当前位置: 仪器信息网 > 行业主题 > >

光学晶体

仪器信息网光学晶体专题为您提供2024年最新光学晶体价格报价、厂家品牌的相关信息, 包括光学晶体参数、型号等,不管是国产,还是进口品牌的光学晶体您都可以在这里找到。 除此之外,仪器信息网还免费为您整合光学晶体相关的耗材配件、试剂标物,还有光学晶体相关的最新资讯、资料,以及光学晶体相关的解决方案。

光学晶体相关的仪器

  • 产品名称:EKSMA光学晶体BBO产品型号:BBO产品介绍β-硼酸钡-BBO是一种非线性光学晶体,具有许多独特的特性:宽透明区、宽相位匹配范围、大非线性系数、高损伤阈值。由于其优良的性能,BBO晶体在不同的应用中具有许多优势,如具有fsec脉冲的NOPA、Nd:YAG和Nd:YLF激光器的谐波产生(高达五分之一)、飞秒钛宝石和染料激光器的倍频或三倍频、Type 1和Type 2相位匹配的OPO、Pockels电池的E/O开关等。性能特点l 宽透明度区域l 宽相位匹配范围l 大非线性系数l 高伤害阈值l 宽的热接收带宽l 高光学均匀性技术参数产地:立陶宛平坦度:λ/8@633 nm平行度:<20弧秒垂直度:5 arcmin角度公差:30 arcmin孔径公差:±0.1 mm表面质量:根据MIL-O-13830A进行10/5刮擦和挖掘净孔径:全孔径的90%化学式:BaB2O4晶体结构:三角形,3米光学对称性:负单轴(none)空间组:R3c密度:3.85 g/cm3莫氏硬度:5光学均匀性:&PartialD n=10-6 cm-1“0”透射率水平下的透明度区域:189–3500 nm1064 nm处的线性吸收系数:0.1%cm-1
    留言咨询
  • 总览ASCUT UG & Co KG NIR-IR近红外非线性光学晶体包含 LISe 硒铟锂(LilnSe2),LIS硫铟锂(LilnS2),LGSe硒镓锂(LiGaSe2),LGS硫镓锂(LiGaS2),GASE硒化镓,AGSe硒镓银(AgGaSe2),AGS硫镓银(AgGaS2)等.我们能够根据客户的规格提供合适的减反射/保护等涂层,可根据要求应用反射率曲线。名称型号货号 描述 价格 LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体 LiGaS2A80160204透光率, 0.33 – 11.6µ m,带隙,4.15 eV,定位精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 平面度 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20 LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体 LiGaSe2A80160203透光率, 0.37 – 13.2µ m,带隙, 3.57eV (300K)定位精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 平面度 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20 LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体 LiInS2A80160202透光率,0.35– 13.2 µ m, 非线性系数, pm/V d31=7.25, d24=5.66 @2.3 ,对称度 斜方晶系, mm2 point group ,晶胞参数, &angst a=6.893, b=8.0578, c=6.4816 ,定向精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 平面度 546 nm λ/6 表面质量, scratch/dig 30/20 LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体 LilnSe2A80160201透光率, 0.43– 13.2 µ m,非线性系数, pm/V:d31=11.78, d24=8.17 @2.3 µ m ,对称度:斜方(晶系), mm2 point group ,晶胞参数, &angst a=7.192, b=8.412, c=6.793 ,带隙, eV:2.86,定向精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20 AGSe 硒镓银(AgGaSe2)NIR-IR近红外非线性晶体 AgGaSe2A80160206透光率,0.76 – 18 µ m,单轴负晶 no ne (at λ 0.804 μm ne no),非线性系数, pm/V d36 = 39.5 @10,6 µ m ,对称度 四方晶系, -42m point group GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体 GaSeG80010032透光率0.62 – 20µ m,非线性系数, pm/V : d22 = 54 @10.6 µ m,对称度:六方晶系, 6m2 point group,晶胞参数, &angst a=3.74, c=15.89,离散角, ° 5.3 µ m AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2 AgGaS2A80160205透光率: µ m 0.47 – 13 非线性系数: pm/V d36 = 12.6 @ 10.6 µ m , 对称度:四方晶系, -42m point group 晶胞参数:a=5.757, c=10.311总览LGS 是一种最近提出的 IR 新型非线性材料,具有纤锌矿型结构,UV 透射率低至 0.32。OPO、OPA、DFG 获得 mid-IR。LiBC 2族晶体具有一组重要的物理参数,如带隙大、二光子吸收低、透光范围宽,包括太赫兹窗口、低群速度失配、高导热率、低热膨胀系数各向异性、等,这导致在宽光谱范围内的可调谐激光系统中有效使用。LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体,LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体技术参数主要特性复合物LiGaS2透光率, µ m0.33 – 11.6对称度mm2带隙, eV4.15非线性极化率, pm/V (at 2.3 µ m)d31=5.8 d24=5.1 d33= -10.70.2透明度级别的远红外吸收边缘µ m92THz3.25光学损坏阈值, MW/cm21064 nm (t=14 ns)240热导系数 k, WM/M°C6-8 calc.光学倍频截止1.47 - 7.53光学元件参数复合物LiGaS2定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20总览LGSe是一种新型非线性红外材料,具有纤锌矿型结构,紫外透射率可降至0.38。LiBC2基团中红外晶体的OPO、OPA、DFG具有一组重要的物理参数,如带隙大、双光子吸收低、透明范围宽(包括THz窗镜)、群速度失配低、导热系数高、热膨胀系数各向异性低等,从而可以有效应用于宽光谱范围的可调谐激光系统。LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体,LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体技术参数主要特性复合物LiGaSe2透光率, µ m0.37 – 13.2对称度mm2带隙, eV (300K)3.57非线性极化率, pm/V (at 2.3 µ m)d31=9.9 d24=7.7 @2,3 µ m0.2透明度级别的远红外吸收边缘µ m218THz1.37热导率k, WM/M°C4.8-5.8 calc.光学倍频截止1.57 - 11.72光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20 总览硫铟锂(LiInS2或LIS)晶体的非线性特性与AgGaS2和AgGaS2相近,但其晶体结构不同。LiInS2是一种热释电材料,其电光参数是将其用作有效电光材料的基础。LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体,LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体技术参数主要特性复合物LiInS2透光率, µ m0.35– 13.2非线性系数, pm/Vd31=7.25, d24=5.66 @2.3 对称度斜方晶系, mm2 point group晶胞参数, &angst a=6.893, b=8.0578, c=6.4816典型反射系数1064 nm532 nmnx=2.1305, ny=2.1668, nz=2.1745nx=2.2353, ny=2.2841, nz=2.2919用于SHG的基频 x-y, Type II, eoe2.35–6.11x-z, Type I, ooe1.78–8.22y-z, Type II, oeo2.35–2.67y-z Type II, oeo5.59–6.11总间隔时间1.617–8.71光学损坏阈值, GW/cm21064 nm (t=14 ns)40 热导率k, WM/M°Ckx=6.1 ± 0.3 ky=5.9 ± 0.3 kz=7.4 ± 0.30.2透明度级别的远红外吸收边缘2.58 THz at 118 µ m 光学元件参数定向精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/6表面质量, scratch/dig30/20 应用Ti: Sappire 激光泵浦的光学参量振荡器(范围 1 – 12 µ m)用于使用OPO的可调谐固态激光器,由Nd:YAG和其他1.2-10µ m范围内的激光器泵浦中红外(2-12µ m)的差频产生 ,将CO2激光辐射图像上转换为近红外或可见光区域&bull 中红外范围(2-12µ m)的不同频率发生器1-12μm泵浦Al2O3:Ti的光学参量振荡器席中红外区频率混频对于所有晶体,我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层,以及反射率曲线。 总览AgGaSe2晶体,中文名硒镓银晶体,简称AGSe晶体。中红外激光倍频有效的晶体材料,对中红外激光的倍频效率高,是有效的非线性激光晶体之一.还同时具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。 'AGSe晶体透光范围为0.73-18μm,AgGaSe2晶体可用波段位于0.9-16μm。采用目前成熟的激光泵浦,AGSe晶体的OPO呈现宽阔的红外可调谐性能。用Ho:YLF2.05μm泵浦AgGaSe2晶体获得2.5-12μmOPO调谐光源 用1.4-1.55um调谐光源泵浦的非临界相位匹配OPO输出1.9-5.5um调谐光源 早在1982年,就已经实现了脉冲CO2激光的有效倍频 上述系统的输出波段还可以用和频或差频混频的方法(SF/DFM)予以扩充。AGSe晶体可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生,应用波长可达到中红外的17 µ m。AGSe 硒镓银(AgGaSe2)NIR-IR近红外非线性晶体,AGSe 硒镓银(AgGaSe2)NIR-IR近红外非线性晶体技术参数主要特性复合物AgGaSe2透光率, µ m0.76 – 18单轴负晶no ne (at λ 0.804 μm ne no)非线性系数, pm/Vd36 = 39.5 @10,6 µ m 对称度四方晶系, -42m point group典型反射系数10.6 µ m5.3 µ mno=2.5915, ne=2.5582 no=2.6138, ne=2.5811光学损坏阈值, MW/cm22000 nm (t=30 ns)13离散角, °5.3 µ m0.68热导系数 k, WM/M°C1.1频带隙能量, eV1.8光活度 ρ = 7deg/mm 在各向同性点, μmn0= ne, λ = 0.804 光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 40平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20应用有效中红外辐射二次谐波的产生 中红外区域高达17µ m的光学参量振荡器、光学参量放大器等各向同性点附近区域的光学窄带滤波器(300 K时为0.804 µ m) 对于所有晶体,我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层,以及反射率曲线。 总览GaSe(硒化镓)晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域,至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体,拥有六边形结构的62m空间点群,300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高,非线性系数大(54pm/V),非常合适的透明范围,以及超低的吸收系数,这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源,GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取,我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注:GaSe晶体的解理面为(001),因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软,易碎。GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体,GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体技术参数主要特性复合物GaSe透光率, µ m0.62 – 20非线性系数, pm/Vd22 = 54 @10.6 µ m对称度六方晶系, 6m2 point group晶胞参数, &angst a=3.74, c=15.89典型反射系数10.6 µ m 5.3 µ mno=2.6975, ne=2.3745 no=2.7233, ne=2.3966光学损伤阈值, MW/cm21064 nm (t=10 ns)30离散角, °5.3 µ m4.1应用10.6 µ m激光辐射二次谐波的产生中红外区域高达17µ m的光学参量振荡器、光学参量放大器、DFG等 对于所有晶体,我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层,以及反射率曲线。 总览AGS 硫镓银晶体(silver thiogallate硫没食子酸银)是一种优质的红外非线性晶体材料,具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。透光范围为0.53-13um, AgGaS2晶体在550um处具有高透光性,具有广泛的应用,可以用于Nd:YAG激光泵浦的OPO,半导体激光,钛宝石激光,Nd:YAG和IR染料激光的各种差频, 覆盖3-12um波段,此外,还实用于定向红外对抗系统(DIRCMS)和各种波长CO2激光倍频。AGS 硫镓银对中红外激光的倍频效率高,可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生,应用波长可达到中红外的17 µ m。AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2,AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2技术参数应用中红外辐射的高效倍频光学参量振荡和放大,不同频率产生到高达12µ m的中红外区域各向同性点附近区域的光学窄带滤波器 (0.4974 µ m at 300 K)主要参数复合物AgGaS2透明度, µ m0.47 – 13非线性参数, pm/Vd36 = 12.6 @ 10.6 µ m 负单轴晶体no ne (at λ 0.497 μm ne no)对称性四方晶系, -42m point group晶胞参数, &angst a=5.757, c=10.311典型反射指数10.6 µ m 5.3 µ mno=2.3475, ne=2.2918 no=2.3945, ne=2.3406光学损伤阈值, MW/cm2 1064 nm (t=10 ns)350离散角, °5.3 µ m0.76热导系数 k, WM/M°C1.5室温带隙, eVEg = 2.73在各向同性点的光活性 ρ = 522deg/mmn0= ne, λ = 0.4974 μm0.2透明度级别的远红外吸收边缘0.86 THz 346 µ m光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平整度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20 可提供大/长光学元件,请发送您的要求。我们能够根据客户的规格提供合适的减反射/保护等涂层,可根据要求应用反射率曲线。
    留言咨询
  • EKSMA OPTICS提供各种高质量的非线性晶体,如LBO,beta BBO,KTP,KDP,DKDP,LiIO3,各种红外非线性晶体,AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2等,我们提供标准尺寸和定向的晶体,并支持快速库存发货。同时,我们亦针对客户的特定需求提供各种定制化产品。非线性晶体具有极其广泛的应用,如激光谐波振荡,频率反转(SFG,DFG),光学参量振荡和放大(OPG,OPA),电光调制Q-switching等。-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------超薄型晶体在飞秒光学中有多种不同应用谐波振荡(SHG,SFG)光学参量振荡和光学参量放大(OPG,OPA)差频振荡(DFG)脉宽测量——自相关仪或互相关仪太赫兹振荡(GaSe晶体)极化纠缠态光子对超短光脉冲在晶体中传播中会因群速失配(GVM)产生延迟,于是脉冲将会因群延迟色散(GDD)和频率啁啾而展宽。这种效应就迫使频率产生方案中必须限制非线性晶体的厚度。对两个具有不同群速的共线传播的脉冲,他们的准静态相互作用长度(Lqs)定义为:在一个脉冲宽度时间内(或所期望的脉冲宽度时间内),他们所分开的路径长度Lqs = τ/GVM 这里GVM为群速度失配,τ为脉冲宽度。对最常用几类晶体在Type1相位匹配,我们把GVM的计算结果列在表格一。而针对Type1,800nm的SHG效应, BBO,LBO,KDP和LiIO3等常用晶体因GVM所限,在各种不同基频光脉冲宽度下的厚度极限则列在表格二中,同时也列出了在室温(20°C)时的相位匹配角和转化效率因子。这时如果采用更长的晶体,则二次谐波的脉冲将会展宽至大于基频光脉冲宽度(或期望脉冲宽度)群延迟色散(GDD)对脉冲的传播有非常重要的影响。因为脉冲总是会有一定的光谱宽度,所以色散会导致其各频率分量以不同的速度进行传播。当晶体处于正常色散时,折射率随波长的增加而降低,这将导致高频分量产生更低群速度,于是引起正啁啾.群速度的频率相关特性也会对脉冲宽度产生影响。如果脉冲最初没有啁啾现象,晶体中色散将会不断增加脉冲宽度。这种现象被称作脉冲色散展宽。对非啁啾高斯脉冲,脉冲初始宽度为 0,其脉宽会按以下公式增加:L – 晶体厚度 mmD- 二阶群时延色散或色散参数表格三给出了各种晶体800nm二倍频的Type1相位匹配下的D因子
    留言咨询
  • SBN晶体 400-860-5168转2831
    光折变晶体 SBNSBN晶体,又名铌酸锶钡,是一种非常优异的光折变晶体材料。 纯SBN晶体和掺杂 Ce, Cr, Co, Fe 的铌酸锶钡 (SBN:60, SBN:61, SBN:75)是优良的光折变晶体,用于电光,声光和光折变等非线性光学研究。我司提供的进口SBN晶体采用优良的晶体生长技术,具有出色的光学质量。晶体内部无生长条纹,包裹体和其他不均匀性现象。SBN晶体指标参数:可根据客户需求提供极化处理等。SBN晶体应用领域:1. 光学信息记录,动态全息干涉,光学全息放大等;2. 高效相位共轭,自泵浦相位共轭镜,双相位共轭镜:3. 用于电光器件和声光器件;4. 用于Pyroelectrical 探测器;更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商,产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等,涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等;可为客户提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息,或直接来电咨询。
    留言咨询
  • 一, 硒化锌(ZNSE)色散棱镜ZnSe 在红外元器件窗片透镜以及光谱分析ATR 棱镜领域有着广泛的应用。硒化锌(Zinc Selenide)对于CO2激光器的元器件也是一种良好的选择。在二氧化碳激光器工作的波段10.6 microns附近有着良好的透射率。硒化锌材料是一种黄色透明的多晶材料, 结晶颗粒大小约为70μm, 透光范围0.5-15μm。由化学气相沉积(CVD)方法合成的基本不存在杂质吸收, 散射损失急低。由于对10.6μm波长光的吸收很小, 因此成为制作高功率CO2激光器系统中光学器件的优选材料。 此外在其整个透光波段内, 也是在不同光学系统中所普遍使用的材料。硒化锌材料对热冲击具有很高的承受能力, 使它成为高功率CO2激光器系统中的极gao光学材料。硬度只是多光谱级ZnS的2/3, 材质较软易产生划痕, 而且材料折射率较大, 所以需要在其表面镀制高硬度减反射膜来加以保护并获得较高的透过率。在其常用光谱范围内, 散射很低。在用做高功率激光器件时, 需要严格控制材料的体吸收和内部结构缺陷, 并采用极小破坏程度的抛光技术和高光学质量的镀膜工艺。.硒化锌(ZNSE)色散棱镜,硒化锌(ZNSE)色散棱镜产品特点● 宽光谱透射范围● 高透射率产品应用● 用于激光● 医学● 天文学● 红外夜视等领域中技术参数透射波长范围:0.6 to 21.0 μm折射率:2.4028 at 10.6 μm反射损耗 :29.1% at 10.6 μm (2 surfaces)吸收系数 :0.0005 cm-1 at 10.6 μmReststrahlen Peak :45.7 μmdn/dT :+61 x 10-6/°C at 10.6 μm at 298Kdn/dμ = 0 :5.5 μm密度:5.27 g/cc熔点:1525°C (see notes below)热导率:18 W m-1 K-1 at 298K热膨胀:7.1 x 10-6 /°C at 273K硬度:Knoop 120 with 50g indenter比热容:339 J Kg-1 K-1介电常数 :n/aYoungs Modulus (E) :67.2 GPa剪切模量 (G) :n/a体积弹性模量 (K) :40 GPa弹性系数 :Not Available表观弹性极限 :55.1 MPa (8000 psi)泊松比 :0.28溶解度 :0.001g/100g water分子量 :144.33类别/结构 :FCC Cubic, F43m (#216), Zinc Blende structure. (Polycrystalline)No = Ordinary Rayµ mNoµ mNoµ mNo0.542.67540.582.63120.622.59940.662.57550.72.55680.742.54180.782.52950.822.51930.862.51070.902.50340.942.49710.982.49161.02.48921.42.46091.82.44962.22.44372.62.44013.02.43763.42.43563.82.43394.22.43244.62.43095.02.42955.42.42815.82.42666.22.42516.62.42357.02.42187.42.42017.82.41838.22.41638.62.41439.02.41229.42.41009.82.407710.22.405310.62.402811.02.400111.42.397411.82.394512.22.391512.62.388313.02.385013.42.381613.82.378114.22.374414.62.370515.02.366515.42.362315.82.357916.22.353416.62.348717.02.343817.42.338717.82.333318.22.3278透射曲线图二, 硒化锌(ZNSE)ATR全反射棱镜ZnSe 在红外元器件窗片透镜以及光谱分析ATR 棱镜领域有着广泛的应用。硒化锌(Zinc Selenide)对于CO2激光器的元器件也是一种良好的选择。在二氧化碳激光器工作的波段10.6 microns附近有着良好的透射率。硒化锌材料是一种黄色透明的多晶材料, 结晶颗粒大小约为70μm, 透光范围0.5-15μm。由化学气相沉积(CVD)方法合成的基本不存在杂质吸收, 散射损失急低。由于对10.6μm波长光的吸收很小, 因此成为制作高功率CO2激光器系统中光学器件的优选材料。 此外在其整个透光波段内, 也是在不同光学系统中所普遍使用的材料。硒化锌材料对热冲击具有很高的承受能力, 使它成为高功率CO2激光器系统中的优秀光学材料。硬度只是多光谱级ZnS的2/3, 材质较软易产生划痕, 而且材料折射率较大, 所以需要在其表面镀制高硬度减反射膜来加以保护并获得较高的透过率。在其常用光谱范围内, 散射很低。在用做高功率激光器件时, 需要严格控制材料的体吸收和内部结构缺陷, 并采用极小破坏程度的抛光技术和高光学质量的镀膜工艺。硒化锌(ZNSE)ATR全反射棱镜,硒化锌(ZNSE)ATR全反射棱镜产品特点● 宽光谱透射范围● 高透射率产品应用● 用于激光● 医学● 天文学● 红外夜视等领域中技术参数透射波长范围:0.6 to 21.0 μm折射率:2.4028 at 10.6 μm反射损耗 :29.1% at 10.6 μm (2 surfaces)吸收系数 :0.0005 cm-1 at 10.6 μmReststrahlen Peak :45.7 μmdn/dT :+61 x 10-6/°C at 10.6 μm at 298Kdn/dμ = 0 :5.5 μm密度:5.27 g/cc熔点:1525°C (see notes below)热导率:18 W m-1 K-1 at 298K热膨胀:7.1 x 10-6 /°C at 273K硬度:Knoop 120 with 50g indenter比热容:339 J Kg-1 K-1介电常数 :n/aYoungs Modulus (E) :67.2 GPa剪切模量 (G) :n/a体积弹性模量 (K) :40 GPa弹性系数 :Not Available表观弹性极限 :55.1 MPa (8000 psi)泊松比 :0.28溶解度 :0.001g/100g water分子量 :144.33类别/结构 :FCC Cubic, F43m (#216), Zinc Blende structure. (Polycrystalline)三, 紫外波段 LiF 氟化锂光学晶体棱镜(0.104μm - 7μm)Microphotns的LiF(氟化锂)晶体在真空紫外线区域中显示出优异的透射率。它用于可见光和0.104μm - 7μm的红外线的窗口,棱镜和透镜。氟化锂晶体对热冲击敏感,并在400°C受到大气水分子影响。另外辐照产生色心。应采取适度的预防措施,防止水分和高能量辐射损伤。氟化锂在600°C软化,可以稍微弯曲成半径板。材料可以沿着(100)和较少见的(110)切割。虽然光学特性好,但结构不完善,切割困难。高品质的氟化锂通常用改良的布里奇曼技术生长。氟化锂显示出良好的光学特性。它可以用于真空紫外线,可见光和红外线中的窗口,棱镜和镜头。由于其对称晶格结构,氟化锂也可以用作X射线衍射装置。氟化锂晶体(LiF)属于立方晶系,解理面为(100)面,具有优良的光学性能,尤其在深紫外波段。随着近年来深紫外技术的发展,氟化锂晶体以其在深紫外波段高的透过率和短的截止波长受到越来越多的关注。紫外波段 LiF 氟化锂光学晶体棱镜(0.104μm - 7μm),紫外波段 LiF 氟化锂光学晶体棱镜(0.104μm - 7μm)产品特点● 从110nm到7μm的良好透射 ● 光学各向同性,中等硬度● 吸水性,在水中无法溶解 ● 对热冲击敏感,沿(100)切割产品应用● 深红外光谱分析● 紫外激光传输● CO2激光器● 红外光学● 外延基片技术参数物理性质晶格类型cubic立方体晶格常数&angst a=4.026密度g/cm32.64熔点℃870折射率@ 1.0μmn=1.387传输范围μm0.12-6LiF窗口规格光谱范围UV, VIS, IR表面质量60-40 S&D通光孔径90% of the diameter直径公差+0, -0.1 mm厚度公差±0.1表面平整度λ/4 @ 633 nm平行公差3 arcmin光学级抛光规格Ⅰ定向公差 1°厚度/直径公差±0.10 mm表面平整度(λ-2λ) @632nm波前畸变(2-4)λ @632nm表面质量80/50平行10ˊ垂直60ˊ通光口径90%倒棱0.2×45°光学级抛光规格Ⅱ定向公差 0.5°厚度/直径公差±0.10 mm表面平整度(λ/2-λ/4) @632nm波前畸变(1-2)λ @632nm表面质量60/40平行1ˊ垂直30ˊ通光口径90%倒棱0.2×45°光学级抛光规格Ⅲ定向公差 0.2°厚度/直径公差±0.02 mm表面平整度(λ/4-λ/6) @632nm波前畸变(λ-λ/2) @632nm表面质量40/20平行45〞垂直20ˊ通光口径90%倒棱0.2×45°尺寸图:25.4 x 25.4 x 25.4mm 60° equiliateral dispersing prism.Polished three faces材料透射特性曲线:型号及订购氟化锂晶体窗口订购型号订购型号规格(D×L)(mm)透射率@100nmS/D材料等级LIFRISM25.4-6025.4 x 25.4mm 60° Prism58%(typ.60%)40/20VUVLIFRISM15-4515 x 15 x 15mm 45° Right angle prism58%(typ.60%)40/20VUV
    留言咨询
  • PPLN晶体 400-860-5168转2831
    PPLN and MgO:PPLN容易结合到您光学装置中的全套PPLN系统氧化镁掺杂的周期极化铌酸锂(MgO:ppln)晶体产品负责人:姓名:许工(Gary)电话:(微信同号)邮箱:MgO:PPLN是用于460nm~5100nm范围的高效波长变换的非线性光学晶体,英国Covesion公司在PPLN晶体领域的专业加工,提供了高精度的4.5um至33um极化周期,并且适用于大批量制造。在铌酸锂中添加5%的氧化镁可显著提高晶体的光学损伤和光折变阈值,同时又保留高的非线性系数。与类似的未掺杂的晶体相比,可实现可见光波段和较低温度下运行的更稳定的性能。MgO:PPLN晶体可在室温下运行,在某些情况下,不需要控制温度。从室温到200摄氏度,与未掺杂的PPLN晶体相比,MgO:PPLN晶体可提供明显更宽的波长适用范围。英国Covesion公司在PPLN晶体领域的专业加工,提供了高精度的4.5um至33um以上极化周期,尤其对红-绿-蓝光的产生和高功率中红外波段的应用,可为OEM量产提供优质原材料。我们的优势:1. 世界一流的PPLN技术2. 高品质1)10年以上的生产经历2)世界顶级镀膜公司合作伙伴3. 稳定可重复使用的性能均匀计划贯穿整个晶体厚度4. 完善的温度控制方案可实现无时间延迟的简单、大范围的温度调谐5. 丰富的库存和高效的服务1)1周内可以收到库存产品2)8周可以收到定制产品,半定制产品时间周期小于8周 以下是我们部分库存产品,有其他频率转换需求随时联系上海昊量光电!二次谐波(SHG)MgO:PPLN晶体型号: 光学参量振荡/产生(OPO/OPG)MgO:PPLN晶体型号:差频(DFG)MgO:PPLN晶体型号:和频(SFG)MgO:PPLN晶体型号:我们为更特别的应用提供掩膜版:更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商,代理品牌均处于相关领域的发展前沿;产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等,涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、先jjin激光制造等;可为客户提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等优质服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息,或直接来电咨询。
    留言咨询
  • Ge晶体基片 400-860-5168转2205
    产品名称:Ge晶体基片产品简介:化学符号为Ge ,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底。技术参数:晶体结构:立方:a = 5.6754 ?;生长方法:提拉法;密度:5.765 g/cm3 熔点:937.4 ℃热传导性:640掺杂物质:不掺杂;掺Sb;掺Ga类型:/;N;P;电阻率W.cm:35;0.05;0.05-0.1;EPD: 4x103/cm2; 产品规格:晶体方向: 111,100and110± 0.5o 标准尺寸:dia1"x 0.50 mm;dia2"x0.5mm;dia4"x0.5mm(110 Ra5A,不化抛)注:可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装:1000级超净室100级超净袋或单片盒装 相关产品: A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机
    留言咨询
  • PPLN晶体 400-860-5168转1545
    仪器简介:PPLN是一种高效的非线形晶体,获得最大的波长转换效率必须对温度进行控制,并且晶体内部均匀的温度分布也很重要。Covesion提供了一系列的温度控制夹具或温控炉,以及温度控制器,尽量提高波长转换性能。改变晶体问题,也用于OPO中窄范围的波长调谐或其他波长转换应用。PPLN扩展了现有的激光系统,光谱覆盖可见到中红外。正确的PPLN和泵浦激光组合,可获得波长450nm到5um范围的光。Covesion还专门加工更复杂的晶体结构,在一个光学芯片上集合多种功能。 PPLN所提供的实际有效的波长转化,使得它成为各行业应用的焦点,如显示器、航空、电信、环境检测等。PPLN能达到转换效率很大程度上取决于激光束的属性。例如,优化的短脉冲激光单次通过晶体可获得80%的转换效率,但使用连续激光器,转换效率就可能下降到只有几个百分点。 PPLN是将生产的铌酸锂原材料晶圆进行所谓的&ldquo 周期性极化&rdquo 获得。铌酸锂是铁电晶体,在每个晶胞单元,由于铌离子和锂离子的晶格位置略有偏移,便产生了一个小的电偶极矩。通过施加一个强的电场,可以逆转这种结构,重新分布晶体中的偶极矩。反转铌酸锂结构的电场约为22KV/mm,反转时间仅需几个毫秒,之后该反转结构将永久性保持。在PPLN中,我们按光栅结构每隔几微米进行周期性反转,以实现输入光和输出光的准相位匹配。 在单个PPLN晶体上,可以完成多个光栅周期结构的加工。对OPO和其他可调谐应用,利用多周期结构可从单一泵浦光得到宽波长范围的光。光聚焦到不同周期光栅可实现波长的粗调,晶体的温度变化则可实现精细调节。技术参数:part# pump (nm) ouput (nm) period (&mu m) temp range ° C length (mm) aperture (mm) SHG8-1 976 - 984 488 - 492 5.00, 5.04, 5.08 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG8-10 10 SHG3-1 1060 - 1068 530 - 534 6.50, 6.54, 6.58 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG3-10 10 SHG3-20 20 SHG4-1 1310 - 1322 655 - 661 12.10, 12.20, 12.30 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG4-10 10 SHG5-1 1540 - 1576 770 - 788 18.20, 18.40, 18.60, 18.80, 19.00 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG5-10 10 SHG6-1 1570 - 1652 785 - 826 19.00, 19.25, 19.50, 19.75, 20.00, 20.25, 20.50, 20.75, 21.00 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG6-10 10 SHG7-1 2024 - 2250 1012 - 1125 29.50, 30.00, 30.50, 31.00, 31.50, 32.00, 32.50 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG7-10 10主要特点:周期性极化铌酸锂(PPLN)提供了460nm-1500nm波长范围内的高效率波长转换。我们专业的极化工艺可制作4.5um到33um的极化周期,是批量制造的理想选择。下面列出了标准的产品系列,对目前最常用的非线形过程进行分类:倍频(SHG), 和频(SFG),差频(DFG)和光学参量振荡/产生(OPO/OPG)。我们的PPLN晶体的标准范围与广泛使用的各种波长的激光相结合。每个晶体包含多周期光栅,灵活地实现温度及波长组合。我们的晶体镀增透膜,并抛光到:&lambda /4 平坦度,± 5min平行度,高于20-10光学表面质量。所有标准产品都经过严格的质量检验,提供带夹具的现货。
    留言咨询
  • Ge晶体基片 400-860-5168转2205
    产品名称:Ge晶体基片产品简介:化学符号为Ge ,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。技术参数:密度:5.765 g/cm3 ;熔点:937.4 ℃;热传导性:640;掺杂物质:不掺杂;掺Sb;掺In或Ga;类型:/;N;P; 电阻率W.cm:35;0.05;0.05-0.1;EPD: 4x103/cm2 4x103/cm2 4x103/cm2 常规尺寸:晶体方向: 111,100and110± 0.5° 或特殊的方向;标准抛光片尺寸:Ф1"x 0.3mm;Ф2"x0.5mm;(110 Ra5A,不化抛)注:也可根据客户需求提供特殊尺寸和方向的基片备注:1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装相关产品: A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机
    留言咨询
  • CdTe晶体基片 400-860-5168转2205
    产品名称:碲化镉(CdTe)晶体基片产品简介:碲化镉(CdTe)晶体基片广泛应用于X射线检测;红外光学;外延基片;蒸发源的晶体片等相关领域。技术参数:晶体结构立方 F43m a = 6.483?生长方法:PVT方法熔点(℃) 1047密度(g/cm3)5.851热容(J /g.k)0.210热膨胀系数(10-6/K)5.0热导率( W /m.kat 300K )6.3透过波长 (μm)0.85 ~ 29.9折射率2.72产品规格:常规晶向:100、001、110、111常规尺寸:5x5x0.5mm、10x10x0.5mm、dia1"x0.5mm注:也可提供多晶的,尺寸可按照客户要求加工,请发邮件确定信息。标准包装:1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装
    留言咨询
  • EKSMA 红外非线性晶体 400-860-5168转1446
    EKSMA OPTICS提供各种高质量的非线性晶体,如LBO,beta BBO,KTP,KDP,DKDP,LiIO3,各种红外非线性晶体,AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2等,我们提供标准尺寸和定向的晶体,并支持快速库存发货。同时,我们亦针对客户的特定需求提供各种定制化产品。非线性晶体具有极其广泛的应用,如激光谐波振荡,频率反转(SFG,DFG),光学参量振荡和放大(OPG,OPA),电光调制Q-switching等。-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------红外非线性晶体AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2 由于极其独特的材料特性,红外光学非线性晶体ZnGeP2, AgGaSe2, AgGaS2, GaSe在中红外和远红外的应用方面赢得了人们极大的兴趣。这些红外非线性晶体拥有非常大的有效光学非线性,接收光谱和接收角度宽,透光范围广,对温度稳定性和振动控制没有苛刻要求,非常易于机械加工(GaSe除外)。 红外晶体ZnGeP2(ZGP)透光范围从074um至12um,其中有用的透过范围为1.9um至8.6um,以及9.6um到10.2um。ZGP晶体拥有最大的非线性光学系数和较高的激光损伤阈值。ZGP晶体目前已经成功的应用于各种领域: 通过谐波与混频效应实现CO2和CO激光辐射到近红外的上转换脉冲式CO,CO2,DF化学激光器的高效倍频通过OPO实现钬,铥,铒激光波长像中红外的下转换 EKSMA光学提供抗高损伤BBAR镀膜,并且具备超低的吸收损耗,2.05-2.1um泵浦波长下,吸收系数为α 0.05 cm-1;2.5-8.2um范围吸收系数为:α0.03 cm-1红外晶体AgGaSe透光波段在0.73um到18um之间。而具有高应用价值的透过范围为0.9-16um,这个范围具有非常宽的相位匹配能力,对当前大多数可用的激光泵浦光源均可提供潜在的OPO应用。2.05um的Ho:YLF激光泵浦已获得2.5-12um的可调谐输出。而通过1.4-1.55um的泵浦,也获得了非关键相位匹配下的1.9-5.5um输出。AgGaSe2(AgGaSe)也同时早已被证明为脉冲式CO2激光的高效倍频晶体。 红外晶体AgGaS2(AGS)透光波段为0.53-12um。虽然其非线性光学系数在上述提到的红外晶体中最小,但其透明波长短波边缘至550nm,因此可作为Nd:YAG激光器泵浦的OPO应用;同时也被大量应用于利用二极管,钛宝石,Nd:YAG,以及3-12um红外染料激光器进行的差频混频实验;还可以直接应用于红外对抗系统,以及CO2激光器的二倍频。而AgGaS(AGS)薄片晶体通过近红外波段脉冲差频效应在产生中红外超短脉冲方面也应用的非常普遍。 红外晶体 GaSe透光波长在0.65-18um。GaS3晶体已经成功的用于CO2激光的高效倍频;脉冲式CO、CO2和DF激光(λ = 2.36 μm)的二倍频;CO和CO2激光到可见光的上转换;Nd激光与燃料激光器或(F-)-central激光脉冲差频、混频产生红外脉冲;3.5-18um范围内的OPG。同时GaSe晶体薄片还广泛用于飞秒-太赫兹振荡。当然,由于材料结构(沿(001)平面解理)的特殊性,无法获得特定的相位匹配角度,也限制了其应用的领域
    留言咨询
  • 本公司研发团队开展石英晶体微天平化学生物传感分析研究已有三十余年,具有丰富的QCM应用研究经验,可根据客户需求提供个性化服务,解决客户QCM使用中出现的技术问题。该仪器融合多家著名高校相关领域研究成果,仪器模块化结构、便携式设计,可与电化学仪器光学仪器联用。仪器价格优惠、使用简单、性能稳定、检测结果可靠。石英晶体微天平(Quartz Crystal Microbalance,QCM)是一种非常灵敏的质量检测仪器。在一定条件下,石英晶体上沉积的质量变化和振动频率移动之间关系呈线性关系(Sauerbrey公式),其测量灵敏度可达纳克级,可以测到单原子层的质量变化。本仪器采用10 MHz石英晶体,每Hz的频率变化相当于0.85 ng/cm2。石英晶体微天平作为纳克质量传感器具有结构简单、成本低、灵敏度高的优点,被广泛应用于化学、物理、生物、医学和表面科学等领域中,可实现电化学、光化学、光电化学的现场动态监测分析。可广泛用以进行气体、液体成分分析以及微质量的测量、薄膜厚度、液体粘度(血凝)检测等。例如:电活性聚合物表征、Li+ 嵌入材料、金属腐蚀、自组装单层、生物传感器、免疫检测、 蛋白质的相互作用 、膜表面的吸附/解析 、DNA的杂交 、 细胞吸附 、靶向药物筛选、高分子材料的生物相容性等。 仪器特点l 仪器接触溶液的激励电极做工作电极与电化学仪器联用可构成EQCM测量技术。 l 仪器便携式设计、操作简单、方法选择、操作过程、步步提示。l 锂离子电池可作为电源、抗干扰能力强。l 仪器智能化模块化设计、结构可靠,可适应现场使用。l SD卡储存数据,方便后续数据处理。l 数据同时通过蓝牙无线传输到手机,可在手机上同步进行显示和储存。l 仪器可与其他分析仪器联用,如电化学仪器、光学仪器联用实现现场多信息传感分析。根据科研需要可进一步开发应用。 技术参数 l 使用晶体频率范围5MHz-20MHz,本仪器使用商用镀金10MHz AT切石英晶体。l 频率稳定性,空气中+1Hz/小时,液相中精确控制实验条件可达到相近的信号稳定性。l 3.5英寸触屏彩色液晶显示。l 提供2G SD卡储存数据,每隔2秒储存一组实验数据。l 便携式QCM 配备直流供电电压范围9V-18V,建议使用12V,2A 直流稳压源。l 可配备12V 5400mAh 锂离子电池(12.6V,1A 充电器)。l 便携式仪器尺寸:150*97*40mm;仪器重量:500 g。
    留言咨询
  • THz有机晶体 太赫兹有机晶体THz Organic CrystalTHz Generator & Detector光整流THz发生器非线性光学差频THz发生器THz探测器1200-1600nm优化泵浦光源,700-800nm可备选THz Frequency Ranges for Generator MaterialsSpectal Bandwidth measured by Rainbow Photonics instrumentsTHz Frequency Range for Different Pump Pulsewidth 相关商品 ZnTe碲化锌晶体 1-20THz太赫兹源 太赫兹探测器 太赫兹光谱仪
    留言咨询
  • 硅(Si)晶体基片 400-860-5168转2205
    产品名称:硅(Si)晶体基片 产品简介:化学符号为Si,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。 技术参数:掺杂物质:掺B掺P类型:P N电阻率Ω.cm:10-3 ~ 4010-3 ~ 40EPD (cm-2 ):≤100≤100氧含量( /cm3 ):≤1.8 x1018≤1.8 x1018碳含量( /cm3 ):≤5x1016≤5x1016 常规规格:晶体方向:111、100、110 ± 0.5° 或 特殊的方向;常规尺寸:dia1"x 0.30 mm dia2"x0.5mm dia3"x0.5mm dia4"x0.6mm 表面粗糙度:Ra10A可提供热氧化SiO2层的Si片;Si+SiO2+Ti+Pt的基片!欢迎您的咨询! 标准包装:1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装 相关产品:A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机
    留言咨询
  • 氮化镓(GaN)晶体基片 400-860-5168转2205
    产品名称:氮化镓(GaN)晶体基片产品简介:GaN易与AlN、InN等构成混晶,能制成各种异质结构,已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高,有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素).科晶公司将为您提供高品质低价位的氮化镓晶体和基片。技术参数:制作方法:HVPE(氢化物气象外延法)传导类型:N型;半绝缘型电阻率:R0.5 Ω.cm;R106Ω.cm表面粗糙度:0.5nm位错密度:5x106Ω.cm可用表面积:90%TTV:≤15umBow:≤20um 产品规格:晶体方向: 0001 常规尺寸:dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um;注:可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装:1000级超净室100级超净袋或单片盒装相关产品: Thin Films A-ZCrystal wafer A-Z等离子清洗机基片包装盒系列切割机薄膜制备设备
    留言咨询
  • 太赫兹有机晶体 400-860-5168转3512
    太赫兹有机晶体DSTMS,DAST,OH1EKSMA Optics提供适用于各种飞秒泵浦源的太赫兹振荡和探测的有机晶体DSTMS,DAST,OH1THZ有机晶体:太赫兹晶体DSTMS:高效率太赫兹振荡与探测, 0.3-15THz范围太赫兹晶体DAST:高效率太赫兹振荡与探测, 0.1-17THz范围太赫兹晶体OH1:高效率太赫兹振荡与探测, 0.1-3THz范围 有机太赫兹晶体DSTMS,DAST,OH1应用高效率太赫兹振荡与探测高速电光调制(200GHz)光学参量振荡高效率1.55微米倍频
    留言咨询
  • EKSMA晶体LBO-302 400-860-5168转6160
    天津瑞利光电优势供应EKSMA晶体LBO-302立陶宛EKSMA Optics是高功率激光应用,激光介质和非线性频率转换晶体,光机械,带驱动器的电光普克尔盒和超快脉冲拾取系统的制造商和供应商,它们用于激光器和其他应用光学仪器。EKSMA于1983年在激光领域开始其业务,它建立在激光和光学领域的长期专业知识之上。EKSMA的激光组件工作在从UV(193 nm)到VIS到IR(20μm)的波长范围内,并在太赫兹(1-5 THz)范围内工作,并在科学,工业,医学和美学,航空航天领域的不同激光和光子应用中使用。立陶宛EKSMA光学抛光设备专门从事由BK7,UVFS,Infrasil,Suprasil,CaF2以及DKDP,KDP,LBO,BBO,ZnGeP2晶体制成的平面光学器件的加工和最终抛光,而大功率激光应用需要高质量的精密抛光面。该公司还拥有先进的IBS涂层设备,球面,轴锥和非球面镜片CNC制造设备,BBO,DKDP和KTP Pockels电池装配的洁净室设备,超快电光脉冲拾取系统制造技术部门和质量控制设备。EKSMA主要产品:光学元件涂层、介电镜、金属镜、激光视窗、镜头、光学滤镜、光学棱镜、偏光、紫外线和红外光学、配件类非线性和激光晶体:非线性晶体、激光晶体电气光电Femtoline元件光学系统Nd:YAG激光线组件光电机械组件激光电子学天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立,坐落于渤海之滨天津,地理位置得天独厚,交通运输便利,进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心,我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品,同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。
    留言咨询
  • Er:YAG 激光晶体 400-860-5168转2255
    SYNOPTICS公司可以完全自主实现集晶体生长、加工、镀膜、检测、包装于一体的一站式服务。作为ISO 9001:2008证书获得企业,SYNOPTICS着重于该公司在晶体生长、制造和检测方面的支持,以确保达到超高的质量标准。 主要特点:* 波长覆盖广: 500nm-3000nm * 晶体尺寸大 * 镀膜阈值高* 均匀性好 应用领域:* 医疗* 工业* 军事* 科研激光市场Er:YAG晶体 Er:YAG在600-800nm光谱范围均可被泵浦,广泛应用于医疗和牙科。Er:YAG优点:* 宽的泵浦带600-899nm;* 高的光学质量;* 可以输出长波,高的水吸收区;* 理想的硬组织切除工具 标准规格 材料参数基质Yttrium Aluminum Garnet(Y3Al5O12 )掺杂Erbium (Er -3)掺杂浓度50 Atomic % (~7x10 cm-3 )朝向[111] crystallographic directions(±5°)波前畸变1/2 wave per inch of length, as measured in a double pass interferometer operating @ 1micron尺寸/机械规格直径公差+.000”/-.002”长度公差+.040”/-.000”滚光55 ±5 micro-inch倒角0.005”±0.003”@ 45°±5° 端面标准规格面型Within λ/10 wave @ 633 nm wavelength平行度Within 30 seconds of arc垂直度Within 5 minutes of arc光洁度Scratch-dig 10-5 per MIL-O-13830A 端面减反膜规格反射率Less than 0.25% @ 2.94 microns附着力和耐用性Meets Mil-C-48497A standards脉冲损伤阈值Greater than 10 J/cm2Er:YAG特性激光能级4I11/2 -4 I13/2受激发射截面3×10-20cm2泵浦波长范围600-800nm
    留言咨询
  • 晶体出现率分析仪 400-860-5168转5049
    一. 结构原理 ZMP9 60 晶体出现率分析仪是工作原理是通过专用高分辨率 CCD 线性传感器和显微光学扫描平台,将颗粒图像信息采集下来并传输到计算机中,用专门的颗粒图像分析软件对颗粒图像进行分析。结合智能的背景分离及超强的颗粒边界搜索算法,将目标颗粒与背景分离,分析出各种测量参数,并通过显示器和打印机输出。 该仪器具有超大测量范围及高分辨率,同时具有直观、可视、准确、操作简单、测量参数全面等特点。能够同时测量颗粒粒度、形状及表面颜色的新型颗粒分析仪器。 二. 产品介绍 ZMP960晶体出现率分析仪,可以直接对透明贴剂中析出的晶体进行扫描,按照规定扫描范围进行扫描一定的面积,将其中的晶体识别出来并做数量统计。软件可以内置公式得出晶体出现率。 三.性能指标 1. 测量范围:1μm ~ 100mm 2图像分辨率:900万像素 3.光学平台:100mm * 120mm 4 背景光源:反射光
    留言咨询
  • 紫外空心光子晶体光纤 —— 可传输266-355nm紫外皮秒激光脉冲上海昊量光电设备有限公司推出一系列Kagome型中空光子晶体光纤,Kagome光纤是一种不依赖带隙导光的新型空心微结构光纤。UV波段空心光子晶体光纤(无暗化)结构设计灵活、损伤阈值高、损耗低(高透区损耗可低至~40dB/km)、支持宽带传输(100-500nm)。UV波段空心光子晶体光纤(无暗化)可通过改变纤芯所充气体及调节气压实现对光纤色散、非线性效应的有效调制,在强场物理、超强激光技术等领域研究中优势突出。我们的中空光子晶体光纤工作波段包含266nm-3μm范围内的大部分常见波长,主要包括266-355nm、405-450nm、515-532nm、780-800nm、1030-1064 nm、1550nm、2μm波段,具有近单模传输、低色散低损耗、承受功率高(可承受50W或者500μJ&百fs激光脉冲),宽波段传输等特点。主要应用包括激光微加工、激光脉宽压缩、激光频率转换等应用。关键词:紫外光子晶体光纤,UV 光子晶体光纤,Kagome 光子晶体光纤,Kagome光子晶体光纤,Kagome,反谐振,空心光子晶体光纤,空心光纤除了裸纤维,同时我们提供针对该系列空心光子晶体光纤的充气阀门,简化了相关用户的实验方案,如下图所示:下表为传输损耗和光纤色散优化在266nm-355nm波段的空心光子晶体光纤参数,如您需要其他波段,请联系上海昊量光电!PMC-C-UV Hollow-core Fiber optimized for 266-405nm rangePhysical PropertiesCore ContourHypocycloidInner core diameter25μm±1 or 40μm±1Output fiber diameter200μm or 230μm±1%Fiber coating diameter400μm ±30μmOptical Propertiescenter wavelength355nmAttenuation @355nm150dB/kmAttenuation @343nm150dB/kmDISPersion @343nm-355nm-5 5ps/nm.km 关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商,产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等,涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等;可为客户提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等服务。
    留言咨询
  • TGG 激光晶体Rod 400-860-5168转2255
    SYNOPTICS公司可以完全自主实现集晶体生长、加工、镀膜、检测、包装于一体的一站式服务。作为ISO 9001:2008证书获得企业,SYNOPTICS着重于该公司在晶体生长、制造和检测方面的支持,以确保达到超高的质量标准。 主要特点:* 波长覆盖广: 500nm-3000nm * 晶体尺寸大 * 镀膜阈值高* 均匀性好 应用领域:* 医疗* 工业* 军事* 科研激光市场TGG 激光晶体RodTGG晶体广泛应用于光学隔离器。光学隔离器利用的是TGG晶体的法拉第效应,法拉第的旋光性与入射光的方向无关,仅允许一个方向的光通过。TGG优点(优于铽掺杂的玻璃)* TGG的费尔德常数是铽掺杂玻璃的两倍* TGG的热导率比铽掺杂玻璃高一个量级* TGG的光学损耗低于铽掺杂玻璃基于以上优点,TGG适用于高平均功率激光的应用,高功率激光主要的限制因素是热效应导致的光畸变。在相同功率下,TGG晶体的光畸变低于铽掺杂玻璃 TGG晶体与铽掺杂玻璃在1064nm处的对比TGGTb-Glass费尔德常数,V1064nm632nm-40-134-20-70RadT-1m-1RadT-1m-1 吸收系数,a0.0015 0.003 cm-1热导率7.4 0.7Wm-1K-1折射率,n1.95 --非线性折射率,n28.0 2.4510-13esu品质因子,V/a27 7-品质因子,V/n58- 棒的标准规格,材料参数晶体Terbium Gallium Garnet (Tb3Ga5O12 )朝向[111] within 5 degrees透过波前畸变@632nm大晶体棒:直径3mm或长度25.4mm小晶体棒:直径3mm或长度25.4mm1/8 wave / inch1/8 wave total消光比25 dB minimum尺寸公差直径公差+.000”/-.002”长度公差+0.010”/-0.010”滚光55±5 μinch (RMS)倒角0.005” ± 0.003”@45°±5° 端面反射率 0.25% @ 1064 nm附着力和耐用性Meets MIL-C-48497A Standards脉冲损伤阈值10J/cm2
    留言咨询
  • 据准相位匹配 (QPM : Quasi Phase Matching)理论,可以通过对晶体的非线性极化率的周期性调制来补偿非线性频率变换过程中因色散引起的基波和谐波之间的波矢失配,从而获得非线性光学效应的有效增强。以色列Raicol公司拥有**的周期极化 KTP(PPKTP)制造技术,相比传统切割工艺制造下的KTP晶体,拥有以下突出的优点:1. 更高的非线性转换效率,适合于产生高亮度量子纠缠光子对2. 更大的器件接收角,可接驳半导体激光泵浦源3. 几乎消除了去离角效应。由于以上的优点,周期极化 KTP(PPKTP)特别适合于产生高亮度纠缠光子对,用于光量子信息科学研究,比如:玻色子采样和量子干涉: -775nm-1550nm, 推荐采用2型PPKTP获得高配对速率量子密钥分发: 405nm-810nm。推荐选择0型PPKTP提供更高的配对速率和频谱带宽,而选择II型易于使用。挤压光: 研究人员应首先决定挤压是在单程还是空腔中产生。对于前者,标准晶体就足够了,而对于*佳参数振荡器,*选单片或半单片选项。选择0型PPKTP量子叠加态识别成像:推荐0型ppKTP,周期专为非简并设计。PPKTP晶体0型与II型PPKTP谱线形貌比较PPKTP晶体用于量子密钥分发PPKTP晶体用于压缩光Raicol公司PPKTP晶体可用于SHG倍频,DFG差频,SFG合频,OPO光学参量震荡。Raicol公司另外还生产PPMGLN晶体,详情见链接:PPSLT Products | RaicolRaicol公司另外还生产PPSLT晶体,详情见链接:PPSLT Products | Raicol
    留言咨询
  • 总览4-N,N-二甲基氨基-4'-N'-甲基己烯唑鎓2,4,6-三甲基苯磺酸盐(4-N,N-dimethylamino-4’-N’-methyl-stilbazolium 2,4,6-trimethylbenzenesulfonate)瑞士Rainbow Photonics 公司推出DSTMS晶体用于产生太赫兹,突破传统的光电导天线产生太赫兹的模式。THz DSTMS 太赫兹电光有机晶体,THz DSTMS 太赫兹电光有机晶体产品特点高品质晶体可切割、抛光用于各种应用高非线性光学性质高电光系数在720-1650nm 波段 相位匹配可产生太赫兹波产品应用有效太赫兹产生和探测(0.3 to 16 THz)快速电光调制光学参量产生1550 nm 有效倍频通用参数物理性能熔融温度250 °C点群对称 (point group symmetry)m折射率@1550nmn1 = 2.07, n2 = 1.641900 nm时的非线性光学系数d111 = 214 ± 20 pm/Vd122 = 31 ± 4 pm/V d212 = 35 ± 4 pm/V1900 nm时的电光系数r111 = 37 ± 3 pm/V吸收光谱曲线及太赫兹转换效率曲线太赫兹发生器安装在1英寸圆盘上如下所示,无需额外费用。
    留言咨询
  • Cr4+:YAG 激光晶体 400-860-5168转2255
    SYNOPTICS公司可以完全自主实现集晶体生长、加工、镀膜、检测、包装于一体的一站式服务。作为ISO 9001:2008证书获得企业,SYNOPTICS着重于该公司在晶体生长、制造和检测方面的支持,以确保达到超高的质量标准。 主要特点:* 波长覆盖广: 500nm-3000nm * 晶体尺寸大 * 镀膜阈值高* 均匀性好 应用领域:* 医疗* 工业* 军事* 科研激光市场Cr4+:YAG 激光晶体 被动调Q或者饱和吸收体饱和提供了一种不采用电光开关就可以获得高功率激光脉冲的方法,因而可以减少包装尺寸并消除了高压电源。Cr4+:YAG比染料或色心更可靠,是1微米激光材料的理想选择。YAG中少量的Cr离子可以将正常的Cr3+的价态改变为Cr4+,这是由于杂质Mg2+或者Ca2+的额外电荷补偿。Cr4+的浓度是1064nm的吸收系数a。典型a值为1.5cm-1到3-6cm-1。被动调Q开关通常利用低功率光学密度在特定波长(或者%T)来标定。Synoptics测量了Cr4+:YAG的a值,通过改变厚度标定光学密度。厚度可以任意改变,但是,通常是1-5mm。 Cr4+:YAG规格SYNOPTICS Standards朝向100表面flat/flat镀膜AR 0.2 % at 1064 nm地址损伤阈值500 MW/cm2直径Typical: 3-10 mm 光学密度0.30, 0.40, 0.50, ±10%@ 1064 nm
    留言咨询
  • Freiberg Instruments的单晶XRD定向仪 主要里程碑: ◆ 1961 - EFG GmbH公司由X-ray Ing.集团亚瑟布拉达切克和他的儿子汉斯布拉达切克创立。 ◆ 1969 - 研制了世界上首台基于集成电路的x射线检测计数装置,名为 COUNTIX 130。◆ 1989 - 开发 Omega-Scan 方法BOSCH 要求提供圆形石英毛坯的定向测量系统 - 振荡器产量从 50% 提高到 95%◆ 2005 - 将 Omega 转移到其他材料,如SiC、蓝宝石、GaN、GaAS、Si、Ni基高温合金 ◆ 2010 - 推出用于晶体取向测量的台式 X 射线衍射仪 ( DDCOM ) 全球售出 约 150台石英分选系统◆ 2015 - X 射线技术和 EFG GmbH 合并到 Freiberg Instruments GmbH 传承60年德国工匠精神-三代X射线工程师 产品优势: ◆ 采用Omega-scan扫描方法(专利技术) ◆ 测试速度快: 5s ◆ 测角精度高: 0.003 ◆ 兼具XRD定向功能以及Flat/Norch功能 ◆ 磨抛定向解决方案 ◆ 拥有晶锭粘接转移的专利技术(堆垛 stacking)专为SiC工业设计,被多家SiC衬底头部企业青睐,如:II-VI Advanced Materials, SiCrystal等,国外四分之三的碳化硅制造商依赖Freiberg Instruments公司的晶体取向测量技术,极大提高了生产效率,提升产品质量。 ◆ Mapping 面扫功能,摇摆曲线测定 ◆ 易于集成到工艺线中 ◆ MES和/或SECS/GEM接口 ◆ 倾斜的典型标准偏差(例如:Si 100): 0.003 °,小于 0.001 ° Omega/Theta X射线衍射仪是一个全自动的垂直三轴衍射仪,用于使用Omega-Scan和Theta-Scan方法对各种晶体进行取向测定和摇摆曲线测量。大而宽敞的设计可以容纳长度达450毫米、重量达30公斤的样品和样品架。 所有的测量都是自动化的,可以从用户友好的软件界面上的访问。使用Omega扫描,可以在晶体旋转时(5秒)确定完整的晶格方向。Theta扫描更加灵活,但每次扫描只能得到一个取向成分。 倾斜角可以以非常高的精度确定;使用Theta扫描可以达到0.001°。对于所有其他晶体方向,精度取决于与表面垂直的角差。 该系统是模块化的,已经配备了许多不同的扩展,用于特殊的目的,如形状或平面的确定、绘图和不同的样品架。样品的倾斜是通过光学测量检测出来的,并可用于校正所产生的方向。 单晶衍射仪定向仪: ◆ 全自动完整的单晶体晶格取向测量 ◆ 使用欧米茄扫描法进行超快速的晶体取向测量 ◆ 自动摇动曲线测量功能 ◆ 衍射仪的角度分辨率:0.1角秒。 ◆ 样品尺寸可达450毫米 ◆ 适用于生产质量控制和研究 用户友好,成本效益高: ◆ 方便的样品处理,易于操作 ◆ 先进的、用户友好的软件 ◆ 能源消耗和运行成本低 ◆ 模块化设计,灵活性强 ◆ 各种升级选项 ◆ 根据用户的要求进行定制 选配功能: ◆ 自动Mapping面扫功能 ◆ Omega/Theta – 晶锭粘接转移的专利技术(堆垛 stacking) ◆ Omega/Theta - 摇摆曲线测量 ◆ Omega/Theta - 定制的样品台 ◆ 用于样品形状测量的激光扫描仪 ◆ 光学检测,用于平面和凹槽检测 ◆ 额外的样品旋转轴用于3D绘图 ◆ 二级通道切割准直器(分析器) ◆ 用于样品调整的设备
    留言咨询
  • BaTiO3晶体基片 400-860-5168转2205
    产品名称:钛酸钡(BaTiO3)晶体基片产品简介:钛酸钡(BaTiO3, BTO)是最早发现的钙钛矿型铁电体,然而钛酸钡单晶仍然是当今铁电体和凝聚态物理领域内的研究热点,因为它不仅是基础研究的理想材料,具有适宜基础研究的完整结构和复杂相变过程,而且具有优良的电光与光折变性能,现今又发现能够实现可逆的大场致应变,在高应变驱动器上展现出了强烈的应用前景,同时,通过工程化畴结构的调整,其具有优良的压电性能,这使得钛酸钡单晶同时成为非线性光学器件、压电和高应变领域内的一种优秀的无铅环保型单晶材料。技术参数:晶体结构:四方(4mm): 9oC T 130.5 oCa=3.99 ?, c= 4.04 ? ,生长方法:顶部籽晶溶液法(TSSG)熔点:1600 oC密度:6.02 g/cm3介电常数:ea = 3700, ec = 135 (自由状态)ea = 2400, e c = 60 (夹持状态)折射率: 515 nm 633 nm 800 nm no 2.4921 2.4160 2.3681ne 2.4247 2.3630 2.3235透射波长范围:0.45 ~ 6.30 mm电光系数:rT 13 =11.7 ±1.9 pm/V rT 33 =112 ±10 pm/VrT 42 =1920 ±180 pm/VSPPC 反射率(0度切 ):l = 515 nm, 50 - 70 %(最高达到77%) l = 633 nm, 50 - 80 %(最高达到86.8%)二波混频耦合常数:10 - 40 cm-1吸收损耗: l: 515 nm 633 nm 800 nma: 3.392cm-1 0.268cm-1 0.005cm-1产品规格:常规晶向:100、001晶向公差:±0.5度常规尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm抛光情况:单抛或双抛,Ra5A可按客户要求定制方向和尺寸。标准包装:1000级超净室,100级超净袋封装 相关产品:A-Z系列晶体列表等离子清洗机 基片包装盒系列金刚石线切割机旋转图层机
    留言咨询
  • 晶圆XRD的特点:◇ 完全自动化的晶圆处理和分类系统(例如:盒到盒)。◇ 晶体取向和电阻率测量 ◇ 晶片的几何特征(缺口位置、缺口深度、缺口开口角度、直径、平面位置和平面长度)的光学测定 ◇ 未抛光的晶圆和镜面的距离测量 ◇ MES和/或SECS/GEM接口 全自动化的晶圆分拣独特的Omega-scan方法: ◇ 高的精度 ◇ 测量速度: 5秒/样品 ◇ 易于集成到工艺线中 ◇ 典型的标准偏差倾斜度(例如:Si 100): 0.003 °,小于 0.001 °。 更多信息请联系我们。
    留言咨询
  • PHOTONIC CRYSTAL FIBER INTERFACING光子晶体光纤(PCF)连接头ALPhANOV是一个光学和激光技术中心,拥有光纤激光设计和熔接光纤组件的丰富经验。ALPhANOV与NKT Photonics合作,提供光子晶体光纤(PCF)的最终处理解决方案。例如光纤的准备,包括PCF接头、密封和PCF切割、端帽PCF 和 带模式适配器的PCF。ALPhANOV可以处理NKT Photonics的整个PCF产品线,范围从双覆层大模式面积光纤(例如DC-200/40-PZ-Yb和棒式光纤“rod-type fibers”)到被动PCF(例如空芯光纤和非线性光纤)。ALPhANOV公司的一个使命是帮助用户开发基于光学和激光的创新的产品。PCF的引入,经常会在性能、紧密度和可靠性方面有一些实质性的优势。通过与NKT Photonics的合作,ALPhANOV可以分享其与PCF使用者的经验,并帮助他们更快的得到创新的和高效的解决方案。 Photonics Crystal Fibers光子晶体光纤(PCF)HOLLOW-CORE FIBERS 空心光纤光子带隙(空芯)光纤在被微结构包围的空隙中传导光。光子晶体光纤(PCF)就是在石英中周期性排布空气孔形成的。光子带隙引导机制跟传统的全部内部反射引导原理是完全不同的。此新技术为无非线性影响和材料损伤的高功率传输提供了基础。 例如: HC-440 HC-532 HC-580 HC-800 HC-1060 HC-1550 HC-19-1550 HC-2000LARGE MODE AREA FIBERS大模式面积光纤大模式面积晶体光纤,涵盖了覆盖了用于衍射极限高功率传输的光纤,可以在一个大的波长范围内用于单模式操作——不停止的单模式操作。大模式面积使高功率能够在光纤中传输,而不会有材料损伤,或由光纤的非线性特性会导致的有害效应。例如: LMA-5 LMA-10 LMA-10-UV LMA-15 LMA-25 LMA-PM-5 LMA-PM-10 LMA-PM-15YTTERBIUM DOPED DOUBLE CLAD FIBERS掺镱双包层光纤掺镱双包层光纤拥有最大的单模纤芯,可以放大到更大的功率水平,通知保证很好的模式质量和稳定性。例如: DC-135-14-PM-Yb DC-200/40-PZ-YbNONLINEAR FIBER非线性光纤优化用于超连续光谱产生和非线性波长转换,非线性光子晶体光纤可实现一种独特的定制色散图形和非常高的非线性系数的组合。例如: NL-PM-750 SC-5.0-1040 (PM)End-capping端帽SMALL END-CAPS小端帽用于所有的PCF光纤纯硅可选不同的直径和长度可选不同抛光角度小的端帽不仅可以保护光纤的微结构避免沾污和湿气,还可以在不改变N.A.的情况下降低输入和输出端的光束影响。S-end-cap S号端帽§ 端帽直径:125 μm§ 端帽长度:≤100 μm§ 抛光角度:0°§ 材料: 纯硅M-end-cap M号端帽§ 端帽直径:从125 μm 到 400 μm§ 端帽长度:≤400 μm§ 抛光角度:0°§ 材料: 纯硅L-end-cap L号端帽§ 端帽直径:从400 μm 到 1.5 mm§ 端帽长度: ≤1.5 mm§ 抛光角度:0°§ 材料: 纯硅端帽选配项目§ 抛光角度 (最大 12°) § 长度§ AR涂层* 特殊的端帽开发可与我们咨询5×5 MM END-CAPS 5×5 mm端帽用于高能量激光束用于LMA 或 DC 光纤锥形几何形状纯硅0°或 5°抛光角度,AR涂层这些端帽用于高能量系统。独特的几何形状可以可以实现光纤的紧密结合,从而提供了把他们容易的固定到支架上的可能性。规格§ 端帽直径: 5 mm§ 端帽长度: 5 mm§ 抛光角度: 5°或0°,AR@800-1300 nm§ 材料: 纯硅(其他AR涂层可与我们咨询)尺寸锥形端帽抛光0°,AR 涂层为800 nm - 1300 nm 锥形端帽抛光5° PCF connectors PCF接头FFC/PC connectorsFC/APC connectorsSMA connectorsSpecifications规格Standard end-cap diameterFiber clad diameterFiber clad diameterFiber clad diameterStandard end-cap length100 μm100 μm100 μmPower limitations500 mW injection loss500 mW injection loss500 mW injection lossFerrule typeCeramicCeramicMetallicFerrule diameter2.5 mm2.5 mm3.2 mmPolished angle0°8°0-12°Options选配项On-demand end-cap lengthFrom 20 μm - 400 μmFrom 20 μm - 400 μmFrom 20 μm - 400 μmOn-demand end-cap diameterFrom fiber size to 400 μmFrom fiber size to 400 μmFrom fiber size to 400 μmPM alignmentFast or slow axisFast or slow axisFast or slow axisDimensions尺寸 SMA-1 connectorsSMA-2 connectorsSMA-6 connectorsSMA-AF connectorsSpecificationsStandard end-cap diameterFiber clad diameterFiber clad diameterFiber clad diameterFiber clad diameterStandard end-cap length100 μm100 μm100 μm100 μmPower limitations1 W injection loss2 W injection loss6 W injection loss200 W injection lossFerrule typeMetallicMetallicMetallicMetallicFerrule diameter3.2 mm3.2 mm3.2 mm3.2 mmPolished angle0-12° ±10-12° ±10-12° ±10-12° ±1OptionsOn-demand end-cap lengthFrom 20 μm - 1.5 mmFrom 20 μm - 1.5 mmFrom 20 μm - 1.5 mmFrom 20 μm - 1.5 mmOn-demand end-cap diameterFrom fiber size to 1.5 mmFrom fiber size to 1.5 mmFrom fiber size to 1.5 mmFrom fiber size to 1.5 mmPM alignmentFast or slow axis
    留言咨询
  • 氧化镁(MgO)晶体基片 400-860-5168转2205
    产品名称:氧化镁(MgO)晶体基片产品简介:氧化镁(MgO)是极好的单晶基片而广泛应用于制作铁电薄膜、磁学薄膜、光电薄膜和高温超导薄膜等,由于它在微波波段的介电常数和损耗都很小,且能得到大面积的基片(直径2英吋及更大),所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。 可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。科晶公司用一种特殊的电弧法生长出高纯度的尺寸约2”x2”x 1”的低成本的MgO单晶,采用化学机械抛光制备出高质量原子级表面的基片。技术参数:晶体结构立方晶格常数a=4.216?生长方法电弧法熔点2850℃密度3.58g/cm3莫氏硬度5.5 Mohs热膨胀系数12.8×10-6/℃介电常数9.8光学透过 90% @ 200 ~ 400 nm 98 % 500 ~ 1000 nm晶体解理面100产品规格:100, 110, 111公差:+/-0.5度dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm单抛或双抛,(111 Ra15A,100和110 Ra5A)注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。标准包装:1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装 相关产品: LSAT LaAlO3MgO NdCaAlO4 NdGaO3SrTiO3SrLaAlO4SrLaGaO4 YSZ
    留言咨询
  • THz晶体MolTech(THz crystals)品牌: 德国MolTech关于德国Moltech公司: 德国Moltech公司位于柏林,专注于激光材料,激光介质,激光晶体,太赫兹晶体,法拉第隔离器的研发制作。Moltech公司的THz晶体广泛为中国的客户使用和好评。一、ZnGeP2晶体特点和应用 ZnGeP2(磷镓银)单晶有着最大的光学非线性系数和极高的激光损伤阈值,是用于中红外和太赫兹波段非常高效的非线性光学材料。ZGP晶体具有正双折射效应,因此它可以用于0.75-12μm波长范围的相位匹配频率转换。可以将1.06mm光与CO2激光混合,实现到近红外波段的上转换。 透过范围(μm) 0.75 – 12.0点群 42m密度(g/cm3) 4.12摩氏硬度 5.5反射系数  2.00 μm no = 3.1490 ne = 3.18894.00 μm no = 3.1223 ne = 3.16086.00 μm no = 3.1101 ne = 3.14808.00 μm no = 3.0961 ne = 3.135010.00 μm no = 3.0788 ne = 3.118312.00 μm no = 3.0552 ne = 3.0949非线性系数(pm/V) d36 = 68.9(10.6μm处),d36 = 75.0(9.6μm处)损伤阈值(MW/cm2) 60 (10.6μm,150ns)二、GaSe晶体特点和应用: GaSe(硒化镓)具有非线性系数大,损伤阈值高和透过范围宽三重优势,是一种非常适合作中红外光二次谐波的非线性光学单晶。 GaSe可以用于CO2激光器的倍频,上转换CO和CO2激光射线到可见范围。 GaSe还可以用于太赫兹射线的产生典型参数:透过范围(μm) 0.62 – 20点群 6m2密度(g/cm3) 5.03晶格参数 a = 3.74, c = 15.89 ?摩氏硬度 2反射系数  5.3 μm 处 no= 2.7233, ne= 2.396610.6 μm 处 no= 2.6975, ne= 2.3745非线性系数(pm/V) d22 = 54离散角 4.1°(5.3 μm)损伤阈值(MW/cm2) 28 (9.3 μm, 150 ns) 0.5 (10.6 μm, in CW mode) 30 (1.064 μm, 10 ns) 三、AgGaS2 ( AGS)晶体 AGS (硫镓银) 对于红外射线来讲,是一种非常高效的倍频晶体,尤其是10.6μm的CO2激光器, 虽然其非线性系数很低,但是它在550nm附近非常高的短波透过率在YAG泵浦的OPO有广泛应用,还可应用于中红外波段的混频系统波长范围从4.0到18.3 μm, 通过差频实现红外波段光输出。透过范围(μm) 0.47 - 13点群 4m2密度(g/cm3) 5.03晶格参数 a = 5.757, c = 10.311 ?摩氏硬度 3.0 - 3.5反射系数  5.3 μm no = 2.4521 ne = 2.39903.0 μm no = 2.4080 ne = 2.35455.3 μm no = 2.3945 ne = 2.340810.6 μm no = 2.3472 ne = 2.293412 μm no = 2.3266 ne = 2.271610.6 μm 处 no= 2.6975, ne= 2.3745非线性系数(pm/V) d36 = 12.5离散角 0.76° at 5.3 μm四、KTiOPO4(KTP)晶体 KTP(磷酸钛氧钾)是一种优质的非线性晶体,它光学质量高,透过范围宽,二次谐波转换效率是KDP的三倍以上,损伤阈值高,离散角小。KTP是倍频Nd:YAG激光器及其它掺钕激光器最合适也是应用最广泛的晶体。应用:l 1.064μm光的二倍频发生器l 近红外波段的光参振荡器l 近红外波段的差频发生器 五、THz晶体-GaAs/GaP/InP/InSb/InP: Fe/InP:Zn/GaAs:Te/GaAs:Zn 产品介绍:其中GaP(磷化镓)有一个能发出可见光的能代间隙,只不过它是间接能带半导体。当它同GaAs结合形成GaAs1-xPx合金时,就便成了既直接又具有发光能带间隙的物质了。GaP还可用于制作发光二极管,它能够发出绿光。 InP(磷化铟)主要应用于光纤通讯设备,尤其是半绝缘的InP晶片很可能成为光电二极管的主流产品,应用于高速通讯设备,其传输速度能达到40Gbps。InP还有望用于对传输速度要求更高的下一代移动电话中。参数:材料 InP InSb InP: Fe InP:Zn GaP GaAs:Te GaAs:Zn GaAs 多晶阻抗, omNaN 0.03 - 0.2 - 1x106 - 2x107 - - - - -直径 - - 1,011 - 1,2511 1,011 - 1,2511 - 12,511 1,511 -轴向 (100), (111) (100), (111) (100), (111) (100), (111) (100), (111) -100 - -载流子浓度, cm-3 (0.8 - 2.0) x 1015 (8 - 30) x 1013 - (0.2 - 1.0) x 1018 (4 - 6) x 1016 2 x 1017 1.0 x 1019 2 x 1015灵敏度, cm2/V.Sec 3500 - 4000 - - 50 -70 - 4500 - 5200生长技术 - 可参杂 - - 可参杂 - Cz Bridjman六、THz晶体-ZnTe/ZnS/ZnSe/CdxZn1-xTe/CdS/CdSe/CdTe/CdSSe/ZnCdS介绍:第二和第六周期元素形成的化合物ZnSe, ZnS, ZnTe, CdSe, CdS, CdTe, CdZnTe , CdSSe等均为宽带半导体。其中ZnTe,ZnS可利用全固态可调谐双波长光源在非线性晶体中二阶光学混频方法产生太赫兹光。CdxZn1-xTe(CZT/碲锌镉)半导体单晶是发展远红外,可见光,X-射线探测器,γ射线探测器的重要材料。CZT射线探测器具有吸收系数大,结构紧凑,室温操作等优点。而现在工业和医疗方面产用的高纯Ge和Si的探测器,只能工作在液氮温度下。CZT已经成为硬X射线和γ射线的一种关键技术。天文学方面用CZT阵列去研究宇宙中的高能γ射线源。七、碲化锌晶体(ZnTe)尺寸: 5 x 5 x 0.1 mm-20 x 20 x 10 mm各个尺寸晶向:110表面处理: 抛光、镀膜、非镀膜应用:THz探测、THz产生主要型号及尺寸列表:
    留言咨询
Instrument.com.cn Copyright©1999- 2023 ,All Rights Reserved版权所有,未经书面授权,页面内容不得以任何形式进行复制