HPGe高纯锗晶体High Purity Germanium Single Crystal – P Type9N,10N,11N,12N,13N 1、晶体习性与几何描述: 该晶体使用直拉法在晶体(100)方向延伸。圆柱形表面(表面光洁度小于2.5 μm RMS)。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时,其当量直径为: D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货,我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求,提供定制服务。 2、纯度:残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关,请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器:同轴探测器适用于下列公式: Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 : 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀,内径8毫米的内孔半径, 适用公式变为: D = 晶体外表面 平面探测器:平面探测器(厚度小于2厘米)适用于以下公式: d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子(绝对值) 迁移:霍尔迁移 性能: P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级: P 型晶体 通过深能瞬态测量,Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标: P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明: 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%(7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料,用直拉法(CZ)法或者垂直梯度法(VGF法)等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度,红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等,得到p型锗;在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等,得到n型锗。交货期90天
留言咨询