安全器件

INSTEMS系列为用户提供了7种原位TEM实验平台。其中包含三种单外场施加平台，三种双外场耦合平台和一种三外场耦合平台。三种单外场产品为INSTEMS-M（力学加载）、INSTEMS-E（电学加载）和INSTEMS-T（热场加载）；三种双外场耦合产品为INSTEMS-ME（力电耦合）、INSTEMS-TE（热电耦合）和INSTEMS-MT（力热耦合）；一种三外场耦合产品为INSTEMS-MET（力热电耦合）。产品介绍：INSTEMS-MET采用独特的MEMS芯片设计和新颖的集成策略，克服了多场耦合的诸多兼容性难题，完美保存了TEM样品杆的双轴倾转功能。可以在TEM中向样品施加力、热、电三种外场，实现外场的灵活组合，原位观察材料原子尺寸微观结构变化。该产品极大地拓宽了原位电子显微学的研究范畴，是科研工作者研究复杂力/热/电环境下材料的强大工具。突出优势：1、灵活热/力/电场耦合超宽加热范围 ( RT-1200 oC ) 超高加热精度( 0.1 oC ) 牛顿级驱动器( 100 mN) pm级驱动控制多种加载模式多种通电程序pA级电学测量2、双轴倾转α 轴倾转最高至±25° β 轴倾转最高至±25°3、稳定的原子尺度成像极限样品漂移＜50 pm/s空间分辨率≤0.1 nm技术优势：ItemParametermini-lab兼容性MT/TE/ME/M/E/T加热范围RT up to 1200 ℃ *加热准确性≥98%加热速率10000 °C/s最大驱动力 100 mN最大驱动位移4 μm驱动精度 500 pm最大电压± 50 V *电流测量范围1 pA-1 A空间分辨率≤0.1 nmEDS兼容性√应用领域：半导体电池安全器件失效热电材料… …

SiC碳化硅功率器件动态特性测试系统 我们专业致力于功率元器件的测试仪器设备，主要致力于碳化硅器件的测试仪器设备。 我们的优势在于能够深入的进行理论运用到实践中。技术能力和实践能力的结合，才能在市场上推出使用方便，测试结果准确的高技术产品 我们的工程师具有超过20年的大功率半导体专业设计及测试评估的经验 如有任何需求，欢迎与我们联系各种电子测试的需求。 全面的测试方案：双脉冲测试 用于碳化硅二极管 和FETs检测 高压器件 1.2 kV - 1.7 kV - 3.3 kV - 4.5 kV 及更高 功率器件（包括模块） 电压可调至：50 A ( 500 A )清晰的开关波形 非常低且非常容易判断寄生现象精确 包含分析和补偿程序为模具，紧凑型包装，模块组件而设计 裸芯片, TO220, TO247, TO254, 任何碳化硅模块模块化和前瞻性 新包装和模块化的可调谐开关插头高温测试 DUT 集成化加热器- 可调谐到 250°C快速 快速部署，测试周期 短标准和具体应用 集成化或定制栅极驱动器；寄生现象可调谐高性能系统 工业等级设计及制造安全 IEC61010安全标准设计 技术规格动态特性主要针对于是碳化硅技术中的功率器件的特性，也同样应用于碳化硅技术的的各种仪器设备的特性。基于碳化硅技术的半导体功率器件动态性能测试是我们的核心技术。随着碳化硅测试设备的快速发展需要对带宽和寄生原件的测试需求。如：负载感应器和直流电等寄生元器件将会成为碳化硅功率器件的使用方案。功能：描述SiC离散变量的动力学行为配置：在相位腿配置的二极管mosfet(或IGBTs)设备等级：优化的额定电压600V到4500V 优化额定电流10A到50A包装：可与TO220,TO247,TO254包接口的装置系统接受其他包的fixture输入电压：230Vac, 50Hz，单相接地保护输入电流：8A保险丝额定值：10A，T，250V直流电压范围：100V to 4500V开关电流范围：10A to 50ADUT温度:热板温度可调至200℃

产品简介HAST加速寿命试验的目的是提高环境应力(如：温度)与工作应力(施加给产品的电压、负荷.等)，加快试验过程，缩短产品或系统的寿命试验时间。用于调查分析何时出现电子元器件，和机械零件的摩耗和使用寿命的问题，使用寿命的故障分布函数呈什么样的形状，以及分析失效率上升的原因所进行的试验应用范围HAST老化试验箱广泛用于IC半导体、连接器、线路板、磁性材料、高分子材料、EVA、光伏组件等行业相关之产品作加速老化寿命试验。产品特点： 1.采用进口耐高温电磁阀双路结构，在最大程度上降低了使用故障率。 2.独立蒸汽发生室，避免蒸汽直接冲击产品，以免造成产品局部破坏。 3.门锁省力结构，解决第一代产品圆盘式手柄的锁紧困难的缺点。 4.试验前排冷空气 试验中排冷空气设计(试验桶内空气排出)提高压力稳定性、再现性. 5.超长效实验运转时间，长时间实验机台运转400小时. 6.水位保护，透过试验室内水位Sensor检知保护. 7.tank耐压设计，箱体耐压力(150℃)2.65kg，符合水压测试6kg. 8.二段式压力安全保护装置，采两段式结合控制器与机械式压力保护装置. 9.安全保护排压钮，警急安全装置二段式自动排压钮 . 10.偏压测试端子耐压可达3000V(选配） 11.USB导出历史记录数据，曲线. 1.性能 1.1 设定温度: +105 ℃ ～ +147 ℃( 蒸气温度 ) 1.2 湿度范围: 75~100 % 蒸气湿度 1.3湿度控制稳定度：±3%RH 1.3 使用压力: 1.2~2.89kg(含1atm) 1.4 时间范围: 0 Hr ～ 999 Hr 1.5 加压时间: 0.00 Kg ～ 1.04 Kg / cm2 约 45 分 1.6 温度波动均匀度 : ±2℃ 1.7 温度显示精度：0.1℃ 1.8 压力波动均匀度 : ±0.1Kg 1.9 湿度分布均度：±3%RH2.试验箱材质： 2.1 试验箱尺寸: HAST-40（∮400 mm x L500 mm x 2）圆型试验箱 2.2 全机外尺寸: 约1050x 980 x 1850 mm ( W * D * H )立式 2.3 内桶材质: 不锈钢板材质（SUS# 316 3 mm） 2.4 外桶材质: 不锈钢板材质或选喷塑 2.5 保温材质：岩棉及硬质polyurethane发泡保温 2.6 蒸汽发室加热管：钛管加热，永不生锈。 2.7 控制系统: a.采用三菱定制版彩色触控式PLC控制湿度和蒸汽温度(采用PT-100白金感温体）. b.采用指针显示压力表. c.微电脑 P.I.D 自动演算控制饱和蒸气温度和蒸汽湿度. d.手动入水阀（自动补水功能，可不停机连续试验）. E.试验数据记录U盘导出，曲线查询。 2.8机械结构: a.圆型内箱,不锈钢圆型试验内箱结构,符合工业安全容器标准,可防止试验中结露滴水设计. b.圆幅内衬,不锈钢圆幅型内衬设计,可避免蒸气潜热直接冲击试品. c.精密设计,气密性良好,耗水量少,每次加水可连续 400Hrs 运转. d.专利型packing设计使门与箱体更紧密结合,与传统挤压式完全不同,可延长packing寿命. e.临界点 LIMIT 方式自动安全保护,异常原因与故障指示灯显示.2.9安全保护： a.进口耐高温密封电磁阀，采用双回路结构，保证压力无泄露。 b.整机配备超压保护，超温保护，一键泄压，手动泄压多重安全保障装置，在最大程度上保证用户 的使用和安全。 c.反压门锁装置，在试验室内部有压力时，试验箱门无法打开.3.主要配件表: 控制器:自主研发 耐高温高压水位器:台湾弘禹 高温电磁阀:德國herion 继电器:日本欧姆龙 压力表:中国红旗 超温保护器:韩国AGO 温湿度传感器:芬兰 加热器:自产(全钛管) 压力安全器:自产(铜制弹簧式) 高压洁净级水泵:(德国)PUM 软管:日产无菌级 箱体材质(内桶):SUS316 箱外材质:SUS304 密封圈:硅胶V型开模4.其他附属配件 4.1 测试置架1组 4.2 样品盘 5.供电系统： 5.1 系统电源波动不得大于±10 5.2 电源:单相 220V 20A 50/60Hz6.环境&设施: 6.1 可容许使用工作环境温度5℃~30℃ 6.2 实验用水:纯水或蒸馏水

半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。而且使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作，有更大的不确定度及更慢的总线传输速度等缺点。 实施特性参数分析的最佳工具之一是数字源表（SMU）。普赛斯历时多年打造了高精度、大动态范围、率先国产化的源表系列产品，集电压、电流的输入输出及测量等功能于一体。可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器，波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统，支持四象限工作。普赛斯“五合一”高精度数字源表（SMU）可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具。不论使用者对源表、电桥、曲线跟踪仪、半导体参数分析仪或示波器是否熟悉，都能简单而迅速地得到精确的结果。 普赛斯“五合一”高精度数字源表 普赛斯源表轻松实现二极管特性参数分析 二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导 电性元器件，产品结构一般为单个PN结结构，只允许电流从单一方向流过。发展至今，已陆续发展出整流二 极管、肖特基二极管、快恢复二极管、PIN二极管、光电 二极管等，具有安全可靠等特性，广泛应用于整流、稳压、保护等电路中，是电子工程上用途最广泛的电子元器件之一。IV特性是表征半导体二极管PN结制备性能的主要参数之一，二极管IV特性主要指正向特性和反向特性等； 普赛斯S系列、P系列源表简化场效应MOS管I-V特性分析 MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是 一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体器件，可以广泛应用在模拟电路和数字电路当中，MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳纳米管 等材料制作，是材料及器件研究的热点。主要参数有输入/输出特性曲线、阈值电压 VGS(th)、漏电流IGSS、 IDSS，击穿电压VDSS、低频互导gm、输出电阻RDS等。 普赛斯数字源表快速、准确进行三极管BJT特性分析 三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体 基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块 半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射 区和集电区。设计电路中常常会关注的参数有电流放大系数β、极间反向电流ICBO、ICEO、集电极最大允许电流ICM、反向击穿电压VEBO、VCBO、VCEO以及三极管的输入输出特性曲线等参数。 普赛斯五合一高精度数字源表（SMU）在半导体IV特性测试方面拥有丰富的行业经验，为半导体分立器件电性能参数测试提供全面的解决方案，包括二极管、MOS管、BJT、IGBT、二极管电阻器及晶闸管等。此外，普赛斯仪表还提供适当的电缆辅件和测试夹具，实现安全、精确和可靠的测试。欲了解更多半导体分立器件测试系统的信息，欢迎随时来电咨询普赛斯仪表！

仕様●循環方式：密閉系向循環●使用温度範囲：8～35℃　●循環液：市水　●冷媒：R410A●ポンプ能力：10l/min （at0.25MPa）　●接続口径：Rc3/8●機能：冷却方式／空冷式、冷却能力／750W（50/60Hz 設定温度／20℃ 周囲温度／25℃）●警報：循環ポンプ異常・ 冷凍機異常・ 冷凍機冷媒高圧異常・ 過電流異常・ 循環液高温安全器●本体サイズ：338× 440× 845mm　●電源：AC100V　50/60Hz●電源コード長：3m（3Pプラグ）　●重量：約55kg脚注※本仕様は使用環境・ 熱負荷・ ポンプ流量等の使用条件により異なります。 更多详情请咨询 021-33688931 联系人：王小姐 亚速旺（上海）商贸有限公司是日本アズワン株式会社全资设立的中国法人，全面负责中国区域的业务拓展。日本アズワン株式会社作为日本规模最大的研究机构、制造产业专用科学仪器以及实验室设备、耗材等的专业供应商，以质量可靠、品种齐全、使用方便的专业商品目录为媒体，一直致力为技术、研究人员提供研究、生产、品质检查等各环节所需的机器、仪器、消耗品等，在日本业内享有盛誉。 主要产品：实验室器皿、塑料容器，分析仪器，测量仪器，安全防护用品，无尘室用品，防静电用品等。我们以&ldquo 革新，创造&rdquo 为经营理念，以&ldquo 产品可靠、库存丰富、配送快捷、服务热情&rdquo 为宗旨，致力于为我国的技术、研究和采购人员提供快捷、周到的服务，打造行业一流品牌，为我国的科研发展做出更大贡献！

产品系列晶体管图示仪半导体分立器件测试筛选系统静态参数测试（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）动态参数测试（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）环境老化测试（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）热特性测试（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件ST-DP_S（2500A） 半导体器件IGBT 短路电流测试仪IGBTs,MOSFETs, Diode短路电流测试仪，短路电流2500A短路电流 Isc 1A~500A（VDS 电压＞600V 条件下）短路耐量 Esc 1uJ~5000mJ（VDS 电压＞600V 条件下）短路时间 Tsc 1us~150us（VDS 电压＞600V 条件下）?产品简述 ST-DPX 系列产品是主要针对 半导体功率器件的动态参数测试 而开发设计。通过DUT适配器的转换，可测试各类封装外观的 IGBTs，MOSFETs，DIODEs等功率器件，包括器件、模块、DBC衬板以及晶圆。产品功能模块化设计，根据用户需求匹配功能单元。测试功能单元有DPT（双脉冲测试 Double Pulse Testing，以下简称DPT。包含开通特性、关断特性、反向恢复特性）栅电荷、短路、雪崩、结电容、栅电阻、反偏安全工作区等。测试方案完全符合IEC60747-9国际标准。 产品功能及输出功率进行了模块化设计，满足用户潜在的后期需求，*高测试电压电流可扩展至10KV/10KA，变温测试支持常温到200℃，支持生产线批量化全自动测试。?产品特点? 测试系统电压以1500V为一个模块，电流以2000A为一个模块，可扩展至10KA/10KV? 内置7颗标准电感负载可选用, 另有外接负载接口,可实现不同电感和电阻负载测试需要(20/50/100/200/500/1000/2000uH)? 另有程控式电感箱可供选择? 针对不同结构的封装外观，通过更换 DUT适配器即可? 可进行室温到200℃的变温测试,也可实现子单元测试功能? 测试软件具有实验模式和生产模式，测试数据可存储为Excel文件? 门极电阻可任意调整, 系统内部寄生电感为*小至50nH? 系统测试性能稳定,适合大规模生产测试应用（24hr 工作）? 安全稳定（PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁）? 系统具有安全工作保护功能，以防止模块高压大电流损坏时对使用者造成伤害，设计符合CE认证? 支持半自动和全自动测试? 采用品牌工控机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点? 自动化：单机测试时只需手动放置DUT，也可连接机械选件实现自动化测试线? 智能化，通过主控计算机进行操控及数据编辑，测试结果自动保存及上传指定局域网? 安全性，防爆，防触电，防烫伤，短路保护等多重保护措施，确保操作人员、设备、数据及样品安全。?参数指标

用途：该仪器可适用不同种类器件的辐照，适用于器件辐射效应提参建模的试验平台，在器件设计、流片阶段给出加固建议，评估抗辐射性能。为晶片级器件辐照、提参提供试验条件，形成面向抗辐射器件研制全过程的辐射效应试验评估、提参建模共性技术服务平台，为元器件设计加固工艺的发展提供试验技术支撑。 系统参数1. X射线球管最高电压：160kV2. 线束角度: 40°3. 系统最大功率：6000W4. X射线球管焦点尺寸：5.5 mm5. 可调整照射距离(SSD)：OEM，以最终设计为准6. 剂量控制：配置实时剂量监控仪，剂量率、累积剂量，辐照时间实时显现。剂量率检测范围最大＞600gy/min。7. 冷却器：集成的闭合回路热交换器8. 载物台：电动操作9. 控制：PLC控制10. 仪器具备门机连锁和警示灯，确保使用安全性。11. 同轴槽型常高温吸附卡盘（OEM）12. 卡盘XY位移平台，Z轴快速升降，带微调升降，卡盘可旋转±45°13. PSM1000显微镜、HDMI接口高清（200万像素）CCD（可选配其他）14. 显微镜XY位移平台2＂*2＂15. 防震桌900mm*800mm（最终尺寸以实际为准）16. 三轴接口探针座17. 空气压缩机18. 可选配高低温同轴卡盘、半自动探针台、干燥空气系统等。

滨松光源器件欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！氙灯/汞氙灯 氙灯能发射出具有高亮度和高色温的连续谱，覆盖了紫外到可见再到红外的波段。因此氙灯能理想地应用在众多类型的光度学设备中，包括光谱仪等。本公司所有的氙灯都采用了高性能阴极，避免了常规氙灯的诸多问题。它们被广泛使用在高精度测量灯管不可或缺的应…闪烁氙灯 相比于连续发光灯管，闪烁氙灯具有更紧凑的结构和更少散热的构造。它们也能提供从紫外到可见再到红外的高强度连续谱。由于比常规灯管高出5倍的弧长稳定度和高出10倍的寿命等出色性能，以及改进型的电极结构和材料，滨松公司的闪烁氙灯尤其适用于精密光度…氘灯 这些是全新的下一代氘灯，为分光光度法提供了所需的高稳定度，高输出和长寿命。空心阴极灯 空心阴极灯是专门为原子吸收光谱法而开发的金属蒸汽放电灯。可供选择的空心阴极灯有66种类型的含有Ag、Al和As等的单元素灯和7种类型的含有Na-K和Ca-Mg等的多元素灯。LED 发光二极管(LED)是将电能转化为光能的光电半导体。相比于激光二极管(LD), LEDs具有低成本和长寿命等优点。滨松公司提供了理想地应用于光开关、编码器、测量和光通信等的高输出功率LED。连续激光二极管 用连续波（CW）驱动的连续激光二极管（CWLD）输出功率从mW量级到几个W。封装形式有多种，例如，C接口(C-mount)，紧凑密封型和高热负载型等。脉冲激光二极管 这些激光二极管在脉冲作用下有高峰值功率。峰值输出功率范围为10W到90W。发光区域面积从70 um到350 um。可用于激光雷达中的距离测量，安全性应用中的灾害监控等领域。高亮度二极管（SLD） 这种高亮度激光二极管（SLD）既具备LD的高亮度 又具备了LED的低相干度；弥补了LD的相干噪声的缺陷。它们广泛应用于光学测量和医学成像。量子级联激光器 量子级联激光器(QCL)是一种峰值发射波长在中红外波段 (4 um 到10 um) 的半导体激光器。由于它为分子气体分析等中红外应用提供了新型光源而日益被关注。高功率激光二极管线阵模块 排列成线阵的发光区域使激光二极管阵列模块能输出高可靠性、高功率和高性能的激光；这个过程需有制冷器件的参与。当叠加使用时其输出功率可以高达几千瓦。现有三种基本的制冷方式：紧凑而简易的Peltier型开放散热器（OHS）、更高效的水冷型和滨松独创的F…DDL DDL是一种发出从高功率LD直接照射到目标物上的聚焦激光束的光源。它适用于多种用途，包括焊接、淬火、钎焊和退火等。相比于传统的固体激光器或CO2激光器，这种激光器的优点有小尺寸和低功耗等。高功率光纤耦合激光二极管 光纤耦合输出型激光二极管（Fiber out laser diode，FOLD）不仅具备直接输出型激光二极管（direct diode laser ，DDL）的特性，它的外观紧凑而轻巧；使之非常适用于三维

............. 用途：应用于微电子及光电子工艺电子器件：精密芯片，LED外延式芯片，LCD，BGA，精密光学仪器及光学元件，镀金铜线等；该系列产品被大量应用于在无尘净化车间电子器件及材料的安全防氧化保管。全自动氮气柜HSD系列（1%~60%RH）介绍Product Introduction 1.全自动氮气柜柜体采用1mm及1.2mm钢板制作，多处加强结构，承重性能好，重叠式结构设计，密封性能。2.表面处理采用先进的有18道工序组成的橘纹烤漆，耐腐蚀性强。 3.门镶3.2mm高强度钢化玻璃，防前倾耳式结构设计。带平面加压把手锁一体化设计,有防盗功能。底部安装可移动带刹车脚轮方便移动及固定（防静电机型脚轮为防静电）。4.LED超高亮数码显示，温湿度传感器采用品牌honeywell，温湿度独立显示，使用寿命长。湿度可设定且具有记忆功能，断电后无需再设定。5.湿度显示范围0%～99%RH,温度显示范围-9℃～99℃。显示精度:湿度±3%RH 温度±1℃6.配备氮气节约装置，当箱内湿度到达设定值时，系统会自动切断氮气供应，当超过设定值时，系统会智能打开氮气供应。相比市场其他直充氮气机型可节约70%氮气消耗量。大程度降低使用成本。7.采用多点供气系统。氮气通过30多个小孔冲入箱内，箱内氮气分布比较均匀。避免了普通单点供气而产生的死点死角现象。8.行业内一家拥有智能化控制系统的氮气柜。自动判断机器内湿度来决定工作时间，节省能源，延长产品使用寿命。产品机芯采用中外合作先进技术，使得产品性能稳定，质量大有保障。主机外壳采用高温阻燃材料，降低安全隐患。防静电机型表面处理采用先进的防静电烤漆，静电阻值为106-108欧姆，美观大方，耐腐蚀性强.,机型颜色为黑色。备注：普通不防静电柜子颜色为电脑白，防静电柜子颜色为黑褐色，型号为HSD98FD（可选配）。全自动氮气柜用途：应用于微电子及光电子工艺电子器件：精密芯片，LED外延式芯片，LCD，BGA，精密光学仪器及光学元件，镀金铜线等；该系列产品被大量应用于在无尘净化车间电子器件及材料的安全防氧化保管。 主要技术参数Specifications

v 作为现成的测量解决方案，PD1500A 可以对宽带隙半导体进行可靠且可重复的测量。 该平台不仅可以确保用户的安全性，还能够保护系统的测量硬件v 能够可靠、可重复测量宽带隙（SiC、GaN）功率半导体的动态特征v 测量的特征包括开启、关闭、开关切换、反向恢复、栅极电荷以及其他许多特征v 同时满足被测器件和用户对测试环境的要求v 模块化平台可扩展、可升级，能够对所有功率器件进行测试v 这种确保 DPT 结果可重复的能力依托于是德科技先进的专业测量技术， 例如在高频测试（GHz 级）、低泄漏（飞安级）和脉冲功率（1,500 A 电流、10 μs 分辨率）等方面的创新。 这些创新使是德科技占据独特优势，可以有力地帮助您克服在动态功率半导体表征方面的挑战PD1500A 采用的均是标准的测量技术，例如探头补偿、偏置调整、偏移校正和共模噪声抑制。 这些技术已在创新的测量拓扑和版图中使用。 另外，我们专门为本系统开发了半自动校准例程（AutoCal），用于校正系统增益和偏置误差。 该系统还使用去嵌入技术来补偿分流器中的电感寄生效应

本测试系统具有高测试精度、高灵敏度、高可靠性、高安全性的特点，实现碳化硅二极管、MOSFET器件开通时间、关断时间、快恢复二极管反向恢复时间、反向电流及反向恢复电荷等测试，通过计算机控制，示波器采集波形，由计算机处理数据并显示测试结果。主要技术参数测试产品：SiC FRD,MOSFET（兼容Si基产品）测试能力：a，开关时间测试测试条件：ID：1A~1000A, VDS:5V~3500V, VGS:-10V~20V, Rg:手动可调，阻性，感性负载可切换。测试参数：td(on)\tr\td(off)\tf:0.1nS-200nS, Eon\Eoff:10uJ-100mJb，反向恢复特性测试测试条件：IF:1A~1000A, VR:5V~3500V,di\dt:50A\us~10000A\us测试参数：trr:0.1nS-200nS,Qc:1nC~1uC,lrm:1A~200A,Erec:0.1uJ~1mJc，短路电流测试测试条件：Pulse width:1us~100us,VDS:5V~3500V测试参数：Peak ID:10A~1000A, Delta Vds:10V~200V

450L快速温变试验箱 电子元器件行业通用箱体结构：箱体采用数控机床加工成型，造型美观大方，并采用无反作用把手，操作简便。箱体内胆采用进口高级不锈钢（SUS304）镜面板，箱体外胆采用A3钢板喷塑，增加了外观质感和洁净度。补水箱置于控制箱体右下部，并有缺水自动保护，更便利操作者补充水源。大型观测视窗附照明灯保持箱内明亮，且利用发热体内嵌式钢化玻璃，随时清晰的观测箱内状况。加湿系统管路与控制线路板分开，可避免因加湿管路漏水发生故障，提高安全性。水路系统管路电路系统则采用门式开启，方便维护和检修。门与箱体之间采用双层耐高温之高张性密封条以确保测试区的密闭。引线孔（机器左侧）可外接测试电源线或信号线使用（直径25mm或50mm或100mm）。（孔径或孔数须增加定货时说明）。450L快速温变试验箱 电子元器件行业通用型号:TEC-450-PF工作室尺寸：1000*750*600MM温度范围：-40~150℃重量：365KG450L快速温变试验箱 电子元器件行业通用 底部采用高品质可固定式PU活动轮。 性能指标温度范围A:-20℃～150℃ B:-40℃～150℃ C:-60℃～130℃ D:-80℃～150℃湿度范围30～98％RH波动/均匀度±0.5℃/±2℃湿度偏差＋2、-3％RH升温时间每分钟升降温平均5℃～15℃（可调）降温时间每分钟升降温平均5℃～15℃（可调）控制系统控制器进口可编程触摸式液晶中文对话式显示.微电脑集成控制器精度范围设定精度：温度0.1℃、湿度1％RH，指示精度：温度0.1℃、湿度1％RH传感器铂金电阻 PT100Ω/MV加热系统全独立系统，镍铬合金电加热式加热器加湿系统外置隔离式，全不锈钢浅表面蒸发式加湿器450L快速温变试验箱 电子元器件行业通用 的用途：适用于航空航天产品、信息电子仪器仪表、材料、电工、电子产品、各种电子元气件在高低温或湿热环境下、检验其各性能项指标450L快速温变试验箱 电子元器件行业通用制冷系统及压缩机：为了保证试验箱降温速率和低温度的要求，本试验箱采用一套泰康全封闭压缩机所组成的二元复叠式风冷制冷系统。复叠式制冷系统包含一个高温制冷循环和一个低温制冷循环，其连接容器为蒸发冷凝器，蒸发冷凝器是也到能量传递的作用，将工作室内热能通过两级制冷系统传递出去，实现隆温的目的。制冷系统的设计应用能量调节技术，一种行之有效的处理方式既能保证在制冷机组正常运行的情况下又能对制冷系统的能耗及制冷量进行有效的调节，使制冷系统的运行费用和故障率下降到较为经济的状态。制冷剂：采用DUPONT公司R404（高温循环）、R23（低温循环）辅助件：膨胀阀（丹麦丹佛斯），电磁阀（意大利CASTEL）；过滤器（美国爱高）；油离器（台湾冠压）等制冷配件均采用进口件

定制聚合物光学器件-CNC加工 GS塑料光学在提供由专业聚合物制成的定制 CNC 加工光学元件或窗口方面有着悠久的历史。我们的团队将使用我们的 CNC 加工定制型材以满足您的特定需求。对于某些类型的平面窗口和平视镜，使用低内应力铸造材料并将其加工成适当的边缘几何形状是良好的解决方案。我们的团队为您提供定制 CNC 加工光学器件方面的专业知识，以及金刚石车削和成型镜片、反射镜和窗口。 部分定制光学市场医用光学 腹腔镜和关节镜等医疗器械可以使用聚合物单透镜和双联透镜制造，有时与传统的玻璃元件结合使用以校正光学像差。聚合物光学器件可用于医疗设备的非成像应用。机器视觉 客运或车队、自动化仓储、自动化生产设施、机器人或条形码阅读器都使用“机器视觉”。这可能采用实际的相机成像系统、“飞行时间”系统(如激光雷达)或基于激光雷达的同步定位和测绘(SLAM)或类似技术的形式。防御 夜视设备中的成像系统是国防应用光学元件的一个很好的例子。由于模制光学器件的复杂性，可以设计和制造包含尽可能少光学元件的轻量可穿戴夜视设备。成像 聚合物光学器件的广泛应用广泛，例如数码相机、PC 外围设备、视频会议摄像头和移动成像。生物识别安全系统、烟雾探测器光学系统、自动冲洗阀系统和实验室设备都受益于精密聚合物光学器件。 定制光学器件材料光学塑料材料的选择有几个因素驱动，光学性能只是其中之一。设计人员还应该了解不同光学聚合物的机械性能，以及各种环境条件如何影响系统性能。成本和可制造性问题是其重要因素。塑料光学需要仔细考虑热塑性树脂的所有性能及其与目标应用和系统性能要求的相容性。 下表列出了通常用于光学器件的热塑性塑料： PMMA（丙烯酸） 常用的光学塑料之一。丙烯酸聚合物非常坚硬，具有很好的机械稳定性。丙烯酸也因其在光谱的可见部分具有非常好的清晰度和优异的透射特性而闻名。然而，它的工作温度很低。 聚苯乙烯 通常比丙烯酸便宜这种材料也倾向于吸收深蓝色光谱中的一些物质。聚苯乙烯的抗紫外线能力低于丙烯酸，并且比丙烯酸更容易被刮伤。聚苯乙烯透镜与适当的丙烯酸透镜配合使用，可以提供有效的消色差 解决方案。高污染是模制聚苯乙烯光学元件的潜在问题。聚碳酸酯 以其高的抗冲击性和在广泛温度范围（-137°C 至 124°C）下工作的能力而闻名。由于其高延展性，聚碳酸酯光学元件不容易加工。树脂比丙烯酸更贵。环烯烃聚合物（COP） 一类具有低自然应力双折射特性和相对较高热变形温度的塑料树脂。Zeonex 日本 Zeon 公司开发的一种树脂，吸水率低，不到 0.01%（相比之下，聚碳酸酯为 0.2%，聚甲基丙烯酸甲酯为 0.3%）。 聚酯（OKP） 一种用于光学的特殊聚酯，具有高折射率、低的双折射率和高流动性。它比用于光学成型的其他热塑性塑料要昂贵得多。更多关于材料的机械性能以及光学性能，请下载附件文档查看。更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

该测试方案可适用于多数半导体器件的测试，以五种器件为例：场效应晶体管式传感器、电阻型二极管式传感器、电阻式存储器、生物器件脉冲式和电容测试。其他要求为系统漏电小于10-13（100fA）。测试需求整体可以归纳为微纳传感器件的IV、脉冲IV 和CV测试，漏电需求为100fA。整体系统组成为微纳器件测试探针台和半导体参数分析仪。可测器件器件1：场效应晶体管式传感器器件2：电阻型二极管式传感器器件3：电阻式存储器器件4：脉冲式（输入脉冲电压，测量电流值）器件5：电容测试欢迎与我司联系了解详情，可按需定制系统。

对于陆续登场的高新电子元器件，表面的检测已经无法满足现在客户的检测要求。由于内部电子电路的连接短路断路不可直接观测，所以高性能的X射线实时检测显得如此重要并且有效。针对BGA检测，多层PCB焊锡检测而专门开发出来的XTV130 X射线检测专用系统，让PCB电路板的缺陷检测分析变得更加迅速灵活。其中配置的Inspect-X软件，让自动检测以及电路板自动识别（选配）成为可能，以得到高效的检测处理能力。 主要特点 • 焦点尺寸为3微米的特制微焦点枪源 • 16位色深高解析度图像与图像处理工具 • 可以同时放置多块样品电路板的大型托盘 • *大可达60°的倾斜角度观测 • 旋转样品托盘（360°连续旋转）（选配） *大可到320倍对感兴趣观测区域放大 *大可倾斜60°的灵活观测可以发现立体连接处的问题 引进功能 • 电子元器件品质保证检测用X射线工作站 • 不需要特别的编程技术的基于宏的自动化功能 • 针对零件特性的合格与否自动判定，离线的可视化检测以及报告生成 • 基于VBA可以让复杂的工序变得简单自动化 • 多轴的方向操作杆让在线的导航更加直观 • X射线开管式技术让维护成本更加低廉 • 不需要额外保护措施的射线计量安全系统 • 占用空间小，重量轻，安装设置简单 用途 BGA缺陷检测 • 电子零件、电路零件 • 金线引脚连接故障点、球形虚焊点、金线弧度、芯片粘合、干接合、桥接/短路、内部气泡、BGA等等 • 装配前/装配后PCB • 零件的位置偏差，焊缝空隙、桥接、表面装配等缺陷显示 • 通孔镀层，多层排列详细检查 • 晶圆片级芯片规模封装（WLCSP） • BGA以及CSP检测 • 非铅焊锡检查 • 微机电系统MEMS，微光机电系统MOEMS • 电缆，连接器，塑料件等等

定制化光电测试系统待测器件：DFB、VCSEL、PD、硅光等待测器件：光栅、分光器、偏振旋转器、光衰减器、光调制器、光探测器等测试项：损耗、光学带宽、偏振消光比、电阻、暗电流、光电带宽、电光带宽等，按需定制。

球磨破碎仪μT-48 商品编码：0080981-000用液体氮气在各个容器迅速破碎冻结的菌体和组织片等。密闭容器可以同时处理多个样品。 μT-48 用 48 根架台 TH-0248T（另售） 使用示例 主要用途●酵母?霉菌?植物?动物组织片等的冻结破碎 ●骨?牙齿?小动物的手脚的冻结破碎●电线皮、树脂、石棉试料等的冻结破碎●塑料、橡胶等的冻结破碎Features 特长用金属研磨头强力破碎冻结样品将脏器、菌体、植物等的组织样品和金属研磨头一起放入容器，组装到支架上，冻结液体氮气，通过振荡冲击进行破碎。冷冻状态下破碎，能够避免目标物质分解或改变性质。破碎时间仅数十秒，也可用于微量样品不同样品多少会些差异，但破碎时间大约只要几十秒。本产品没有冷冻功能，但是在样品解冻前可以完成破碎。本产品的方式也对微量样品有效，不会有损耗。可以使用一次性容器可使用 2.0mL 微量离心管。无需清洗也不用担心样品污染。特别硬的样品（骨头，塑料，橡胶等）的破碎，为了保证振荡强度，请准备不锈钢容器（另售） 型号μT-48振荡方式往复振荡（垂直）振荡速度0～2500r/min（*1） 适用容器／架数2.0mL 微量离心管：最多 48 根（*2） 不锈钢强力破碎容器：最多 4 根 样品处理量2.0mL 微量离心管：100～200mg/根（*3） 不锈钢强力破碎容器：1?2g/根（*3）定时器1?999 秒、数字显示温度显示测量试管支架下部的温度（-196℃?＋50℃）、数字显示安全器／安全功能支架装卸确认键、盖子开关确认键外形尺寸220×310×315Hmm重量约 10kg电源AC100V(*1)推荐振荡速度不锈钢强力破碎容器：?1000r/min,2.0mL 微量离心管＋金属研磨头：?1200r/min, 2.0mL 微量离心管＋破碎珠：?1600r/min使用上述速度以上的速度的话、会造成试管、容器等的破损。请降低速度。(*2)推荐使用eppendor 产的试管。(*3)样品不同会有差异。● 本产品是有很大运转声音的装置。请了解。 选购部品 TH-0248T可装 48 根 2.0mL 圆底微量离心管的支架和金属研磨头 100 个的套装。容器架数：2.0mL 圆底微量离心管×48 根样品处理量：每个离心管处理 100g~200mg TH-0203T可装 3 根 2.0mL 圆底微量离心管的支架 4 个和金属研磨头 24 个的套装。适用容器 ：2.0mL 圆底微量离心管 样品处理量：每个离心管处理 100g~200mg TH-SPTμT-48 用的不锈钢强力破碎容器和专用研磨头。4 套。产品构成／附属品 ：不锈钢强力破碎容器 4 個金属研磨头（专用研磨头）×4 個

氦质谱检漏仪光无源器件检漏上海伯东 Pfeiffer 氦质谱检漏仪 ASM 182 TD+ 成功应用于光无源器件检漏光无源器件是不含光能源的光功能器件的总称。光无源器件在光路中都要消耗能量，插入损耗是其主要性能指标。光无源器件有光纤连接器、光开关、光衰减器、光纤耦合器、波分复用器、光调制器、光滤波器、光隔离器、光环行器等。它们在光路中分别实现连接、能量衰减、反向隔离、分路或合路、信号调制、滤波等功能。本文主要介绍上海伯东 Pfeiffer 氦质谱检漏仪在无源器件中的检漏应用。无源器件检漏原因：光无源器件是光纤通信设备的重要组成部分，也是其它光纤应用领域不可缺少的元器件。具有高回波损耗、低插入损耗、高可靠性等特点。光无源器件对密封性的要求极高，如果存在泄漏会影响其使用性能和精度，光通信行业的漏率标准是小于 5×10-8 mbar.l/s，因此需要进行泄漏检测。氦质谱检漏法利用氦气作为示踪气体可精确定位，定量漏点，替代传统泡沫检漏和压差检漏，目前已广泛应用于光无源器件的检漏。无源器件检漏客户案例：深圳某知名光通信上市公司，为提高效率，需求大抽速高效的检漏仪，经过上海伯东技术工程师的选型，最终采购氦质谱检漏仪 ASM 182TD+ 用于光无源器件的检漏。光无源器件检漏方法：由于无源器件体积小，且无法抽真空或直接充入氦气，我们采用“背压法”检漏，具体做法如下。1.将被检无源器件放入真空保压罐，压力和时间根据漏率大小设定2.取出无源器件，使用空气或氮气吹扫表面氦气3.将无源器件放入真空测试罐，测试罐连接氦质谱检漏仪4.启动氦质谱检漏仪，开始检漏

AFC 132 QC HEPA 高效过滤器器件质量控制测试系统一、工作原理该空气过滤器测试系统旨在满足EN1822-4附录E“0.3微米至0.5微米粒径颗粒的效率泄漏测试”的要求。该标准的这一部分与由于其几何设计而无法扫描的过滤元件有关，在这种情况下，确定整体过滤效率对于质量控制来说是足够的。与替代的油雾测试程序相比，这种方法对有缺陷的过滤器件提供了更可靠且更快速的结果。此外，在测试过程中因测试受到的气溶胶负载要少得多。所需的测试气溶胶是由特殊的气溶胶发生器（ATM 221）使用标准的DEHS测试液产生的。为了上游浓度测量，使用第二个光学粒子计数器和串联的自调节稀释系统（DIL 540/C）。另外一台光学粒子计数器测定下游颗粒数浓度。得到的整体过滤器效率与名义过滤器效率进行比较，给每个测试的过滤器一个最终的“通过”或“失败”结果。二、特殊优势&bull 目标过滤器效率和压力降的自由配置&bull 为不同的小型HEPA过滤器元件定制过滤器夹具，易于更换（5分钟）&bull 紧凑的测试系统设计&bull 高度自动化，最小化操作员干扰&bull 为24小时/7天的生产而设计&bull 快速测试时间（30秒），用于每个过滤器的短测试时间&bull 生产中使用的安全特性&bull 可追溯的测试数据处理和文档化三、应用&bull 不可扫描的HEPA过滤器元件的效率测试&bull 根据EN1822-4附录E&bull 确认名义HEPA过滤器等级&bull 适用于集成过滤器生产控制AFC 132 / QC HEPA测试设置四、软件所有使用的气溶胶仪器的控制，包括数据采集，都由最先进的AFCWin软件支持。它可靠地引导操作员完成整个测试程序，并最终生成测试报告。所有测试都存储在数据库中，这使得在过滤器生产过程中可追溯质量保证。&bull 两种基本的人机界面操作模式 &bull a) 触摸屏操作&bull b) 使用键盘/鼠标的标准操作&bull 自动测试程序和测试协议 &bull a) 通过/失败的分级计数效率测量 &bull b) 差压测量&bull 集成的自动测试系统自检程序（测试系统OK / NOK）&bull 用于服务、校准、维护的手动控制和数据记录器&bull 过滤器样品、测试结果的数据库系统&bull 通过剪贴板和动态数据交换到Excel的数据传输&bull 网络集成能力AFCWin操作界面五、技术数据&bull 流量：7…35 l/s（25…126 m³ /h）&bull 最大过滤器夹具尺寸：300*300*300mm&bull 测试周期时间：30s&bull 过滤器截面积：客户自定义&bull 面速度：客户自定义&bull 差压：3000 Pa ±1%FS&bull 气候传感器：温度、相对湿度、大气压&bull 测试气溶胶 ：DEHS&bull 气溶胶发生器：ATM 221 &bull 气溶胶稀释系统：DIL 540/C （3 x 1:100/1:10）1:10 ... 1:100.000 &bull 带真空泵的颗粒计数器：&bull 4通道 0.3/0.5/0.7/1.0 μm 或 &bull 4通道 0.1/0.2/0.3/0.5 μm 或 &bull 8通道 0.1/0.15/0.2/0.25/0.3/0.5/ 0.7/1.0 μm 或&bull 按照客户的需求进行配置&bull 电源：3x 400VAC，50/60Hz，16A&bull 尺寸（高x宽x深）：1500 x 2000 x 1000 mm&bull 重量：约600 kg

v 这款 LCA 是测试高达 67 GHz 的电光元器件的理想解决方案。它同样适用于测试 40G/100GbE、400Gbit/s 和 1 Tbit/s 相干传输系统、光纤无线电（RoF）以及航空航天与国防（A&D）电光测试应用中的电光元器件v 绝对频率响应准确度：v 在 50 GHz 时为 0.9 dBe（典型值）v 在 67 GHz 时为 1.3 dBe（典型值）v 相对频率响应准确度：v 在 50 GHz 时为 0.5 dBe（典型值）v 在 67 GHz 时为 1.3 dBe（典型值）v 本底噪声：v 在 67 GHz 时为 - 59 dB（W/A）（电光测量）在 67 GHz 时为 - 55 dB（A/W）（光电测量）具有任意波形发生器，支持多电平脉冲波形，可编程分辨率10 ns

热电材料器件转化效率测试系统 CEA 热电器件转化效率测试系统用于评估在不同的温度递度条件下热电器件的热能—电能转化效率。测量不同热面温度条件下热电器件发电功率与热面输入热流的比值；不同热面温度条件下的发电功率和发电电流；热电器件最大发电效率。得到P-I-T曲线组，Q-I-T曲线组，以及η- I-T曲线组。设备特点： 可以测试不同尺寸器件 热端温度快速调控 多组PID、AI人工智能调节APID控温，具有自整定、自学习功能，防热辐射屏实时智能 跟进温度递度，实现了流过模块的线性热流 热面最高温度可达800℃ 器件与样品架接触应力可精确调节 系统自动判断热流稳定程度，智能测试 技术参数测量值热电转换效率、发电功率、发电电流、最大发电效率的温度点测量原理一维稳态热流法样品尺寸20～30mm（长宽）×1～20mm（高）热面最高温度800℃接触面压力100- 2000N最大温差600℃气氛真空、惰性 应用实例放射性同位素热电发生器（RTG）1、RTG中使用的是二氧钚(钚-238）安装RTG到探测器2、探测器（新地平线号、好奇号）

产品描述功率器件动态参数测试系统专业测试SiC及Si基IGBT、MOSFET动态时间参数特性，测试范围可达3500V 4000A l 3500V 4000A超宽测试范围l 适用于全种类的功率器件l 模块化设计，适应不同需求l 可满足定制化需求l 卓越的测试性能l 中文系统，用户友好性l 高可靠性动态测试项目l 开通测试：Tdon、Tr、Ton、Eonl 关断测试：Tdoff、Tf、Toff、 Eoffl 栅极特性：Qgl 反向恢复测试：Trr、Qrr、Irm、Erecl SC：Idmax、Vdsmax适用产品l 兼容各种封装方式的：Si基，SiC基的各种功率器件单管及模块项目内容平台设计值备注工作环境设备输入电压220V±10%设备输入频率50HZ±5%设备输入电流45A/驱动电压VgeVgon=0~+30V可调Vgoff=0~-30V可调（5V≤Vgon-Vgoff≤30V）通过计算机设定；精度±3%脉冲宽度单、双脉冲时间可调4us（总时间）通过计算机设定母线电压波动范围±3%/功率回路寄生电感寄生电感15nH/开关特性 开通特性Td(on): 5-400nsTr: 5-400nsTon: 5-1000nsEon：1-500mJ1. Rgon/Rgoff=客户焊接电阻2. 开通测试发双脉冲，脉冲时间在计算机输入，4us（总时间）3. 关断测试发单脉冲，脉冲时间在计算机输入，4us（总时间）4. 分辨率：0.1ns5. 测试精度±5%关断特性Td(off)：5-400nsTf: 5-400nsToff: 5-1000nsEoff: 1-500mJ二极管反向恢复特性反向恢复Trr: 5-400nsQrr:1nC~100uCIrm:0~400AErec:1~500mJ1. 发双脉冲，脉冲时间在计算机输入，4us（总时间）2. 分辨率：0.1ns3. 测试精度±5%SC关断电流Idmax关断峰值电压VdsmaxIdmax:0~6000AVdsmax:0V~1500V1. 发单脉冲，脉冲时间4us，脉冲时间在计算机输入2. 分辨率：0.1ns3. 测试精度±5%栅极特性栅电荷Qg: 1nC~100uC1. 漏极电压50V~1500V2. 分辨率：0.1ns3. 测试精度±5% 软件配置l 采用labview上位机软件作为人机交互界面l 画面显示内容包括：测试时间、被测器件条码、测试条件、测试结果、测试波形、测试数据记录等 硬件方案i. 示波器采用力科HDO3104。ii. 电压探头采用HVD3220。iii. 电流探头采用SDN414同轴电阻。 测试数据示例 服务与支持免费测样/软件更新/定期校准/完善培训

半导体制冷器件的优点是没有滑动部件，可靠性要求高，无制冷剂污染的场合。利用半导体材料的Peltier效应，当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时，在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量，可以实现制冷的目的。它是一种产生负热阻的制冷技术，其特点是无运动部件，可靠性比较高。为了达到更高的制冷效果，我公司这款半导体制冷器件均采用大功率手焊器件，尺寸为170*75*21mm三级制冷，降温速度快，稳定控制精度高，主要应用在生产，科研，大专院校、工厂企业等部门低温实验的应用，是理想的低温试验器件．并可为您定做特殊需要的异型产品。希望我们的产品能满足您的需要。欢迎新老客户来电咨询洽谈！

产品介绍 产品为桌面放置的台式机结构，由测试主机和程控电脑两大部分组成。各类夹具和适配器，还能 够通过 Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin）连接分选机和机械手建立工作站，实现快速批量化测 试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分 析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。 产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让操 作人员在夹具上实现一点即测。操作更简单效率更高。测试数据可保存为 EXCEL 文本。 应用场景Ø 测试分析（功率器件研发设计阶段的初始测试） Ø 失效分析（对失效器件进行测试分析，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提 出改善方案） Ø 选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对） Ø 来料检验（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率） Ø 量产测试（可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试） 产品特点(1) 可测试 7 大类 26 分类的各类电子元器件； (2) PC 机为系统的主控机； (3) 基于 Lab VIEW 平台开发的填充式菜单软件界面； (4) 自动识别器件极性 NPN/PNP (5) 16 位 ADC，100K/S 采样速率； (6) 程控高压源 10~1400V，提供 2KV 选配； (7) 程控高流源 1uA~40A，提供 100A,300A,500A 选配； (8) 驱动电压 10mV~40V； (9) 控制极电流 10uA~10mA； (10) 四线开尔文连接保证加载测量的准确；(11) 通过 RS232 接口连接校准数字表，对系统进行校验； (12) Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin） (13) 可为用户提供丰富的测试适配器(14) 连接分选机最高测试量为每小时 1 万个 (15) 可以测试结电容，诸如 Cka，Ciss，Crss，Coss； (16) 脉冲电流自动加热功能，方便高温测试，无需升温装置； 测试参数 (1) 二极管类：二极管 Diode Kelvin，Vrrm，Irrm，Vf，△Vf，△Vrrm，Cka，Tr（选配）；(2) 二极管类：稳压二极管 ZD（Zener Diode）Kelvin，Vz，lr，Vf，△Vf，△Vz，Roz，lzm，Cka； (3) 二极管类：稳压二极管 ZD（Zener Diode）Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka；(4) 二极管类：三端肖特基二极管 SBD（SchottkyBarrierDiode）Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr（选配）；(5) 二极管类：瞬态二极管 TVSKelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ； (6) 二极管类：整流桥堆 Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka；(7) 二极管类：三相整流桥堆Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka；(8) 三极管类：三极管Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、 Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr （选配）、Ts （选配）、Value_process； (9) 三极管类：双向可控硅 Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、 Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm；(10)三极管类：单向可控硅Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、 Vtm； (11)三极管类：MOSFETKelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、 Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ； (12)三极管类：双 MOSFET Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、 Coss、Crss；(13)三极管类：JFET Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、 Ciss、Crss、Coss； (14)三极管类：IGBTKelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss；(15)三极管类：三端开关功率驱动器Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt； (16)三极管类：七端半桥驱动器 Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt； (17)三极管类：高边功率开关Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt； (18)保护类：压敏电阻Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr (19)保护类：单组电压保护器 Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr； (20)保护类：双组电压保护器Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr； (21)稳压集成类：三端稳压器 Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、 ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk； (22)稳压集成类：基准 IC（TL431）Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka； (23)稳压集成类：四端稳压Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、 Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk； (24)稳压集成类：开关稳压集成器 选配； (25)继电器类：4 脚单刀单组、5 脚单刀双组、8 脚双组双刀、8 脚双组四刀、固态继电器 Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton（选配）、Toff（选配）； (26)光耦类：4 脚光耦、6 脚光耦、8 脚光耦、16 脚光耦 Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf；(27)传感监测类： 电流传感器（ACS712XX 系列、CSNR_15XX 系列）（选配）； 霍尔器件（MT44XX 系列、A12XX 系列）（选配）； 电压监控器（选配）； 电压复位 IC（选配）；

对于小型的高装配密度的印刷电路板，上面大量的焊接的零件互相重合遮挡，X射线的透视功能是唯一的高效无损检测手段。XTV160为设计制造与质量分析部门提供简捷高效的印刷电路装配与电子元器件检查系统。在自动检测模式下可对样品进行快速检测，手动模式下可以在软件中直观的进行高精度操作，操作者可以对样品中微小的故障缺陷进行可视化确认分析以及保存结果。主要特点 • 亚微米级的焦点尺寸NanoTech™ 射线管 • 快速获取高品质的图像 • 可以同时放置多件样品的大托盘载物台 • 可以自定义宏让工作流程自动化引进功能 • 灵活的操作集成到一个紧凑的系统里 • 人机交互式的可视化功能 • 全自动X射线检测功能 • 详细分析用的CT功能（选配） • 最大可达75°的倾斜观测角度 • 直观的GUI界面与交互式操作杆导航功能进行快速检测 • 便于维护的开管式设计使得维护成本被降低到最小 • 不需要额外保护措施的射线计量安全系统 • 占用空间小，重量轻，安装设置简便 用途 • BGA检测分析 • 焊锡空洞检测 • 通孔检测 • 芯片银胶空洞检测 • 球形引脚连接检测 • 压线连接检测 • 微小BGA检测 • Padarray检测

Zygo光学元件轻量级光学器件现代国防、航空航天和新太空客户需要高性能的光学系统，它们要能够最大限度地提高光学性能，同时最大限度地减小尺寸、重量和功率（SWaP）。用于满足这种苛刻的SWaP要求的一种行之有效的方法是使用轻量级光学器件。轻量化是指在保持光学性能的前提下，通过机械加工或其他方法从光学元件上去除材料的过程。这通常是用低膨胀陶瓷和玻璃来实现的，在这个过程中，必须注意轻量化处理后的结构，保证光学性能和刚性。ZYGO专家可以协助我们的合作伙伴设计这些组件并确保它们的可制造性。

品牌： 华科智源 名称： IGBT测试仪 型号： HUSTEC-1600A-MT 用途： 广泛应用于器件设计，封装测试，轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机等行华科智源HUSTEC-1600A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管，MOS管等器件的 V-I 特性测试，测试1200A（可扩展至2000A），5000V以下的各种功率器件，广泛应用于轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，无需从电路板上取下来进行单独测试，可实现在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试；测试参数：ICES 集电极-发射极漏电流IGESF 正向栅极漏电流IGESR 反向栅极漏电流BVCES 集电极-发射极击穿电压VGETH 栅极-发射极阈值电压VCESAT 集电极-发射极饱和电压ICON 通态电极电流VGEON 通态栅极电压VF 二极管正向导通压降整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用1) 物理规格 设备尺寸：500（宽）x 450（深）x 250（高）mm； 质量：30kg2) 环境要求 海拔高度：海拔不超过 1000m；储存环境：-20℃～50℃； 工作环境：15℃～40℃。相对湿度：20%RH ~ 85%RH ；大气压力：86Kpa～ 106Kpa。 防护：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害；3) 水电气 用电要求：AC220V，±10%； 电网频率：50Hz±1Hz

半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 产品介绍：载流子表征的最佳工具本系统针对光电器件 (探测器或光伏器件) 进行光电转换过程的响应行为测量与分析。利用一单色 (单波长) 的光源，对其进行连续脉冲或是周期性的光强调制后，照射到光电器件产生光生电流或是光生电压讯号，并对此进行频域或时域的测量与分析，得到光电器件光电转换过程的重要参数。包含频率响应、爬升/下降时间、LDR线型动态范围、瞬态光电压 (TPV) 、瞬态光电流 (TPC) 等光电转换能力评价参数。用以了解光电器件内部结构与载流子动力学、内部材料组成、器件结构与载流子动力学之关系。作为光电器件特性评价与性能改进的参考。半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 特色：光强线性度测量与分析频率响应测量 0~40MHz可选雷射模块系统波长雷射光调变控制频率响应测量与分析截止频率 (Cut Frequency) 计算分析Rise/ Fall time 测量与分析TPC/TPV 测量与分析高动态光强变化光学调变模块，可自动调变强度 6 个数量级半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 规格TPC/TPV 量测功能雷射波长：半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 应用：有机光传感器 (OPD, Organic Photodiode)钙钛矿光传感器 (PPD, Perovskite Photodiode)量子点光传感器 (QDPD, Quantum Dots Photodiode)新型材料光传感器实证Cs2Pb(SCN)2Br2 单晶光电器件性能表征2021 年 Advanced Materials 期刊报导了第一种无机阳离子拟卤化物二维相钙钛矿单晶 Cs2Pb(SCN)2Br2。作者使用 PD-RS 系统对单晶光电器件进行多种的光电转换响应行为进行测量与分析。其中包含：变光强 IV 曲线测试。变光强光电流与响应度变化测试。定电压下光电转换爬升与下降时间测试。恒定光强脉冲光的时间相关光电流响应测试。TPC/TPV 瞬态光电流/光电压测试。 恒定光强脉冲光的光电流时间响应PD-RS 系统具备高速调制能力的激光器 (爬升/下降时间 5ns)，在恒定光强脉冲光条件下，可以对器件进行光电流时间响应测试，并且分析光电器件的爬升/下降时间的分析。以了解光电器件最快的时间响应极限特征。变光强光电流与响应度变化测试 (LDR) PD-RS 具备 120 dB 光强动态范围测试能力。在软件自动化的测试光电流的变化，绘制出待测器件的线性动态范围响应图 (LDR, Linearity Dynamic Range)。LDR 试评估光电器件特性的一项重要指标。由光电流与光强的测试可以得到响应度 (mA/W) 变化，是常用于表征光电器件优劣的参数。

氦质谱检漏仪光无源器件检漏上海伯东 Pfeiffer 氦质谱检漏仪 ASM 182 TD+ 成功应用于光无源器件检漏 光无源器件是不含光能源的光功能器件的总称。光无源器件在光路中都要消耗能量，插入损耗是其主要性能指标。光无源器件有光纤连接器、光开关、光衰减器、光纤耦合器、波分复用器、光调制器、光滤波器、光隔离器、光环行器等。它们在光路中分别实现连接、能量衰减、反向隔离、分路或合路、信号调制、滤波等功能。本文主要介绍上海伯东 Pfeiffer 氦质谱检漏仪在无源器件中的检漏应用。无源器件检漏原因：光无源器件是光纤通信设备的重要组成部分，也是其它光纤应用领域不可缺少的元器件。具有高回波损耗、低插入损耗、高可靠性等特点。光无源器件对密封性的要求极高，如果存在泄漏会影响其使用性能和精度，光通信行业的漏率标准是小于 5×10-8 mbar.l/s，因此需要进行泄漏检测。氦质谱检漏法利用氦气作为示踪气体可精确定位，定量漏点，替代传统泡沫检漏和压差检漏，目前已广泛应用于光无源器件的检漏。无源器件检漏客户案例：深圳某知名光通信上市公司，为提高效率，需求大抽速高效的检漏仪，经过上海伯东技术工程师的选型，最终采购氦质谱检漏仪 ASM 182TD+ 用于光无源器件的检漏。光无源器件检漏方法：由于无源器件体积小，且无法抽真空或直接充入氦气，我们采用“背压法”检漏，具体做法如下。1.将被检无源器件放入真空保压罐，压力和时间根据漏率大小设定2.取出无源器件，使用空气或氮气吹扫表面氦气3.将无源器件放入真空测试罐，测试罐连接氦质谱检漏仪4.启动氦质谱检漏仪，开始检漏* 鉴于信息保密，更详细的无源器件检漏方法欢迎致电 021-5046-3511

价格货期电议inTEST 热流仪搭配 Keysight 进行功率器件自动化高低温测试上海伯东美国 inTEST 热测产品搭配 Keysight 机台, 提供 IGBT, RF Device, MOSFET, Hi Power LED 等功率器件 -50℃ - 250℃ 自动化热测试解决方案. Keysight 机台完美兼容 inTEST 软件, 操作简单.功率器件高低温测试案例一:上海伯东美国 inTEST Thermal Plate HP289-PM 搭配 Keysight B1505A 或 B1506A, 完成室温至 250℃ 温度测试. 通用软件, 操作简单, 只需将待测器件放置在 Thermal Plate 上即可. 通过使用 inTEST 可能的减少长线缆导致的测试问题, 兼容接头将 Keysight 分析仪与 inTEST 热板连接在一起.上海伯东美国 inTEST HP289-PM 是一个温控平台, 可以与 Keysight B1505A 和 B1506A 功率器件分析仪联用. 该平台允许自动控制板温度, 从外壳环境温度到 250°C, 用于表征功率器件, 例如 IGBT 和 MOSFET.主要特点1. 自动温度循环2. 实时数据记录3. 动态 DUT 温度控制4. 本地和远程操作功率器件高低温测试案例二:inTEST ThermalStream 高低温冲击测试机搭配 B150XA 系统, 提供 -50℃~250℃ 的温度测试环境.测试时, 只需将待测功率器件放置在高低温测试机测试罩内即可. 如果未连接测试腔, 则测试器件可能会因热空气或冷凝水而损坏. 连接到测试设备和 Thermostream 的热防护罩解决了这个问题, 可进行准确. 可靠和可重复的温度特性测试.上海伯东美国 inTEST ThermalStream 热流仪搭配 Keysight B150XA 系统评估 -50°C 至+ 250°C 温度范围内的功率器件特性, 是半导体器件制造商中比较通用的测试手段, ThermoStream 具有快速的热循环和精确的温度控制,是高功率器件可靠性测试和表征的理想选择.主要特点1. 自动温度循环2. 实时数据记录3. 动态 (DUT) 温度控制4. 本地和远程操作5. 无霜测试环境6. 节能模式功率器件高低温测试案例三:某企业通过上海伯东推荐, 购入美国 ThermoStream ATS-710 高低温冲击测试机, 为 MOSFET \ MOS 管, 场效应管, TO 封装等器件提供 -50 至 +150 °C 快速的外部温度环境, 满足测试器件性能的要求.inTEST Thermal Plate 热台 (环境温度至 +250°C) 和 ThermoStream (-50 至 +250°C) 可满足高温和极低温测试的需求. 两种温度测试都具有温度自动循环, 数据记录和远程通信功能.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东叶女士,分机107现部分品牌诚招合作代理商, 有意向者欢迎联络上海伯东 叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！