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覆盖层测厚仪

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覆盖层测厚仪相关的耗材

  • 铁基涂层测厚仪,非铁基涂层测厚仪CM-8822
    铁基/非铁基涂层测厚仪CM-8822 一、应用概述 用磁性传感器测量钢、铁等铁磁质金属基体上的非铁磁性涂层、镀层,例如:漆、粉末、塑料、橡胶、合成材料、磷化层、铬、锌、铅、铝、锡、镉、瓷、珐琅、氧化层等。用涡流传感器测量铜、铝、锌、锡等基体上的珐琅、橡胶、油漆、塑料层等。广泛用于制造业、金属加工业、化工业、商检等检测领域。 二、功能参数 1、功能:测量导磁物体上的非导磁涂层和非磁性金属基体上的非导电覆盖层的厚度 2、测量范围:0-1000um/0-40mil (标准量程) 3、曲面不小于:F: 凸1.5mm/ 凹 25mm N: 凸 3mm/ 凹 50mm 4、分辨率:0.1/1 5、测量面积不小于:6mm 6、基底不小于:0.3mm 7、自动关机 8、使用环境:温度:0-40℃ 湿度:10-90%RH 9、准确度:±(1~3%n)或±2um 10、电源:4节5号电池 11、电池电压指示:低电压提示 12、外形尺寸:161×69×32mm 13、重量:210g(不含电池) 14、可选附件:可定制量程(大量程传感器)可选:0-200um to 18000um 铁基/非铁基涂层测厚仪CM-8822
  • MINITEST600-N 涂镀层测厚仪
    MINITEST600-N 涂镀层测厚仪 一、 MiniTest 600涂层测厚仪产品名录 MiniTest 600 系列涂层测厚仪产品主要包括两种小类型:MiniTest 600B和MiniTest 600,每种小类都可分为F型、N型、FN型三种,因此600系列测厚仪共有6种机型供选择。600B型与600型的最大区别就是600B是基本型,没有统计功能。 涂层测厚仪MiniTest600型号选择 MiniTest 600BF3(铁基体基本型,无统计功能和接口) MiniTest 600BN2(非铁基体基本型,无统计功能和接口) MMiniTest 600BFN2(两用基本型,无统计功能和接口) MiniTest 600F3(铁基体统计型) MiniTest 600N2(非铁基体统计型) MiniTest 600FN3(两用统计型) 二、 MiniTest 600涂层测厚仪的测量原理及应用 F型测头是根据磁感应原理设计的,主要测量钢铁基体上的非磁性涂镀层。例如:铝、铬、铜、锌、涂料、橡胶等,也适用于合金和硬质钢。 N型测头是根据电涡流原理设计的,主要测量非铁磁性金属和奥氏体不锈钢上的涂层。例如:铝、铜、铸锌件上的涂料、阳极氧化膜、陶瓷等。 FN型测头是同时利用磁感应原理和电涡流原理设计的,一个测头就可完成F型和N型两种测头所能完成的测量。 三、 MiniTest 600涂层测厚仪的测量中的相关注意事项 测量前一定要在表面曲率半径、基体材料、厚度、测量面积都与被测样本相同的无涂层的底材上较零,才可以保证测量的精确性; 每次测量之间间隔几秒钟以保证读数的准确性; 喷砂、喷丸表面上的涂层也可以测量,但要严格按照说明书的校准步骤进行校准; 不要用力拽或折测头线,以免线断; 严禁测量表面有酸、碱溶液或潮湿的产品,以免损坏测头; 测量时测头轴线一定要垂直于被测工作表面; 每次测量应有大于3秒的时间间隔。 四、 MiniTest 600涂层测厚仪的技术参数 测量范围 F型 0-3000um N型 0-2000um FN型(两用型) 0-3000um(F),0-2000um(N) 允许误差 ± 2um或± 2-4%读数 最小曲率半径 5mm(凸)、25mm(凹) 最小测量面积 &Phi 20mm 最小基体厚度 0.5mm(F型)、50um(N型) 测量单位 Um-mils可选 显示 4位LED数字显示 校准方式 标准校准、一点校准、二点校准、基础校准(华丰公司内) 统计数据 平均值、标准偏差、读数个数、最大值、最小值 接口 RS-232(不适合B型) 电源 2节5号碱性电池 仪器尺寸 64mmX115mmX25mm 测头尺寸 &Phi 15mmX62mm 五、 MiniTest 600涂层测厚仪的标准配置 主机和指定型号的测头一体; 5号碱性电池两节; 零板和厚度标准箔; 中英德文操作手册各一本; 六、 MiniTest 600涂层测厚仪的可选配置 便携箱; 橡胶套; 打印机MiniPrint 4100; RS-232数据接口电缆; 精密支架 数码显示器背光照明。 七、MiniTest 600涂层测厚仪的符合标准 DIN 50981,50982; ASTM B499,E367,D1186,B530,G12 BS5411 DIN EN ISO 2178,2361 八、 MiniTest 600涂层测厚仪的关于校准 标准校准:适合平整光滑的表面和大致的测量。 一点校准:置零,不用标准箔。用于允许误差不超过4%的场合。 两点校准:置零,用一片标准箔。用于误差范围在2-4%之间的测量 特殊的基础校准:此校准只能在华丰公司进行。 九、 MiniTest 600涂层测厚仪的一般维修 如果出现E03、E04、E05则一般要换探头系统+PCB板; 如果主板不上电,在排除电池原因后一般要更换主板或更换键盘; 测值不稳定,可认为探头系统频率不稳定,一般要更换探头系统; 在显示系统不能正常显示时,可更换显示系统; 更换电缆时,一定要保证电缆长度不小于1m;
  • 肖特DURAN包胶玻璃瓶,GLS80瓶盖
    透明玻璃瓶肖特DURAN包胶玻璃瓶GLS80瓶盖特性容易阅读的刻度便于标识的大标记区域标识区是经高温处理的白色陶瓷,持久耐用包括蓝色快速释放螺旋盖(PP,整体构成的边缘密封环)和倾倒环(PP)防止倾倒时的漏出,提供清洁和安全的工作盖和倾倒环最高使用温度:140°C氨纶(PU)塑料覆盖层使用温度从-30°C至+135°C覆盖层提供刮坏,泄漏和打破时的碎片保护防护波长至大约380nm的紫外线高透明度适合微波炉加热规格产品批次标识可高温高压消毒玻璃类型对应 USP, EP 和JP 指导方针欧盟设计商标订购信息2186536250ml玻璃瓶,透明,镀膜(PU),有刻度,GLS80,带螺旋盖和倾倒环(PP),DURAN1160152500ml玻璃瓶,透明,镀膜(PU),有刻度,GLS80,带螺旋盖和倾倒环(PP),DURAN11601631000ml玻璃瓶,透明,镀膜(PU),有刻度,GLS80,带螺旋盖和倾倒环(PP),DURAN11601642000ml玻璃瓶,透明,镀膜(PU),有刻度,GLS80,带螺旋盖和倾倒环(PP),DURAN21865693500ml玻璃瓶,透明,镀膜(PU),有刻度,GLS80,带螺旋盖和倾倒环(PP),DURAN11601655000ml玻璃瓶,透明,镀膜(PU),有刻度,GLS80,带螺旋盖和倾倒环(PP),DURAN
  • PosiTest DFT 测厚仪
    PosiTest DFT 测厚仪 以下行业使用效果理想 粉末涂料 涂装员 涂层检测员 涂装承包商 汽车修补行业 2种型号&hellip Ferrous (F型针对铁性基材) Combo(复合型针对所有金属基材) 就是测量 PosiTest DFT 涂层测厚仪 两款型号 PosiTest DFT Ferrous: 测量铁性基材(钢和铸铁)上的非磁性涂层 PosiTest DFT Combo: 测量铁性基材(钢和铸铁)上的非磁性涂层和有色金属(铜,铝等)上绝缘涂层。测量时自动分辩底材。 仪器特点 测量快速,重复性好 大部分材料上无需校准 调零功能可应用在粗糙不平的表面及曲面上 无法调零时可使用方便的重启功能 坚固耐磨损的红宝石探头 测量时听觉和视觉的双重指示 探头上的 V 型槽方便测量圆柱型表面 密尔 / 微米单位转换 每个仪器的背面都有基本的操作说明 仪器规格 测量范围 0 - 40 mils 0 - 1000 um 精 度 ± ( 0.1mils + 3%) ± ( 2um + 3%) 尺 寸 4 × 1.5 × 0.9 in 100 × 38 × 23mm 重 量 2.5 oz 70 g 仪器包括 内置探头,标准塑料片,坚固的存放盒,1 x AAA 电池,说明书 和 一年质保 符合以下标准: ISO2178 / 2360 / 2308 prEN ISO19840 ASTM B244 / B499 / B659 / D1186 / D1400 / E376 / G12 S3900-C5 SSPC-PA2 及其他。
  • 肖特Duran 玻璃瓶, GL45型号/容量一览表
    肖特Duran玻璃瓶,GL45型号/容量一览表肖特 Duran 透明玻璃瓶,圆形 标准特性:容易阅读的刻度便于标识的大标记区域标识区经高温处理的白色陶瓷,持久耐用经验证的Schott Duran 特性不同类别玻璃瓶的附加特性:棕色玻璃瓶,圆形防护波长至500nm的紫外线瓶内Schott Duran 特性不变,仅在外表着色革新技术使棕色表面颜色非常一致,耐用,有抗化学物能力包胶透明玻璃瓶,圆形氨纶(PU)塑料覆盖层使用温度从-30° C至+135° C覆盖层提供刮坏,泄漏和打破时的碎片保护防护波长至大约380nm的紫外线高透明度适合微波炉加热透明/棕色耐压玻璃瓶,圆形耐压能力符合DIN ISO 1595GS标志确认(TÜ V ID:0000020716)真空和压力范围从-1 至+1.5 bar(基于 ISO 4796-1)当加压时适用:抗热震性30° C和最高使用温度140° C蓝色刻度提供与标准玻璃瓶的视觉分异特级透明玻璃瓶,圆形包括无色TpCh260材料螺旋盖和倾倒环,盖有PTFE涂层硅胶密封垫 TpCh260材料盖和倾倒环使用温度范围从-196° C至+260° C TÜ V测试抗热震性160° C GS标志确认(TÜ V ID:0000020716) 整个系统,包括瓶身,螺旋盖和倾倒环遵从USP/FDA 刻度准确性± 5% 附加的刻度线和反向容量刻度,方便读取数值 透明玻璃瓶,方形 包括蓝色螺旋盖(PP)和倾倒环(PP)防止倾倒时的漏出,提供清洁和安全的工作 盖和倾倒环最高使用温度:140° C 人体工学设计的瘦削外形,高稳定性,优良的叠放能力 与标准玻璃瓶相比节省44%的空间(以100ml为例)
  • 光学薄膜测厚仪配件
    教学型光学薄膜测厚仪配件是一款低价台式光学薄膜厚度测量仪,可测量薄膜厚度,薄膜的吸收率/透过率,薄膜反射率,荧光等,也可测量膜层的厚度,光学常量(折射率n和k)。光学薄膜测厚仪配件基于白光反射光谱技术,膜层的表面和底面反射的光VIS/NIR光谱,也是干涉型号被嵌入的光谱仪收集分析,结合多次反射原理,给出膜层的厚度和光学常数(n,k),到货即可使用,仅仅需要用户准备一台计算机提供USB接口即可,操作非常方便。光学薄膜测厚仪配件参数 可测膜厚: 100nm-30微米;波长范围: 300-1000nm 探测器:650像素Si CCD阵列,12bit A/D精度:1%斑点大小:0.5mm 光源:钨灯-汞灯(360-2000nm)所测样品大小:10-150mm, 计算机要求:Windows XP, vista, Win7均可,USB接口;尺寸:320x360x180mm 重量:9.2kg光学薄膜测厚仪配件应用用于薄膜吸收率,透过率和荧光测量,用于化学和生物薄膜测量,传感测量用于光电子薄膜结构测量 用于半导体制造用于聚合物薄膜测量 在线薄膜测量用于光学镀膜测量
  • 手持式薄膜测厚仪配件
    手持式薄膜测厚仪配件是全球首款便携式光学薄膜厚度测量仪,可测量透明或半透明单层薄膜或膜系的薄膜厚度,薄膜的吸收率/透过率,薄膜反射率,荧光等。手持式薄膜测厚仪可测量膜层的厚度,光学常量(折射率n和k),薄膜厚度测量范围为350-1000nm,不需要电线连接,也不需要实验室安装空间,它从USB连接中获取工作电源,这种独特设计方便客户移动测量,只需USB线缆从计算机控制测量即可,采用全球领先的3648像素和16bit的光谱仪,具有超高稳定性的LED和荧光灯混合光源,光源寿命高达20000小时,手持式薄膜测厚仪配件特色USB接口供电,不需要额外的线缆供电超级便携方便现场使用超低价格手持式薄膜测厚仪配件参数 可测膜厚: 15nm-90微米;波长范围: 360-1050nm 探测器:3648像素Si CCD阵列,16bit A/D精度:1nm 斑点大小:0.5mm 光源:LED混合光源( 360-1050nm )所测样品大小:10-150mm, 计算机要求:Windows XP, vista, Win7均可,USB接口;尺寸:300x110x500mm 重量:600克手持式薄膜测厚仪配件应用用于薄膜吸收率,透过率和荧光测量,用于化学和生物薄膜测量,传感测量用于光电子薄膜结构测量 用于半导体制造用于聚合物薄膜测量 在线薄膜测量用于光学镀膜测量
  • PosiTector 6000型测厚仪
    PosiTector 6000型 测厚仪,适用于金属基材 大型易读液晶显示,菜单式使用者界面 即时自动设定 3键式操作 自动关机,连体探头式,还可自动开机 平均置零,利于在粗糙面上置零 重置功能可迅速将测厚仪还原到出厂状态 仪器背面有简要说明 耐 用 耐磨的蓝宝石探头 耐酸、耐油、耐溶剂、 防尘、防水 读数不受振动影响 一年保修期 精 确 每台仪器都有校准证书,符合NIST标准 可达到极高的精度(请参阅背页的订货指面) 可提供校准程序和标准板 符合美国和国际标准 性能卓越 密耳/微米/毫米(Mils/Microns/mm)单位转换 易于调整到任意已知厚度 多种探头 多国显示语文: 英文、西班牙文、法文、德文、葡萄牙文、意大利文、日文、中文背景发亮的显示屏,在黑暗的环境使用更觉方便 灯光提示: 便于在嘈杂的环境中确定已获得测量结果。 反转显示:独有的反转显示,无论手持测厚仪还是放置在工作台上,阅读都很方便。 连体探头: 便于单手操作 标准型(1)具有左边所列的所有特点。 统计型(2)具有标准型所有功能,且读数超出设定范围时有声光提示。 测量时不断更新和显示平均值、标准偏差、最大/最小厚度值及测量次数 HI-RES模式:高精度测量时可增加读数分辨率 可设定内部自动关机时间 储存多至250个读数 内置红外线界面,可打印至廉价的无线红外打印机 分离探头 各款探头可互,提供更多样化的测试。 标准版 可在多种不同厚度上验证仪器 出自NIST的标准 包含有校准证书 配备安全、方便的贮存袋 记 忆 远红外打印机和PosiSoft软件只在记忆型中可用。 建立/注释/编辑分组、零件、操作者、应用名称等可存入仪器记忆中。 存贮达16000个数据,可分为最多1000组 配备RS-232连线可将数据输入Windows平台的电脑,串行打印机或数据收集仪等。 奉送PosiSoft分析软件,在Windows平台的电脑上运行。 内置式远红外打印接口接打印机。 PosiSoft 软件-在 Windows 上运行,功能强大,易学易用。当选择记忆型时,软件无需额外费用,随机奉送。 从PosiTector 100型读取数据容易。 用该仪器及可修改电脑用户、零件分组及建立说明、解释等。 显示、资料、图形数据等可达5层膜厚。 图表可表示单个涂层也可显示总厚度。 可打印基本图表及柱形图。 提供数据和时间资料。 使用一般格式如ASCⅡ可将数据存入电脑。 理想的涂层厚度监控及分析应用软件。 记忆型 (3) 具有 (1) 和 (2) 型功能,且 储存10000个读数,可分成200组 SSPC PA-2功能,计算一组平均读数的平均值 读数可即时输出,也可先行储存待日后处理 提供用于Windows环境的PosiSoft统计分析软件 提供RS-232串行线,用于向个人电脑、串行打印机或数据采集器输送数据 可储存多种不同较准数据以配合测量各款不同基材 储存在记忆里的各组读数,可再分细组、查阅、更新或删除 ] 内置时钟,每个储存的读数均加上日期和时间标签 PosiSoft for Windows 功能强大 使用简单 订购记忆型(3)随机附送 易于从仪器收集数据 可输入提示说明 显示和打印图表 使用通用格式储存数据如ASCII码 方便监视和分析膜层厚度支援多种语文 分离探头 各款分离探头可互换 每个分离探头均附可追溯至NIST的证书 镀金的耐用带锁接头适用于工业环境 优质柔性防破损连线 加长线(可达75米)便于远程测量 所有标准探头均可在水下使用 所有恒压探头均采用V型槽和倒角定位便于测量管子里外 微型探头(铁性基材或有色金属)用于细小及难到达的表面,有0o 、45° o、90° o三种配置各种不同的探头可适用极广的应用范围° 可拆卸的辅助器 微型探头转换为恒压° 可将0 探头,测量细小的平面或曲面 无线打印机 (2) 型或 (3) 型机无须接头或连线便可将数据传递给红外线打印机 ( 电池驱动 / 谦价的选购件 ) 独特的复合型(FN)探头 不须更换探头可测量所有金属表面 自动识别铁/有色金属表面 减少误操作影响 可测量钢上的镀锌层,铝上的氧化膜,金属上的涂层、钢上的铬层等等。 特有的&ldquo N-LOCK&rdquo 功能可测量略带磁性基材,如镀镍的铜基材镀金层上的透明涂层 提供连体探头和分离探头配置 测量粉末涂层的理想之选 记忆型(3)仪器,在分组模式下的显示样本 测量读数可分 ( 至 200) 组 Batch1 Cal n50 21.00x 3.61 &sigma 42.0x 20.1 &darr F 20.1 显示 铁/有色金属基材 多用途: 从微小元件的薄镀层、、、、到大尺寸的厚涂膜 探头/ 部件固定基座、、、确保测试零部件时,可准确的重覆定位 双重用途探头盖 连体探头型号的探头保护盖带有 V 型槽 , 在敞开时使仪器测量时更为稳定。 &larr 多个基材较准资料 &larr 即时统计资料 &larr 字体大,醒目的测量读数 订货指南 探头(每个仪器仅带一个探头,需要额外探头需另行购买) 大量程 NHS 大量程 FHS 所有仪器包括 : 有皮带扣的、标准塑料片、3节AAA电池、使用说明书、手带(只限连体探头型号)、证书(NIST)、一年期保修。 记忆型( 3) 还包括 : 用于Windows平台的统计及分析软件PosiSoft,RS-232接线及携带箱。 加长线(可达 75m/250ft )适于水下或远程测量,请在订货时注明。 尺寸 : 147x61x5mm(5.8x2.4x1寸) 重量 (不带电池): 170g(6盎士) 符合以下标准 : ISO 2178 /2360 / 2808 prEN ISO 19840, ASTM B499 /D1186 /D1400 BS3900 Part C5 SSPC-PA2及其他.
  • 肖特DURAN包胶玻璃瓶,GL45瓶盖
    包胶玻璃瓶肖特DURAN包胶玻璃瓶GL45瓶盖特性容易阅读的刻度便于标识的大标记区域标识区是经高温处理的白色陶瓷,持久耐用氨纶(PU)塑料覆盖层使用温度从-30°C至+135°C覆盖层提供刮坏,泄漏和打破时的碎片保护防护波长至大约380nm的紫外线高透明度适合微波炉加热瓶盖资料,请参阅瓶盖目录规格ISO4791-1产品批次标识可高温高压消毒玻璃类型对应 USP, EP 和 JP 指导方针订购信息218050810ml玻璃瓶,透明,镀膜(PU),有刻度,GL25,没有螺旋盖,DURAN109267625ml玻璃瓶,透明,镀膜(PU),有刻度,GL25,没有螺旋盖,DURAN109267750ml玻璃瓶,透明,镀膜(PU),有刻度,GL32,没有螺旋盖和倾倒环,DURAN2180524100ml玻璃瓶,透明,镀膜(PU),有刻度,GL45,没有螺旋盖和倾倒环,DURAN2180529150ml玻璃瓶,透明,镀膜(PU),有刻度,GL45,没有螺旋盖和倾倒环,DURAN2180536250ml玻璃瓶,透明,镀膜(PU),有刻度,GL45,没有螺旋盖和倾倒环,DURAN2180544500ml玻璃瓶,透明,镀膜(PU),有刻度,GL45,没有螺旋盖和倾倒环,DURAN2180551750ml玻璃瓶,透明,镀膜(PU),有刻度,GL45,没有螺旋盖和倾倒环,DURAN21805541000ml玻璃瓶,透明,镀膜(PU),有刻度,GL45,没有螺旋盖和倾倒环,DURAN21805632000ml玻璃瓶,透明,镀膜(PU),有刻度,GL45,没有螺旋盖和倾倒环,DURAN21805693500ml玻璃瓶,透明,镀膜(PU),有刻度,GL45,没有螺旋盖和倾倒环,DURAN21805735000ml玻璃瓶,透明,镀膜(PU),有刻度,GL45,没有螺旋盖和倾倒环,DURAN218058610000ml玻璃瓶,透明,镀膜(PU),有刻度,GL45,没有螺旋盖和倾倒环,DURAN218058815000ml玻璃瓶,透明,镀膜(PU),有刻度,GL45,没有螺旋盖和倾倒环,DURAN
  • TT30超声波测厚仪
    TT30超声波测厚仪 TT30超声波测厚仪 超声波测厚仪TT300 超声波测厚仪TT300(智能标准型,TT300超声波测厚仪是智能标准型超声波测厚仪超声波测厚仪TT300采用超声波测量原理,TT300超声波测厚仪适用于能使超声波以一恒定速度在其内部传播,TT300超声波测厚仪并能从其背面得到反射的各种材料厚度的测量。TT300超声波测厚仪可对各种板材和各种加工零件作精确测量,另一重要方面是可以对生产设备中各种管道和压力容器进行监测,监测它们在使用过程中受腐蚀后的减薄程度。可广泛应用于石油、化工、冶金、造船、航空、航天等各个领域。超声波测厚仪TT300基本原理  超声波测量厚度的原理与光波测量原理相似,探头发射的超声波脉冲到达被测物体并在物体中传播,到达材料分界面时被反射回探头,通过精确测量超声波在材料中传播的时间来确定被测材料的厚度。 超声波测厚仪TT300性能指标  测量范围: 0.75mm~300.0mm   显示分辨率:0.1/0.01mm(可选)  测量精度:± (1%H+0.1)mm H为被测物实际厚度   管材测量下限(钢):&Phi 15mm× 2.0mm   最小厚度值捕捉模式:可选择显示当前厚度值或最小厚度值  数据输出:RS232接口,可与TA220S微型打印机或PC连接  数据存储:可存储500个测量值和五个声速值  报警功能:可设置限界,对限界外的测量值能自动蜂鸣报警  使用环境温度:不超过60℃   电源:二节AA型1.5V碱性电池  工作时间:可达100小时  外形尺寸:152mm× 74 mm× 35 mm   重量:370g
  • 聚合物薄膜测厚仪配件
    聚合物薄膜测厚仪配件用于测量聚合物薄膜、有机薄膜、高分子薄膜和 光致抗蚀剂薄膜, 光刻胶膜,光刻薄膜,光阻膜在加热或制冷情况下薄膜厚度和光学常量(n, k)的变化。为了这种特色的测量,孚光精仪公司特意研发了专业的软件和算法,使得该聚合物薄膜测厚仪能够给出薄膜的物理化学指标:例如玻璃化转变温度 glass transition temperature (Tg),热分解温度,薄膜的厚度测量范围也高达10nm--100微米。聚合物薄膜测厚仪配件在传统薄膜测厚仪的基础上添加了加热/制冷的温度控制单元,使用白光反射光谱技术(WLRS),实时测量薄膜厚度和折射率,并通过专业软件记录下这些数据,能够快速实时给出薄膜厚度和薄膜光学常量等物理化学性能数据,并且能够控制薄膜加热和制冷的速度,是聚合物薄膜特性深入研究的理想工具。干膜测厚仪所使用的软件也适合薄膜的其他热性能研究,例如:薄膜的热消融/热剥蚀thermal ablation研究,薄膜光学性质随温度的变化,薄膜预烘烤Post Apply Bake,光刻过程后烘烤 Post Exposure Bake对薄膜厚度的损失等诸多研究。对于薄膜的厚度测量,这款聚合物薄膜测厚仪,薄膜热特性测厚仪要求薄膜衬底是透明的,背面是不反射的。它能够处理最高4层薄膜的膜堆layer stacks,给出两个参数:例如两个薄膜的厚度或一个薄膜的厚度和光学常量。这套聚合物薄膜测厚仪,薄膜热特性测厚仪已经成功应用于测量不同聚合物薄膜的热性能,光刻薄膜的热处理影响分析,Si晶圆wafer上的光致抗蚀剂薄膜分析等。聚合物薄膜测厚仪配件参数 可测膜厚: 5nm-150微米;波长范围:200-1100nm 精度:0.5%分辨率:0.02nm 测量点光斑大小:0.5mm可测样品大小:10-100mm计算机要求:Windows XP, vista, Win7均可,USB接口;尺寸:360x400x180mm重量:13.5kg 电力要求:110/230VAC聚合物薄膜测厚仪配件应用聚合物薄膜测量光致抗蚀剂薄膜测量化学和生物薄膜测量,传感测量光电子薄膜结构测量 半导体薄膜厚度测量在线测量光学镀膜测量聚合物薄膜厚度测量polymer films测量测量有机薄膜厚度测量光致抗蚀剂薄膜测光刻胶膜测厚测量光刻薄膜厚度测量光阻薄膜测厚测量光阻膜厚度
  • 超声波测厚仪DM4
    超声波测厚仪DM4 Krautkramer超声波测厚仪DM4系列,小巧轻便,操作简单,功能卓越。其中DM4测厚仪和DM4DL测厚仪特有的DUAL-MULTI模式--即测量穿过涂层的操作模式,在被测物表面有油漆时,无需去除油漆而测量材料的净厚度。 基本型-DM4E超声波测厚仪 - 可配标准、超厚、超薄和高温探头 - 自动探头识别、V声程校正、零位校正 - 带最小读数显示和存储的最小测量模式 标准型-DM4超声波测厚仪 在DM4E测厚仪基础上附加以下功能 - 穿过涂层测量厚度的操作模式 - 在不同模式的壁厚测量 - 极值LED报警 存储型-DM4DL超声波测厚仪 在DM4测厚仪基础上附加以下功能 - 数据记录仪可存储5390个数据 - RS232接口可接打印机和计算机 超声波测厚仪DM4E/DM4/DM4DL技术参数 测量范围 分辨率 声速 测量刷新速率 显示 存储 接口 电源 操作温度 尺寸 重量 0.6~300mm(铁) 小于99.99mm时为0.01mm;大于99.99mm时为0.1mm; 1000~9999m/s 标准4Hz,最小测量模式时为25Hz 4位LCD背光数显 5390个读数(只适用于DM4DL) RS232接口(只适用于DM4DL) 两节5号电池,无背光时可使用200小时 -10~50℃ 146x76x34mm 255g 超声波测厚仪DM4E/DM4/DM4DL常用探头技术数据 名称 型号 测量范围 频率 探头接 触直径 工作温度 测量最小 钢管直径 探头线型号 标准探头 DA301 1.2~200mm 5MHz 12.1mm -20~60℃ 25mm DA231 超厚探头 DA303 5.0~300mm 2MHz 16.2mm -20~60℃ 127mm DA231 超薄探头 DA312 0.6~50mm 10MHz 7.5mm -20~60℃ 20mm DA235 超薄探头 DA312B16 0.7~12mm 10MHz 3.0mm -20~60℃ 15mm 自带导线 高温探头 DA305 4.0~60mm 5MHz 16.2mm 10~600℃ DA235 高温探头 HT400 1.0~254mm 5MHz 12.7mm 10~540℃ 50mm KBA535 注: 所示温度为厂家理想状态试验所得,实际温度会低于此温度。注意高温耦合剂的正确使用方法。 测试高温表面时需用高温耦合剂。 标准配置 主机 DA301探头 DA231导线 耦合剂 两节5号电池 仪器软包 中英文说明书 仪器箱
  • DM4超声波测厚仪
    德国K.K超声波测厚仪DM4的具体介绍: 德国K.K(KrautKramer)公司超声波测厚仪DM4系列,小巧轻便,操作简单,功能卓越。其中DM4和DDSM4DL特有的DUAL-MULTI模式--即测量穿过涂层的操作模式,在被测物表面有油漆时,无需去除油漆而测量材料的净厚度。 DM4E基本型29000元 德国产品,质量保证 可配标准、超厚、超薄和高温探头自动探头识别、V声程校正、零位校正带最小读数显示和存储的最小测量模式 DM4标准型附加功能31000元 测量穿过涂层厚度的操作模式在不同模式的壁厚测量极值LED报警 DM4DL存储型附加功能39000元 数据记录仪可存储5390个数据RS232接口可接打印机和计算机 德国K.K超声波测厚仪DM4系列技术参数:   测量范围 0.6~300mm(铁) 分辨率 小于99.99mm时为0.01mm;大于99.99mm时为0.1mm; 声速 1000~9999m/s 声速 标准4Hz,最小测量模式时为25Hz 显示 4位LCD背光数显 存储 5390个读数(只适用于DM4DL) 接口 RS232接口(只适用于DM4DL) 电源 两节5号电池,无背光时可使用200小时 操作温度 -10~50℃ 尺寸 146× 76× 34mm 重量 255g 德国K.KDM4超声波测厚仪系列探头参数 名称 型号 测量范围 频率 探头接触直径 工作温度 使用探头导线型号 标准探头 DA301 1.2-200mm 5MHz 12.1mm 60℃ DA231 超厚探头 DA303 5.0-300mm 2MHz 16.2mm 60℃ DA231 超薄探头 DA312 0.6-50mm 10MHz 7.5mm 60℃ DA235 超薄探头 DA312B16 0.7-12mm 10MHz 3.0mm 60℃ 自带导线 高温探头 DA305 4.0-60mm 5MHz 16.2mm 600℃* DA235 高温探头 HT400 1.0-254mm 5MHz 12.7mm 540℃* KBA535
  • PosiTector 200型 测厚仪
    PosiTector 200型 测厚仪,适用于木材、混凝土、塑料等基材 用于测量木材、混凝土、塑料等基材上涂层厚度。 高级型:最多测量3层并带有图形显示 应用成熟的超声波技术在许多行业无损测量涂层厚度,如混凝土、木材、复合材料等 价格低廉 使用简单 非破坏性 PosiTector 200 超声波测厚仪使用简单,价格低廉而且是非破坏性。可用于测量木材,混凝土及其它基材上涂层厚度。 简 单 直接测量,测量大多数涂层时无需调校 菜单操作 双色指示灯,适于嘈杂环境 重置功能可以即时恢复出厂设置 耐 用 耐溶剂、酸、油、水和灰尘,防护等级满足或超出IP5X 显示屏耐划伤/溶剂,适用于恶劣环境 防震保护橡胶皮套,带皮带夹 主机与探头两年保修 精 确 灵敏传感器,使测量迅速且准确(最多40个读数/分钟) 成熟的无损超声波技术,符合ASTM D6132与ISO 2808标准 校准证书可追溯NIST 多种功能 连续显示/更新平均值、标准偏差和测量次数 内部存储最多10000个数据,最多可分1000组 内置时钟可对存储的结果标注时间、日期 输出提供USB、红外和串行接口,可与打印机和电脑进行简单通讯 背光显示,可用于阴暗环境 英制/公制两种单位,可相互转换 多种显示语文选择 可选配件 - 标准片&mdash &mdash 符合 ISO 和其它质量标准 - PosiSoft 分析软件: 可以输入注释 可以打印和显示基本的数据分布图和直方图 可以输出到一个文件或试算表中 提供连接打印机和计算机的数据线 红外打印机 - 使用电池和红外线接收数据 整套包括 耐用的携带,3节AAA电池、说明书、具有NIST可追朔性的校准证书,保修一年。 尺寸: 146 x 64 x 31mm 重量: 105g(不含电池) 1. 阅读容易,防划花,液晶显示 2. 指示灯在噪音环境中,方便确认读数 3. 红外线接口用于无线打印 4. RS232 接口用于下载 5. 坚固外壳,耐溶剂、酸、油、水和灰尘 6. 压力恒定,探头测量面为塑料,不会划伤测量面 7. 舒适把手,减少操作人员的疲劳 8. 柔软连接线 技术参数 B/标准 B/高级 C/标准 C/高级 量 程 13-1000um 0.5-40mils 25-1000um 分辨率 0.1mils 2um 精度 ± 0.1mils + 3% 读数 ± 2um +3% 读数 测量速度 45 读数 / 分钟
  • SUPELCOGEL ODP-50 液相色谱柱 59307-U
    产品特点:SUPELCOGEL ODP-50 液相色谱柱性能:PackingComposition : polyvinylalcohol polymer, sphericalFunctional Groups: C18Particle Size: 5μmPore Size: 250ASurface Area: 150m2/gpH: 2-1317.0% CARBON)树脂基质的 SUPELCOGEL ODP-50 色谱柱的色谱性能与硅胶基质 C18 反相色谱柱相似,但允许在更高的 pH 条件下使用(推荐 pH 范围是 2-13)。十八烷官能基团以共价键的形式与 5μm 聚乙烯醇聚合物微球上的羟基结合,形成高密度的 C18 覆盖层(17% 碳)。即使在高 pH 下,其分离特性也与常规 C18 反相色谱柱相似。用于生产 SUPELCOGEL ODP-50 微粒的工艺经过改进,可确保色谱柱能够获得可与硅胶基质填料相匹敌的高柱效和机械稳定性。订购信息:SUPELCOGEL ODP-50 HPLC 色谱柱 粒径长度X内径(cm x mm)货号5μm15 x 4.059307-U
  • SUPELCOGEL ODP-50 液相色谱柱 59307-U
    SUPELCOGEL ODP-50 液相色谱柱性能:PackingComposition : polyvinylalcohol polymer, sphericalFunctional Groups: C18Particle Size: 5μmPore Size: 250ASurface Area: 150m2/gpH: 2-1317.0% CARBON)树脂基质的 SUPELCOGEL ODP-50 色谱柱的色谱性能与硅胶基质 C18 反相色谱柱相似,但允许在更高的 pH 条件下使用(推荐 pH 范围是 2-13)。十八烷官能基团以共价键的形式与 5μm 聚乙烯醇聚合物微球上的羟基结合,形成高密度的 C18 覆盖层(17% 碳)。即使在高 pH 下,其分离特性也与常规 C18 反相色谱柱相似。用于生产 SUPELCOGEL ODP-50 微粒的工艺经过改进,可确保色谱柱能够获得可与硅胶基质填料相匹敌的高柱效和机械稳定性。SUPELCOGEL ODP-50 HPLC 色谱柱订货信息:粒径长度X内径(cm x mm)货号5μm15 x 4.059307-U
  • SKCH-1(A)精密测厚仪
    SKCH-1(A)精密测厚仪是一种结构简单、价格低廉、高精度的测量装置,主要用于各类材料厚度的精密测量,也可用于其它物品的高度与厚度测量。主要特点 1、采用精密花岗岩工作平台,精度等级为“00”级。2、千分表精度等级为一级。技术参数测量精度:0.001mm 产品规格尺寸:200mm×150mm×320mm
  • 瑞美RM300EC/瑞美RM310EC测厚仪X射线总成
    Thermo Fisher瑞美RM300EC/瑞美RM310EC 涂层测厚仪专用X射线总成,西安威思曼高压电源有限公司推出,欢迎垂询。“冷”端涂层重量测量仪(是安装在镀锌线的出口处)能够对钢带的金属涂层(涂层成分:锌,锌/镍,锌/铝,铝,锡,铅)重量进行精准、快速及无接触式地凸度测量。这类型的重量仪也可与“热”端涂层重量仪配合起来一起使用构成一个综合的自动控制系统。 有关威思曼及其更多高压产品的信息,请致电 086-029-33693480或访问其网站: www.wismanhv.com  威思曼高压电源有限公司,通过ISO9000:2008质量体系认证,公司拥有出色的高压电源研发团队,完善的高压电源研发软件和测试软件。全球领先的高电压绝缘技术,完善的零电流谐振技术,使威思曼高压电源始终保持高稳定性、低纹波、低电磁干扰、体积小,损耗小,效率高,长寿命。威思曼高压电源价格有竞争力,是OEM应用的理想选择。   威思曼高压电源有限公司是世界具有领导地位直流高压电源和一体化X射线源供应商,同时提供标准化产品和定制设计服务。产品广泛应用于医疗,工业,半导体,安全,分析仪器,实验室以及海底光纤等设备。集设计,生产和服务为一体的工厂分布于美国,英国,及中国等地,并且我们销售中心遍布于欧洲,北美洲以及亚洲,我们将竭诚为您服务!
  • 基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的单层二硒化锡
    This product contains full area coverage SnSe2 monolayers on c-cut sapphire substrates. Sample size measures 1cm in size and the entire sample surface contains monolayer thick SnSe2 sheet. Synthesized full area coverage monolayer SnSe2 is highly crystalline, some regions also display significant crystalline anisotropy.Sample Properties.Sample size1cm x 1cm square shapedSubstrate typeSapphire c-cut (0001) CoverageFull monolayer coverageElectrical properties 1.5 eV Indirect Gap SemiconductorCrystal structureHexagonal PhaseUnit cell parametersa = b = 0.380, c = 0.612 nm,α = β = 90°, γ = 120°Production method Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD)Characterization methodsRaman, angle resolved Raman spectroscopy,photoluminescence, absorption spectroscopy TEM, EDSSpecifications 1) Identification. Full coverage 100% monolayer SnSe2 uniformly covered across c-cut sapphire2) Physical dimensions. One centimeter in size. Larger sizes up to 2-inch wafer-scale available upon requests.3) Smoothness. Atomically smooth surface with roughness 0.15 nm.4) Uniformity. Highly uniform surface morphology. SnSe2 monolayers uniformly cover across the sample. 5) Purity. 99.9995% purity as determined by nano-SIMS measurements6) Reliability. Repeatable Raman and photoluminescence response7) Crystallinity. High crystalline quality, Raman response, and photoluminescence emission comparable to single crystalline monolayer flakes.8) Substrate. c-cut Sapphire but our research and development team can transfer SnSe2 monolayers onto variety of substrates including PET, quartz, and SiO2/Si without significant compromisation of material quality.9) Defect profile. SnSe2 monolayers do not contain intentional dopants or defects. However, our technical staff can produce defected SnSe2 using α-bombardment technique. Supporting datasets [for 100% Full area SnSe2 monolayers on c-cut Sapphire] Transmission electron images (TEM) acquired from CVD grown full area coverage SnSe2 monolayers on c-cut sapphire confirming high crystallinityEnergy dispersive X-ray spectroscopy (EDX) characterization on CVD grown full area coverage monolayer SnSe2 on c-cut sapphire Raman spectroscopy measurement confirm monolayer nature of the CVD grown samples and shows the high crystallinity of the CVD samples. PL spectrum does not show any PL signal due to indirect band nature.
  • 基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的少层二硒化铂
    This product contains full area coverage PtSe2 layers (single/multi) on c-cut sapphire substrates. Sample size measures 1cm in size and the entire sample surface contains PtSe2 sheets. Synthesized full area coverage PtSe2 is highly crystalline, some regions also display significant crystalline anisotropy.Sample Properties.Sample size1cm x 1cm square shapedSubstrate typeSapphire c-cut (0001)CoverageFull coverage (mostly few-layers)Electrical properties Semi-metalCrystal structure Hexagonal PhaseUnit cell parametersa = b = 0.372 nm, c = 0.508 nm,α = β = 90°, γ = 120°Production methodLow Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD)Characterization methodsRaman, angle resolved Raman spectroscopy,photoluminescence, absorption spectroscopy TEM, EDSSpecifications1) Identification. Full coverage 100% monolayer PtSe2 uniformly covered across c-cut sapphire2) Physical dimensions. One centimeter in size. Larger sizes up to 2-inch wafer-scale available upon requests.3) Smoothness. Atomically smooth surface with roughness 0.15 nm.4) Uniformity. Highly uniform surface morphology. PtSe2 monolayers uniformly cover across the sample. 5) Purity. 99.9995% purity as determined by nano-SIMS measurements6) Reliability. Repeatable Raman and photoluminescence response7) Crystallinity. High crystalline quality, Raman response, and photoluminescence emission comparable to single crystalline monolayer flakes.8) Substrate. c-cut Sapphire but our research and development team can transfer PtSe2 monolayers onto variety of substrates including PET, quartz, and SiO2/Si without significant compromisation of material quality.9) Defect profile. PtSe2 monolayers do not contain intentional dopants or defects. However, our technical staff can produce defected PtSe2 using α-bombardment technique.Supporting datasets [for 100% Full area PtSe2 monolayers on c-cut Sapphire] Transmission electron images (TEM) acquired from CVD grown full area coverage PtSe2 monolayers on c-cut sapphire confirming high crystallinityRaman spectroscopy measurement confirm monolayer nature of the CVD grown samples and shows the high crystallinity of the CVD samples. PL spectrum does not show any PL signal due to indirect band nature.
  • 基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的单层二硒化铼
    This product contains full area coverage ReSe2 monolayers on c-cut sapphire substrates. Sample size measures 1cm in size and the entire sample surface contains monolayer thick ReSe2 sheet. Synthesized full area coverage monolayer ReSe2 is highly crystalline, some regions also display significant crystalline anisotropy. Sample Properties.Sample size1cm x 1cm square shapedSubstrate typeSapphire c-cut (0001)CoverageFull monolayer coverageElectrical properties1.45 eV Anisotropic Semiconductor (Indirect Bandgap)Crystal structure Distorted Tetragonal Phase (1T’)Unit cell parametersa = 0.656 nm, b = 0.672 nm, c = 0.674 nm,α = 91.74°, β = 105°, γ = 119°Production methodAtmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition (APCVD)Characterization methodsRaman, angle resolved Raman spectroscopy,photoluminescence, absorption spectroscopy TEM, EDSSpecifications1) Identification. Full coverage 100% monolayer ReSe2 uniformly covered across c-cut sapphire 2) Physical dimensions. One centimeter in size. Larger sizes up to 2-inch wafer-scale available upon requests.3) Smoothness. Atomically smooth surface with roughness 0.15 nm.4) Uniformity. Highly uniform surface morphology. ReSe2 monolayers uniformly cover across the sample.5) Purity. 99.9995% purity as determined by nano-SIMS measurements6) Reliability. Repeatable Raman and photoluminescence response7) Crystallinity. High crystalline quality, Raman response, and photoluminescence emission comparable to single crystalline monolayer flakes.8) Substrate. c-cut Sapphire but our research and development team can transfer ReSe2 monolayers onto variety of substrates including PET,quartz, and SiO2/Si without significant compromisation of material quality.Defect profile. ReSe2 monolayers do not contain intentional dopants or defects. However, our technical staff can produce defected ReSe2 using α-bombardment technique.Supporting datasets [for 100% Full area ReSe2 monolayers on c-cut Sapphire] Transmission electron images (TEM) and angle resolved Raman spectroscopy measurements acquired from CVD grown full area coverage ReSe2 monolayers on c-cut sapphire confirming crystalline anisotropyEnergy dispersive X-ray spectroscopy (EDX) characterization on CVD grown full area coverage monolayer ReSe2 on c-cut sapphireRaman spectroscopy measurement confirm monolayer nature of the CVD grown samples. Differential reflectance measurements clearly show band gap at 1.45 eV for monolayer ReS2 consistent with the existing literature values. PL spectrum does not show any PL signal due to indirect band nature.
  • 于蓝宝石衬底的全区域覆盖的单层二硒化钨
    This product contains full area coverage WSe2 monolayers on c-cut sapphire substrates. Sample size measures 1cm in size and the entire sample surface contains monolayer thick WSe2 sheet. Synthesized full area coverage monolayer WSe2 is highly luminescent and Raman spectroscopy studies also confirm the monolayer thickness (please see the technical specifications)Sample Properties.Sample size1cm x 1cm square shapedSubstrate typeSapphire c-cut (0001)CoverageFull monolayer coverageElectrical properties 1.62 eV Direct Bandgap SemiconductorCrystal structureHexagonal PhaseUnit cell parametersa= b = 0.327 nm, c = 1.295 nm, α = β = 90°, γ = 120°Production methodLow pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD)Characterization methodsRaman, photoluminescence, TEM, EDS Specifications1) Identification. Full coverage 100% monolayer WSe2 uniformly covered across c-cut sapphire2) Physical dimensions. One centimeter in size. Larger sizes up to 2-inch wafer-scale available upon requests.3) Smoothness. Atomically smooth surface with roughness 0.15 nm.4) Uniformity. Highly uniform surface morphology. WSe2 monolayers uniformly cover across the sample.5) Purity. 99.9995% purity as determined by nano-SIMS measurements6) Reliability. Repeatable Raman and photoluminescence response7) Crystallinity. High crystalline quality, Raman response, and photoluminescence emission comparable to single crystalline monolayer flakes.8) Substrate. c-cut Sapphire but our research and development team can transfer WSe2 monolayers onto variety of substrates including PET, quartz, and SiO2/Si without significant compromisation of material quality.9) Defect profile. WSe2 monolayers do not contain intentional dopants or defects. However, our technical staff can produce defected WSe2 using α-bombardment technique.Supporting datasets [Full area coverage monolayer WSe2 on c-cut Sapphire]Transmission electron images (TEM) acquired from CVD grown full area coverage WSe2 monolayers on c-cut sapphire confirming highly crystalline nature of monolayersRoom temperature photoluminescence spectroscopy (PL) and Raman spectroscopy (Raman) measurements performed on CVD grown full area coverage monolayer WSe2 on c-cut sapphire. Raman spectroscopy measurement confirm monolayer nature of the CVD grown samples and PL spectrum display sharp and bright PL peak located at 1.67 eV in agreement with the literature.
  • 基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的单层二硫化锡
    This product contains full area coverage SnS2 monolayers on c-cut sapphire substrates. Sample size measures 1cm in size and the entire sample surface contains monolayer thick SnS2 sheet. Synthesized full area coverage monolayer SnS2 is highly crystalline, some regions also display significant crystalline anisotropy.Sample Properties.Sample size1cm x 1cm square shapedSubstrate typeSapphire c-cut (0001)CoverageFull monolayer coverageElectrical properties 2.2 eV Indirect Gap SemiconductorCrystal structureHexagonal PhaseUnit cell parametersa = b = 0.362, c = 0.590 nm,α = β = 90°, γ = 120°Production method Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD)Characterization methodsRaman, angle resolved Raman spectroscopy,photoluminescence, absorption spectroscopy TEM, EDSSpecifications1) Identification. Full coverage 100% monolayer SnS2 uniformly covered across c-cut sapphire2) Physical dimensions. One centimeter in size. Larger sizes up to 2-inch wafer-scale available upon requests.3) Smoothness. Atomically smooth surface with roughness 0.15 nm.4) Uniformity. Highly uniform surface morphology. SnS2 monolayers uniformly cover across the sample. 5) Purity. 99.9995% purity as determined by nano-SIMS measurements6) Reliability. Repeatable Raman and photoluminescence response7) Crystallinity. High crystalline quality, Raman response, and photoluminescence emission comparable to single crystalline monolayer flakes.8) Substrate. c-cut Sapphire but our research and development team can transfer SnS2 monolayers onto variety of substrates including PET, quartz, and SiO2/Si without significant compromisation of material quality.9) Defect profile. SnS2 monolayers do not contain intentional dopants or defects. However, our technical staff can produce defected SnS2 using α-bombardment technique.Supporting datasets [for 100% Full area SnS2 monolayers on c-cut Sapphire] Transmission electron images (TEM) acquired from CVD grown full area coverage SnS2 monolayers on c-cut sapphire confirming high crystallinity Energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX) characterization on CVD grown full area coverage monolayer SnS2 on c-cut sapphireRaman spectroscopy measurement confirm monolayer nature of the CVD grown samples and shows the high crystallinity of the CVD samples. PL spectrum does not show any PL signal due to indirect band nature.
  • 基于二氧化硅衬底的全区域覆盖的单层二硫化钼
    This product contains full area coverage MoS2 monolayers on SiO2/Si substrates. Sample size measures 1cm in size and the entire sample surface contains monolayer thick MoS2 sheet. Synthesized full area coverage monolayer MoS2 is highly luminescent and Raman spectroscopy studies also confirm the monolayer thickness. In comparison to full area coverage MoS2 on sapphire, full area coverage MoS2 on SiO2/Si display higher PL intensity.Sample Properties. Sample size1cm x 1cm square shapedSubstrate typeThermal oxide (SiO2/Si) substrates CoverageFull Coverage MonolayerElectrical properties1.85 eV Direct Bandgap SemiconductorCrystal structure Hexagonal PhaseUnit cell parametersa = b = 0.313 nm, c = 1.230 nm,α = β = 90°, γ = 120°Production method Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition (APCVD)Characterization methodsRaman, photoluminescence, TEM, EDSSpecifications1) Identification. Full coverage 100% monolayer MoS2 uniformly covered across SiO2/Si substrates.2) Physical dimensions. One centimeter in size. Larger sizes up to 2-inch wafer-scale available upon requests.3) Smoothness. Atomically smooth surface with roughness 0.2 nm.4) Uniformity. Highly uniform surface morphology. MoS2 monolayers uniformly cover across the SiO2/Si substrates. 5) Purity. 99.9995% purity as determined by nano-SIMS measurements6) Reliability. Repeatable Raman and photoluminescence response7) Crystallinity. High crystalline quality, Raman response, and photoluminescence emission comparable to single crystalline monolayer flakes.8) Substrate. SiO2/Si substrates. But our research and development team can transfer MoS2 monolayers onto variety of substrates including PET and quartz without significantcompromisation of material quality.9) Defect profile. MoS2 monolayers do not contain intentional dopants or defects. However, our technical staff can produce defected MoS2 using α-bombardment technique.Supporting datasets [for 100% Full area coverage on SiO2/Si]Transmission electron images (TEM) acquired from CVD grown full area coverage MoS2 monolayers on SiO2/Si confirming highly crystalline nature of monolayers Energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX) characterization on CVD grown full area coverage MoS2 on SiO2/Si confirming Mo:S 1:2 ratios Room temperature photoluminescence spectroscopy (PL) and Raman spectroscopy (Raman) measurements performed on CVD grown full area coverage MoS2 monolayers on SiO2/Si. Raman spectroscopy measurement confirm monolayer nature of the CVD grown samples and PL spectrum display sharp and bright PL peak located at 1.85 eV in agreement with the literature.
  • VWR水浴防蒸发球
    轻质、经济型聚丙烯球,在液面上形成盖层。球直径为20mm,275个球的覆盖面积约为1000cm2。可将热损失降低77%,蒸发降低87%绝缘性类似固体,并能即时使用水浴的液体说明材质?包装规格VWR目录号抗蒸发球PP20 mm100VWRI462-7049Anti-evaporation spheresPP20 mm300VWRI462-0584抗蒸发球PP20 mm1.000VWRI462-7050
  • 基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的单层二硫化钼
    Full Area Coverage Monolayer MoS2 on c-cut SapphireThis product contains full area coverage MoS2 monolayers on c-cut sapphire substrates. Sample size measures 1cm in size and the entire sample surface contains monolayer thick MoS2 sheet. Synthesized full area coverage monolayer MoS2 is highly luminescent and Raman spectroscopy studies also confirm the monolayer thickness. Sample Properties.Sample size1cm x 1cm square shapedSubstrate type(0001) c-cut sapphireCoverageFull Coverage MonolayerElectrical properties1.85 eV Direct Bandgap Semiconductor Crystal structureHexagonal PhaseUnit cell parametersa = b = 0.313 nm, c = 1.230 nm,α = β = 90°, γ = 120°Production methodAtmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition (APCVD)Characterization methodsRaman, photoluminescence, TEM, EDSSpecifications 1) Identification. Full coverage 100% monolayer MoS2 uniformly covered across c-cut sapphire.2) Physical dimensions. One centimeter in size. Larger sizes up to 2-inch wafer-scale available upon requests.3) Smoothness. Atomically smooth surface with roughness 0.15 nm.4) Uniformity. Highly uniform surface morphology. MoS2 monolayers uniformly cover across the sample. 5) Purity. 99.9995% purity as determined by nano-SIMS measurements6) Reliability. Repeatable Raman and photoluminescence response7) Crystallinity. High crystalline quality, Raman response, and photoluminescence emission comparable to single crystalline monolayer flakes.8) Substrate. c-cut Sapphire but our research and development team can transfer MoS2 monolayers onto variety of substrates including PET, quartz, and SiO2/Si without significant compromisation of material quality.9) Defect profile. MoS2 monolayers do not contain intentional dopants or defects. However, our technical staff can produce defected MoS2 using α-bombardment technique.Supporting datasets [for 100% Full area coverage on c-cut Sapphire]Transmission electron images (TEM) acquired from CVD grown full area coverage MoS2 monolayers on c-cut sapphire confirming highly crystalline nature of monolayers Energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX) characterization on CVD grown full area coverage monolayer MoS2 on c-cut sapphire confirming Mo:S 1:2 ratios Room temperature photoluminescence spectroscopy (PL) and Raman spectroscopy (Raman) measurements performed on CVD grown full area coverage MoS2 monolayers on c-cut sapphire. Raman spectroscopy measurement confirm monolayer nature of the CVD grown samples and PL spectrum display sharp and bright PL peak located at 1.85 eV in agreement with the literature.
  • 基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的单层二硫化钨
    This product contains full area coverage WS2 monolayers on c-cut sapphire substrates. Sample size measures 1cm in size and the entire sample surface contains monolayer thick WS2 sheet. Synthesized full area coverage monolayer WS2 is highly luminescent and Raman spectroscopy studies also confirm the monolayer thickness.Sample Properties.Sample size1cm x 1cm square shapedSubstrate type(0001) c-cut sapphireCoverageFull coverage monolayerElectrical properties2.0 eV Direct Bandgap SemiconductorCrystal structureHexagonal PhaseUnit cell parametersa = b = 0.312 nm, c = 1.230 nm, α = β = 90, γ = 120°Production methodLow pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD)Characterization methodsRaman, photoluminescence, TEM, EDSSpecifications1) Identification. Full coverage 100% monolayer WS2 uniformly covered across c-cut sapphire 2) Physical dimensions. One centimeter in size. Larger sizes up to 2-inch wafer-scale available upon requests.3) Smoothness. Atomically smooth surface with roughness 0.2 nm.4) Uniformity. Highly uniform surface morphology. WS2 monolayers uniformly cover across the sample.5) Purity. 99.9995% purity as determined by nano-SIMS measurements 6) Reliability. Repeatable Raman and photoluminescence response7) Crystallinity. High crystalline quality, Raman response, and photoluminescence emission comparable to single crystalline monolayer flakes.8) Substrate. c-cut Sapphire but our research and development team can transfer WS2 monolayers onto variety of substrates including PET, quartz, and SiO2/Si without significant compromisation of material quality. 9) Defect profile. WS2 monolayers do not contain intentional dopants or defects. However, our technical staff can produce defected WS2 using α-bombardment technique.Supporting datasets [for 100% Full area WS2 coverage on c-cut Sapphire] Transmission electron images (TEM) acquired from CVD grown full area coverage WS2 monolayers on c-cut sapphire confirming highly crystalline nature of monolayersEnergy dispersive X-ray spectroscopy (EDX) characterization on CVD grown full area coverage monolayer WS2 on c-cut sapphire confirming W:S 1:2 ratios Room temperature photoluminescence spectroscopy (PL) and Raman spectroscopy (Raman) measurements performed on CVD grown full area coverage WS2 monolayers on c-cut sapphire. Raman spectroscopy measurement confirm monolayer nature of the CVD grown samples and PL spectrum display sharp and bright PL peak located at 2.00 eV in agreement with the literature.
  • 基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的单层二硫化铼
    This product contains full area coverage ReS2 monolayers on c-cut sapphire substrates. Sample size measures 1cm in size and the entire sample surface contains monolayer thick ReS2 sheet. Synthesized full area coverage monolayer ReS2 is highly crystalline, some regions also display significant crystalline anisotropy.Sample Properties.Sample size1cm x 1cm square shapedSubstrate typeSapphire c-cut (0001)CoverageFull monolayer coverageElectrical properties1.6 eV Anisotropic Semiconductor (Indirect Bandgap)Crystal structureDistorted Tetragonal Phase (1T’)Unit cell parametersa = 0.630, b = 0.638 nm, c = 0.643 nmα = 106.74°, β = 119.03°, γ = 89.97°Production method Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition (APCVD)Characterization methodsRaman, angle resolved Raman spectroscopy,photoluminescence, absorption spectroscopy TEM, EDSSpecifications1) Identification. Full coverage 100% monolayer ReS2 uniformly covered across c-cut sapphire.2) Physical dimensions. One centimeter in size. Larger sizes up to 2-inch wafer-scale available upon requests.3) Smoothness. Atomically smooth surface with roughness 0.2 nm.4) Uniformity. Highly uniform surface morphology. ReS2 monolayers uniformly cover across the sample. 5) Purity. 99.9995% purity as determined by nano-SIMS measurements6) Reliability. Repeatable Raman and photoluminescence response7) Crystallinity. High crystalline quality, Raman response, and photoluminescence emission comparable to single crystalline monolayer flakes.8) Substrate. c-cut Sapphire but our research and development team can transfer ReS2 monolayers onto variety of substrates including PET, quartz, and SiO2/Si without significant compromisation of material quality.9) Defect profile. ReS2 monolayers do not contain intentional dopants or defects. However, our technical staff can produce defected ReS2 using α-bombardment technique.Supporting datasets [for 100% Full area ReS2 monolayers on c-cut Sapphire] Transmission electron images (TEM) and angle resolved Raman spectroscopy measurements acquired from CVD grown full area coverage ReS2 monolayers on c-cut sapphire confirming crystalline anisotropy.Energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX) characterization on CVD grown full area coverage monolayer ReS2 on c-cut sapphire Raman spectroscopy measurement confirm monolayer nature of the CVD grown samples. Differential reflectance measurements clearly show band gap at 1.6 eV for ReS2 consistent with the existing literature values. PL spectrum only display weak emission at 1.6 eV but significantly stronger at lower temperatures.
  • 天津市盛玻仪器层析柱层析柱色层分析柱
    色层分析柱CHROMATOGRAPHIC COLUMNS.色层分析柱具活塞CHROMATOGRAPHIC COLUMNS别名:层析柱一、概况及用途: 该仪器是由硼硅玻璃管,在灯工加工,并在玻璃管下端焊有一片1#砂芯滤片。它适用于色谱吸附层析法,对混合物进行分离提纯或鉴定几种物质是否相同,以及浓缩稀溶液中的物质, 配合薄层层析仪的使用仪器。也可作小型离子交换柱制作纯水用。二、造型及原理, 它的形状是一支长的圆柱型玻璃管,在管的下端焊有一片1*砂芯滤片,它是便于装填氧化铝之类的吸咐剂用有的在层析柱下端焊有细玻璃管,管的尾端成45度角,使于按装或液体的流出。具活塞的是在层析住下端与细玻璃管之间焊接一话塞,便于在盛装或放出液体控制之用。其原理:利用不同化合物对吸附剂有不同吸附作用和它们在溶剂中的不同溶解度,用适当磨剂使混合物在镇有及附剂的生内通过,使复杂的混合物达到分离和提纯的目的,三、使用方法: 先用洗液洗净层析柱,用水请洗后再用蒸溜水清洗、干燥,在层析柱底铺一层玻璃丝或脱脂棉,而后将吸附剂氧化铝装入柱内,装入的方法分湿法和干法二种,湿法是将备用的溶剂装入管内:杴氧化铝和溶剂调成浆状慢慢地到入管中,此时应将管的下端活塞打开使溶剂慢慢流出,吸附剂即渐渐沉于管底,加完氧化铝后继续使溶液流出,直至氧化铝的沉降不再变动。千法是在管上端放一爾斗,使氧化铝均匀地经霸斗成一细流慢慢装入管内,中间不应间断,时时轻轻敲打玻璃管使填装均匀,全部加入后再加入溶剂使氧化铝全部润湿,一般以湿法装住为宜,因为容易把夹杂在氧化铝中的气泡赶出,无论采用那一种方法装柱,必须注意。 1.不能使氧化铝中有裂缝和气泡,否则影响分离效果。2.氧化铝的高度一般为玻璃管高度的3/ 4。 3.装好的氧化铝柱上面覆盖-层滤纸,玻璃丝或棉花以保持氧化铝上端顶部平整,不受流入密剂的干扰。 4.氧化铝柱上面要覆益一层溶剂约0.5~ 1厘米高,勿使氧化铝露出溶剂的液面,上面装一分液漏斗。 待柱装妥后,然后加样,把将要分离的样品溶在-定体积的溶剂中配成样品溶液,将氧化铝上的多余客液放出,直到柱内液休表面到达氧化铝的表面时,停止放出溶剂,沿管璧加入样品溶液,注意不让溶剂把氧化铝冲松浮起,样品溶液加毕后,开放活塞使液体渐渐放出至溶剂液面和氧化铝表面相齐(勿使氧化铝表面干燥)。样品吸附在氧化铝柱上后,用合适的溶剂进行洗脱,样品中各组分在氧化铝上经过吸附、溶解、再吸附、再溶解...等,规律地自上而下移动,使样品分成若干色圈(或称色环),达到分离、提纯目的,必须注意层析柱的直径愈粗形成的色圈愈狭小,色带相互之间排列愈紧,对分辨和分离难度要大一些,但分离时间较短,速度较快,柱细长对色带相互之间距离增大容易分开,但分离时间长,对装填吸附剂操作不方便,通常选择柱的直径与长度的比例在1: 30或1: 25及1: 20的范围比较合适。
  • 天津层析柱层析柱色层分析柱 yd000164 20*600MM 四氟结门 24#带刺
    色层分析柱CHROMATOGRAPHIC COLUMNS.色层分析柱具活塞CHROMATOGRAPHIC COLUMNS别名:层析柱一、概况及用途: 该仪器是由硼硅玻璃管,在灯工加工,并在玻璃管下端焊有一片1#砂芯滤片。它适用于色谱吸附层析法,对混合物进行分离提纯或鉴定几种物质是否相同,以及浓缩稀溶液中的物质, 配合薄层层析仪的使用仪器。也可作小型离子交换柱制作纯水用。二、造型及原理, 它的形状是一支长的圆柱型玻璃管,在管的下端焊有一片1*砂芯滤片,它是便于装填氧化铝之类的吸咐剂用有的在层析柱下端焊有细玻璃管,管的尾端成45度角,使于按装或液体的流出。具活塞的是在层析住下端与细玻璃管之间焊接一话塞,便于在盛装或放出液体控制之用。其原理:利用不同化合物对吸附剂有不同吸附作用和它们在溶剂中的不同溶解度,用适当磨剂使混合物在镇有及附剂的生内通过,使复杂的混合物达到分离和提纯的目的,三、使用方法: 先用洗液洗净层析柱,用水请洗后再用蒸溜水清洗、干燥,在层析柱底铺一层玻璃丝或脱脂棉,而后将吸附剂氧化铝装入柱内,装入的方法分湿法和干法二种,湿法是将备用的溶剂装入管内:杴氧化铝和溶剂调成浆状慢慢地到入管中,此时应将管的下端活塞打开使溶剂慢慢流出,吸附剂即渐渐沉于管底,加完氧化铝后继续使溶液流出,直至氧化铝的沉降不再变动。千法是在管上端放一爾斗,使氧化铝均匀地经霸斗成一细流慢慢装入管内,中间不应间断,时时轻轻敲打玻璃管使填装均匀,全部加入后再加入溶剂使氧化铝全部润湿,一般以湿法装住为宜,因为容易把夹杂在氧化铝中的气泡赶出,无论采用那一种方法装柱,必须注意。 1.不能使氧化铝中有裂缝和气泡,否则影响分离效果。2.氧化铝的高度一般为玻璃管高度的3/ 4。 3.装好的氧化铝柱上面覆盖-层滤纸,玻璃丝或棉花以保持氧化铝上端顶部平整,不受流入密剂的干扰。 4.氧化铝柱上面要覆益一层溶剂约0.5~ 1厘米高,勿使氧化铝露出溶剂的液面,上面装一分液漏斗。 待柱装妥后,然后加样,把将要分离的样品溶在-定体积的溶剂中配成样品溶液,将氧化铝上的多余客液放出,直到柱内液休表面到达氧化铝的表面时,停止放出溶剂,沿管璧加入样品溶液,注意不让溶剂把氧化铝冲松浮起,样品溶液加毕后,开放活塞使液体渐渐放出至溶剂液面和氧化铝表面相齐(勿使氧化铝表面干燥)。样品吸附在氧化铝柱上后,用合适的溶剂进行洗脱,样品中各组分在氧化铝上经过吸附、溶解、再吸附、再溶解...等,规律地自上而下移动,使样品分成若干色圈(或称色环),达到分离、提纯目的,必须注意层析柱的直径愈粗形成的色圈愈狭小,色带相互之间排列愈紧,对分辨和分离难度要大一些,但分离时间较短,速度较快,柱细长对色带相互之间距离增大容易分开,但分离时间长,对装填吸附剂操作不方便,通常选择柱的直径与长度的比例在1: 30或1: 25及1: 20的范围比较合适。
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