半导体封装检测

产品概述SUPEC 2050半导体AMC综合监测系统由采样预处理子系统、气体监测子系统以及辅助设备和数据采集与处理子系统等构成，如下图所示。采样预处理子系统由多路样气传输管、采样泵和分布式多通道采样仪组成，可以对多个点位进行不间断实时采样，并通过管路切换实现不同采样点样气的循环监测。气体监测子系统由多个分析仪组成，可以根据不同的监测需求进行定制化的搭配，实现不同物质的在线监测。辅助系统由集成机柜和校准单元组成，可以保证整套系统的正常运行，校准单元可以定期对系统进行校准，保证监测数据的稳定和准确。数据采集与处理子系统可以监控查询所有测量信息和系统工作状态信息，并将监测数据传输至企业的中控平台。产品特点1.采样覆盖面广：多点位同时采样，覆盖面广，成本低，可支持200m点位监测，多点位形成网格化分析体系。2.轮巡速度快：系统具备预抽功能，节约管路传输等待时间。3.自由配置通道数量：系统可扩展，可自由配置采样点位数量。4.样品间干扰小：具备反吹功能.确保各路样品互不影响，低残留。5.样品超标留样：可搭配超标留样，系统可搭配苏玛罐留样系统，当点位污染超标时自动留样。应用领域半导体行业检测

IC/半导体/LED封装检测解决方案WB&DB焊线AOI检测设备型号：F241/F251 主要特征 ：1. 可选的5面和6面检查2. 2.5D深度技术3. 模块化且灵活4. 64位操作系统5. 至强处理器6. 吞吐量从20,000上升到50,000上升7. 相机分辨率范围从75 fps时的5百万像素到66fps时的12百万像素 应用范围：1. 晶圆切割后进行检查以检测表面缺陷。2. 封装分离后进行检查，以检测封装，标记，引线和电镀缺陷。 TTVISION自动光学检测设备的检测方式*2D*2.5D*True 3D (Z5D) F251Wirebond AOI Machine Features3D Profiling TechnologyInspects Wrebond, Die & Epoxy DefectsInspects Gold. Aluminum. Copper and Silver WiresMeasures Boll. Wedge. Stitch and Loop ParametersMinimum Overki & UnderWIModular end Scalable DesignCost Effectivehigh Throughput F241AOI Standard ConfigurationModular Design for Max FlexibilityStandardized PlatformCommon Spare Parts 2D AOI技术规格Onload /OffloadNumber of Magazines2-7 unitsSubstrate Size30(W) x 150(L) - 200(W) x 300(L)mmHandlingCamera IndexingHigh Speed Servo driven XY GantrySubstrate IndexingMi cro-Step Step per d riven ConveyorInspection HardwareCamera Resolution12MP ColorLightingMulti Channel LEDOpticsLow Distortion Macro LensControllerPC-basedSoftwareInspection SoftwareTTVISION © Operating SystemMS Windows 64 bit OSReject HandlingElectronic MappingDefect Classification99 Categories

半导体封装测试 饱和加速寿命试验箱概要：主要是测试半导体封装之湿气能力,待测产品被置于严苛之温度、湿度及压力下测试,湿气会沿着胶体或胶体与导线架之接口渗入封装体,常见之故障半导体封装测试 饱和加速寿命试验箱特点：1.内箱材料采用SUS304不锈钢 外箱材料采用双面镀锌钢板表面静电喷塑处理。外观采用简约实用设计风格，具有耐用性和抗磨损性等特点2.跨平台控制系统可实现远程监控、数据上抛,异常推送，手机程序监管及兼容MES数据交互3.智慧型饱和蒸汽温度值，人力控制装置于饱和蒸汽压力检知4.白金温度传感（PT-1OO型）感知精确温度4.棋置形圆形内箱结构设计，方便待测样品取置与蒸汽冲击隔离装置5.全自动真空清洁程序，减低试品污染半导体封装测试 饱和加速寿命试验箱规格参数：型号J-PCT-40J-PCT-60J-PCT-80容积/L406080整体尺寸（W*H*D） cm900x1800x1120 以图纸为准 以图纸为准 温度范围（RT+20）℃~250℃温度控制范围105～℃+150℃湿度范围100%RH温度上升时间100min （从常温到120C且温度到达85%RH的时间）温度偏差≤±1.5℃（空载）温度均匀度≤±1.5℃（空载）压力波动均匀度±0.1kg电源AC220V或AC380V

产品详情BTU Pyramax半导体封装炉凭着的温度和气氛控制能力，BTU Pyramax半导体封装炉是半导体封装制造商，其优良的性能得到业界一致认同。该系列炉广泛应用于SMT回流焊、半导体封装和固化等工艺，Air或N2气氛，运行温度400℃，无铅工艺需要。控温精度高±0.5℃，回流区网带横向温度均匀性±2℃，设备长期运行可靠性高，综合运营成本低，性价比高。BTU’s Pyramax&trade family of high-throughput thermal processing systems is widely recognized as the global standard of excellence for both printed circuit board solder reflow and for semiconductor packaging.Pyramax&trade systems provide optimized lead-free processing for the ultimate in productivity and efficiency. BTU’s exclusive closed loop convection control provides precise heating and cooling, programmable heat transfer, and reduced nitrogen consumption, adding up to the lowest Cost of Ownership in the industry.With 6, 8, 10 and new 12-zone air or nitrogen models, 350℃ maximum temperature and a comprehensive menu of options, Pyramax&trade systems are the industry’s most versatile performers and best value.BTU’s Pyramax&trade family of products is backed by its industry leading comprehensive warranty: Lifetime on heaters and blowers 3 years system 1 year labor.

过去数十年来，为了芯片的晶体管数量以推升计算性能，半导体制造技术已从1971年10,000nm制程升级至2022年3nm制程，逐渐逼近目前已知的物理极限。但随着人工智能、AIGC等相关应用高速发展，设备端对于核心芯片的性能需求将越来越高；在制程技术提升可能遭遇瓶颈，但是对算力需求持续走高的情况下，通过2.5D/3D先进封装技术提升芯片内部晶体管数量就显得格外重要。CoWoS是一种2.5D、3D的封装技术，可以分成“CoW”和“WoS”来看。“CoW（Chip-on-Wafer）”是芯片堆叠；“WoS（Wafer-on-Substrate）”则是将芯片堆叠在基板上。CoWoS就是把芯片堆叠起来，再封装于基板上，最终形成2.5D、3D的型态，可以减少芯片的空间，同时还减少功耗和成本。Blue MUltra-Temp惰性气体高温烤箱在工作温度下进行了压力测试，适用于所有惰性气体和不易燃的形成气体（4％的氢气，平衡的氮气）。CoWoS半导体先进封装烘箱的优点焊接和密封的内部腔室消除了烟雾向绝缘材料的迁移防止产品氧化当气流漏气时，向操作者发出警报，并关闭烤箱加热器，以尽量减少不良后果当门打开时，门开关会关闭加热器和鼓风机，以确保操作人员的安全CoWoS半导体先进封装烘箱的特性适用于氩气，二氧化碳，氦气和氮气等惰性气体露天重型镍铬丝加热元件独特的内壳/外壳腔室允许冷却液周围的空气在惰性气体内腔室周围循环摄入鼓风机电动机控制面板上有气体流量和腔室压力监控器及调节器大容量水平气流系统6英寸的矿棉绝缘材料Blue M玻璃纤维大门密封圈设计3/8英寸入口连接排气口和风门泄压阀吹扫计时器加热使能灯型号IGF 8880和9980是水冷门Blue M惰性气体高温烘箱的参数NFPA 86 B级烤箱温度：室温+15℃-593℃（1099°F）均匀度：设定值的±2％控制精度：±0.5°C分辨率：±0.1°C额定电压下关闭排气装置空载运行具体规格型号IGF-6680IGF-7780IGF-8880IGF-9980内部容积4.2 立方英尺5.8 立方英尺11.0 立方英尺24.0 立方英尺内部尺寸宽x深x高（厘米）20 x 18 x 20(51x46x51)25 x 20 x 20(64x51x51)38 x 20 x 25(97x50x64)48 x 24 x 36(122x61x91)外部尺寸宽x深x高（厘米）46 x 36 x 71(117x91x180)51 x 38 x 71(130x97x180)86 x 38 x 76(218x97x193)96 x 43 x 81(244x109x206)机器占地面积12.5 平方英尺.14.5 平方英尺24.0 平方英尺32.2 平方英尺电力负载208 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流12.0 kW3815.7 kW4718.8 kW5922.5 kW72240 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW4321.0 kW5425.0 kW6830.0 kW82480 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW2121.0 kW2725.0 kW3230.0 kW41*所有规格如有更改，恕不另行通知。

检查半导体用的便携式X光机工业检测仪不用暗室,实时观察； 检测仪是一款便携式的安检设备。主要用于工厂的电子产品,电子配件,接扦件的质量检测。可检测产品的内部结构是否有损坏、检测内部的图形结构,产品是否合格，是电子产品质量检测的专用设备。可透视金属、非金属、塑料、电子元器件体积小,重量轻,；射线剂量低,防护安全可靠；高灵敏度,高空间分辨率的影像增强器.给您崭新的视觉效果； 可加配拍片系统及电视监视系统。便携式X光机广泛被用于：主要针对电子产品、电子元件、GPA封装、铝铸件、塑胶件、发热管、电路板等各类产品内部结构透视检测，如电子元器件、焊接插件内部结构是否变形、移位、断裂、裂纹、空焊、虚焊、气孔、气泡、鞋、箱包、玩具内是否有金属异物掉入等工业X光检测仪。为了对客户负责，我们希望客户能寄样或带样都我司检测，确认效果后在购买设备！

未封装的半导体激光器芯片：· 全连续功率20，40和100W· 脉冲输出功率50，100和200W· 易于焊接· 有效波长790nm-980nm

金丝球焊推拉力测试机标准：冷/热焊凸块拉力-JEITAEIAJET-7407BGA凸点剪切-JEDECJESD22-B117A冷焊凸块拉力-JEDECJESD22-B115金球剪切-JEDECJESD22-B116引线拉力-DT/NDTMILSTD883芯片剪切-MILSTD883注:JEDEC固态技术协会微电子行业的领导标准机构ASTM美国材料与试验协会MILSTD美国军用标准883微电子器件试验方法和程序金丝球焊推拉力测试机特点：1、可实现多功能推拉力测试 2、任意组合可实现多种功能测试 3、满足单一测试模组 4、创新的机械设计模式 5、强大的数据处理功能 6、简易的操作模式，方便、有效。型号：LB-8600产品介绍LB-8600多功能推拉力测试机广泛用于LED封装测试，IC半导体封装测试、TO封装测试，IGBT功率模块封装测试，光电子元器件封装测试，汽车领域，航天航空领域，军工产品测试，研究机构的测试及各类院校的测试研究等应用。设备功能介绍：1.设备整体结构采用五轴定位控制系统，X轴和Y轴行程100mm,Z轴行程80mm,结合人体学的独特设计，全方位保护措施，左右霍尔摇杆控制XYZ平台的自由移动，让操作更加简单、方便并更加人性化。2.可达200KG的坚固机身设计，Y轴测试力值100KG，Z轴测试力值20KG3.智能工位自动更换系统，减少手工更换模块的繁琐性，同时更好提升了测试的效率及便捷性4.高精密的动态传感结合独特的力学算法，使各传感器适应不同环境的精密测试并确保测试精度的准确性5.LED智能灯光控制系统，当设备空闲状况下，照明灯光自动熄灭，人员操作时，LED照明灯开启设备软件：1.中英文软件界面，三级操作权限，各级操作权限可自由设定力值单位Kg、g、N，可根据测试需要进行选择。2.软件可实时输出测试结果的直方图、力值曲线，测试数据实时保存与导出功能，测试数据并可实时连接MES系统软件可设置标准值并直接输出测试结果并自动对测试结果进行判定。3.SPC数据导出自带当前导出数据大值、小值、平均值及CPK计算。传感器精度：传感器精度±0.003％；综合测试精度±0.25％测试传感器量程自动切换。测试精度：多点位线性精度校正，并用标准法码进行重复性测试，保证传感器测试数据准确性。软件参数设置：根据各级权限可对合格力值、剪切高度、测试速度等参数进行调节。测试平台：真空360度自由旋转测试平台，适应于各种材料测试需求，只需要更换相应的治具或压板，即可轻松实现多种材料的测试需求。测试参数:设备型号：LB-8600外型尺寸：680*580*710(含左右摇杆)设备重量：95KG电源供应：110V/220V@4.0A 50/60HZ压缩空气：4.5-6Bar真空输出：500mm Hg控制电脑：联想PC软件运行：Windows7/Windows10显微镜：标配双目连续变倍显微镜（选配三目显微镜）传感器更换方式：自动切换平台治具：360度旋转，平台可共用各种测试治具XY轴有效行程：100*100mmZ轴有效行程：80mmXY轴分辩率：±1um Z轴分辩率±1um传感器精度：传感器精度±0.003％；综合测试精度±0.25％

产品简介WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备自动测量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。使用光谱共焦对射技术测量晶圆 Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI 等参数，同时生成 Mapping 图；采用白光干涉测量技术对 Wafer 表面进行非接触式扫描同时建立表面 3D 层析图像，显示 2D 剖面图和 3D 立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关 3D 参数；基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；红外传感器发出的探测光在 Wafer 不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量 Bonding Wafer 的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。产品应用WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备自动测量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。使用光谱共焦对射技术测量晶圆 Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI 等参数，同时生成 Mapping 图可广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C 电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS 器件等超精密加工行业。可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。应用案例1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

产品概述多信道液体粒子检测系统实时监控水质与处理槽状态、直观判读液体中微粒子数量变化，有效提升制程效率&良率。 加上多点位整合大幅降低设备成本，绝对是微污染管控的最佳解决方案。产品特色直接整合至营运中机台自动化多点位分析24 小时监控微奈米粒子数量变化减少无效稼动，提升清洗制程效率每年最高可节省 72%成本显影剂、混酸去光阻液、铜/铝酸、DI water 检测效果佳产品优势缺陷预判自动示警，微奈米粒子出现微污染状况，洁净程度达警示标准，可提前更换滤芯，预防产品出现状况。优化建议智慧化交叉比对滤芯尺寸、寿命、保养周期，评估制程洁净度。并提供优化建议。建立稳定制程标准产线机台之清洁维持稳定的制程标准，确保此制程不会成为客户highlight的一环。半导体全产业应用晶圆制造 封装测试产品优势一机多点位切换自动化微奈米子实时监控比对良率&污染物关系弹性检测排程自动预警产品应用水洗制程（DI WATER）蚀刻制程（金属蚀刻液）脱膜制程 （剥膜液、脱膜剂）微影制程 （铜酸、铝酸）产品规格量测范围0.1 μm - 100 μm可容许误差范围1200-40000 counts/ml @ 5% Coincidence Error校正追溯至 JIS-B9925通讯模式RS485/Modbus, 4~20 mA外箱 / 管路 / 取样界面不锈钢 / PFA / 石英LED灯指示电源 / 故障 / 正常取样 / 异常警告取样温度 / 压力0-70 °C / 150 PSI

LB-8600多功能推拉力测试机广泛用于LED封装测试，IC半导体封装测试、TO封装测试，IGBT功率模块封装测试，光电子元器件封装测试，汽车领域，航天航空领域，军工产品测试，研究机构的测试及各类院校的测试研究等应用。设备功能介绍：1.设备整体结构采用五轴定位控制系统，X轴和Y轴行程100mm,Z轴行程80mm,结合人体学的独特设计，全方位保护措施，左右霍尔摇杆控制XYZ平台的自由移动，让操作更加简单、方便并更加人性化。2.最高可达200KG的坚固机身设计，Y轴最大测试力值100KG，Z轴最大测试力值20KG3.智能工位自动更换系统，减少手工更换模块的繁琐性，同时更好提升了测试的效率及便捷性4.高精密的动态传感结合独特的力学算法，使各传感器适应不同环境的精密测试并确保测试精度的准确性5.LED智能灯光控制系统，当设备空闲状况下，照明灯光自动熄灭，人员操作时，LED照明灯开启设备软件：1.中英文软件界面，三级操作权限，各级操作权限可自由设定力值单位Kg、g、N，可根据测试需要进行选择。2.软件可实时输出测试结果的直方图、力值曲线，测试数据实时保存与导出功能，测试数据并可实时连接MES系统软件可设置标准值并直接输出测试结果并自动对测试结果进行判定。3.SPC数据导出自带当前导出数据最大值、最小值、平均值及CPK计算。传感器精度：传感器精度±0.003％；综合测试精度±0.25％测试传感器量程自动切换。测试精度：多点位线性精度校正，并用标准法码进行重复性测试，保证传感器测试数据准确性。软件参数设置：根据各级权限可对合格力值、剪切高度、测试速度等参数进行调节。测试平台：真空360度自由旋转测试平台，适应于各种材料测试需求，只需要更换相应的治具或压板，即可轻松实现多种材料的测试需求。测试参数:设备型号：LB-8600外型尺寸：680*580*710(含左右摇杆)设备重量：95KG电源供应：110V/220V@4.0A 50/60HZ压缩空气：4.5-6Bar真空输出：500mm Hg控制电脑：联想PC软件运行：Windows7/Windows10显微镜：标配双目连续变倍显微镜（选配三目显微镜）传感器更换方式：自动切换平台治具：360度旋转，平台可共用各种测试治具XY轴有效行程：100*100mmZ轴有效行程：80mmXY轴分辩率：±1um Z轴分辩率±1um传感器精度：传感器精度±0.003％；综合测试精度±0.25％

正业半导体芯片焊点无损检测 正业科技多年聚焦检测领域，专注X光检测创新技术解决方案，技术成熟，经验丰富，针对这一行业痛点和国内知名半导体公司已开展合作，开发全新的自动检测解决方案，替代进口单机设备。 要实现自动检测，对检测的效率及自动识别的能力及算法提出更高的技术要求，经过项目组的努力，目前已经取得突破性进展，半导体芯片缺陷自动检测技术的识别功能及关键检测指标已得到客户的认可，即将推出自动检测设备，未来将为更多的半导体客户解决检测的难题，助力行业发展！ 目前半导体芯片缺陷类型：有线脱焊、塌线、跪线、弧度低、断颈、平颈、多die、弧度高、多余线、重复焊线、无线脱焊、颈部受损、胶水厚、线尾长、球厚/球大/球畸形等。 ▲良品及部分缺陷类型

pGas200-ASM-SC-6s便携式半导体车间毒气检测仪规格型号如下：一、pGas200-ASM-SC-6s 便携式气体检测仪技术参数技术说明PH3-4PH:0.05-20ppmSiH4-4SL:0.05-50ppmAsH3-3E1:0.015-1ppmChlorides: 0.7-30ppmFluorides: 0.25-10ppmH2:0-4%VOlECECECECECEC扩散式采样 半导体车间全毒气报警, 有一定的区辩能力.Chlorides对HCl,SiH2Cl2, S2Cl2, GeCl4, PCl3, PCl5, POCl3, SiCl4, TiCl4, SiHCl3, C3Cl3N3都有响应 Fluorides对HF,COF2,S2F10,SO2F2,SnF4,C3F3N3都有响应 Gas200通过标定系统甚至可能对H2B6.GeH4,H2Se进行定性定量探测.二、PGas200-ASM-SC_4s 便携式气体检测仪技术参数技术说明Hydrides:0.05-50ppmChlorides: 0.7-30ppmFluorides: 0.25-10ppmH2:0-4%VOlECECECEC扩散式采样 半导体车间全毒气报警, 有一定的区辩能力.Chlorides对HCl,SiH2Cl2, S2Cl2, GeCl4, PCl3, PCl5, POCl3, SiCl4, TiCl4, SiHCl3, C3Cl3N3都有响应 Fluorides对HF,COF2,S2F10,SO2F2,SnF4,C3F3N3都有响应 Gas200通过标定系统甚至可能对H2B6.GeH4,H2Se进行定性定量探测.三、PGas200-ASM-SC_3s1 便携式气体分析仪技术参数技术说明Hydrides:0.05-50ppmChlorides: 0.7-30ppmFluorides: 0.25-10ppmECECEC扩散式采样 半导体车间全毒气报警 四、 PGas200-ASM-SC_3s2 便携式气体检测仪技术参数技术说明Hydrides:0.05-50ppmTOX:0-30ppmH2:0-4%VOlECECEC扩散式采样 半导体车间全毒气报警TOX-ADS02 对氯化物，氟化物,溴化物,硫化物,胺,苯类皆有高灵敏度响应.*其中H代表氢化物；Cl代表氯化物,包括氯化氢 F代表氟化物,包括氟化氢 便携式半导体车间毒气检测仪技术指标: BD4主机测试ADC分辨率: 0.025%FS 电化学探头准确度: ±1-2%读数(一般) 长期稳定性: +/-10% /年 (一般) 分析器响应时间： 10ms 探头响应时间：1min 仪器使用环境: 温度：-10℃～60℃ 湿度：10%～90%R（无结露） 仪器保存环境: 温度： 0℃～50℃ 湿度：10%～80%R（无结露） 电化学探头直接采样: 温度: 0-40℃ 压力:1.1 kgf/cm2 供电: 6V充电蓄电池 连续使用时间: 24Hr/每次充电 电池置放时间1周。便携式半导体车间毒气检测仪pGas200-ASM-SC-6s，气体分析仪，有毒有害气体检测仪，请与北京市北斗星工业化学研究所联系。

薄膜无损检测系统/半导体无损检测系统姓名：田工(Allen)电话：（微信同号）邮箱：薄膜无损检测仪产品特点：系统使用获得专利的光声技术设计无损测量系统。源自 CNRS 和波尔多大学的技术转让，它依靠激光、材料和声波之间的相互作用实验超精密材料物性，薄膜厚度检测系统使用无接触，无损光学测量。运用激光产生100GHz以上超高频段超声波，以此检测获得材料诸如厚度，附着力，界面热阻，热导率等。产品尤其适测量从几纳米到几微米的薄层，无论是不透明的（金属、金属氧化物和陶瓷），还是半透明和透明的。 这种全光学无损检测技术（without contact, no damage, no water, no Xray）不受样品形状的影响。产品适用精度可以达 1nm to 30 microns , Z轴分辨率为亚纳米于此同时，系统提供附着力、热性能（纳米结构界面热阻）测量分析 多种材料适用性广泛的材料至关重要。我们的技术已证明其能够测量许多金属材料以及陶瓷和金属氧化物，并且不受外形因素的影响。 薄膜无损检测仪广泛的应用中发挥作用半导体行业半导体行业为我们周围遇到的大多数电子设备提供了基本组件。它的制造需要在硅晶片上进行多次薄膜沉积，。工业过程中厚度测量和界面表征都是确保质量的关键。尤其是半导体行业中多层/单层不透明薄膜沉积对于以上问题，我们针对提供：-高速控制检测-无损无接触测量-单层/多层测量显示行业今天，不同的技术竞争主导显示器的生产，而显示器在我们的日常使用中无处不在。事实上，由于未来 UHD-8K 标准以及新兴柔性显示器的制造工艺，这不断扩大的行业存在技术限制单个像素仍然是一堆薄层有机墨水、银、ITO… … 在这方面，控制薄层厚度的问题仍然存在。这些问题可能会导致产品出现质量缺陷。对此我们可提供：- 对此类层级样品的独特检查。- 提取厚度的可能性。- 非破坏性和非接触式厚度测量。薄层沉积无论是在航空工业还是医疗器械制造领域，技术涂层都可用于增强高附加值部件中的某些功能。这些涂层的厚度随后成为确保目标性能的关键因素。接触式破坏测量对于此领域会带来特定问题，且受限于待测样品形状因素、曲率等原因，很难控制样品特性。 对此我们可以提供：不改变样品形貌无损检测（Form factor postage）快速厚度测量在线测量控制 部分合作单位

正业科技半导体分立元件在线全自动X-RAY检测设备应用介绍：该设备具有一套Xray成像系统，四轴机器人自动上下料，针对半导体行业内的分立元件进行在线全自动检测，可自适应7英寸，11英寸，13英寸的料盘。该设备通过Xray发生器发出X射线，穿透芯片内部，由平板探测器接收X射线进行成像，通过图像算法对图像进行分析、判断，确定良品与不良品，并通过复盘功能，确定芯片在料盘中的序号，以便后端将不良芯片挑出。 产品特色：? 算法软件功能强大：1. 自主研发的复盘算法能够实时复盘，边采图边复盘。2. 人机交互功能丰富。界面图片可拖拽、缩放，可在复盘图上双击NG芯片，即可索引并显示出该芯片的原图、NG类型等信息。3. 自主研发的检测算法能够自动准确地检测芯片的线型及芯片导物等不良项。4. 软件具备扫码、MES上传、人工复判等功能。? 检测效率高：整盘矩阵式采图，无需拉料卷料；具有CCD视觉定位系统，机器人自动上料。7英寸料盘检测用时3min(3000pcs)。? 生产线对接：具备与AGV对接功能。? 安全环保：整个设备安全互锁，三重防护功能，机身表面任何部位均满足安全辐射标准。

YXLON 微焦点X-ray产品COUGARCHEETACHSMT配置μCT-能力 包括快速扫描倾斜角度观察平板探测器16位的实时影像处理高速平板探测器μCT-能力大尺寸样品的检查Zoom+技术Power driver技术16位的实时影像处理全面的X射线检测解决方案更好的清晰度高达670万像素的图像分辨率提供令人满意的亮度、对比度、空间分辨率、景深以及灰度，向您呈现更清晰的图像，并进一步简化您的分析。更快速的检测高达30帧/秒的增强版实时检测技术可实现实时图像处理，快速提供清晰图片以大化处理量。保持图像锐度X射线管提供的高分辨率图像在高倍放大下仍能保持良好的清晰度为您提供锐利清晰的图像，特征分辨率为0.1微米时，目标功率达10瓦，或特征分辨率为0.3微米时，目标功率达20瓦易于使用机壳的设计符合人体工程学，可优化用户与系统交互的方式操作人员可迅速启动和运行可直观操作的检测软件。广泛应用球栅阵列（BGA ）四方扁平无引脚（QFN ）四方扁平封装（QFP ）堆叠式封装（POP ）印刷电路板/印刷电路板组装（PCB / PCBA ）集成电路（IC）半导体封装微电机系统（MEMS ，MOEMS ）电源管理集成电路（PMIC’s ）/ IGBT扇出型晶圆级封装（FO-WLP ）3D堆叠封装高性能内存连接器底部端接元器件（BTC ）射频设备焊盘分析铜柱微米级球体镀通孔（PTH ）焊线分析高功率下保持高特征分辨率快速高质量的CT成像3D微CT和X-Plane系列可选配3D微CT 和创新性的，实现样本在不做切割的情况下，大限度地灵活获得任意层面2DX射线切面图：显示BGA、CSP、QFN、LGA、IGBT等内部气泡的位置和大小识别枕头效应(HoP)以及空焊分离堆叠式封装（PoP）或多芯片模块（MCM）的不同层面通孔的连接及通道的质量控制3D微CT 在较小样本的精细化深入微观截面细节检测中表现突出。拥有先进的重组软件，可快速轻松地进行精细化质通孔气泡及少锡量控制和故障分析。短时间内可获得良好的图像质量专为电子产品设计密封式透射管技术更优于开管技术，能在不降低分辨率和放大倍率的前提下提供高功率。较好的射线管，实现精益求精。高效能高压发生器，还可选配增强功能。探测器能提供快速实时检测和良好的图像质量。所以您可以相信，我们的X射线检测应用完全具备创新性、完整性和可靠性。直观的Gensys X射线检测软件能提供安全且无碰撞的检测，并可快速简单地实现自动化，而无需任何编程技能。效果良好的图像质量双4K超高清显示器可让您享受以下便利：0.1微米的亚微米特征分辨率670万像素的X射线图像匹配高分辨率闪烁体800万像素的显示器像素间距为50微米的平板探测器特征识别在0.3微米时功率达20瓦对具有挑战性的应用提供高对比度检测实时图像处理核心技术定制密封式透射管全功率高特征分辨率可连续服务，无需定时更换灯丝为电子产品市场量身打造可长期使用的业界领先CMOS传感器快速/锐利/清晰/动态 数字化控制可在未来选配增强功能适用期和性能的完全控制直观的用户体验滤镜库和自动检测程序快速实时图像处理以简约为标准系统设计以电子产品应用的简约和质量为核心基于用户需求的设计定制机壳符合人体工程学设计，可优化用户与系统交互的方式。前置和大型门等功能结合，以大限度便利使用，即便坐着也可轻松操作另外，360 度全方位视图和达70 度的斜角视图标准设计，让您可获得有关气泡、枕头效应(HoP)、裂缝、空焊等的更清晰视图可自定义的错误报告支持导出Excel 或HTML 格式可轻易选配加热台等功能，让您的系统经得住时间的考验，且可扩大应用的使用范围软件特点：自动BGA 和气泡测量含QFN, 焊盘表面和线的曲度等特殊自动检测程序功能气泡面积、直径、圆度和通孔锡膏填充量的测量工具标配的图像增强滤镜库，且可组合使用自动测试无需任何编程技巧自动防撞控制简单的“快速点击“导航界面对独特的模型/形状可基于模板的CAD 分析进行气泡计算快速的实时图像处理以获得增强的图像录像和图像获取，并添加注释预编程参数控制以节省时间性密封密封可传输X射线管，旨在为您提供持续服务，且无需定时更换灯丝。

道可道，非常道；名可名，非常名。无名，天地之始，有名，万物之母。故常无欲，以观其妙，常有欲，以观其徼。此两者，同出而异名，同谓之玄，玄之又玄，众妙之门。日本神荣半导体气体原理气味检测仪特点： 适合测定各种工厂、垃圾焚烧、污水处理厂、卫生间、宠物等产生的味道。 操作简单方便 只需打开电源就能开始测定 到可保存32,732组数据（每5秒自动测量一次，可记录45小时的数据） 配有专用绘图软件 公司主营产品：油烟检测仪、恒温恒湿称重系统、自动烟尘烟气测试仪、大气采样器、烟气采样器、粉尘采样器、氟化物采样器、水质采样器、水质检测仪、气体检测仪、烟气分析仪、酒精检测仪、甲醛检测仪、辐射检测仪、汽车尾气分析仪等代理品牌：德国德国、德国菲索、英国离子、美国华瑞、日本新宇宙、美国英思科、加拿大BW、英国凯恩、美国梅思安等。 QDLBJYSBY

半导体xray检测设备用途：公司半导体元立件在线全自动XRAY检测设备具有一套Xray成像系统，四轴机器人自动上下料，针对半导体行业内的分立元件进行在线全自动检测，可自适应7英寸，11英寸，13英寸的料盘。该设备通过Xray发生器发出X射线，穿透芯片内部，由平板探测器接收X射线进行成像，通过图像算法对图像进行分析、判断，确定良品与不良品，并通过复盘功能，确定芯片在料盘中的序号，以便后端将不良芯片挑出。 半导体元立件在线全自动XRAY检测设备产品特色：? 算法软件功能强大：1. 自主研发的复盘算法能够实时复盘，边采图边复盘。2. 人机交互功能丰富。界面图片可拖拽、缩放，可在复盘图上双击NG芯片，即可索引并显示出该芯片的原图、NG类型等信息。3. 自主研发的检测算法能够自动准确地检测芯片的线型及芯片导物等不良项。4. 软件具备扫码、MES上传、人工复判等功能。? 检测效率高：整盘矩阵式采图，无需拉料卷料；具有CCD视觉定位系统，机器人自动上料。7英寸料盘检测用时3min(3000pcs)。? 生产线对接：具备与AGV对接功能。? 安全环保：整个设备安全互锁，三重防护功能，机身表面任何部位均满足安全辐射标准。

Leica DM12000 M 12寸半导体检查显微镜DM12000M,封装检查显微镜DM12000M,封装测试显微镜,12寸晶元检查显微镜 产品参数 :能够避免操作失误情况的出现 研究级材料显微镜，适合晶圆、电子元器件、金属、陶瓷、高分子材料、粉尘颗粒等样品观察分析，多种安全设计，保护晶圆，镜头及观察者 模块化设计，可实现透、反射观察 复消色差光路，整体光路支持25mm视野直径 6孔位电动物镜转盘，配接直径32mm长工作距离物镜，物镜转盘带编码，可在不同倍数的物镜下自动加载相应倍数的比例尺 12 X 12大样品台，可实现12寸晶圆的直接观察 内置手动/电动调焦系统 独有的0.7X宏观物镜，具有晶圆检查功能 可提供全自动明场、暗场、偏光、微分干涉、斜照明等观察方式 机身内置LED透、反射照明光源，智能光强变化的控制照明方式 可选配UV光源，提高分辨率至亚微米结构，UV由大功率的LED产生，具有UV和OUV功能 可自动记忆不同物镜与观察方式下最佳的光强，光阑及聚光镜的组合，自动恢复到位，操作简单快速 光强，光阑，观察方式和聚光镜调节除了按键控制外，还可由计算机控制 可连接晶圆搬送机进行连续工作 可配接摄像头观察和采集图像，并提供专业分析软件 可配接高温热台，荧光光源，阴极发光仪，光度计等 产品特点: 适用于所有观察方法的 LED 照明系统，LED 不会产生热量，以此保护样本。色温稳定，确保得出真实的可再现分析结果 利用 0.7X 的全景物镜，能够获得对样本表面的快速总览 高分辨率暗场 (HDF)，为您呈现更多细节 UV和OUV观察方式进一步提高了横向分辨率和纵向分辨能力 软件强大的专业分析功能，包括晶粒度分析、相分析、铸铁分析、脱碳分析、夹杂物分析和清洁度分析 极限分辨率 全新的倾斜紫外模式 (OUV) 在紫外光基础上结合了倾斜光设计理念，确保您可以从任何角度都得到可见物理光学的极限 分辨率。

WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

中图仪器WD4000半导体晶圆粗糙度翘曲度检测设备采用白光光谱共焦多传感器和白光干涉显微测量双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立表面3D层析图像，实现Wafer厚度、翘曲度、平面度、线粗糙度、总体厚度变化(TTV)及分析反映表面质量的2D、3D参数。无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。WD4000半导体晶圆粗糙度翘曲度检测设备通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000半导体晶圆粗糙度翘曲度检测设备集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。WD4000自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

高分辨率X射线无损检测设备 半导体芯片检测360°旋转检测平台Max倾斜70°观测高分辨高灰阶数字平板相机成像清晰强大的软件功能安全防护产品广泛用于半导体集成电路、3C电子制造SMT/PCBA、新能源电池、汽车零配件、光伏等行业领域。更多具体设备参数资料，欢迎来电索取！ 苏州奥弗斯莱特光电科技有限公司隶属德国Osaitex集团，一个光学检测+电测设备方案供应商。Osaitek自1992年成立之日起，相继筹建本土化的设计生产及服务团队，先后在北京、上海、广州、深圳、成都、重庆、沈阳、长春建立服务中心，力求为客户提供定制化服务。 Osaitek以创新为灵魂，以研发为驱动，以品质为保障，以服务为依托，围绕工业自动化四大核心技术进行研发，产品包括X-RAY无损检测、工业ADR智能检测、X-COUNT智能点数设备，纳米分辨率半导体领域芯片检测设备，CT设备。公司拥有自主知识产权，是一个集设备开发和应用的高科技企业。 我们始终坚持“努力拼搏、不断创新、成果共享”的理念，持续投入进行自主研发，不断提高创新能力和管理水平，致力于发展成为工业4.0的核心产品和整体解决方案提供商。

半导体行业 风量检测KANOMAX 6720超宽风量测试范围40-4300m³ /h风量、风速、温湿度、差压同时检测显示蓝牙通信、连接蓝牙打印机，实时打印测试数据具有进风、排风判定、背压补偿、大气压修正功能超大存储容量、4.3英寸真彩触摸屏透明可视窗、可拆卸风速矩阵 名 称Kanomax风量罩型 号6720风量范围40~4300m3/h精度读数的±3%±8m3/h风速范围0.15~40m/s（皮托管*）0.15~15m/s（风速矩阵*）精度读数的±3%±0.05m/s差压范围-2500~2500Pa精度读数的±1.5%±0.25Pa温度范围0~60℃精度±0.5℃湿度范围0~100%RH精度±3%RH（10~90%RH）本体仪器LCD4.3英寸真彩触摸屏背压补偿功能具备透视窗具备其他功能时钟、电池电量显示、数据存储/删除、数据输出（USB）、蓝牙打印、蓝牙功能数据存储8,000组电源4节5号电池（9小时），DC5V适配器供电风罩尺寸标准610×610mm备 选610×1220mm；305×1220mm；500×500mm；915×915mm；915×610mm；800×1400mm整机重量3.6kg标准附件610×610mm、手提箱、电池、操作说明书、通迅电缆及测试软件选 件伸缩杆、专用微型打印机、升降架（带风量罩测试时，整体高度≥3.4m）、电源适配器、仪表挂带、皮托管、风速矩阵、2根气管一长度为2m风量罩6720、6710、6705超大触摸液晶屏、应用便捷风量、风速、温湿度、差压同时检测显示 蓝牙通讯、智能终端连接蓝牙打印机，实时打印测试数据手机等智能终端安装APP程序，操控仪器:参数设置、同步测试数据(最大值、最小值、平均值、累计值)处理、查看、删除、导出、单位切换、K系数调节、多种语言选择 16点平均分布、背压补偿、正负压皆可测试16个压力测试孔均匀分布并具有背压补偿、温度及大气压修正功能，实现高精度测试设有进风、排风两种方式，正负压皆可判定测试 主机、风速矩阵拆卸后组合使用差压计:主机连接差压管直接测试差压面风速仪:主机连接风速矩阵测试风速 大容量存储主机和APP可分别存储8000组、10000组测试数据 透明可视窗直接查看确认风罩与风口对接情况，确保测试数据准确 多种风罩尺寸可供选择除配备610x610mm标准风罩外，还可选用或定制其他不同尺寸的9种风罩 风量检测KANOMAX 6720广泛应用暖通空调的调试、故障排除、新风测试及平衡洁净室认证、生物安全柜风量测试等 名 称风量罩型 号672067106705风量范 围40~4300m3/h40~3800m3/h精 度读数的±3%±8m3/h读数的±3%±10m3/h±2%FS风速范 围0.15~40m/s（皮托管*）0.15~15m/s（风速矩阵*）--精 度读数的±3%±0.05m/s差压范 围-2500~2500Pa--精 度读数的±1.5%±0.25Pa温度范 围0~60℃-精 度±0.5℃湿度范 围0~100%RH-精 度±3%RH（10~90%RH）本体显 示4.3英寸真彩触摸屏3.5英寸彩屏3.5英寸背光屏背压补偿具备蓝牙通讯具备--K系数调节具备数据存储8,000组（APP：10,000组）3,000组其他功能时钟、电池电量、数据存储/删除、数据输出（USB）、打印电 源4节5号电池（约14h），DC5V4节5号电池（约9h），DC5V矩阵可拆卸不可拆卸背压板风罩尺寸标 准610×610mm备 选610×1220mm；305×1220mm；500×500mm；915×915mm；915×610mm；800×1400mm重 量3.6kg3.5kg3.4kg标准附件610×610mm风罩、手提箱、电池、操作说明书、通讯电缆及测试软件可 选 件伸缩杆、打印机（蓝牙/通讯线缆）、升降架、AC适配器、仪表挂带、皮托管、风速矩阵、气路管 用于检测和调试空调的进风、排风风量。风量罩可更换不同尺寸风罩后用于任何类型管道的进风和排风风口。此外，加野风量罩气密性高；风量罩所使用的支杆材质为玻璃纤维，为风罩提供坚固的支撑。半导体行业 风量检测KANOMAX 6720

简介：BD-50，金相显微镜，高级生物显微镜，半导体芯片检测，晶元，化学粉末检测

NS3500 Solar 半导体晶圆质量检测系统NS-3500 Solar 是一种可靠的三维(3D)测量高速共焦激光扫描显微镜(CLSM)。通过快速光学扫描模块和信号处理算法实现实时共焦显微图像。在测量和检测微观三维结构，可以为半导体晶片，FPD产品，MEMS设备，玻璃基板，材料表面等提供各种解决方案。 Features & Benefits（性能及优势）：高分辨无损伤光学3D测量 自动倾斜补偿实时共焦成像 简单的数据分析模式多种光学变焦 双Z扫描大范围拼接 半透明基材的特征检测实时CCD明场和共聚焦成像 无样品准备自动聚焦 Application field（应用领域）：NS-3500是测量低维材料的有前途的解决方案。可测量微米和亚微米结构的高度，宽度，角度，面积和体积，例如-半导体:IC图形，凹凸高度，线圈高度，缺陷检测，CMP工艺- FPD产品:触摸屏屏幕检测，ITO图案，LCD柱间距高度- MEMS器件:结构三维轮廓，表面粗糙度，MEMS图形-玻璃表面:薄膜太阳能电池，太阳能电池纹理，激光图案-材料研究:模具表面检测，粗糙度，裂纹分析Specifications(规格）:ModelMicroscope NS-3500 Solar备注物镜倍率10x20x50x100x观察/ 测量范围 水平 (H): μm1400700280140垂直 (V): μm1050525210105工作范围: mm16.53.10.540.3数值孔径(N.A.)0.300.460.800.95光学变焦x1 to x6总放大倍率178x to 26700x观察/测量光学系统 Pinhole共聚焦光学系统高度测量测量扫描范围 400 um注 1显示分辨率0.001 μm重复率 σ0.010 μm注 2帧记忆像素1024x1024, 1024x768, 1024x384, 1024x192, 1024x96单色图像12 bit彩色图像8-bit for RGB each高度测量16 bit帧速率表面扫描20 Hz to 160 Hz线扫描~8 kHz激光共焦测量光源波长 405nm输出~2mW激光等级Class 3b激光接收元件PMT (光电倍增管)光学观察光源灯10W LED光学观察照相机成像元件1/2” 彩色图像 CCD 传感器记录分辨率640x480自动调整增益, 快门速度, White balance数据处理单元 PC电源电源电压100 to 240 VAC, 50/60 Hz电流消耗500 VA max.重量显微镜Approx. ~50 kg(Measuring head unit : ~12 kg)控制器~8 kg隔振系统气浮光学平台隔振系统Option 注1:精细扫描由压电执行器（PZT）执行。注2 :以100×/ 0.95物镜对标准样品（步长1μm）进行100次测量。

正业半导体芯片缺陷自动检测技术 正业科技多年聚焦检测领域，专注X光检测创新技术解决方案，技术成熟，经验丰富，针对这一行业痛点，和国内知名半导体公司已开展合作，开发全新的自动检测解决方案，顶替进口单机设备。 要实现自动检测，对检测的效率及自动识别的能力及算法提出更高的技术要求，经过项目组的努力，目前已经取得突破性进展，半导体芯片缺陷自动检测技术的识别功能及关键检测指标已得到客户的认可，即将推出自动检测设备，未来将为更多的半导体客户解决检测的难题，助力行业发展！ 目前半导体芯片缺陷类型：有线脱焊、塌线、跪线、弧度低、断颈、平颈、多die、弧度高、多余线、重复焊线、无线脱焊、颈部受损、胶水厚、线尾长、球厚/球大/球畸形等。 ▲良品及部分缺陷类型

由于电子元件的小型化、微型化及印刷电路板的高密度化和高度集成化的迅速发展，铅锡焊接远远满足不了导电连接的实际需求，而导电银胶可以制成浆料，实现很高的线分辨率；而且导电银胶工艺简单，易于操作，可提高生产效率，也避免了锡铅焊料中重金属铅引起的环境污染；所以导电银胶是替代铅锡焊接，实现导电连接的理想选择。Blue MUltra-Temp惰性气体高温烤箱在工作温度下进行了压力测试，适用于所有惰性气体和不易燃的形成气体（4％的氢气，平衡的氮气）。半导体BCB聚合物固化烘箱的优点焊接和密封的内部腔室消除了烟雾向绝缘材料的迁移防止产品氧化当气流漏气时，向操作者发出警报，并关闭烤箱加热器，以尽量减少不良后果当门打开时，门开关会关闭加热器和鼓风机，以确保操作人员的安全半导体BCB聚合物固化烘箱的特性适用于氩气，二氧化碳，氦气和氮气等惰性气体露天重型镍铬丝加热元件独特的内壳/外壳腔室允许冷却液周围的空气在惰性气体内腔室周围循环摄入鼓风机电动机控制面板上有气体流量和腔室压力监控器及调节器大容量水平气流系统6英寸的矿棉绝缘材料Blue M玻璃纤维大门密封圈设计3/8英寸入口连接排气口和风门泄压阀吹扫计时器加热使能灯型号IGF 8880和9980是水冷门Blue M惰性气体高温烘箱的参数NFPA 86 B级烤箱温度：室温+15℃-593℃（1099°F）均匀度：设定值的±2％控制精度：±0.5°C分辨率：±0.1°C额定电压下关闭排气装置空载运行具体规格型号IGF-6680IGF-7780IGF-8880IGF-9980内部容积4.2 立方英尺5.8 立方英尺11.0 立方英尺24.0 立方英尺内部尺寸宽x深x高（厘米）20 x 18 x 20(51x46x51)25 x 20 x 20(64x51x51)38 x 20 x 25(97x50x64)48 x 24 x 36(122x61x91)外部尺寸宽x深x高（厘米）46 x 36 x 71(117x91x180)51 x 38 x 71(130x97x180)86 x 38 x 76(218x97x193)96 x 43 x 81(244x109x206)机器占地面积12.5 平方英尺.14.5 平方英尺24.0 平方英尺32.2 平方英尺电力负载208 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流12.0 kW3815.7 kW4718.8 kW5922.5 kW72240 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW4321.0 kW5425.0 kW6830.0 kW82480 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW2121.0 kW2725.0 kW3230.0 kW41*所有规格如有更改，恕不另行通知。

半导体参数分析仪概述：SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可靠性。基于模块化的体系结构设计，SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要，灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量，同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程，实现高效和可重复的器件表征 也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。产品特点：30μV-1200V；1pA-100A宽量程测试能力；测量精度高，全量程下可达0.03%精度；内置标准器件测试程序，直接调用测试简便；自动实时参数提取，数据绘图、分析函数；在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线；提供灵活的夹具定制方案，兼容性强；免费提供上位机软件及SCPI指令集；典型应用：纳米、柔性等材料特性分析；二极管；MOSFET、BJT、晶体管、IGBT；第三代半导体材料/器件；有机OFET器件；LED、OLED、光电器件；半导体电阻式等传感器；EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管；电阻率系数和霍尔效应测量；太阳能电池；非易失性存储设备；失效分析；系统技术规格半导体电学特性测试系统CV+IV测试仪订货信息模块化构成：低压直流I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流工作模式-Z大电压300V，Z大直流1A或3A可选-最小电流分辨率10pA-四象限工作区间-支持二线，四线制测试模式-支持GUARD保护低压脉冲I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流、脉冲工作模式-Z大电压300V,Z大直流1A或3A可选，Z大脉冲电流10A或30A可选-最小电流分辨率1pA-最小脉宽200μs-四象限工作区间.-支持二线，四线制测试模式-支持GUARD保护高压I-V源测量单元-精度0.1% -Z大电压1200V,Z大直流100mA-最小电流分辨率100pA-一、三象限工作区间-支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护高流I-V源测量单元-精度0.1%-直流、脉冲工作模式.-Z大电压100V，Z大直流30A,Z大脉冲电流100A-最小电流分辨率10pA-最小脉宽80μs-四象限工作区间支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护电压电容C-V测量单元-基本精度0.5%-测试频率10hZ~1MHz，可选配至10MHz-支持高压DC偏置，Z大偏置电压1200V-多功能AC性能测试，C-V、 C-f、 C-t硬件指标-IV测试半导体材料以及器件的参数表征，往往包括电特性参数测试。绝大多数半导体材料以及器件的参数测试，都包括电流-电压(I-V)测量。源测量单元(SMU)，具有四象限，多量程，支持四线测量等功能，可用于输出与检测高精度、微弱电信号，是半导体|-V特性测试的重要工具之-。SPA-6100配置有多种不同规格的SMU,如低压直流SMU,低压脉冲SMU,大电流SMU。用户可根据测试需求灵活配置不同规格,以及不同数量的搭配，实现测试测试效率与开支的平衡。灵活可定制化的夹具方案 针对市面上不同封装类型的半导体器件产品,普赛斯提供整套夹具解决方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管，模组类产品的测试 也可与探针台连接，实现晶圆级芯片测试。探针台连接示意图

高电压大电流功率半导体器件测试系统解决方案 为应对各行各业对功率器件的测试需求，武汉普赛斯正向设计、精益打造了一款高精密电压-电流的功率半导体器件测试系统，可提供IV、CV、跨导等丰富功能的综合测试，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求。系统采用模块化集成的设计结构，为用户后续灵活添加或升级测量模块提供了极大便捷和优性价比，提高测试效率以及产线UPH。 功率半导体器件测试系统支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作，能够在从测量设置和执行到结果分析和数据管理的整个表征过程中实现高效和可重复的器件表征。也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。 功率半导体器件测试系统主机内部采用的电压、电流测量单元，均采用多量程设计，测试精度为0.1%。其中，栅极-发射极，Z大支持30V@10A脉冲电流输出与测试，可测试低至pA漏电流；集电极-发射极，Z大支持6000A高速脉冲电流，典型上升时间为15μs，且具备电压高速同步采样功能；Z高支持 3500V(可扩展至10kV)电压输出，且自带漏电流测量功能。电容特性测试，包括输入电容，输出电容，以及反向传输电容测试，频率Z高支持1MHz，可灵活选配。 系统优势/Feature PART 01 IGBT等大功率器件由于其功率特点极易产生大量热量，施加应力时间长，温度迅速上升，严重时会使器件损坏，且不符合器件工作特性。普赛斯高压模块建立的时间小于5ms，在测试过程中能够减少待测物加电时间的发热。 PART 02 高压下漏电流的测试能力，测试覆盖率优于国际品牌。市面上绝大多数器件的规格书显示，小模块在高温测试时漏电流一般大于5mA，而车规级三相半桥高温下漏电大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3规格书为例：3300V，125℃测试条件下ICES典型值14mA，Z大40mA。普赛斯静态系统高压模块测试几乎可以W美应对所有类型器件的漏电流测试需求。PART 03 此外，VCE(sat)测试是表征 IGBT 导通功耗的主要参数，对开关功耗也有一定的影响。需要使用高速窄脉冲电流源，脉冲上升沿速度要足够快时才能减小器件发热，同时设备需要有同步采样电压功能。 IGBT静态测试系统大电流模块：50us—500us 的可调电流脉宽，上升边沿在 15us(典型值)，减少待测物在测试过程中的发热，使测试结果更加准确。下图为 1000A 波形： PART 04 快速灵活的客制化夹具解决方案：强大的测试夹具解决方案对于保证操作人员安全和支持各种功率器件封装类型极为重要。不论器件的大小或形状如何，普赛斯均可以快速响应用户需求，提供灵活的客制化夹具方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管，模组类产品的测试。 结束语 功率半导体器件测试系统作为J端产品，以往在国际市场上只被少数企业掌握。全球半导体产业的发展以及先进半导体制造设备保有国出口管制的升级，对国产设备厂家来说既是挑战也是机遇。未来，武汉普赛斯将充分发挥自身的技术和创新优势，持续推动J端产品落地应用，真正做到以技术创造更多价值

• 带目镜观察的小巧显微镜单元。适于检测金属表面、半导体、液晶基板、树脂等。• 多种显微镜镜体通常用作适用于专业器械的OEM(原厂委制)产品，如那些利用YAG(近红外、可见、近紫外或紫外)激光*对半导体晶片进行检测和修补的设备。*不保证激光系统产品的性能和安全性。• 应用：切割、修整、校正、给半导体电路做标记/薄膜(绝缘膜)清洁与加工、液晶彩色滤光器的修复(校正错误)。还可用作光学观察剖面图以便探针分析半导体故障。• 可用于红外光学系统*。应用：晶体硅的内部观察；红外光谱特征分析。*需要红外光源和红外摄像机。• 支持BF(亮视场)、DF(暗视场)、偏振光及微分干涉对比(DIC)的型号(产品)可用。• 带有孔径光阑的柯勒照明是表面照明光学系统上的标准配件。• 内倾转塔和超长工作距离的物镜确保了显微镜下的高可操作性。