着至关重要的作用。希望通过本文的介绍，可以帮助大家了解半导体芯片失效分析实验室的相关情况，为半导体芯片失效分析工作提供参考和支持。[img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/05/202305240713065889_2888_3233403_3.png[/img]

一、 中国半导体器件型号命名方法 　　半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：　　第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管　　第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。　　第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz Pc1W)、A-高频大功率管（f3MHz Pc1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。　　第四部分：用数字表示序号　　第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管　　二、日本半导体分立器件型号命名方法　　日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：　　第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。　　第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。　　第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。　　第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。　　三、美国半导体分立器件型号命名方法　　美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：　　第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。　　第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。　　第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。　　第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。　　第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。　　四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法　　德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：　　第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料　　第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。　　第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。　　第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：　　1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。　　2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。　　3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。　　五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法　　欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。　　第一部分：O-表示半导体器件　　第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。　　第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。　　第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。

【序号】：1【作者】：刘恩科 ( 必须是刘恩科等编的 )【题名】：半导体物理学 【期刊】：【年、卷、期、起止页码】：国防工业出版社，1994年，第4版【全文链接】：

半导体元器件控温设备中，每个配件都有着不同的作用，由于作用不同，无锡冠亚的半导体元器件控温的阀件和控制器的作用也是不同的。　　半导体元器件控温的水泵，是用于加速水流动的工具，以达到加强水在换热器中换热的效果。半导体元器件控温的水流开关用作管道内流体流量的控制或断流保护，当流体流量到达调定值时，开关自动切断（或接通）电路。半导体元器件控温的压力控制器用作压力控制和压力保护之用，机组有低压和高压控制器，用来控制系统的压力的工作范围，当系统压力到调定值时，开关自动切断（或接通）电路。　　半导体元器件控温的压差控制器用作压力差的控制，当压力差到达调定值时，开关自动切断（或接通）电路。半导体元器件控温的温度控制器用作机组的控制或保护，当温度到达调定值时，开关自动切断（或接通）电路。在我们的产品上，温度的控制常用到，用水箱温度来控制机组的开停机情况。还有些象防冻都需要用到温度控制器。　　半导体元器件控温视液镜用于指示制冷装置中液体管路的制冷剂的状况、制冷剂中的含水量、回油管路中来自油分离器的润滑油的流动状况，有的视液镜带有一指示器，它通过改变其颜色来指出制冷剂中的含水量。（绿色表示干燥，黄色表示潮湿）。因温度变化而引起水的体积变化，膨胀水箱用来贮存这部分膨胀水，对系统起稳压定压的作用，能给系统补偿部分水。　　半导体元器件控温是一项比较新的设备，性能上面要求高一点才能使得半导体元器件控温的运行更加稳定。

有关于半导体激光打标机寿命的问题，具体都没有明确的时间。如果是打单个的你说的那样的图案，如雾灯。半导体激光打标机寿命在1年半到2年半之间，与激光机的整体品质及使用与维护有关，打标一个汽车按键，打文字需要1--6秒之间， 打标的图案2-18秒，与图案填充密度有关。激光打标机里面的一个激光模块，理想使用寿命是1W小时（此数据是由激光器生产厂家提供），按照每天正常上班时间的话基本可以用个3 4年，至于半导体激光打标机其他部件都是电子器件集成，使用寿命视你具体使用情况而定，电子器件都会随时间及你的使用慢慢老化！如果设备保养好的话也许用个上10多年都没什么问题。至于激光打标机寿命有多长，取决于个人保养。

[b]新上讲座：XPS技术在能源电池及半导体领域的应用举行时间：2017-09-28 14:00立即免费报名：[url]http://www.instrument.com.cn/webinar/meeting_2732.html[/url][/b]主讲人：范燕 赛默飞 XPS 应用工程师 硕士 毕业于中国石油大学（北京），硕士期间实习于中国计量科学研究院，主要研究课题为典型碳材料的定性与定量分析，并参与利用XPS进行纳米金颗粒有机壳层厚度的计算及X射线光电子能谱（XPS）能量标尺标物（Au、Ag、Cu）的研制等课题。发表文献：《XPS分析过程中X射线照射对PET的影响》。 本科及硕士期间曾获得“国家励志奖学金”、“山东省省级优秀毕业生”、“一等奖学金”、“校级优秀学生”等荣誉。[b]主要内容：[/b]XPS作为表面分析的重要手段，不仅被广泛地应用于化学分析、材料开发应用研究、物理理论探讨等学术领域，在机械加工、印刷电路技术、镀膜材料工艺控制、纳米功能材料开发等工业领域，XPS都能提供全方位的解决方案。在本次报告中，我们主要分享XPS在能源电池（包括MEA燃料电池层结构及元素扩散行为、太阳能电池质量评估、储氢材料中的H含量检测等）及半导体（包括触摸屏缺陷检测、硅晶圆片元素层间扩散、SiO2类栅极介电层材料检测）领域的广泛应用。

[b]职位名称：[/b]电子半导体行业销售经理[b]职位描述/要求：[/b]职责描述：1、参与制订行业销售目标，进行分解、组织实施与达成；2、制订产品市场推广与销售策略，实施与反馈，完成既定目标；3、负责电子、半导体行业的销售管理，业务推广，大项目攻关，提升赢单率；4、竞品动态跟踪与分析，定期汇报工作；任职要求：1、大专及以上学历，五年以上仪器行业或者电镜行业经验者优先；2、有电子半导体行业（芯片、电子元器件、PCB）相关销售或产线管理经验；3、优秀的团队意识与内部沟通、协作能力；4、适应频繁出差。工作地点：苏州、上海、杭州，如人选优秀，其他区域亦可。薪资结构：15-20k/月+业绩奖金（提成）有意者可直接申请或将简历发送至：2853069190@qq.com联系电话：15120019050（微信同号）[b]公司介绍：[/b] 仪器直聘平台猎头/内推岗位合集，欢迎求职者及时投递，投递后有专门的工作人员对接推进，提高您的求职效率。...[url=https://www.instrument.com.cn/job/user/job/position/72139]查看全部[/url]

[b]近日，拓荆科技、中科飞测、盛美上海、微导纳米4家半导体设备厂商联合成立合资公司。据工商资料显示，广州中科共芯半导体技术合伙企业（有限合伙）（下称“中科共芯”）于2023年12月12日注册成立，注册资本1.8亿元。中科共芯位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业，经营范围包括：半导体分立器件制造和销售；集成电路芯片设计及服务、产品制造和销售；集成电路设计、制造和销售；电子元器件制造、批发、零售；电力电子元器件制造、销售等。从股权结构来看，拓荆科技、中科飞测全资子公司、微导纳米均持股27.7624%；盛美上海持股比例为16.6574%；中科共芯的执行事务合伙人为广州中科齐芯半导体科技有限责任公司，持股0.0555%。记者以投资者身份从拓荆科技、中科飞测公司证券部了解到，中科共芯定位将会是一家投资平台，投资范围将聚焦半导体设备零部件，并将以战略性投资为主。记者关注到，除中科共芯，近两年有多家名称类似的一系列公司亦悄然成立，包括广州中科同芯半导体技术合伙企业（有限合伙）、广州中科锐芯半导体技术合伙企业（有限合伙）、广州中科众芯半导体技术合伙企业（有限合伙）等，分别成立于2021年10月、2023年6月、2021年11月。据前述公司证券部人士称，这几家公司在定位方面类似。以中科同芯为例，其出资额约4亿元，合伙人包括富创精密、安集科技、北京君正、芯源微、北方华创、南大广电、江风电子、概伦电子、同创普润资本等。2023年11月，中科同芯首次对外投资项目为锐立平芯，据介绍，该公司聚焦FDSOI特色工艺量产平台。另据称，中科共芯成立并非由政府或相关单位牵头。不过记者关注到，上述系列公司执行事务合伙人中科齐芯，其执行董事名为李彬鸿。而李彬鸿还曾担任上述几家公司法定代表人。据悉，李彬鸿担任过广东省大湾区集成电路与系统应用研究院院长助理、FDSOI创新中心主任，有约超10年半导体行业从业经验。在2023年的一次公开活动中，李彬鸿曾公开介绍前述锐立平芯及FDSOI项目。[来源：《科创板日报》][/b][align=right][/align]