第三代移液器

近日，第三代半导体概念股板块大涨，又为中国半导体行业的热潮中掀起新的高潮！今年5月刘鹤主持召开会议，讨论了面向后摩尔时代的集成电路潜在颠覆性技术。作为半导体领域的新秀，第三代半导体被寄予厚望，甚至被写入“十四五”规划中。在“十四五”规划中，特别提出碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体也就是行业人士关注的第三代半导体要取得发展。近日，业界热议，为实现中国半导体自立自强计划，国家将制定一系列相关金融和政策扶持措施，投入万亿美元的政府资金以支持一系列第三代芯片项目。国际上第三代半导体产业同样刚刚起步，我国在这一领域与国际先进水平差距较小。随着国家级别的政策和资金的海量支持，将避免重蹈第一代半导体的覆辙，有望奋起直追达到甚至超越国际先进水平。一石激起千层浪，第三代半导体究竟有何“魅力”竟如此受到关注，仪器设备行业又有哪些机会呢？第三代半导体材料引领的新赛道第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.3eV)，亦被称为高温半导体材料。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓，而氧化锌、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，被行业称为第三代半导体材料的双雄。基于第三代半导体的优良特性，其在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中颇具优势。其中，碳化硅、氮化镓的研究和发展较为成熟。以SiC为核心的功率半导体，是新能源汽车充电桩、轨道交通系统等公共交通领域的基础性控件；射频半导体以GaN为原材料，是支撑5G基站建设的核心；第三代半导体在消费电子、工业新能源以及人工智能为代表的未来新领域，发挥着重要的基础作用。近年来，随着新能源汽车的兴起，碳化硅IGBT器件逐渐被应用于超级快充，展现出了强大的市场潜力，第三代半导体发展进入快车道。《2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书》中指出，2019年我国第三代半导体市场规模近百亿，在2019-2022年里将保持85%及以上平均增长速度，预计到2022年市场规模将超越623.42亿元。受益的产业链上下游作为“十四五”规划的重要组成部分，未来第三代半导体产业将获得巨大的资金投入，上下游产业链将持续受益。未来可能的支持手段包括直接的资金注入和相关的政策扶持，税收优惠政策等。此前国家已先后印发了《重点新材料首批次应用示范指导目录(2019版)》、《能源技术创新“十三五”规划》等政策，将SiC、GaN和AlN等第三代半导体材料纳入重点新材料目录，鼓励和支持SiC等第三代半导体材料相关的技术突破和制造。宽禁带半导体晶片和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，大致可分为以下几个阶段：晶体生长、晶片加工、器件制备（包括有源层制备、欧姆接触、钝化层沉积等工艺段）、器件封装等。近年来，国内相关产业链进展神速，英诺赛科苏州8英寸硅基GaN产线规模量产；山西烁科晶体有限公司已实现了5G芯片衬底材料碳化硅的国产自主供应。碳化硅产业链结构图随着相关产业链的不断建设和工艺技术的不断研发，仪器设备将持续受益。相关的仪器设备主要包括第三代半导体材料检测仪器、材料生长设备、制造工艺设备和封装测试设备。第三代半导体企业在行动目前国内第三代半导体材料产业从数量上来看已具备一定规模，初步形成了一个较为完整的产业链。而伴随着近年来的投资热潮，各地项目不断上马，众多企业布局第三代半导体。河源市东源县与华润水泥控股有限公司举行高纯石英和碳化硅单晶硅一体化硅产业项目签约仪式。该项目计划总投资180亿元人民币，预计建成达产年产值达200亿元。6月5日，英诺赛科(苏州)半导体举行“8英寸硅基氮化镓芯片生产线一期第一阶段产能扩展建设项目”签约仪式，宣布英诺赛科一期项目正式开启大规模量产。预计全面达产后，8英寸硅基氮化镓晶圆可实现年产能78万片，将成为世界级集设计、制造、封装测试等为一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。露笑科技在互动者平台透露在第三代半导体碳化硅的技术方面取得突破，目前设备进入安装调试阶段。该项目总投资100亿元，分三期进行。着力打造第三代功率半导体(碳化硅)的设备制造、长晶生产、衬底加工、外延制作等产业链的研发和生产基地。4月1日，赛微电子与青州市人民政府就在青州市建设6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目签署了《合作协议》。项目总投资10亿元，分两期进行。建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆12,000片/月的生产能力，为全球GaN产品提供成熟的技术支持和产能保障。此前，华瑞微半导体IDM芯片项目于2020年10月开工奠基，今年3月，南谯区人民政府发布消息称，项目一期将于年底正式投产。据悉，该项目总投资30亿元，集研发、生产、销售功率半导体芯片为一体，建设SiC MOSFET生产线。项目建成后，预计实现年产1000片第三代化合物半导体器件的生产能力。国内市场空间广阔，企业布局奋起直追。相关数据显示，近几年国内布局第三代半导体产业的企业超过百家。自缺芯卡脖子困境后，我国已意识到构建半导体的自有产业链的必要性。从市场需求、国家政策来看，越来越多的厂商入局第三代半导体产业是大势所趋。随着国内第三代半导体产业的不断扩大，相关仪器设备采购也将迎来热潮。那些有望获益的仪器第三代半导体器件的生产离不开检测，以碳化硅功率器件的生产为例，只有通过对各个生产环节的检测才能不断提高良率和工艺水平。碳化硅的检测主要包括衬底检测、外延片检测、器件工艺、点穴参数、可靠性分析和失效分析。除了以上这些检测项目对应的仪器外，第三代半导体制造也离不开半导体设备，碳化硅产业链更是如此，其涉及的设备种类繁多。碳化硅的很多工艺段设备可以与硅基半导体工艺兼容，但由于宽禁带半导体材料熔点较高、硬度较大、热导率较高、键能较强的特殊性质，使得部分工艺段需要使用专用设备、部分需要在硅设备基础上加以改进。相关工艺及半导体制造设备如下，

第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、抗辐射能 力强等优点，是半导体产业的新型组成部分，可广泛用于新能源汽车、智能电网、轨道交通、半导体照明、新一代移动通信、消费类电子等领域，具有广阔的应用前景，已经成为全球半导体产业新的战略竞争高地。第三代半导体“十四五”强势开局，迎来国家政策红利2021年，正值十四五开局之年，国家也出台了一系列相关政策，全面加大了对第三代半导体产业的支持和投入力度，第三代半导体迎来了发展新机遇。《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》3月14日，十三届全国人大四次会议通过《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》单行本，其中“第二篇 坚持创新驱动发展 全面塑造发展新优势”中的科技前沿领域攻关专栏的集成电路中提到，“集成电路设计工具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发，集成电路先进工艺和绝缘栅双极性晶体管（IGBT）、微机电系统（MEMS）等特色工艺突破，先进存储技术升级，碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。”《国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项》12月23日，科技部发布了《国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2021 年度公开指南拟立项项目公示清单》，公示时间为2021年12月13日至2021年12月17日。清单公示了22个项目，其中包括了“面向大数据中心应用的 8 英寸硅衬底上氮化镓基外延材料、功率电子器件及电源模块关键技术研究”、“大尺寸 SiC 单晶衬底制备产业化技术”、“基于氮化物半导体的纳米像元发光器件研究”、“中高压 SiC 超级结电荷平衡理论研究及器件研制”、“晶圆级 Si(100)基 GaN 单片异质集成关键技术研究”、“GaN 单晶新生长技术研究”等第三代半导体项目。《重点新材料首批次应用示范指导目录（2021年版）》12月31日，工信部公布了《重点新材料首批次应用示范指导目录（2021年版）》，《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版）》（工信部原〔2019〕254号）同时废止。目录按照《新材料产业发展指南》对新材料的划分方法，分为先进基础材料、关键战略材料和前沿新材料三大类，每个大类里面又细分小类。其中，关键战略材料中的先进半导体材料和新型显示材料中包括了氮化镓单晶衬底、氮化镓外延片、碳化硅同质外延片、碳化硅单晶衬底等第三代半导体材料。《长三角G60科创走廊建设方案》4月1日，科技部、国家发展改革委、工业和信息化部、人民银行、银保监会和证监会联合联合发布了《长三角G60科创走廊建设方案》（简称《建设方案》）。《建设方案》明确，在重点领域培育一批具有国际竞争力的龙头企业，加快培育布局量子信息、类脑芯片、第三代半导体、基因编辑等一批未来产业。2021年发布的多个国家政策持续加码第三代半导体产业，第三代半导体行业市场一片“蓝海”。各地摩拳擦掌，第三代半导体被纳入地方产业规划随着一系列国家政策开始落地，国内各地区也纷纷响应并提出相关发展方向。除了第三代半导体产业的专项政策外，第三代半导体作为半导体产业的重点方向，得到了各省市的系统布局和重视。发布时间发布部门政策名称相关政策内容2月江苏省人民政府《江苏省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》实施未来产业培育计划，前瞻布局第三代半导体、基因技术、 空天与海洋开发、量子科技、氢能与储能等领域。2月陕西省人民政府《陕西省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》重点开展第三代半导体所需化合物半导体（碳化硅、氮化镓）设计与制造工艺研发。3月上海临港新片区《中国（上海）自由贸易试验区临港新片区集成电路产业专项规划（2021-2025）》积极引进国内外第三代半导体等材料企业，加强关键材料的本地化配套能力。在第三代半导体、特色工艺、基础材料、重大装备等重点领域，依托龙头企业、大平台等搭建连接本地、辐射全国、融入全球的技术创新网络，鼓励产学研合作及上下游产业链协同开展技术研发创新，加速技术产品的验证及应用。新片区集成电路产业化核心承载区，重点布局集成电路先进制造、核心装备、关键材料、第三代半导体及高端封装测试等产业。3月辽宁省人民政府《辽宁省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》采用 “项目＋团队”引才方式，引领带动第三代半导体等未来产业快速发展；聚焦第三代半导体等前沿科技和产业变革领域，加快布局。4月山西省人民政府《山西省国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》做大做强砷化镓、碳化硅等第二/三代半导体衬底材料—芯片—封装—应用创新链条,积极建设国家半导体材料研发生产基地。加速实现碳化硅第三代半导体材料等领域的重大产品规模化生产，重点推进碳化硅单晶衬底、外延材料制造加工等项目，打造抢占国际战略制高点的半导体衬底材料产业基地。5月浙江省人民政府《浙江省重大建设项目“十四五”规划》围绕打造国内重要的集成电路产业基地目标，突破第三代半导体芯片等技术6月山西省人民政府《山西省人民政府关于促进半导体产业高质量发展引导集成电路产业健康发展的指导意见》聚焦低缺陷砷化镓晶体材料、高纯半绝缘碳化硅单晶衬底材料、氮化镓材料等第二/三代半导体材料。积极开展大尺寸高纯半绝缘４H－SiC单晶设备、电子级金刚石生长设备、半导体先进封装关键工艺设备、高精度无损检测关键设备、MOCVD 核心设备等的研制7月上海市人民政府《上海市先进制造业发展“十四五”规划》制造封测，加快先进工艺研发，支持12英寸先进工艺生产线建设和特色工艺产线建设，争取产能倍增，加快第三代化合物半导体发展。7月福建省人民政府《福建省"十四五"制造业高质量发展专项规划》加速化合物半导体研发和应用，加强砷化镓射频芯片、氮化镓/碳化硅高功率芯片制造7月重庆市人民政府《重庆市制造业高质量发展“十四五”规划》制造业技术攻关部分重点领域：大尺寸硅片、GaAs（砷化镓）/InP（磷化铟）/GaN（氮化镓）/SiC（碳化硅）等化合物半导体衬底及外延等。8月江苏省人民政府《江苏省“十四五”制造业高质量发展规划》加快第三代半导体等先进电子材料的关键技术突破。重点发展氮化镓、碳化硅等第三代半导体材料8月广东省人民政府《广东省制造业高质量发展“十四五”规划》依托广州、深圳、珠海、东莞、江门等市大力发展氮化镓、碳化硅、氧化锌、氧化镓、氮化铝、金刚石等第三代半导体材料制造, 支持氮化镓、碳化硅、砷化镓、 磷化铟等化合物半导体器件和模块的研发制造, 培育壮大化合物半导体 IDM (集成器件制造) 企业, 支持建设射频、 传感器、 电力电子等器件生产线, 推动化合物半导体产品的推广应用。11月安徽省人民政府《安徽省国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》做强第三代半导体材料产业链，提升集成电路领域核心竞争力。支持面向电子信息、新能源、高端装备领域的第三代半导体等先进结构材料攻关。11月湖北省人民政府《湖北省制造业高质量发展“十四五”规划》在芯片制造方面，加快布局第二、三代半导体晶片及外延衬底（砷化镓、氮化镓、碳化硅）等特色芯片生产线。突破发展大尺寸硅单晶抛光片、外延片等关键基础材料，第三代半导体材料、低缺陷蓝宝石人工晶体等新型传感材料。11月河北省人民政府《河北省建设全国产业转型升级试验区“十四五”规划》发挥第三代半导体等比较优势，嵌入国内外产业链条、完善细分产业链，大力发展相关材料、部件、仪器、设备等制造业，提升整机、终端产品规模和市场竞争力，打造一批特色突出、优势明显电子信息制造业集群，部分领域达到国内领先水平。加快碳化硅单晶及外延材料、砷化镓、磷化铟和单晶锗等第三代半导体新材料研发及产业化。大力发展第三代半导体材料及器件、等产业。12月上海市经济和信息化委员会《上海市电子信息产业发展“十四五”规划》开展关键材料设计与制备工艺攻关，加速第三代半导体射频和功率器件等对传统硅器件的替代。12月山东省工业和信息化厅《山东省第三代半导体产业发展“十四五”规划》全文各地争相规划的背后，是对半导体产业的重视和新突破点的筹谋。第三代半导体产业市场正在加速前行，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）发布的《第三代半导体产业发展报告（2020）》指出，未来5年将是第三代半导体产业发展的关键期，全球资本加速进入第三代半导体材料、器件领域，产能大幅度提升，企业并购频发，正处于产业爆发前的“抢跑”阶段。因此，地方政府和企业们也在新赛道上提速卡位，不过需要指出的是，目前半导体市场90%仍然是以硅材料为代表的第一代半导体，第三代半导体的市场份额不到10%，和一代二代形成互补，还需要继续攻坚和培育。

p　　在国家重点研发计划“蛋白质机器与生命过程调控”重点专项以及深圳市孔雀团队的支持下，南方科技大学贺建奎教授的团队经过刻苦攻关，成功研发出具有完全自主知识产权的亚洲第一台第三代基因测序仪GenoCare并批量投产。/pp　　基因测序仪是基因行业上游的核心。我国的基因测序仪基本依靠进口，每年向欧洲、美国支付上百亿的试剂费用。目前全球应用最成熟的是二代基因测序技术，第三代基因测序技术正在兴起。贺建奎教授团队研发成功第三代基因测序仪GenoCare，是当今世界上准确率最高(准确率达99.9985%)的第三代测序仪，并且率先在全世界取得政府医疗器械证备案、初步实现产业化并已应用于临床检测。该测序仪开发出基于全内反射先进光学的技术，可检测到单个DNA分子的微弱信号，读取DNA序列编码，为健康和疾病提供解读和诊断信息，其技术水平在亚洲乃至世界都居于领先地位。/ppbr//p

日前，在2023中关村论坛“北京（国际）第三代半导体创新发展论坛”上，科学技术部党组成员、副部长相里斌表示，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体具有优异性能，在信息通信、轨道交通、智能电网、新能源汽车等领域有巨大市场。  “总体上看，‘十三五’期间已经基本解决我国第三代半导体产品和相关装备的‘有无’问题，‘十四五’期间将重点解决‘能用、好用’以及可持续创新能力的问题。”相里斌表示，科技部将聚焦关键核心技术和重大应用方向，重点突破材料、器件、工艺和装备技术瓶颈。  经过多年努力，全球第三代半导体产业正进入快速增长期。国际半导体照明联盟主席、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导委员会主任曹健林表示：“以第三代半导体为代表的宽禁带半导体，广泛应用于符合‘双碳’目标的新能源、交通制造产业升级以及光电应用场景，已成为推动诸多产业创新升级的重要引擎。”曹健林分析认为，我国发展第三代半导体已经具备技术突破和产业协同发展的基础。与半导体相关的精密制造水平和配套能力快速提升，为相关装备国产化打下坚实基础。  中国工程院院士、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任干勇举例说，基于第三代半导体材料和器件将引领高端电力装备的颠覆性创新应用，推动传统电网向半导体电网发展。  新一代信息技术与工业化深度融合加快，为集成电路产业发展创造巨大空间。如北京市顺义区已初步形成从装备到材料、芯片、模组、封装检测及下游应用的产业链布局，集聚了泰科天润、国联万众、瑞能半导体等产业链上下游企业20余家。论坛上，国联万众碳化硅功率芯片二期等6个产业项目签约，预计总投资近18亿元。  第三代半导体产业也面临不少“成长中的烦恼”。比如，原始创新和面向应用的基础研究能力较弱，关键装备和原材料依然高度依赖进口，产业链、供应链安全依然存在风险，缺乏开放、链条完整、装备条件先进的第三代半导体研发中试平台，产业生态尚未建立等。  为此，第三代半导体产业技术创新战略联盟等联合发布倡议，聚焦重点市场需求，在新能源汽车、光伏储能、新型显示等领域推广应用基于第三代半导体材料的“绿色芯”“健康芯”；聚焦产业链协同创新，共同组建创新联合体，强化公共技术服务能力和标准化能力建设，形成产学研紧密合作、上下游链条打通、大中小企业共生发展的协同创新局面。  第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲认为，一方面需要推动示范应用，打通产业链条，提高产品竞争力和产业引领力；另一方面需要集聚创新要素，积极推动国际科技交流与合作，重点加强与具备成熟技术的中小企业和研发团队的深度合作。

p style="text-indent: 2em "据权威消息人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。/pp style="text-indent: 2em "当前，以碳化硅为代表的第三代半导体已逐渐受到国内外市场重视，不少半导体厂商已率先入局。不过，量产端面临多重挑战下，第三代半导体材料占比仍然较低。未来政策导入有望加速我国第三代半导体产业发展，以期进一步把握主动。/ph3 style="text-indent: 2em "第三代半导体市场景气向上/h3p style="text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "华创证券认为，随着物联网、大数据和人工智能驱动的新计算时代的发展，对半导体器件的需求日益增长，对器件可靠性与性能指标的要求也更加严苛。第三代半导体开始逐渐受到市场的重视，国际上已形成完整的覆盖材料、器件、模块和应用等环节的产业链。/span/pp style="text-indent: 2em "与此同时，化合物半导体材料也有着战略意义。作为重要的上游材料，化合物半导体不仅应用于军用领域，还对大功率高速交通起着重要支撑作用，被各国视作战略物资。当前，美国、日本、欧盟都致力于在该领域建立技术优势。/pp style="text-indent: 2em "受益于材料自身优势，以及5G和新能源汽车等应用拉动，市场预估第三代半导体材料在今年就会起量。中美贸易摩擦和疫情影响下，市场重估行情。/pp style="text-indent: 2em "TrendForce集邦咨询旗下拓墣产业研究院指出，氮化镓的射频器件受到不小震荡。氮化镓器件仍处于开发阶段，目前主要应用于基站射频技术，预计2020年营收则呈现小幅增长。/pp style="text-indent: 2em "功率器件方面，虽然受大环境影响，但其已是化合物半导体的发展重点，成长动能依旧显著。碳化硅材料因衬底生产难度大，功率器件成长幅度受限，后续有待衬底技术持续精进；氮化镓功率器件技术发展则相对成熟，虽大环境不佳导致成长放缓，但向上幅度仍明显。/ph3 style="text-indent: 2em "国内外厂商争取卡位时间/h3p style="text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "全球范围内，半导体大厂纷纷布局，IDM厂商意法半导体购并NorstelAB以及法国Exagan、英飞凌收购Siltectra，以及日商ROHM收购SiCrystal等事件都颇受业界关注。/spanbr//pp style="text-indent: 2em "国内方面，不少厂商围绕第三代半导体材料争取卡位时间。/pp style="text-indent: 2em "海特高新子公司海威华芯建立了国内第一条6英寸砷化镓/氮化镓半导体晶圆生产线。据称，其技术指标达到国外同行业先进水平，部分产品已经实现量产。赛微电子涉及第三代半导体业务，主要包括GaN（氮化镓）材料的生长与器件的设计。/pp style="text-indent: 2em "三安光电在长沙设立子公司湖南三安从事碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，目前项目正处于建设阶段。聚灿光电目前产品涉及氮化镓的研发和生产，外延片的技术就是研发氮化镓材料的生长技术，芯片的技术就是研发氮化镓芯片的制作技术。/pp style="text-indent: 2em "今年8月，露笑科技投资100亿建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园。露笑科技与合肥市长丰县人民政府签署战略合作框架协议，包括但不限于碳化硅等第三代半导体的研发及产业化项目，包括碳化硅晶体生长、衬底制作、外延生长等的研发生产，项目投资总规模预计100亿元。/ph3 style="text-indent: 2em "量产仍是最大挑战/h3p style="text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "目前，第三代半导体材料的比重仍然相当低。全球以硅为基础的半导体材料市场约4500亿美元，第三代半导体仅占10亿美元。/spanbr//pp style="text-indent: 2em "业内人士指出，量产端的困难仍是业界的最大挑战。/pp style="text-indent: 2em "目前，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）较为成熟，并称为第三代半导体材料的双雄。氧化锌、金刚石、氮化铝等材料的研究则仍处于起步阶段。不过，即使是成熟度最高的碳化硅和氮化镓，也在量产环节面临诸多困难。/pp style="text-indent: 2em "氮化镓的难度主要在于在晶格。当前，氮化镓发展瓶颈段仍在基板段，成本昂贵且供应量不足,主要是因为氮化镓长在硅上的晶格不匹配，困难度高。/pp style="text-indent: 2em "对于碳化硅，长晶的源头晶种来源纯度要求高、取得困难，另外，长晶的时间相当长且长晶过程监测温度和制程的难度高。碳化硅长一根晶棒需时2周，成果可能仅3公分，也加大了量产的难度。/pp style="text-indent: 2em "拓墣产业研究院认为，在化合物半导体领域，虽然中国厂商相比国际厂商仍有技术差距，但随着国家加大支持以及厂商的不断布局，技术差距将不断缩小。分析师强调，当前唯有真实掌握市场需求，厂商才有机会在竞争当中成长及获利。/p

p style="text-align: justify text-indent: 2em "近日，有消息称，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。这一消息再次将第三代半导体映入人们的视线。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "第一代半导体兴起于20世纪五十年代，以硅（Si）、锗（Ge）半导体材料为代表，广泛应用于集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业。20世纪九十年代以来，随着移动通信的飞速发展、以光纤通信为基础的信息高速公路和互联网的兴起,以砷化镓、锑化铟为代表的第二代半导体材料开始崭露头角。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "近年来，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化锌(ZnO)、金刚石为四大代表的第三代半导体材料开始初露头角。第三代半导体具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。目前，市场火热的5G基站、新能源汽车和快充等都是第三代半导体的重要应用领域。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 0em "密集出台第三代半导体发展政策/h3p　　2014 年，美国总统奥巴马宣布成立“下一代功率电子技术国家制造业创新中心” 同期，日本建立了“下一代功率半导体封装技术开发联盟 欧洲启动了产学研项目“LASTP OWER”，由意法半导体公司牵头，协同来自意大利、德国、法国、瑞典、希腊和波兰等六个欧洲国家的私营企业、大学和公共研究中心，联合攻关SiC和GaN的关键技术。/pp　　我国政府高度重视第三代半导体材料的研究与开发，从 2004 年开始对第三代半导体领域的研究进行了部署，启动了一系列重大研究项目，2013 年中国科技部在 863 计划新材料技术领域项目征集指南中明确将第三代半导体材料及应用列为重要内容。2015年，中国建立第三代半导体材料及应用联合创新基地，，国家科技部、工信部、北京市科委牵头成立第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)，推动我国第三代半导体材料及器件研发和相关产业发展。/pp　　我国在“中国制造2025”计划中明确提出要大力发展第三代半导体产业。国内厂商在第三代半导体进行全产业链布局，自主可控能力较强。国内厂商布局第三代半导体的设备、衬底、外延和器件全产业链环节，包括难度最大的衬底长晶环节，自动化程度较高的外延环节和应用于下游市场的器件环节，第三代半导体全产业链布局，可完全自主可控。/ptable border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" style="border-collapse:collapse border:none"tbodytr class="firstRow"td width="184" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p政策名称/p/tdtd width="80" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p发布时间/p/tdtd width="289" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p相关内容/p/td/trtrtd width="184" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p《科技部关于举办第七届中国创新创业大赛的通知》/p/tdtd width="80" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "pspan2018/3/span/p/tdtd width="289" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p大赛设立专业赛事，促进创新方法实践、港澳台创业交流、大中小企业协同创新创业、军民融合以及新能源汽车、第三代半导体等专业领域创新创业/p/td/trtrtd width="184" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p《第三代半导体电力电子技术路线图》/p/tdtd width="80" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "pspan2018/7/span/p/tdtd width="289" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p style="text-indent:28px"路线图主要从衬底span//span外延span//span器件、封装span//span模块、spanSiC/span应用、spanGaN/span应用等四个方面展开论述，提出了中国发展第三代半导体电力电子技术的路径建议和对未来产业发展的预测/p/td/trtrtd width="184" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p《工业和信息化部关于印发重点新材料首批次应用示范指导目录（span2019/span年版）》/p/tdtd width="80" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "pspan2019/11/span/p/tdtd width="289" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p将spanGaN/span单晶衬底、功率器件用spanGaN/span外延片、spanSiC/span外延片，spanSiC/span单晶衬底等第三代半导体产品纳入目录/p/td/trtrtd width="184" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》/p/tdtd width="80" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "pspan2019/12 /span/p/tdtd width="289" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p明确要求长三角区域加快培育布局第三代半导体产业，推动制造业高质量发展/p/td/trtrtd width="184" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p《中国（安徽）自由贸易试验区总体方案》/p/tdtd width="80" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "pspan2020/9/21/span/p/tdtd width="289" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p将第三代半导体产业列入安徽自由贸易试验区发展重点/p/td/tr/tbody/tablep style="text-indent: 2em text-align: justify "此外，地方政府更是密集出台大量政策来响应国家计划，扶持第三代半导体产业发展。2018年，福建省出台9项政策，北京2项。2019年，福建省出台2项政策，江苏省出台1项，北京2项，广东省1项，山东省2项。据CASA统计，2019年1季度，我国各级政府机构涉及第三代半导体相关的政策条文就多达10条（2018年同期18条），政策内容涉及集群培育、科研奖励、人才培育、项目招商、生产激励等多个方面，地区包括天津、深圳、济南、北京、厦门、南昌、广州、徐州等8个地区。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "今年更是有消息称大力发展第三代半导体将写入“十四五”规划。在国家政策的大力支持下，国内第三代半导体产线陆续开通，产能不断增加。据CASA Research不完全统计，2019年，国内主要企业Si基GaN外延片(不含LED)折算6英寸产能约为20万片/年，Si基GaN器件(不含LED)折算6英寸产能约为19万片/年。SiC基GaN外延片折算4英寸产能约为10万片/年，SiC基GaN器件折算4英寸产能约为8万片/年。SiC方面，国内主要企业导电型SiC衬底折合4英寸产能约为50万片/年，半绝缘SiC衬底折合4英寸产能约为寸产能约为20万片/年 SiC外延片折算6英寸产能约为20万片/年。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 0em "分析检测仪器助力第三代半导体发展/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "随着工业、汽车等市场需求的增加，以GaN、SiC为代表的第三代半导体材料的重要性与优越性逐渐凸显了出来。同时，随着第三代半导体材料产业化技术日趋成熟，生产成本不断降低，使得第三代半导体材料突破传统硅基半导体材料的瓶颈，从而引领了新一轮产业革命。未来采用第三代半导体材料器件的产品和企业将会越来越多。但在半导体器件向小型化和集成化方向发展的同时，半导体器件特性测试也越来越重要。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "数字源表源测量单元（SMU）就被视为是可支持第三代半导体材料器件的测试仪器。这种仪器在同一引脚或连接器上结合了源功能和测量功能，它将电源或函数发生器，数字万用表（DMM）或示波器，电流源和电子负载的功能集成到一个紧密同步的仪器中。可以在输出电压或电流的同时，测量电压和/或电流。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "一般说来，SMU测量能力超过类似单台仪器的任意组合。SMU可以进行高精度，高分辨率和高灵活性的测试分析。被广泛应用在 IV 检定、测试半导体及非线性设备和材料等方面的测试方面。这对于吞吐量和准确度尤其如此。源和测量电路的详尽设计知识和工作电路之间的反馈实现补偿技术能实现优秀的仪器特性，包括能针对具体工作条件进行动态调整的近乎完美输入和输出阻抗。这种紧密集成以极高分辨率实现快速源-测量周期。这些优点在半成品晶圆以及成品上进行的半导体测量中最突出。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "SiC、GaN等薄膜外延生长后，需要检测薄膜的表面形貌来表征材料生长效果。通常使用高分辨率的透射电镜（HRTEM）检测，它只是分辨率比较高，一般透射电镜能做的工作它也能做，但高分辨电镜物镜极靴间距比较小，所以双倾台的转角相对于分析型的电镜要小一些。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "高分辨X射线衍射是半导体材料表征的标准装备，可用于半导体材料和器件等的研究和生产质量控制。其适用于各种薄膜样品的测试应用，尤其适合外延薄膜和单晶晶圆的结构分析和表征，例如：摇摆曲线分析、倒易空间图、反射率、薄膜物相分析、掠入射表面分析、残余应力和织构分析等。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "此外，光致发光光谱(PL)、原子力显微镜、二次离子质谱（SIMS）、椭圆偏振仪等是第三代半导体的检测的重要仪器。随着国内第三代半导体的研究热潮和产业大面积落地，第三代半导体检测仪器将迎来巨大的市场机遇。/pp style="text-align: center text-indent: 0em "a href="https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target="_self"img style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/3bb43945-c34d-4a4d-b174-450445394cb6.jpg" title="半导体材料与器件.jpg" alt="半导体材料与器件.jpg"//a/p

周四A股市场上，科技股表现活跃，第三代半导体概念崛起，包括三安光电、云南锗业和露笑科技等在内的多只个股囊获涨停板，奥海科技、聚灿光电收获两连板。第三代半导体将保持高速增长第三代半导体包括氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石等。相较于第一代、第二代半导体，国内第三代半导体企业和国际巨头基本处于同一起跑线，芯片行业要实现国产化率提升，第三代半导体是很好的弯道超车机会。事实上，继“十二五”“十三五”后，碳化硅半导体再次被列入“十四五”规划中的重点支持领域。国家2030计划和“十四五”国家研发计划已明确第三代半导体是重要发展方向。国海证券表示，在美国持续升级对我国半导体产业技术封锁的大环境中，第三代半导体有望成为我国半导体产业突围先锋，相关产业链上下游企业将充分受益。近几年，我国在第三代半导体布局企业超百家，国内第三代半导体投资热情空前。未来几年内全球氮化镓和碳化硅器件市场将保持25%～40%的高增速。业内人士表示，第三代半导体正是材料环节的创新，被视作超越摩尔定律相关技术发展的重点之一，是芯片性能提升的基石。后摩尔时代看好第三代半导体，这一轮半导体高景气周期大概率将持续到2022年甚至到2023年。专业分析机构Omdia测算显示，全球氮化镓和碳化硅功率半导体销售收入预计将从2018年的5.71亿美元，或增至2029年底超50亿美元，未来十年将保持年均两位数增速。此外，目前半导体行业涨价预期再起，全球功率半导体龙头英飞凌正在酝酿新一轮产品涨价，MOSFET(金氧半场效晶体管)的涨幅将有12%，预计本月中旬执行。中国台湾地区的多个晶圆代工大厂也决定将在第三季度再度上调芯片代工价格，最高上调幅度达30%，远高于市场此前预期的15%。机构预测7只概念股今年业绩翻倍证券时报数据宝统计，第三代半导体板块有近40只个股，包括三安光电、露笑科技等。三安光电在长沙总投资160亿元建设具有自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装产业生产基地。露笑科技在合肥市长丰县共同投资建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园。士兰微已建成6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片生产线。从行情表现来看，6月以来第三代半导体个股表现亮眼，概念股平均涨幅超16%，大幅跑赢同期大盘。聚灿光电和赛微电子6月累计上涨超40%，华润微、露笑科技和北方华创的股价自6月以来均涨超30%。截止目前，板块内兆驰股份和苏州固锝发布了中报预告。兆驰股份预测中报净利润约9.22亿元～12.3亿元，增长50%～100%，报告期内公司订单数量同比上升，公司还根据市场情况调整了部分产品价格。苏州固锝预告公司中报净利润约9311.2万元～1.21亿元，同比增长100%～160%。公司表示业绩增长主要是受益于功率半导体国产替代加速，公司产销两旺，产能利用率提升；公司在集成电路和PPAK封装、MEMS封测增长较快，销售额和销售量创新高。从机构预期来看，获得机构一致预测2021年和2022年净利润增长幅度均超过30%的有18家上市公司，其中士兰微、华灿光电、富满电子、安泰科技、楚江新材、新洁能和三安光电等7家公司今年净利润将翻倍增长。

第三代半导体产业是集成电路领域的重要组成部分，可广泛用于新能源汽车、智能电网、轨道交通、半导体照明、新一代移动通信、消费类电子等领域。山东省工信厅近日出台《山东省第三代半导体产业发展“十四五”规划》，支持济南、青岛、淄博、潍坊、济宁等市先行先试，促进晶体材料—芯片及器件制造—模块及系统应用全产业链集聚发展，打造空间集聚、功能关联的百亿级国家第三代半导体产业高地。发挥国家集成电路设计济南产业化基地、青岛崂山微电子产业园、中德生态园集成电路产业基地、淄博齐鲁智能微系统创新产业基地、济宁省级信息技术产业基地等集聚优势，山东提出构建“5+N”区域布局：济南打造基于SiC基功率半导体器件生产集聚区，建成国内领先的第三代半导体产业基地；青岛以发展第三代半导体材料、芯片及器件设计、制造、封测为重点；济宁发展上游SiC、GaN衬底、外延材料生产制造产业，中游发展第三代半导体分立器件、功率器件及功能芯片产业，延链发展下游芯片封装测试产业，打造第三代半导体产业生产制造基地；潍坊布局第三代半导体材料、器件的研发；淄博围绕工业控制、新能源汽车、光伏发电、储能等领域重点加快车用、充电桩用、新能源用芯片制造的产业化，促进SiC模块封装规模化；其他市依托本地产业发展基础和特色，突出差异化发展，加强同重点市的协调联动。符合条件的产业链重点项目优先纳入山东省新旧动能转换重大项目库，充分利用好新旧动能转换政策进行重点扶持；围绕SiC、GaN等晶体材料、功率器件和模块、照明与显示器件和下游应用等产业链关键环节，培育壮大细分行业领军企业。围绕半导体照明、激光器、电力电子器件、高频宽带等具有市场潜力的领域，山东将组织开展第三代半导体产品应用试点示范，加快市场渗透，提升国产化率，推动上中游产品在下游应用的快速验证，形成以用兴业的良性循环。据介绍，山东现拥有第三代半导体企业20余家，2020年实现主营业务收入38.7亿元，已逐步形成了衬底材料、外延材料、芯片设计、器件制造与封测等较为完整的产业链。其中山东天岳是我国最大的SiC单晶材料供应商，浪潮华光在外延材料生长、芯片制备及器件封装具有完备的产业基础，为我省发展第三代半导体产业奠定了坚实基础。目前，山东SiC、GaN等外延及芯片生产线正处于起步阶段。

第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.3eV)，亦被称为高温半导体材料。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓，而氧化锌、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，被行业称为第三代半导体材料的双雄。专利一般是由政府机关或者代表若干国家的区域性组织根据申请而颁发的一种文件，这种文件记载了发明创造的内容，并且在一定时期内产生这样一种法律状态，即获得专利的发明创造在一般情况下他人只有经专利权人许可才能予以实施。在我国，专利分为发明、实用新型和外观设计三种类型。专利文献作为技术信息最有效的载体，囊括了全球90%以上的最新技术情报，相比一般技术刊物所提供的信息早5～6年，而且70%～80%发明创造只通过专利文献公开，并不见诸于其他科技文献，相对于其他文献形式，专利更具有新颖、实用的特征。可见，专利文献是世界上最大的技术信息源，另据实证统计分析，专利文献包含了世界科技技术信息的90%～95%。如此巨大的信息资源远未被人们充分地加以利用。事实上，对企业组织而言，专利是企业的竞争者之间惟一不得不向公众透露而在其他地方都不会透露的某些关键信息的地方。因此，通过对专利信息细致、严密、综合、相关的分析，可以从其中得到大量有用信息。基于此，仪器信息网特统计分析了第三代半导体中氮化镓的专利信息，以期为从业者提供参考。（本文搜集信息源自网络，不完全统计分析仅供读者参考，时间以专利申请日为准）专利申请趋势分析（1994-2020）申请人数量趋势分析（1994-2020）发明人数量趋势分析（1994-2020）本次统计，以“氮化镓”为关键词进行检索，共涉及专利总数量为9740条（含世界知识产权组织254条专利），其中发明专利8270条、实用新型专利1169条和外观专利47条。从统计结果可以看出可以看出，从1994年开始，氮化镓专利数量和专利申请人数量整体呈增长趋势，只在2012-2014年之间和2020年呈下降趋势。这表明氮化镓的研发投入不断增加，相关企业和科研院所数量也在不断增加。从专利发明人数量趋势可以看出，从事氮化镓相关研究的人数也在逐年增加，氮化镓已成为研究热点。申请人专利排行发明人专利量排行那么从事相关研发工作的主要有哪些单位呢？从申请人专利量排行可以看出，在专利申请人申请量排名中，中国科学院半导体研究所的表现最为突出共申请专利314件，三菱电机株式会社（排名第二）与电子科技大学（排名第三）也不甘示弱，分列第二与第三位。具体来看，半导体所的专利主要集中于材料生长、加工工艺等方面；三菱电机的专利主要集中于功率器件制造、半导体装置等方面。在发明人专利量排行中，李鹏的专利量最多，其次为胡加辉、李晋闽等人。李鹏发明的专利主要归华灿光电所属，专利集中于氮化镓发光二极管领域的研究。据了解，华灿光电成立于2005年的华灿光电股份有限公司，是我国领先的半导体技术型企业。目前有张家港、义乌、玉溪三大生产基地。历经十几年的发展，华灿光电已成为国内第二大LED芯片供应商，国内第一大显示屏用LED芯片供应商。2015年收购云南蓝晶，整合LED上游产业资源。专利申请区域统计通过对专利申请区域进行统计能够了解到目前专利技术的布局范围以及技术创新的活跃度，进而分析各区域的竞争激烈程度。从专利申请区域可以看出，氮化镓专利申请主要集中于广东省、江苏省等，这些地区都是半导体产业发达的地区，其在第三代半导体方面的布局也快人一步。值得注意的是，日本企业在国内也有很多专利布局。专利技术分类统计从专利技术分类来看，大部分氮化镓的专利都集中于电学领域。这主要是因为氮化镓是功率器件和射频器件的重要半导体材料，在电力电子、射频芯片等领域都要重要的应用。具体来看，相关研究主要集中于光发射的半导体器件、半导体装置或设备、半导体材料在基片上的沉积等方面。

p　　近日，由南方科技大学、中国科学院北京基因组研究所、浙江大学医学院附属妇产科医院(以下简称“浙大妇产科医院”)等多家单位联合完成的“第三代单分子测序仪的无创产前检测研究”结果显示，使用我国完全自主研发的第三代单分子基因测序仪，可成功应用于无创产前检测(英文简称NIPT)，且检测结果100%准确。相关研究成果已发表在由非营利机构美国冷泉港实验室运营的BioRxiv网站上。br//pp　　“这是世界上首次利用单分子测序技术进行NIPT临床检测并获得成功的案例。”中国科学院北京基因组研究所研究员、项目测序技术负责人于军说，作为中国第三代基因测序技术研究在国际研究领域的一次引领性重大突破和原创成果，这项研究“将实质性地开启健康与医疗体系的个体化时代”。/pp　　目前，基于二代测序的NIPT还存在着一些不足，如检测胎儿18-三体综合征(爱德华氏综合征)及13-三体综合征(帕陶氏综合征)的假阳性率还明显高于21-三体综合征，胎儿性染色体异常以及微缺失、微重复检测的准确性有待提高等。/pp　　论文第一作者、项目临床负责人、浙大妇产科医院主任医师董旻岳表示，三代测序仪摒弃了二代测序的PCR扩增环节，不受GC偏好影响，在保证了21-三体的精确检测基础上，对18-、13-三体综合征的检出率更高，可有效降低假阳性率。此外，使用二代基因测序仪做NIPT，至少需要在孕12周后才能获得比较准确的检测结果 相比之下，三代基因测序仪灵敏度更高，可检测的cffDNA(母体血浆中存在胎儿游离DNA)浓度低至2%，使得NIPT的检测时间有可能被提前至孕8周。这无疑有利于及早发现、及早处置，将为临床诊治争取到更多宝贵的时间。/pp　　董旻岳同时表示，三代测序技术还有望提高胎儿性染色体异常、微缺失、微重复无创检测的灵敏度，拓宽NIPT检测的疾病谱。/pp　　在10月26日~29日于深圳举行的第12届基因组学国际会议上，美国梅奥医学中心教授David Smith在其报告中提出，美国Illumina公司基因测序仪全球垄断的现状会带来诸多问题，如科研及医疗机构缺乏选择、试剂成本居高不下等。对此，于军认为，本项研究的成功是基因测序领域的重大利好，意味着我国自主研发的第三代基因测序仪打破美国Illumina公司在NIPT领域一家独大局面的未来可期。/pp　　据介绍，该项目所使用的第三代基因测序平台是由深圳市瀚海基因生物科技有限公司(下简称“瀚海基因”)今年7月宣布研发成功并投入小批量样机生产、拥有完全自主知识产权的第三代单分子基因测序仪GenoCare。中国科学院院士陈润生评价说，基于GenoCare的NIPT研究获得成功，证明了无需扩增就可以实现NIPT，这是重大的技术创新，是中国基因测序技术研究领域一次真正意义上的弯道超车。/pp　　南方科技大学副教授、瀚海基因董事长贺建奎告诉《中国科学报》记者，第三代基因测序仪及试剂的完全国产化可使检测成本大幅下降并远低于二代测序仪，此外专门为临床进行的设计也使操作更为方便，这些优点都令三代测序仪便于大规模普及。未来，除了NIPT，第三代单分子基因检测技术还有望应用于单基因病、ctDNA肿瘤早筛、传染病检测、农业育种、法医鉴定等方面。/ppbr//p

为加速我国基因科学研究的进程，12月3日，中科院北京基因组所与浪潮成立“中科院北京基因组研究所—浪潮基因组科学联合实验室”仪式在京举行。该实验室将研发国产第三代基因测序仪，第一台样机预计2013年问世。这不仅将填补我国在基因测序基础装备领域的空白、提升装备自主化水平，同时也将使国内生命科学研究机构能获得低成本、高效率的测序工具，更有效地开发和利用我国丰富的基因资源，加速我国基因战略的发展。　　科技部高新司副司长杨咸武指出，作为基因科学的基础性战略装备，具有国际先进水平的第三代基因测序仪的研制，将使我国在该领域建立先发优势，在未来的国际竞争中占据有利位置。　　中科院生物科学与生物技术局局长张知彬表示，很支持研究所和企业合作，个性化医疗时代需要更便捷的基因测序仪。　　当前，我国从事基因研究使用的第二代基因测序仪完全依靠进口。在经费受限的情况下，足够数量的基因测序设备难以获得，科研进度缓慢。更严重的是，由于基因资源具有唯一性，国外公司利用基因测序设备方面的先发优势，抢先申请基因专利，垄断未来全球的基因产业。　　中科院北京基因组研究所副所长于军介绍，目标研发的第三代基因测序仪仅需几十分钟即可完成一个人的完整基因组测序，短于第二代产品1个月以上的测序周期。同时，测试成本也将下降到5000元左右，仅为当前的1%。　　于军还指出，国产第三代基因测序仪在测序原理、测序读长以及测序成本等方面能达到国际先进水平，也将引发基因组科学应用领域的革命性改变，开启个体化医疗时代。　　据悉，目前国际上对第三代基因测序仪的争夺十分激烈，美国宣称要在2012年推出成熟的第三代基因测序仪，日本和欧洲也有相关的研发计划。基因测序仪的研发是系统工程，涉及生物、半导体、计算机、化学、光学等多个领域，需要不同学科顶尖力量的合作。中科院北京基因组研究所是国内权威的基因组学研究机构，而浪潮集团则依托服务器存储国家重点实验室，是国内唯一具备半导体、集成电路和光电子仪器设计，以及服务器整机、存储和芯片研发能力等多领域技术的IT厂商。　　除第三代基因测序仪的研制以外，中科院与浪潮还将联合开展生物信息算法在新技术架构下的应用开发，以及生物信息专用机的研制。浪潮集团高级副总裁王恩东表示，与中科院的合作，能够有效促进生命科学与IT技术的融合，推动生命科学和IT产业的互动式发展。

在研发生产取得突破后，第三代汽车钢的商用进程开始加快。3月14日，中国第一汽车集团公司技术中心和中国钢研科技集团公司钢铁研究总院在京举行了“先进汽车用钢联合实验室”揭牌仪式，表示共同推进第三代汽车钢应用与大规模商用。　　根据双方协议，联合实验室将根据汽车用钢板和汽车用结构钢发展趋势，开展新产品研发，汽车用钢应用技术及相关应用工艺研究，开发或推荐适应新车型的汽车用钢，并进行前期应用试验。　　一汽与中钢研建立联合实验室，是第三代汽车钢商用的重要步骤。根据中钢研计划，今年将与一汽等汽车厂商合作，希望明年可以试验装车，在2014年实现第三代汽车钢的商业性运用。　　据中国一汽集团公司副总工程师兼技术中心主任李骏介绍，一汽每年将投入1000万资金用于研究和实验。“十二五”期间，第三代高机动战术军车、解放第七代商用车、新一代轻量化轿车、新能源汽车等产品将成为第三代汽车用钢的应用主体。　　第三代汽车钢的应用将提高汽车安全性和节油水平。以一辆采用0.7毫米厚冷轧板为材料的汽车为例，如采用第三代汽车钢，钢板可以变薄到0.6毫米，制造成本上提高了2200元左右，但可以实现5%的节油。从安全性上来看，采用第三代汽车钢以后，车辆发生正常碰撞时几乎可以实现零死亡率。

第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.3eV)，亦被称为高温半导体材料。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓，而氧化锌、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，被行业称为第三代半导体材料的双雄。基于第三代半导体的优良特性，其在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中颇具优势。其中，碳化硅、氮化镓的研究和发展较为成熟。以SiC为核心的功率半导体，是新能源汽车充电桩、轨道交通系统等公共交通领域的基础性控件；射频半导体以GaN为原材料，是支撑5G基站建设的核心；第三代半导体在消费电子、工业新能源以及人工智能为代表的未来新领域，发挥着重要的基础作用。近年来，随着新能源汽车的兴起，碳化硅IGBT器件逐渐被应用于超级快充，展现出了强大的市场潜力，第三代半导体发展进入快车道。随着第三代半导体，特别是氮化镓和碳化硅的市场爆发，相关标准也逐渐出台。无规矩不成方圆，只有有了规矩，有了标准，这个世界才变得稳定有序！标准是科学、技术和实践经验的总结。为在一定的范围内获得最佳秩序，对实际的或潜在的问题制定共同的和重复使用的规则的活动，即制定、发布及实施标准的过程，称为标准化。为规范第三代半导体材料的发展，相关组织和机构也出台了一系列的标准。（以下第三代半导体标准只统计其作为宽禁带半导体材料的现行相关标准）碳化硅(SiC)碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟，碳化硅功率器件行业未来可期。相关标准如下，标准号标准名称CASA 001-2018碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范CASA 003-2018p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片CASA 004.1-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 术语CASA 004.2-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 图谱CASA 006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范CASA 007-2020电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范CASA 009-2019半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013-2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/IAWBS 012-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法-共焦点微分干涉光学法T/IAWBS 011-2019导电碳化硅单晶片电阻率测量方法-非接触涡流法T/IAWBS 010-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法T/IAWBS 008-2019SiC晶片的残余应力检测方法T/IAWBS 007-20184H碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法T/IAWBS 006-2018碳化硅混合模块测试方法T/IAWBS 005-20186英寸碳化硅单晶抛光片T/IAWBS 003-2017碳化硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法T/IAWBS 002-2017碳化硅外延片表面缺陷测试方法T/IAWBS 001-2017碳化硅单晶DB13/T 5118-2019 4H碳化硅N型同质外 延片通用技术要求DB61/T 1250-2019 SiC（碳化硅）材料半导体分立器件通用规范GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法SJ/T 11502-2015 碳化硅单晶抛光片规范SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法SJ/T 11500-2015碳化硅单晶晶向的测试方法GB/T 31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法GB/T 30656-2014碳化硅单晶抛光片GB/T 30866-2014碳化硅单晶片直径测试方法氮化镓(SiC)氮化镓，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下，产生紫光（405nm）激光。GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。标准号标准名称CASA 010-2019GaN材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013—2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/GDC 69—2020氮化镓充电器GB/T 39144-2020 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法GB/T 37466-2019氮化镓激光剥离设备GB/T 37053-2018 氮化镓外延片及衬底片通用规范GB/T 36705-2018 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法GB/T 32188-2015 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片蓝宝石（Al2O3） 蓝宝石晶体属于人造宝石晶体，主要应用于制作LED灯的关键材料，也是应用于红外军事装置、卫星空间技术、高强度激光的重要窗口材料。蓝宝石晶体是一种氧化铝的单晶，又称为刚玉。蓝宝石已成为一种重要的半导体衬底材料。标准号标准名称SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 35316-2017 蓝宝石晶体缺陷图谱GB/T 34612-2017 蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线测量方法GB/T 34504-2017 蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法GB/T 34213-2017 蓝宝石衬底用高纯氧化铝GB/T 34210-2017 蓝宝石单晶晶向测定方法GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 31353-2014 蓝宝石衬底片弯曲度测试方法GB/T 31352-2014 蓝宝石衬底片翘曲度测试方法GB/T 31093-2014 蓝宝石晶锭应力测试方法GB/T 31092-2014 蓝宝石单晶晶锭GB/T 30858-2014 蓝宝石单晶衬底抛光片GB/T 30857-2014 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法DB44/T 1328-2014 蓝宝石图形化衬底片测试技术规范GB/T 14015-1992 硅-蓝宝石外延片其他标准第三代半导体被广泛的应用于IGBT功率器件中和发光材料中，对此，我们盘点了宽禁带半导体、功率器件和光电子器件标准。标准号标准名称CASA 002-2021宽禁带半导体术语T/IAWBS 004-2017电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法T/IAWBS 009-2019功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验GB/T 29332-2012半导体器件　分立器件　第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范GB/T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范现行SJ/T 1826-2016 半导体分立器件 3DK100型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1834-2016 半导体分立器件 3DK104型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1839-2016 半导体分立器件 3DK108型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1833-2016 半导体分立器件 3DK103型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1831-2016 半导体分立器件 3DK28型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范现行SJ/T 1830-2016 半导体分立器件 3DK101型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1838-2016 半导体分立器件 3DK29型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1832-2016 半导体分立器件 3DK102型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范IEC 60747半导体器件QC/T 1136-2020 电动汽车用绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块环境试验要求及试验方法JB/T 8951.1-1999 绝缘栅双极型晶体管JB/T 8951.2-1999 绝缘栅双极型晶体管模块 臂和臂对需要注意的是，CASA和IAWBS属于团体标准、GB属于国家标准、DB是地方标准。仪器信息网为了更好地服务半导体行业用户，特邀请您参与问卷调研，麻烦大家动动小手完成问卷，参与即得10元话费！活动结束还将择优选择10名认真填写用户送出50元话费！！！http://a72wfu5hktu19jtx.mikecrm.com/zuXBhOy

在5月28日举办的北京(国际)第三代半导体创新发展论坛上，顺义区面向全球推介第三代半导体产业发展蓝图，与全球创新创业者们共享新机遇、共谋新发展。《北京市“十四五”时期国际科技创新中心建设规划》中明确指出，顺义区要“推动第三代半导体产业集聚，建设工艺、封装和检测等共性技术平台，打造国际第三代半导体创新高地”。近年来，顺义区将第三代半导体作为三大主导产业之一，加快产业发展顶层设计，编制了《顺义区第三代半导体产业发展规划(2021-2035年)》，集聚了泰科天润、国联万众、瑞能半导体等产业链上下游企业20余家，引进了北京大学、清华大学、中科院物理所等优质项目，初步形成从装备到材料、芯片、模组、封装检测及下游应用的产业链布局，三代半产业集群效应初显。良好的产业生态和配套服务是企业能否留得住的关键。区内注册成立了第三代半导体产业技术创新战略联盟，成员单位达200余家；总面积7.1万平米的第三代半导体材料及应用联合创新基地投入使用，建成国家级第三代半导体联合创新孵化中心，协同创新不断加强，产业活力持续提升。为解决企业落地难、落地贵、落地慢问题，设立首期规模10亿元的第三代半导体产业专项基金，建设总面积约20万平米的第三代半导体产业标准化厂房，一期7.4万平米已投入使用。加快工业污水处理站分阶段按需扩容，启动建设110kVA变电站，高纯净再生水厂、大宗气站、危化品库、危废中转站计划于2024年底前完工。同时，统筹规划1万名产业人员的生活配套，形成完整的商业、医疗、娱乐等生活配套体系。三代半产业快速发展的背后离不开政策的引导和支持。围绕产业发展环境和关键节点，顺义区先后出台了一系列支持政策，实现了技术研发、成果转化、人才服务、产业发展全覆盖。2019年，联合中关村管委会共同印发了《关于促进中关村顺义园第三代半导体等前沿半导体产业创新发展的若干措施》。2023年初，发布了《顺义区进一步促进第三代等先进半导体产业发展的若干措施》，围绕企业关注的研发、流片、投资、厂房等特殊需求精准发力，做好全方位服务保障，进一步支持第三代等先进半导体产业高质量发展。

第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.3eV)，亦被称为高温半导体材料。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓，而氧化锌、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，被行业称为第三代半导体材料的双雄。基于第三代半导体的优良特性，其在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中颇具优势。其中，碳化硅、氮化镓的研究和发展较为成熟。以SiC为核心的功率半导体，是新能源汽车充电桩、轨道交通系统等公共交通领域的基础性控件；射频半导体以GaN为原材料，是支撑5G基站建设的核心；第三代半导体在消费电子、工业新能源以及人工智能为代表的未来新领域，发挥着重要的基础作用。近年来，随着新能源汽车的兴起，碳化硅IGBT器件逐渐被应用于超级快充，展现出了强大的市场潜力，第三代半导体发展进入快车道。随着第三代半导体，特别是氮化镓和碳化硅的市场爆发，为扶持第三代半导体产业发展和加速第三代半导体研发进度，相关部门也不断推出相关政策推动产业发展。第三代半导体正在成为市场焦点。发布时间发布部门政策名称政策内容全文链接2016年8月国务院“十三五”国家科技创新规划发展微电子和光电子技术，重点加强极低功耗芯片、新型传感器、第三代半导体芯片和硅基光电子、混合光电子、微波光电子等技术与器件的研发。“十三五”国家科技创新规划2016年9月科技部、发改委、外交部、商务部推进“一带一路”建设科技创新合作专项规划开展第三代半导体等先进材料制造技术合作研发。《推进“一带一路”建设科技创新合作专项规划》2016年11月国务院“十三五”国家战略性新兴产业发展规划加快制定宽禁带半导体等标准“十三五”国家战略性新兴产业发展规划的通知2016年12月国家能源局能源技术创新“十三五”规划研究Ⅲ-Ⅴ族光伏材料的制备技术P020170113571241558665.pdf2016年12月工信部、发改委信息产业发展指南加紧布局超越“摩尔定律”相关领域，推动特色工艺生产线建设和第三代化合物半导体产品开发信息产业发展指南2016年12月工信部、发改委、科技部、财政部新材料产业发展指南以宽禁带半导体材料等市场潜力巨大、产业化条件完备的新材料品种，组织开展应用示范。 宽禁带半导体材料等为重点，突破材料及器件的技术关和市场关，完善原辅料配套体系，提高材料成品率和性能稳定性，实现产业化和规模应用。新材料产业发展指南2017年2月发改委战略性新兴产业重点产品和服务指导目录将化合物半导体材料，蓝宝石和碳化硅等衬底材料列入《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》2016版2017年4月科技部“十三五”材料领域科技创新专项规划大力发展第三代半导体材料、新型显示技术等新材料； 战略性电子材料技术以第三代半导体材料与半导体照明、新型显示为核心； 要求第三代半导体材料与半导体照明、新型显示两大核心方向整体达到国际先进水平，部分关键技术达到国际领先水平《“十三五”材料领域科技创新专项规划》2017年5月科技部、交通运输部“十三五”交通领域科技创新专项规划开展IGBT、碳化硅、氮化镓等电力电子器件技术研发及产品开发和零部件、系统的软硬件测试技术研究与测试评价技术规范体系研究； 突破以宽禁带半导体为基础的电驱动控制器技术，实现规模产业化。“十三五”交通领域科技创新专项规划的通知2019年10月发改委产业结构调整指导目录（2019年本）实现直径 125mm 以上直拉或直径 50mm 以上 水平生长化合物半导体材料生产《产业结构调整指导目录（2019年本）》2019年11月工信部重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版）重点新材料：碳化硅外延片、碳化硅单晶衬底、化镓单晶衬底、功率器件用氮化镓外延片《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版）》2019年12月中共中央、国务院中共中央 国务院印发《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》面向第三代半导体等八大领域，加快培育布局一批未来产业中共中央 国务院印发《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》2020年8月国务院新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策集成电路线宽小于0.5微米（含）的化合物集成电路生产企业和先进封装测试企业进口自用生产性原材料、消耗品，免征进口关税。新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策2020年12月发改委、商务部鼓励外商投资产业目录（2020年版）支持引进：化合物半导体材料（砷化镓、磷 化镓、磷化铟、氮化镓）；碳化硅、氮化硅超细粉体；高纯 超细氧化铝微粉；低温烧结氧化锆（ZrO2）粉 体；高纯氮化铝（AlN）粉体等鼓励外商投资产业目录（2020年版）2021年3月全国人大中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要实现绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等特色工艺突破,碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要本次盘点共涉及15项政策，不完全盘点仅供参考。从这些政策可以看出，我国对第三代半导体支持力度很大，第三代半导体被纳入了“十三五”和“十四五”规划，从产业调整、科研投入、税收优惠、海外投资、一带一路等方面都有所支持，相关政策更是触达了第三代半导体材料、制造、器件、应用等产业链的各个方面。政策发布部门也涉及中共中央、全国人大、国务院、发改委、科技部、工信部、能源部、交通部、商务部、财政部等。在一些列政策的支持下，我国第三代半导体产业持续向前推进，2019年，我国第三代半导体整体产值超过7600亿元。其中，光电子（主要为半导体照明）为7548亿元，电力电子和微波射频产值约为60亿元。其中，SiC、GaN电力电子产值规模近24亿元，同比增长超过80%；GaN微波射频产值规模近38亿元，同比增长近75%。目前我国第三代半导体产业得到快速发展，已基本形成了涵盖上游衬底、外延片，中游器件设计、器件制造及模块，下游应用等环节的产业链布局。仪器信息网为了更好地服务半导体行业用户，特邀请您参与问卷调研，麻烦大家动动小手完成问卷，参与即得10元话费！活动结束还将择优选择10名认真填写用户送出50元话费！！！http://a72wfu5hktu19jtx.mikecrm.com/zuXBhOy

奥地利安东帕先进流变测量技术研讨会在京召开　　仪器信息网讯 2011年11月3日，“奥地利安东帕先进流变测量技术研讨会”在北京和平里大酒店彩虹厅顺利召开；此次研讨会主题为“创新科技，引领未来”，来自食品、化妆品、高分子材料、石油和石化等领域的50余位专家学者出席了会议，仪器信息网作为特邀媒体参会。研讨会现场　　作为流变测量技术的全球领先者，安东帕（Anton Paar）公司拥有80多年的精密机械和电子制造领域的历史和传统，每年至少将销售额的20%用于研发，不断推进流变测量技术的创新，是一家极具创新精神和快速增长率的流变仪公司，也是当前市场上唯一一家由自己工厂生产流变仪的供应商。目前，安东帕已成为欧洲市场第一品牌，其流变仪产品的年销售量已位居全球第一。奥地利安东帕(中国)有限公司流变部经理陈飞跃先生　　陈飞跃先生首先介绍到，一直以来，流变仪的测量原理上分为的应力控制型和控制应变型。应力控制型流变仪的技术发展方向之一是流变仪要有很好的应变和速率控制。而安东帕公司在流变仪的研发也正是从这一理念着手，如1995年推出的UDS 200、1999年推出第一代MCR流变仪、2004年推出的第二代MCR流变仪都不同程度地引领了流变仪技术的创新。随着电子电路技术和通讯技术的发展，为了进一步扩大技术的领先优势，更好地贯彻新想法和功能附件，安东帕公司经过长达3年的研发和半年多不断的测试，在2011年7月隆重推出第三代MCR 系列模块化智能型高级流变仪——MCRxx2 系列，包括MCR52、MCR102、MCR302、MCR502四个型号，覆盖了从质量控制到顶级流变学基础研究的所有领域。第三代MCR系列流变仪之MCR302　　对于MCRxx2的技术创新点，陈飞跃先生说到，MCRxx2的创新之处在于卓越技术、模块化、操作更加舒适高效。MCRxx2配备了全面升级的的无刷同步直流马达、高精度空气轴承，专利的法向力传感器，使测试精度和测试范围提升到前所未有的水平；Toolmaster、TruGap、T-Ready、TruStrain、TruRate五项技术全面领先于竞争对手。随后，陈飞跃先生分别从仪器原理与研究热点2个角度出发，进一步展示了MCRxx2的技术特点与应用优势。奥地利安东帕(中国)有限公司流变仪产品经理郑炳林先生　　郑炳林先生谈到，第三代MCR流变仪专注于最新应用的前瞻性流变仪设计，是目前最先进的流变测试系统，其完全模块化、智能化的设计，使其既有最强大的扩展功能，又具有简单方面的操作性，可满足目前和将来的应用需求，将再一次引领流变测量技术的发展方向。　　MCRxx2可提供各种模块化控温系统，温度范围可从-150到1000℃，样品可从低粘度液体到高弹性固体，而测量模式可从传统流变测试到DMTA测量。对于这一技术优势，郑炳林先生着重介绍了MCRxx2在高分子聚合物领域的应用实例。通过这一系列的实验结果，与会人员可以看出，MCRxx2非常适用于测量高分子聚合物的流变性能、粘弹行为、玻璃化转变、形态变化等参数性质。　　最后，郑炳林先生特别强调，MCRxx2具有20多种扩展系统，包括界面流变系统、动态机械热分析系统、高压密闭系统、UV反应测试系统、可视显微流变系统、激光散射SALS系统等。用户在获取样品结构信息的同时，也可增加额外的参数或利用流变仪的功能进一步分析材料特性，而这些特殊的应用附件均可轻松集成到MCRxx2中。同时，郑炳林先生还将MCRxx2的拓展功能与同种功能的其它产品相对比，再次证明了MCRxx2强大的拓展功能与更加舒适、高效的操作功能。陈飞跃先生接受仪器信息网编辑采访　　Instrument：与第二代MCR流变仪相比，第三代MCR流变仪在技术与应用方面有何独特优势?　　陈飞跃先生：第三代MCR流变仪，即MCRxx2系列，首先实现了完全自适应的真正的应变控制，真正的速率控制，样品扭矩控制和高精度的法向应力控制，即在同一台仪器内实现了流变学意义上的的所有测量和控制，并进一步拓展到大振幅振荡剪切(LAOS)的范畴；其次，进一步强化了在组合流变测量技术(结构分析，额外参数和拓展材料表征等三类)上的优势，推出了第二代流变光学测量系统（显微或小角激光光散射）；此外，MCRxx2采用最新的电子电路和机械设计，其更为全新的高端研发平台、更多的功能和应用值得用户期待。　　Instrument：伴随着第三代MCR流变仪的推出，贵公司对全球及中国的流变仪市场是否有了不一样的期待?　　陈飞跃先生：是的。新一代的MCR流变仪将秉承Anton Paar对质量的承诺，开放的测量平台紧扣客户的应用需求。从上市几个月来全球和中国的反馈来看，新一代的MCR流变仪确实获得了用户的好评，同时市场份额也得到了进一步的提升。MCR302新型流变仪获得众多与会用户关注

据悉，深圳华因康基因科技有限公司内的研发人员最近十分忙碌，华因康的超高通量基因测序仪第三代机型年底将推出，他们正忙着测序仪的组装和调试。作为曾填补国内基因测序设备制造空白的华因康基因测序仪，第三代仪器将让国产基因测序仪再上一个新台阶。国家&ldquo 千人计划&rdquo 创业人才、华因康技术总裁盛司潼正是这台超高通量基因测序仪的研发领头人。　　填补国内基因测序设备空白　　1973年出生的盛司潼可谓少年英才，14岁便进入清华大学学习物理。在美国弗吉尼亚大学、约翰霍普金斯大学先后攻读物理、分子生理与生物物理等学科十余年后，2008年，盛司潼入选国家&ldquo 千人计划&rdquo 创业人才并创办华因康。盛司潼说，&ldquo 之所以选择回到国内，除了深感国内生物基因产业发展逐步成熟的环境因素外，另一个重要原因是，我在国外始终忘不了要回国开创一番事业，尤其是生物基因产业，中国需要自己的企业。&rdquo 　　基因测序设备制造，在2008年前的国内尚属空白。早在2003年，盛司潼就投身到基因测序设备的研发中，在高强度技术积累的基础上，盛司潼在创办华因康的同一年推出了第一代高通量基因测序仪，并在国内引起轰动。这也打破了国内医疗机构、科研机构只有国外仪器可供购买的垄断。　　据了解，人类的基因99%是相同的，个体差异由剩下的1%决定，也正是这1%的差异，就可能让有的人一辈子健健康康，有的人却莫名其妙患上重病。盛司潼说，有些长期抽烟的人没有肺癌，但有些人一辈子从未抽烟却得了肺癌，生来所携带的致病基因是非常重要的原因。基因测序仪的应用功能之一，便是读取人们的基因信息，通过筛查人们的特定基因，确定是否存在致病可能。&ldquo 很多肿瘤疾病并非不能治好，如果通过基因测序技术发现得早，及时调理、治疗，完全有可能挽救生命。&rdquo 他说，治疗同一种疾病的众多品类的药物，并不一定适用于每一个人，由于个体的耐受性不一样，基因测序技术可以为病人找到适合他们的药物。　　在华因康的测序中心，记者看到了正在组装调试的第三代机型。据了解，第三代华因康超高通量基因测序仪不仅将测序通量提升十余倍，其测序精确性也大大提升，国产基因测序设备的品质可谓再上了一个新台阶。　　向单分子测序技术推进　　盛司潼说，华因康基因测序仪的硬件都是外包生产，组装由华因康自己完成，&ldquo 深圳拥有强大的硬件制造环境，高科技企业不要依靠生产线的规模，而要依靠自己的核心技术实力。&rdquo 目前，华因康正将基因测序技术向单分子测序阶段推进，这种技术将不再需要放大基因进行酶切，&ldquo 样品送过来，直接就可以测序。&rdquo 这将大大提高基因测序的效率。　　据了解，专门生产基因测序设备和生化试剂的企业目前在中国仅有华因康一家。经过四年的摸索和发展，盛司潼组建了一支由海外教授、博士后、博士等组成100多人研究团队，成为首批广东省创新科研团队。在盛司潼的带领下，华因康已申请80多项专利，其中90%以上为发明和实用新型专利，开发出高通量基因测序仪、乳浊液制备仪等设备类产品，短标签建库试剂盒、单分子扩增试剂盒等试剂类产品共100多项。

日前，位于北京中关村顺义园的第三代半导体产业园正式投入运行。该产业园占地7.4万平方米，将以新能源汽车、5G通讯、能源互联网等重大应用需求为牵引，积极突破核心技术，实现第三代半导体技术与产业自主可控，形成国内领先、国际一流的第三代半导体产业集聚区。走进顺义第三代半导体产业园的科创芯园壹号，6栋楼分布四周，中心处是一个休闲公园，既有用于办公的楼宇，也有高承重的生产厂房，由首钢基金创业公社负责运营。“1、2、3号楼主要定位芯片设计、工艺设计、孵化服务等办公型企业以及食堂、会议展览等园区配套服务；4、5、6号楼主要定位工艺加工、研发生产等研发生产型企业。”园区运营负责人朱毅峰说。园区采用“孵化平台-加速平台-产业园区”的全链条孵化培育模式，专注于第三代半导体光电子、电力电子、微波射频三大领域，聚合发展全产业链，提供孵化服务、投融资服务、产业服务等，精准匹配资本需求，构建第三代半导体产业服务全链条的培育体系。目前已有两家半导体领域的前沿企业入驻。未来，园区还将依托北大物理学院、中科院物理所专家资源，筹备建立科创芯园壹号院士工作站，充分发挥院士工作站在高端人才引进和技术研发方面的优势，重点研究第三代半导体材料与器件领域的新技术与新产品，着力于关键核心技术突破、科技成果转化和科技骨干人才培养。此外，还将面向科研单位和实体企业共享相关实验平台。

p style="text-indent: 28px text-align: justify "近日，有消息称，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在span2021-2025/span年期间，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。这一消息再次将第三代半导体映入人们的视线。/pp style="text-indent: 28px text-align: justify "第三代半导体是指以氮化镓（spanGaN/span）、碳化硅（spanSiC/span）、金刚石、氧化锌（spanZnO/span）为代表的宽禁带半导体材料。与传统的第一代、第二代半导体材料硅（spanSi/span）和砷化镓（spanGaAs/span）相比，第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，使其在光电器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力，是世界各国半导体研究领域的热点。/pp style="text-indent: 28px text-align: justify "目前，第三代半导体材料正在引起清洁能源和新一代电子信息技术的革命，无论是照明、家用电器、消费电子设备、新能源汽车、智能电网、还是军工用品，都对这种高性能的半导体材料有着极大的需求。根据第三代半导体的发展情况，其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他span4/span个领域，每个领域产业成熟度各不相同。/ph3strongspan style="font-size:16px"科研人员披荆斩棘，冲破国外技术封锁/span/strong/h3p style="text-indent: 28px text-align: justify "span2014 /span年，美国总统奥巴马宣布成立span“/span下一代功率电子技术国家制造业创新中心span” /span同期，日本建立了span“/span下一代功率半导体封装技术开发联盟span /span欧洲启动了产学研项目span“LASTP OWER”/span，由意法半导体公司牵头，协同来自意大利、德国、法国、瑞典、希腊和波兰等六个欧洲国家的私营企业、大学和公共研究中心，联合攻关spanSiC/span和spanGaN/span的关键技术。/pp style="text-indent: 28px text-align: justify "基于第三代半导体的广阔应用前景、巨大的市场需求和经济效益，继半导体照明以后，美国将第三代半导体材料的电子电力器件应用提升到国家战略的高度，确保美国在这一领域的优势地位。由于第三代半导体材料及其制作的器件的优越性、实用性和战略性，许多发达国家将第三代半导体材料列入国家计划，全面部署，竭力抢占战略制高点。目前美欧日具备较为成熟的spanGaN/span半导体材料产业体系。/pp style="text-indent: 28px text-align: justify "目前我国第三代半导体材料市场仍以日美欧厂商为主角，但近几年我国已经开始大力扶持第三代半导体产业。在国家 “span863/span计划”，《国家半导体照明工程》《“十三五”材料领域科技创新专项规划》等政策的支持下，第三代半导体的研究取得了一系列突破性进展。/ptable border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" style="border-collapse:collapse border:none" align="center"tbodytr class="firstRow"td width="77" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p时间/p/tdtd width="350" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p成果/p/tdtd width="97" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p单位/p/td/trtrtd width="77" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspan2003/7/span/p/tdtd width="350" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="left"p在自研的高温生长炉上，解决了物理气相传输法中生长spanSiC/span晶体的一些关键物理化学问题，成功地生长出了直径为span2/span英寸的spanSiC/span晶体，其spanX-/span射线衍射摇摆曲线达到span2/span弧分，微管密度已少于span100/span个span//span平方厘米span(10x10/span平方毫米样品span)/span，这些表征spanSiC/span晶体质量的重要参数指标超过了目前spanCree/span公司的部分商品的指标，为spanSiC/span单晶的国产化奠定了基础。/p/tdtd width="97" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p中科院物理所/p/td/trtrtd width="77" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspan2003/9/span/p/tdtd width="350" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="left"p解决了在蓝宝石衬底上生长氮化镓基蓝光spanLED/span结构的外延生长、spanLED/span器件工艺及减薄、抛光、划裂片器件后工艺方面的一系列关键技术。该技术的主要技术指标为：氮化镓基蓝光spanLED/span在span20mA/span正向电流下，主波长在span460/span至span475nm/span之间，发光强度典型值处于span4180/span～span5860mcd/span，正向压降小于span3.5v/span；在span5v/span反向电压下，反向电流小于span1μA/span；在span10μA/span反向电流下，反向电压大于span10V/span。外延片片内波长均匀性优于span3nm/span，炉内六片波长均匀性优于span6nm/span，连续七批外延片炉间波长均匀性优于span6nm/span。/p/tdtd width="97" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p中科院物理所与上海蓝宝光电材料有限公司/p/td/trtrtd width="77" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspan2004/4/span/p/tdtd width="350" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="left"p研制成大功率高亮度半导体芯片，这种大功率高亮度半导体芯片亮度达到了span1500mcd/span/p/tdtd width="97" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p方大集团/p/td/trtrtd width="77" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspan2004/7/span/p/tdtd width="350" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="left"p打破国外长期封锁我国生产型spanMOCVD/span设备研制成功/p/tdtd width="97" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p中国科学院半导体研究所/p/td/trtrtd width="77" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspan2005/span/p/tdtd width="350" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="left"p研制成功一种成本非常低廉的新型发光材料与器件，在第一代半导体材料（硅衬底）上制备了高质量的第三代半导体材料，研制成功高亮度高可靠性硅衬底蓝色发光二极管（spanLED/span），光输出功率span6-9/span毫瓦（span20/span毫安），并完成了小试任务。/p/tdtd width="97" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p南昌大学国家大学科技园/p/td/trtrtd width="77" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspan2005/1/span/p/tdtd width="350" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="left"p研制成功国内第一台生产型spanGaN-MOCVD/span设备/p/tdtd width="97" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p南昌大学国家大学科技园/p/td/trtrtd width="77" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspan2007/7/span/p/tdtd width="350" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="left"p研发出了具有自主知识产权的第二代碳化硅晶体生长炉，进一步优化了具有自主知识产权的碳化硅晶体生长工艺，使晶体质量的稳定性和产率得到提高。同时，在国内首次建立了一条完整的从切割、研磨到化学机械抛光span(CMP)/span的碳化硅晶片中试生产线，建成了百级超净室，开发出碳化硅晶片表面处理，清洗、封装等工艺技术，使产品达到了即开即用span(Epi-ready)/span的水准。/p/tdtd width="97" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p中科院物理研究所与北京天科合达蓝光半导体有限公司/p/td/trtrtd width="77" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspan2007/11/span/p/tdtd width="350" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="left"p在国内首次研制成功了室温连续工作的氮化镓基激光器，条宽和条长分别为span2.5/span微米和span800/span微米，激光波长span410/span纳米，阈值电流span110/span毫安，阈值电流密度span5.5kA//span平方厘米，在span150/span毫安，工作电流时，激光器的输出功率span9.6/span毫瓦，为研制实用化的激光器打下了坚实的基础。/p/tdtd width="97" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p中科院半导体所/p/td/trtrtd width="77" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspan2011/5/span/p/tdtd width="350" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="left"p研制出spanFe/span掺杂自支撑spanGaN/span基spanX/span射线探测器原型器件。该探测器采用垂直结构、上下电极，在无避光环境下，偏压为span200V/span时，spanX/span射线开启后的光电流迅速上升，与暗电流之比高达span180/span，并且实现了对六角钢制螺母的spanX/span射线扫描清晰成像。/p/tdtd width="97" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所/p/td/trtrtd width="77" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspan2011/10/span/p/tdtd width="350" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="left"p制备出spanGaN/span基spanPIN/span结构spanX/span射线探测器，在spanX/span射线辐照下的光电流与暗电流之比高达span27.7/span/p/tdtd width="97" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所/p/td/trtrtd width="77" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspan2011/10/span/p/tdtd width="350" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="left"p制备出另一种spanGaN/span基spanPIN/span结构spanα/span粒子探测器，在span-30V/span的工作电压下仅spannA/span级漏电流，并且电荷收集率达到了span80%/span/p/tdtd width="97" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所/p/td/trtrtd width="77" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspan2011/10/span/p/tdtd width="350" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="left"p研制出spanGaN/span基spanPIN/span型核电池原型器件，该电池采用spanNi-63/span同位素作为能量源，输出开路电压为span0.14V/span，短路电流密度为span89.2nAcm-2/span，能量转换效率为span1.6%/span，电荷收集效率能达到span100%/span。/p/tdtd width="97" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所/p/td/trtrtd width="77" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspan2013/span/p/tdtd width="350" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="left"p山东天岳自主研发的碳化硅晶体生长和衬底加工技术达到了世界先进水平，拥有了独立的自主知识产权。打破了以美国为首的西方发达国家的技术垄断和封锁。/p/tdtd width="97" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p山东天岳先进材料科技有限公司、山东大学晶体材料国家重点实验室/p/td/trtrtd width="77" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspan2014/12/span/p/tdtd width="350" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="left"p研制出了span6/span英寸碳化硅（spanSiC/span）单晶衬底/p/tdtd width="97" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p中国科学院物理研究所与北京天科合达蓝光半导体有限公司/p/td/trtrtd width="77" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspan2015/4/span/p/tdtd width="350" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="left"p开发了spanSiC/span栅氧化和氮化的栅介质工艺，将spanMOS/span栅电容的spanCV/span平带电压从span3V/span左右降低到小于span0.2V/span，成功研制出span1200V/span和span1700V SiC MOSFET/span器件/p/tdtd width="97" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p中国科学院微电子研究所/p/td/trtrtd width="77" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspan2015/7/span/p/tdtd width="350" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="left"p研制出具有国际先进水平的高频增强型spanGaN MIS-HEMT/span器件/p/tdtd width="97" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p中国科学院微电子研究所、香港科技大学、西安电子科技大学、中科院/p/td/trtrtd width="77" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspan2016/9/14/span/p/tdtd width="350" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="left"p在硅上研制出第三代半导体氮化镓基激光器，这也是世界上第一支可以在室温下连续工作的硅衬底氮化镓基激光器/p/tdtd width="97" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p中科院苏州纳米技术与纳米仿生所/p/td/trtrtd width="77" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspan2017/10/span/p/tdtd width="350" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="left"p研制了满足高压spanSiC/span电力电子器件制造所需的span4-6/span英寸spanSiC/span单晶生长炉关键装备，形成了我国具有自主知识产权的span4-6/span英寸spanSiC/span单晶生长炉关键装备体系/p/tdtd width="97" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p新疆天科合达蓝光半导体有限公司、中科院物理研究所、半导体研究所、浙江大学/p/td/trtrtd width="77" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspan2018/2/span/p/tdtd width="350" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="left"p国内首家氮化镓基蓝绿光半导体激光器材料和器件生产企业成立，蓝绿光半导体激光器实现国产化/p/tdtd width="97" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"br//td/trtrtd width="77" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspan2018/8/span/p/tdtd width="350" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="left"p开发出基于新型基板的第三代半导体器件封装技术，满足对应高性能封装和低成本消费级封装的需求，研制出高带宽spanGaN/span发光器件及基于发光器件的可见光通信技术，并实现智能家居演示系统的试制；开展第三代半导体封装和系统可靠性研究，形成相关标准或技术规范；制备出高性能spanSiC/span基spanGaN/span器件/p/tdtd width="97" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p中科院苏州纳米所/p/td/trtrtd width="77" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspan2019/12/span/p/tdtd width="339" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="left"p首次将晶圆级βspan-Ga2O3/span单晶薄膜（span 400 nm/span）与高导热的spanSi/span和span4H-SiC/span衬底晶圆级集成，并制备出高性能器件。高质量的氧化镓薄膜的厚度不均匀性为span± 1.8%/span，通过化学机械抛光优化后薄膜的表面粗糙度达到span0.4nm/span以下。器件电学测试表明在span300K/span到span500K/span的升温过程中开态电流和关态电流没有明显退化，对比基于同质氧化镓衬底的器件，热稳定性有显著的提升，spanSiC/span基氧化镓spanMOSFET/span器件即使在温度span500K/span时，击穿电压依然可以超过span600V/span。/p/tdtd width="97" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p中国科学院上海微系统与信息技术研究所和西安电子科技大学/p/td/tr/tbody/tableh3span style="color: rgb(0, 0, 0) "strongspan style="font-size: 16px "前路漫漫，任重道远，第三代半导体/span/strong/spanstrong危机仍在/strong/h3p style="text-indent: 28px text-align: justify "“国内开展spanSiC/span、spanGaN/span材料和器件方面的研究工作比较晚，与国外相比水平较低，阻碍国内第三代半导体研究进展的重要因素是原始创新问题。span”/span国家半导体照明工程研发及产业联盟一专家表示，国内新材料领域的科研院所和相关生产企业大都急功近利，难以容忍长期span“/span只投入，不产出span”/span的现状。因此，以第三代半导体材料为代表的新材料原始创新举步维艰。 /pp style="text-indent: 28px text-align: justify "以功率半导体为例，功率半导体主要用作电子元件中的开关及整流器，同时是矽、砷化镓、氮化矽等半导体材料，是在经过电学属性调整等一系列工艺后，所得到的电学元件。功率半导体的应用领域非常广泛，市场规模高达数百亿美元。根据spanYole/span资料显示span(/span如下图span)/span，span2018/span年全球功率半导体分立器件市场规模为span363/span亿美元，预计到span2022/span年可达到span426/span亿美元，年复合增长率为span5.43%/span。中国对于功率半导体有庞大的需求，占全球span43% /span的比重，远超过第二名的美国span(14%)/span，且随着中国环保意识逐渐增强，对功率半导体元件的需求也不断扩大。然而，全球排名前十的企业中没有中国企业，反映出功率半导体产业中国厂商还有很大的追赶空间。/pp style="text-indent: 28px text-align: justify "此外，第三代半导体设备也受制于人。目前，国外宽禁带半导体技术发展的产业链日趋完整成熟，设备先进稳定，工艺水平较高，自动精密控制能力高。国外在开展工艺技术研究的同时，非常重视对宽禁带半导体设备的研发投入。目前美国、德国、日本、乌克兰、意大利宽禁带半导体关键装备工艺技术水平较高。我国宽禁带半导体设备市场呈现主要设备国外主导，国内主要宽禁带半导体相关研制单位均采用进口设备进行工艺研究，个别单位在进口设备基础上进行仿制，工艺受制于设备很难得到提升。/pp style="text-indent: 28px text-align: justify "未来，我国第三代半导体产业将面临许许多多的难题。就像北京大学宽禁带半导体研发中心沈波教授所说，当前我国发展第三代半导体面临的机遇非常好，因为过去十年，在半导体照明的驱动下，氮化镓无论是材料和器件成熟度都已经大大提高，但第三代半导体在电力电子器件、射频器件方面还有很长的路要走，市场和产业刚刚启动，我们还面临巨大挑战，必须共同努力。/ph3strongspan style="font-size:16px"第三代半导体仪器设备汇总/span/strong/h3p style="text-indent: 28px text-align: justify "科学研究离不开仪器设备的辅助，而第三代半导体的研究和生产涉及大量的相关设备。以spanSiC/span为例，以下为相关设备配置清单。/ptable border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" style="border-collapse:collapse border:none" align="center"tbodytr class="firstRow"td width="189" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p环节/p/tdtd width="364" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p设备/p/td/trtrtd width="189" rowspan="2" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p晶体生长/p/tdtd width="364" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p碳化硅粉料合成设备/p/td/trtrtd width="364" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p碳化硅单晶生长炉/p/td/trtrtd width="189" rowspan="3" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p晶体加工/p/tdtd width="364" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p金刚石多线切割机/p/td/trtrtd width="364" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p碳化硅研磨机/p/td/trtrtd width="364" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p碳化硅抛光机/p/td/trtrtd width="189" rowspan="11" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p器件制造/p/tdtd width="364" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p碳化硅外延炉/p/td/trtrtd width="364" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " align="center"p分步投影光刻机/p/td/trtrtd width="364" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " align="center"p涂胶显影机/p/td/trtrtd width="364" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " align="center"pa href="https://www.instrument.com.cn/zc/1802.html" target="_self"高温退火炉/a/p/td/trtrtd width="364" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " align="center"p高温离子注入机/p/td/trtrtd width="364" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " align="center"pa href="https://www.instrument.com.cn/zc/640.html" target="_self"溅射设备/a/p/td/trtrtd width="364" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " align="center"p干法刻蚀机/p/td/trtrtd width="364" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " align="center"pa href="https://www.instrument.com.cn/zc/1799.html" target="_self"spanPECVD/span/a/p/td/trtrtd width="364" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " align="center"pspanMOCVD/span/p/td/trtrtd width="364" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " align="center"p高温氧化炉/p/td/trtrtd width="364" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " align="center"p激光退火设备/p/td/trtrtd width="189" rowspan="2" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p器件封装/p/tdtd width="364" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " align="center"p背面减薄机/p/td/trtrtd width="364" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " align="center"p划片机/p/td/tr/tbody/tablep style="text-align: center "br//pp style="text-align: center "a href="https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target="_self"img style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/3984db73-fec5-4ec2-9e35-98e4eb46faaa.jpg" title="半导体材料与器件.jpg" alt="半导体材料与器件.jpg"//a/p

日前，英飞凌工业功率控制事业部大中华区市场推广总监陈子颖先生和英飞凌科技电源与传感事业部大中华区应用市场总监程文涛先生在媒体采访中就第三代半导体技术价值、产业发展和技术趋势进行了深入解读。进入后摩尔时代，一方面，人类社会追求以万物互联、人工智能、大数据、智慧城市、智能交通等技术提高生活质量，发展的步伐正在加速。另一方面，通过低碳生活改善全球气候状况也越来越成为大家的共识。目前全球能源需求的三分之一左右是用电需求，能源需求的日益增长，化石燃料资源的日渐耗竭，以及气候变化等问题，要求我们去寻找更智慧、更高效的能源生产、传输、配送、储存和使用方式。在整个能源转换链中，第三代半导体技术的节能潜力可为实现长期的全球节能目标做出很大贡献。除此之外，宽禁带产品和解决方案有利于提高效率、提高密度、缩小尺寸、减轻重量、降低总成本，因此将在交通、数据中心、智能楼宇、家电、个人电子设备等等极为广泛的应用场景中为能效提升做出贡献。例如在电力电子系统应用中，一直期待1200V以上耐压的高速功率器件出现，这样的器件当今非SiC MOSFET莫属。而硅MOSFET主要应用在650V以下的中低功率领域。除高速之外，碳化硅还具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点，尤其适合对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件要求较高的应用。功率密度是器件技术价值的另一个重要方面。SiC MOSFET芯片面积比IGBT小很多，譬如100A/1200V的SiC MOSFET芯片大小大约是IGBT与续流二级管之和的五分之一。因此，在高功率密度和高速电机驱动应用中，SiC MOSFET的价值能够得到很好的体现，其中包括650V SiC MOSFET。在耐高压方面，1200V以上高压的SiC高速器件，可以通过提高系统的开关频率来提高系统性能，提高系统功率密度。这里举两个例子：电动汽车直流充电桩的功率单元，如果采用Si MOSFET，则需要两级LLC串联，电路复杂，而如果采用SiC MOSFET，单级LLC就可以实现，从而大大提高充电桩的功率单元单机功率。三相系统中的反激式电源，1700V SiC MOSFET也是完美的解决方案，可以比1500V硅MOSFET损耗降低50%，提高效率2.5%。在可靠性和质量保证方面，SiC器件有平面栅和沟槽栅两种类型，英飞凌的沟槽栅SiC MOSFET能很好地规避平面栅的栅极氧化层可靠性问题，同时功率密度也更高。正是由于SiC MOSFET这些出色的性能，其在光伏逆变器、UPS、ESS、电动汽车充电、燃料电池、电机驱动和电动汽车等领域都有相应的应用。然而，碳化硅是否会成为通吃一切应用的终极解决方案呢？众所周知，硅基功率半导体的代表——IGBT技术，在进一步提升性能方面遇到了一些困难。开关损耗与导通饱和压降降低相互制约，降低损耗和提升效率的空间越来越小，于是业界开始希望SiC能够成为颠覆性的技术。但是，这样的看法这不是很全面。首先，以英飞凌为代表的硅基IGBT的技术也在进步，采用微沟槽技术的TRENCHSTOP™ 5，IGBT7是新的里程碑，伴随着封装技术的进步，IGBT器件的性能和功率密度越来越高。同时，针对不同的应用而开发的产品，可以做一些特别的优化处理，从而提高硅器件在系统中的表现，进而提高系统性能和性价比。因此，第三代半导体的发展进程，必然是与硅器件相伴而行，在技术发展的同时，还有针对不同应用的大规模商业化价值因素的考量，期望第三代器件很快在所有应用场景中替代硅器件是不现实的。产业化之路英飞凌1992年开始研发SiC功率器件，1998年建立2英寸的生产线，2001年推出第一个SiC产品，今年正好20周年。20年来碳化硅技术在进步，2006年发布采用MPS技术的二极管，解决耐冲击电流的痛点；2013年推出第五代薄晶圆技术二极管，2014年——2017年先后发布SiC JFET，第五代1200V二极管，6英寸技术和SiC沟槽栅MOSFET。从英飞凌SiC器件的发展史，可以看出SiC技术的发展历程和趋势。我们深知平面栅的可靠性问题，在沟槽栅没有开发完成之前，通过SiC JFET这一过渡产品，帮助客户快速进入SiC应用领域。从技术发展趋势来看，SiC MOSFET比IGBT更迫切地需要转向沟槽栅，除了功率密度方面的考量之外，更注重可靠性问题。在产业层面，当时间来到21世纪的第三个十年，整个第三代半导体产业格局相对于发展初期已经发生了巨大的变化。具体而言，碳化硅产业正在加速垂直整合，而氮化镓产业形成了IDM以及设计公司和晶圆代工厂合作并存的模式。这些都显示出，第三代半导体产业已经进入了大规模、高速发展的阶段。当然，与硅基器件行业相比，第三代半导体产业发展时间相对较短，在标准化、成熟度等方面还有很长的路要走，尤其是在品质与长期可靠性方面，还有大量的研究和验证工作要做。英飞凌在标准化、品质管理和可靠性方面拥有丰富的经验和公认的优势，在第三代器件发展之初就开始持续投入大量的资源，对此进行深入的分析、研究和优化，不断推动第三代半导体行业的稳健发展。为此，英飞凌发表了《碳化硅可靠性白皮书》，论述英飞凌如何控制和保证基于SiC的功率半导体器件的可靠性。成果和趋势当前，第三代半导体在技术层面值得关注的领域很多。例如碳化硅晶圆的冷切割技术，器件沟道结构优化，氮化镓门极结构优化，长期可靠性模型、成熟硅功率器件模块及封装技术的移植等等，都会对第三代半导体长期发展产生深远的影响。这几个领域也正是英飞凌第三代半导体产品开发过程中所专注和擅长的领域。具体而言，2018年英飞凌收购了位于德累斯顿的初创公司Siltectra。该公司的冷切割（Cold Split）创新技术可高效处理晶体材料，最大限度减少材料损耗。英飞凌利用这一冷切割技术切割碳化硅晶圆，可使单片晶圆产出的芯片数量翻倍，从而有效降低SiC成本。在中低功率SiC器件方面，去年英飞凌在1200V系列基础上，发布了TO-247封装的650V CoolSiC™ MOSFET，进一步完善了产品组合。目前贴片封装的650V产品系列正在开发当中。在氮化镓方面，今年五月我们推出了集成功率级产品CoolGaN™ IPS系列，成为旗下众多WBG功率元件组合的最新产品。IPS基本的产品组合包括半桥和单通道产品，目标市场为低功率至中功率的应用，例如充电器、适配器以及其他开关电源。代表产品600V CoolGaN™ 半桥式IPS IGI60F1414A1L，8x8 QFN-28封装，可为系统提供极高的功率密度。此产品包含两个140mΩ/600V增强型HEMT开关以及EiceDRIVER™ 系列中的氮化镓专用隔离高低侧驱动器。在高压方面，碳化硅产品会继续朝着发挥其主要特性的方向发展，耐压更高，2-3kV等级的产品会相继面世。同时，英飞凌会利用成熟的模块技术、低寄生电感、低热阻的封装技术等，针对不同的应用开发相应产品。比如，低寄生电感封装可以让SiC器件更好发挥高速性能，低热阻的封装技术虽然成本略高，但可以有效提高器件电流输出能力，从而实际上降低了单位功率密度的成本。

第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.3eV)，亦被称为高温半导体材料。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓，而氧化锌、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，被行业称为第三代半导体材料的双雄。专利一般是由政府机关或者代表若干国家的区域性组织根据申请而颁发的一种文件，这种文件记载了发明创造的内容，并且在一定时期内产生这样一种法律状态，即获得专利的发明创造在一般情况下他人只有经专利权人许可才能予以实施。在我国，专利分为发明、实用新型和外观设计三种类型。专利文献作为技术信息最有效的载体，囊括了全球90%以上的最新技术情报，相比一般技术刊物所提供的信息早5～6年，而且70%～80%发明创造只通过专利文献公开，并不见诸于其他科技文献，相对于其他文献形式，专利更具有新颖、实用的特征。可见，专利文献是世界上最大的技术信息源，另据实证统计分析，专利文献包含了世界科技技术信息的90%～95%。如此巨大的信息资源远未被人们充分地加以利用。事实上，对企业组织而言，专利是企业的竞争者之间惟一不得不向公众透露而在其他地方都不会透露的某些关键信息的地方。因此，通过对专利信息细致、严密、综合、相关的分析，可以从其中得到大量有用信息。基于此，仪器信息网特统计分析了第三代半导体中碳化硅材料的专利信息，以期为从业者提供参考。（本文搜集信息源自网络，不完全统计分析仅供读者参考，时间以专利申请日为准）专利申请趋势分析（1985-2021）专利申请趋势分析（2010-2020）本次统计，以碳化硅为关键词进行检索，共涉及专利总数量为66318条（含世界知识产权组织940条专利），其中发明专利53498条、实用新型专利11780条和外观专利100条。从专利申请趋势分析（1985-2021）可以看出，2018年前相关专利呈现出不断增长的趋势，尤其是2018年之前十年的增长速度很快，2018年专利申请数量达到巅峰8081件，但此后专利申请量开始减少。这表明在18年前十年是碳化硅材料的研究高峰期，此后研发强度逐渐降低，一般而言这也意味着相关产业的前期研发已完成，步入了产业化阶段，市场生命周期进入成长期（行业生命周期分为四个阶段形成期、成长期、成熟期和衰退期）。由于数据采集时未到2021年底，2021年数据趋势不具有代表性。申请人数量趋势分析（2010-2020）发明人数量趋势分析（2010-2020）进一步分析2010-2020年之间的专利申请人数量趋势可以发现，申请相关专利的自然人也在18年之后略有下降。这表明在相关领域持续投入研发的企事业单位和科研院所也在逐渐减少，市场竞争机制加剧，企业的生命力越来越短，市场呈现出竞争对手减少的态势，未来市场将逐渐淘汰一些研发不足的企业。从发明人数量趋势变化可以发现，相关发明人在2019年达到顶点，但2018-2020年之间逐渐比较平稳，这表明相关研发工作也不在大规模招聘研发人员，未来从业者数量将趋于平稳。（专利申请人就是有资格就发明创造提出专利申请的自然人、法人或者其他组织，本调研中大部分为企事业单位和科研院所；专利法所称发明人或者设计人，是指对发明创造的实质性特点作出创造性贡献的人）TOP10申请人专利量排行及专利类型分布TOP10发明人专利量（排除不公告姓名）那么从事相关研发工作的主要有哪些单位呢？从申请人专利量排行可以看出，中芯国际在碳化硅领域的布局较多，其北京和上海的公司都要大量专利布局。具体来看，中芯国际的专利主要分布于半导体器件中的碳化硅层的生长、掺杂、刻蚀等工艺方面；三菱电机的专利主要集中于外延晶片的制造和相关半导体装置等方面。中芯国际和三菱不仅在中国发明专利量方面领先，同时发明授权专利数量也较多。碳化硅相关专利申请区域统计通过对区域专利申请量进行统计能够了解到目前专利技术的布局范围以及技术创新的活跃度，进而分析各区域的竞争激烈程度。从专利申请区域可以看出，碳化硅专利申请人主要集中于江苏省、广东省等，这些地区都是半导体产业发达的地区，其在第三代半导体方面的布局也快人一步。需要注意的是，本次统计以碳化硅为关键词检索，部分检索专利非半导体领域，相关结仅供参考。

山东省工业和信息化厅近日起草了《山东省第三代半导体产业发展“十四五”规划（征求意见稿）》（下称《征求意见稿》）并征求公开意见，公开征求意见时间为11月15日至11月19日。 《征求意见稿》提出，到2025年，碳化硅、氮化镓等关键材料国产化率实现大幅提高，芯片设计能力达到国际先进水平，全产业链基本实现自主可控，打造百亿级国家第三代半导体产业高地；建成较大规模先进特色工艺制程生产线，推动形成要素完备的第三代半导体产业聚集区，带动模块及系统应用方面相关产业产值突破300亿元；建成国际先进的第三代半导体产业基地，带动形成基于第三代半导体的电力电子、微波电子、大功率半导体照明生产、应用系统为核心的产业集群；突破核心关键技术，建设第三代半导体国家地方联合工程研究中心、国家博士后科研工作站、院士工作站，搭建国际先进的第三代半导体公共研发、检测和服务平台。 集成电路产业是全面建设社会主义现代化国家的重要支撑，是保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业，是当前和今后一段时期大国竞争博弈的焦点。第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、抗辐射能力强等优点，是集成电路领域的新型组成部分，可广泛用于新能源汽车、智能电网、轨道交通、半导体照明、新一代移动通信、消费类电子等领域，具有广阔的应用前景，已经成为全球半导体产业新的战略竞争高地。从国际看，随着全球贸易摩擦持续和以美国为主导的逆全球化浪潮加剧，半导体作为信息产业的基石，一直是各国贸易战的焦点。近年来，美、欧、日等加速抢占全球第三代半导体市场,已形成三足鼎立之势。美国在碳化硅（SiC）领域全球独大,其碳化硅衬底及外延较为发达，拥有科锐(Cree)、道康宁等知名企业。欧洲在碳化硅电力电子市场具有强大话语权,具备完善的第三代半导体产业链，其强势领域集中在器件环节，拥有德国英飞凌、爱思强、瑞士意法半导体、ABB等知名半导体制造商。日本是模块和半导体制造设备开发的绝对领先者,其氮化镓衬底产业较为发达，主要有罗姆、三菱电机、新日铁、东芝等国际一流企业。韩国通过SK集团收购美国的道康宁公司，完善其国内第三代半导体产业链，追赶美、欧、日发展步伐。从国内看，目前国内汽车、高铁、电网、国防科研等应用领域的功率半导体基本依靠进口，高端芯片器件禁运、采购成本高、供货周期不稳定等问题突出。5G、人工智能、新能源、智能制造等发展提速，对半导体需求猛增，产业的关注度日益增高，国产化替代成为发展趋势，迎来了第三代半导体材料产业的发展机遇，近几年持续保持迅速扩张的势头，国内第三代半导体在器件开发、产能建设、制备技术、应用推广等领域取得了一定的进展，初步形成了技术和产业体系。区域布局方面，我国第三代半导体产业初步在京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角、中西部等区域实现聚集。国家大力发展“新基建”也为第三代半导体产业的发展带来了新的机遇。2020年，国务院发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》（国发〔2020〕8号），突出强调了关键核心技术攻关新型举国体制，同时也强调了构建全链条覆盖的关键核心技术研发布局，我国第三代半导体产业将迎来蓬勃发展期。经过多年发展，山东省第三代半导体产业形成了一定的产业基础，极具发展潜力，拥有第三代半导体企业20余家，2020年实现主营业务收入30余亿元，主要呈现创新能力稳步提升、产业链条逐步完善、融合应用日益深入等特点：1.以山东大学为代表的高校和研究院所承担了“973”、“863”等重大工程，科技支撑计划、“核高基”等国家重大项目，拥有第三代半导体材料和器件等多项高水平原创性成果积累，成功制备了世界首枚硅基氮化镓（GaN）垂直结构金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），掌握了最新一代垂直结构功率器件制备的核心技术，填补了国内在第三代半导体垂直结构功率器件方面的空白；完成了氧化镓（Ga2O3）单晶衬底制备、加工、外延的核心技术积累，处于国内领先，国际先进水平。山东天岳已经全面攻克碳化硅晶体生产、衬底加工核心技术，碳化硅衬底产品性能达到国际先进水平。我省建有“碳化硅半导体材料研发技术”国家地方联合工程研究中心、新一代半导体材料集成攻关平台、晶体材料国家重点实验室等国家级科研平台，山东大学、青岛科技大学等高校微电子学院的半导体相关专业积极推动教学创新和校企合作，为我省开展第三代半导体研发工作提供了良好的人才储备和条件保障。2.山东在第三代半导体领域已经逐步形成了衬底材料、外延材料、芯片设计、器件制造与封测等较为完整的产业链，山东天岳是我国最大的碳化硅单晶材料供应商，为发展第三代半导体产业奠定了坚实基础，逐步完善的产业链使山东省在第三代半导体产业实现“弯道超车”成为可能。 3.山东省在轨道交通牵引变流器、变频逆变、家用电器、新能源汽车、光伏发电等领域拥有一定实力的企业，在汽车电子和家用电器方面，产业融合度不断加深。随着济南比亚迪半导体有限公司、芯恩（青岛）集成电路有限公司、青岛惠科微电子有限公司的功率半导体芯片器件产线的建设和投产，将对第三代半导体材料的需求形成新的牵引。产业布局：加快构建“4+N”区域布局按照“政府引导、龙头带动、园区孵化、集群推进”的总体思路，发挥国家集成电路设计济南产业化基地、青岛崂山微电子产业园、中德生态园集成电路产业基地、济宁省级信息技术产业基地等集聚优势，加大龙头企业支持力度，加快构建“4+N”区域布局。 济南。实施高性能集成电路突破计划，优化升级国家集成电路设计产业化基地，依托山东天岳碳化硅衬底材料技术优势，结合济南比亚迪半导体芯片等上下游配套项目建设，打造基于硅基和碳化硅基功率半导体器件生产集聚区，建成国际先进的碳化硅半导体产业基地。 青岛。立足本地整机（系统）市场应用优势，建设好芯恩、惠科等集成电路重大项目，以发展模拟及数模混合集成电路、智能传感器、半导体功率器件、光电子芯片和器件、第三代半导体为主线，通过抓龙头、补短板、促融合、育生态，实现产业规模快速扩张、支撑能力显着增强，加快培育自主可控产业生态。 济宁。重点做大单晶硅、晶圆片、外延片等上游半导体材料，强链发展中游半导体分立器件、功率器件及功能芯片产业。加强同省内外高校合作，面向国内外引进吸收先进第三代半导体应用加工技术，提升产业发展位次。 潍坊。做好浪潮华光氮化镓材料与器件产业化项目建设，优化项目建设环境，全力以赴提供优质服务、跟踪服务、精准服务，努力为项目推进创造良好条件。 其他市。依托本地产业发展基础和特色，突出差异化发展，加强同重点市的协调联动，支持做好项目招引，逐步做大产业规模。 四大重点任务： （一）坚持全产业链发展，提升产业竞争能级 以技术和产品发展相对成熟的碳化硅晶体材料为切入点，迅速做大碳化硅半导体产业规模。聚焦材料、外延、芯片、封装和应用等第三代半导体产业链重点环节，加强产学研联合,以合资、合作方式培育和吸引高水平企业，促进产业集聚和产业链协同,打造第三代半导体电力电子、微波电子和半导体照明等第三代半导体产业发展高地。 1.提升材料制备能力。加速推进大尺寸GaN、SiC等单晶体材料生长及量产技术，突破GaN、SiC材料大直径、低应力和低位错缺陷等关键技术，全面提升4-8英寸GaN外延、SiC衬底单晶材料产业化能力。突破超硬晶体材料切割和抛光等关键核心技术，提升4-8英寸GaN、SiC衬底材料精密加工能力。加大对薄膜材料外延生长技术的支持力度，补足第三代半导体外延材料生长环节。推动氧化镓（Ga2O3）等新一代超宽禁带半导体材料的研发与产业化。 2.发展器件设计。大力扶持基于第三代半导体GaN、SiC的高压大功率、微型发光二极管、毫米波、太赫兹等高端器件设计产业，围绕SiC功率器件的新能源汽车应用和GaN功率器件的消费类快充市场，促进产学研合作以及成果转化，引导器件设计企业上规模、上水平，提升设计产业集聚度，大力发展第三代半导体仿真设计软件自主品牌产品，建设具有全球竞争力的器件设计和软件开发集聚区。 3.布局器件制造。推进基于GaN、SiC的垂直型SBD(肖特基二极管)、HEMT（高电子迁移率晶体管）、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(大功率绝缘栅双极型晶体管)、Micro-LED（微型发光二极管）、高端传感器、MEMS(微机电系统)，以及激光器等器件和模块的研发制造，支持科研院所微纳加工平台建设。大力推动晶圆生产线建设项目，优先发展特色工艺制程器件制造，在关键电力电子器件方面形成系列产品，综合性能达到国际先进水平，SiC二极管、晶体管及其模块产品和GaN器件产品、激光芯片及其器件产品具有国际竞争力。 4.健全封测产业。积极发展高端封装测试，引进先进封测生产线和技术研发中心，大力发展晶圆级、系统级先进封装技术以及先进晶圆级测试技术。大力支持科研院所在第三代半导体相关的电气性能、散热设计、可靠性、封装材料等方面的研发工作，发展基于第三代半导体的功率和电源管理芯片、射频芯片、显示芯片等产品的封测产业。 5.开发技术装备。布局“生长、切片、抛光、外延”等核心技术装备，通过关键设备牵引，实现分段工艺局部成套，拓展解决整线成套设备国产化，并实现整线集成。提升氧化炉、沉积设备、光刻机、刻蚀设备、离子注入机、清洗机、化学研磨设备的生产能力以及设备的精度和稳定性。突破核心共性关键技术，形成一流的工艺和产业应用技术，掌握核心装备制造技术，打造第三代半导体材料装备领军企业。研究开发碳化硅单晶智能化生长装备并实现产业化，突破碳化硅晶体可控生长环境精准检测与控制技术、基于大数据分析的数字孪生及人工智能模拟技术,形成智能化碳化硅晶体生长装备成套关键技术。 （二）推动科技服务新基建，优化产业发展环境 1.建设公共技术平台。整合省内优势中坚力量，谋划建设第三代半导体关键技术研究公共技术平台，搭建国际先进的涵盖第三代半导体晶体生长技术、器件物理研究、微纳器件设计与加工技术、芯片封装与测试等核心技术实体研发创新中心，提升研发水平和效率。建设国际先进的第三代半导体研发、检测和服务公共平台，开展芯片和器件关键技术攻关，研发具有自主知识产权的新材料、新工艺、新器件。深入开展核心关键技术研究、应用验证、测试等，引入高温离子注入系统、化学机械抛光系统、等离子刻蚀机等关键工艺设备，以及大型分析检测测试设备，为产业协同发展提供服务支撑。 2.搭建成果转化平台。鼓励产学研深度合作，聚焦第三代半导体单晶材料生长技术，器件设计与制备技术，封装与测试技术等领域，加快推进高校及研究院所科技成果与产业的对接，以共建联合实验室等形式落实成果转移转化，实现我省在半导体核心技术领域的弯道超车；建设省级第三代半导体重点实验室、工程技术中心等，加快推进申请国家级第三代半导体实验室，引入高端研发人才，对接先进科研成果，加速成果产业化进程。 3.发展产业孵化平台。支持地市、高校联合国内外研发机构和重点企业，按照新型研发机构模式成立第三代半导体产业研究院，逐步建成国际先进、国内一流的第三代半导体科技孵化器，带动产业链上下游协同发展。 （三）培育优势主体，拉动产业整体规模1.壮大龙头企业。加大对重点企业的关注和扶持力度,实行一企一策,协调解决企业发展关键制约点。优先将符合条件的产业链重点项目纳入山东省新旧动能转换重大项目库,充分利用好新旧动能转换政策,进行重点扶持；围绕SiC、GaN等晶体材料、功率器件和模块、照明与显示器件和下游应用等产业链关键环节，培育壮大细分行业领军企业，逐步扶持企业上市。 2.融通产业环节。强化需求牵引的作用，从应用端需求入手，加强从材料、芯片、器件到模块应用产业链上下游的深度合作。加强省内省外行业对接合作，精准招引、实施补链、延链、强链项目。沿链分批打造规模大、技术强、品牌响的“领航型”企业，培育细分领域的“瞪羚”“独角兽”企业，促进产业链上下游、大中小企业紧密配套、融通发展，有效提升产业链供应链的稳定性和竞争力。 （四）推进下游应用，拓宽产业发展路径 1.大力支持碳化硅功率模块的研发与产业化。加快实现碳化硅模块量产，并提升碳化硅芯片及模块在电气性能、散热设计、可靠性、封装材料等方面的性能，降低生产成本。突破第三代半导体器件在充电桩、电动汽车、家电等领域的应用关键技术，扫清产业规模扩大的技术壁垒。扩大应用规模，支持省内碳化硅模块生产企业扩大产能，形成碳化硅模块产业集聚，打造模组开发应用产业化的新高地。 2. 加快国产化第三代半导体产品应用推广。引导省内芯片制造、封装测试企业与第三代半导体材料企业对接，联合开展研发攻关，实现关键材料本地覆盖。组织开展省内国产第三代半导体应用试点示范，在衬底、芯片加工、模组应用等产业链环节对企业提出国产化比例考核要求。该《征求意见稿》体现了贯彻落实《山东省国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》的指示精神，引导山东省第三代半导体产业高质量发展。对于仪器行业而言，山东省百亿级国家第三代半导体产业集群的建设势必带来大量的采购订单，尤其是《征求意见稿》中多次提到了设备国产替代的概念，因此势必对于国产仪器的采购有所倾斜，对于国产仪器厂商而言更是值得期待。

美国兰博柱后衍生系统(第三代柱后衍生装置)美国原装柱后衍生系统，克服了市场现有柱后衍生仪在压力、流量及温度控制等诸多不足，其超高的精度，优异的性能，以及无可比拟的多功能设计，独领柱后衍生检测领域。 美国兰博柱后衍生系统主要特点： 高精度* 衍生剂流量精度提升10倍以上* 反应器控温精度提升5倍以上 性能卓越，多用途* 自保护：超压、漏液自动停泵，温度过热保护功能* 无缝兼容任何品牌及型号HPLC系统* 所有泵参数均可实现前面板与电脑的双重控制* 高精度柱塞泵使系统呈现卓越的灵敏性与连贯性* 泵精密部件采用特殊化学惰性材质，结实耐用* 在线自清洗设计，延长密封圈使用寿命* 化学惰性流路延长系统的使用寿命并减少维护花费* 连续反应圈，完全密闭，多向流动实现有效混合* 多种反应器任选，反应器体积可特别定制* 反应器更换更加便捷，使应用的改变更加容易* 超高精密度的反应温控设计，超快速恒温性能，极大程度节省用户时间，保证检测结果重现性* 数字显示交互式显示面板* 可堆砌式整体试剂储存盘、抗腐蚀底盘* 先进的气路控制组件，随时观测惰性N2气流量* 加压式试剂瓶、气体压力分流管与调控器装置，防止氧化试剂氧化* 可实现除作为柱后衍生之外的其它功能美国兰博柱后衍生系统应用分析：柱后衍生仪配备高效液相色谱使用，分析功能非常强大，可对多种物质进行检测，包括：* 高效液相色谱配合柱后衍生系统测定氨基甲酸盐杀虫剂含量* 高效液相色谱配合柱后衍生系统测定草苷膦除草剂含量* 高效液相色谱配合柱后衍生系统测定胍基类化合物含量* 高效液相色谱配合柱后衍生系统测定毒枝菌素含量* 高效液相色谱配合柱后衍生系统测定致人瘫痪或麻痹的甲壳类或贝类水生动物毒素含量* 高效液相色谱配合柱后衍生系统测定百草枯和杀草快含量* 高效液相色谱配合柱后衍生系统测定聚醚类抗生素含量* 高效液相色谱配合柱后衍生系统测定磺胺药含量* 高效液相色谱配合柱后衍生系统测定单端孢霉烯霉菌毒素含量* 高效液相色谱配合柱后衍生系统测定 维生素B1、B6含量* 更多… 创新点： 第三代柱后衍生系统荣耀上市！ 美国原装第三代柱后衍生装置克服了第二代产品压力、流量精度、温度精度之不足，必将以其超高的精度以及无可比拟的多功能设计，独领柱后衍生化检测领域。 兰博第三代柱后衍生系统全新设计，超高精度。第三代柱后衍生装置主要特点：高精度衍生剂流量精度提升10倍以上反应器控温精度提升5倍以上性能卓越，多用途自保护：超压、漏液自动停泵，温度过热保护功能无缝兼容任何品牌及型号HPLC系统所有泵参数均可实现前面板与电脑的双重控制高精度柱塞泵使系统呈现卓越的灵敏性与连贯性泵精密部件采用特殊化学惰性材质，结实耐用在线自清洗设计，延长密封圈使用寿命化学惰性流路延长系统的使用寿命并减少维护花费连续反应圈，完全密闭，多向流动实现有效混合多种反应器任选，反应器体积可特别定制反应器更换更加便捷，使应用的改变更加容易超高精密度的反应温控设计，超快速恒温性能，极大程度节省用户时间，保证检测结果重现性数字显示交互式显示面板可堆砌式整体试剂储存盘、抗腐蚀底盘先进的气路控制组件，随时观测惰性N2气流量加压式试剂瓶、气体压力分流管与调控器装置，防止氧化试剂氧化可实现除作为柱后衍生之外的其它功能第三代柱后衍生系统

p style="text-indent: 2em text-align: justify "国家2030计划和“十四五”国家研发计划已明确第三代半导体是重要发展方向。由于第三代半导体材料更为优异，与国外差距相对较小，国家希望通过十四五规划，把三代半导体提升至战略高度，第三代半导体可能成为我国半导体产业发展弯道超车机会。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "目前我国第三代半导体市场和应用前景广阔。一方面，第三代半导体下游应用切中了“新基建”中5G基站、特高压、新能源充电桩、城际高铁交主要领域，另一方面，第三代半导体产品主要使用成熟制程工艺，在美国持续升级对我国半导体产业技术封锁的大环境中，第三代半导体有望成为我国半导体产业突围先锋，相关产业链上下游企业将充分受益。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "半导体设备需求及订单向上拐点或已到来。2020年行业有望较快成长，新增需求源自5G商用推动全球存储扩产及中国大陆整体晶圆、封测产能扩张，以下第三代半导体设备公司有望受益。北方华创主营半导体装备、真空装备、新能源锂电装备及精密元器件业务。中微公司正处于市场地位快速提升的高成长阶段，同时其突出的技术及研发实力在本土企业中稀缺度很高。捷捷微电深耕功率半导体行业25年，是国产晶闸管第一大供应商。三安光电2014年5月成立起，正式涉足半导体产业，填补了我国二代、三代化合物半导体砷化镓/氮化镓市场的空白，同时布局新兴 Mini/ Micro-LED芯片产业。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "伴随着国内第三代半导体设备企业技术进步和消费市场前景刺激，第三代半导体产业链将迎弯道超车机会。/pp style="text-align: justify text-indent: 0em "br//pp style="text-align: justify text-indent: 0em "原文：/pp style="text-align: justify text-indent: 0em "原文标题《第三代半导体产业链迎弯道超车机会 科技+消费仍是机构“心头好”》/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "大盘持续震荡考验市场信心，赚钱效应下滑背后机会也更趋于集中。而在结构性机会背后，券商对四季度的机会普遍看好科技 + 消费 。 具体而言，半导体、国防军工、新能源汽车等被频繁推荐。投资者可在震荡中逢低关注上述板块中的龙头标的。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "第三代半导体/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "产业链迎弯道超车机会/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "国家2030计划和“十四五”国家研发计划已明确第三代半导体是重要发展方向。与第一、二代半导体材料Si、GaAs不同，以GaN、SiC为代表的第三代半导体材料具有高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射等特性，可以实现更好的电子浓度和运动控制，特别是在苛刻条件下备受青睐，在5G、新能源汽车、消费电子、新一代显示、航空航天等领域有重要应用。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "截止目前，A股公司已有45家确有第三代半导体产业链业务，或已积累相关技术专利。华安证券分析师尹沿技指出，由于第三代半导体材料更为优异，与国外差距相对较小，国家希望通过十四五规划，把三代半导体提升至战略高度，第三代半导体可能成为我国半导体产业发展弯道超车机会。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "国海证券分析师吴吉森认为，一方面，第三代半导体下游应用切中了“新基建”中5G基站、特高压、新能源充电桩、城际高铁交主要领域，另一方面，第三代半导体产品主要使用成熟制程工艺，在美国持续升级对我国半导体产业技术封锁的大环境中，第三代半导体有望成为我国半导体产业突围先锋，相关产业链上下游企业将充分受益。建议投资者关注北方华创、华峰测控、中微公司 器件领域重点关注斯达半导、捷捷微电、三安光电、闻泰科技、华润微，扬杰科技等。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "潜力股精选/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "北方华创(002371)进一步加码主业/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "公司主营半导体装备、真空装备、新能源锂电装备及精密元器件业务。公司现有四大产业制造基地，营销服务体系覆盖全球主要国家和地区。海通证券指出，2018年中国大陆市场设备投资额创历史新高，达到128.2亿美元，成为全球第二大的投资区域，预计2020年中国大陆设备投资将增长至170.6亿美元，未来依然是全球设备投资的主要地区，中国集成电路装备产业也将迎来一个“黄金时代”。公司非公开发行募集资金约20亿元将投入“高端集成电路装备研发及产业化项目”和“高精密电子元器件产业化基地扩产项目”的建设，进一步加码在高端集成电路设备领域的布局。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "中微公司(688012)细分领域领军者/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "公司日益提升的国际竞争力和半导体设备产业需求复苏、本土晶圆厂扩产及技术成熟、5G产业发展为公司带来的新机遇。相比于成熟发展阶段的海外龙头，公司正处于市场地位快速提升的高成长阶段，同时其突出的技术及研发实力在本土企业中稀缺度很高。虽然估值存在较高溢价，但作为中国高端装备的“核心资产”，其投资价值仍值得关注。华泰证券指出，半导体设备需求及订单向上拐点或已到来，2020年行业有望较快成长，新增需求源自5G商用推动全球存储扩产及中国大陆整体晶圆、封测产能扩张，其中刻蚀、薄膜沉积设备受益程度较高，公司作为国产刻蚀设备领军者有望受益。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "捷捷微电(300623)业绩增长有基础/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "公司深耕功率半导体行业25年，是国产晶闸管第一大供应商。公司立足功率半导体，在晶闸管基础上不断拓展产品品类，公司有望随着功率半导体的国产化替代加深实现持续快速成长。开源证券指出，2019年中国的功率半导体市场达到 144.8亿美元，主要市场份额为英飞凌、安森美、德州仪器等海外企业占据。MOSFET和IGBT作为功率半导体分立器件的最主要品种，国产替代空间巨大。2019年MOSFET占公司整体营收的15%，公司通过定增项目加码MOSFET、IGBT、新型片式元件、光电混合集成电路封测等产能建设，为业绩增长打下基础。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "三安光电(600703)拐点有望到来/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "公司2014年5月成立三安集成，正式涉足半导体产业，填补了我国二代、三代化合物半导体砷化镓/氮化镓市场的空白，同时布局新兴 Mini/ Micro-LED芯片产业。公司即使在行业低谷，也依旧保持领先整个行业的利润率。申万宏源证券指出，三安集成业务与同期相比呈现积极变化，已取得国内重要客户的合格供应商认证，各个板块已全面开展合作，2019全年实现销售收入2.41亿元，同比增长40.67%。当前是公司利润率底部区间，行业供需改善拐点有望到来，长期看好公司LED新需求及化合物半导体的发展。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "国防军工/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "行业迈入价值成长阶段/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "二季度业绩明显回暖后，国防军工行业三季度业绩增长确定性依旧较高。可以看到，军工行业计划性更强、下游客户军方需求确定性更高、产业链相对封闭，科研生产的组织更加严密，受经济环境的影响相对较小。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "有行业分析师指出，军工板块逐步迈入价值成长阶段，基本面研究的重要性将越来越重要，标的股价走势与基本面关联度越来越高，自下而上选股将成为获得超额收益的关键。横向比较其它制造业，军工行业的优势在于长期成长确定性。比较而言，部分国家重点建设的装备、部分渗透率显著提升的产品、部分业务开拓能力强竞争优势突出的企业需求增速将显著领先于整个行业，选择这类高成长性的标的是核心策略。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "高景气叠加改革持续推进，国防军工行业基本面持续向上的确定性强。国海证券分析师苏立赞指出，建议关注景气度高、确定性强、业绩有望持续兑现的方向如主战装备上量、航空发动机、军工信息化等，以及具有较强改革预期的相关标的。具体来看，主战装备上量，一流军队建设需要大批先进武器装备的支撑，在装备补短板和型号上量的过程中，主战装备龙头及配套企业前景明确。建议关注中直股份、中航飞机、洪都航空、中航沈飞、中航机电等。航空发动机方面，随着新装和替换需求旺盛，预计未来十年国内军用航空发动机市场规模有望达数百亿美元。建议关注航发动力、航发科技、航发控制、华伍股份、钢研高纳等。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "潜力股精选/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "中直股份(600038)有资金注入预期/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "公司是直升机制造龙头，我国军用直升机总量仅为美国的1/6，直-20作为中型通用机型，参考“黑鹰”系列直升机在美军作为主力机型的装备比例，保守估计市场空间达680架。直-20有望加速列装，公司作为部件供应商将持续受益。开源证券指出，航空工业集团直升机板块仍有哈飞集团、昌飞集团的总装直升机整机与试飞业务、直升机运营及维修业务以及中航直升机设计研究所(602所)等资产在上市公司体外，资产质量相对优质。考虑到同类资产合并仍是大势所趋，未来公司体外资产的有望注入将带来上市公司盈利规模的提升和关联交易削减所致的盈利能力增强。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "中航机电(002013)平台优势明确/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "公司背靠航空工业集团，2012年以来经过多次资产重组和整合，成为航空工业集团旗下航空机电系统的专业化整合和产业化发展平台，航空机电产品是公司最主要的业务。华创证券指出，公司航空机电产品有望保持稳健增长趋势，随着更加聚焦航空机电主业以及不良资产的剥离，公司盈利能力预计将有所提高，毛利率或将有所改善，期间费用率预计保持平稳略有下降。同时公司目前作为航空工业集团下属航空机电系统专业化整合和产业化发展平台的地位明确，体外尚有武汉仪表、609所和610所等优质企事业单位资产，未来资产整合仍可预期，优质资产的注入将进一步提升公司的质量。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "航发动力(600893)受益庞大市场需求/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "公司是国内唯一军用航空发动机产品涵盖涡喷、涡扇、涡轴、涡桨、活塞全种类的企业，是三代主战机型发动机国内唯一供应商。全年业绩在紧密的生产交付节奏下仍将保持稳定较快增长。中信建投证券指出，我国军机正处于更新换代阶段，老旧机型换发与新机列装需求日益旺盛。大涵道比航发实行军民两用为未来发展趋势，公司现有技术或产品进军民用市场亦可期待，预计未来20年，我国民用市场航空发动机需求约为400亿美元。公司作为中国航空发动机集团整机上市平台，将直接受益于军民机庞大市场需求与政策资金红利，我们强烈看好公司未来发展前景。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "华伍股份(300095)业务快速增长/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "公司是军机和航空发动机产业链重要配套企业，受益于主战装备上量，军工任务饱满，相关业务快速增长。2020年上半年公司航空零部件业务收入同比增长109%，业务进入快速增长期。随着主机厂规模不断扩张，公司迎来重大发展机遇，且公司正推进飞机零部件产能建设，配套层次有望提升至飞机零部件。国海证券指出，军品方面，下游主机厂需求旺盛，公司订单饱满，军工业务有望加速放量。民品方面，公司工业制动器快速增长，特别是风电制动器高速增长，风电抢装过后仍有望保持较快增长 轨交制动器有望成为新的增长点。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "新能源汽车/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "市场数据持续向好/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "从之前中国汽车工业协会发布的8月我国汽车产销数据来看，8月新能源汽车产销量分别为10.6万辆和10.9万辆，同比分别增长17.7%和25.8%，新能源汽车产销量同比保持快速增长。可以看到，2020年上半年新能源汽车市场恢复表现低于行业总体水平。下半年随着更多新车型的投放、新能源汽车下乡活动以及地方政府对新能源汽车消费的支持，新能源汽车市场将持续向好。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "之前工信部修改双积分管理办法，明确2021-2023年新能源汽车积分比例要求分别为14%、16%、18%，并增加引导传统乘用车节能措施、完善新能源汽车积分灵活性措施、丰富了关联企业认定条件等，促进新能源及节能汽车的共同快速发展，利好节能技术领先、新能源发展较快的技术优势企业及相关供应链。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "看好产业链长期成长，布局细分行业龙头。西部证券分析师王冠桥指出，我国新能源汽车规划和规模领跑全球，带动国内产业链同步成长。核心零部件如热管理、减速器等领域，国内供应商有望打破海外固有配套格局。建议关注三花智控、先导智能、精锻科技。电池产业链逐渐复苏，龙头公司强者恒强，四大材料国产供应商有望充分受益，建议关注宁德时代、璞泰来。锂价格磨底，电池级碳酸锂基本逼近锂辉石生产成本，预计未来随着高成本的产能的不断出清和新能源汽车需求的持续增长，锂产品价格有望逐步回暖。看好锂行业龙头公司赣锋锂业。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "潜力股精选/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "三花智控(002050)盈利增长空间打开/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "公司是全球制冷部件的龙头企业，成立三十年来一直专注于生产和研发热冷转换、智能控制的环境热管理核心零部件。华金证券指出，2017年公司将三花汽零业务并表，开始布局新能源汽车热管理业务。公司汽零产品的客户质量优质，现在已相继成为特斯拉、沃尔沃、戴姆勒、比亚迪、吉利、蔚来汽车等新能源汽车厂商的一级供应商，现有的新能源订单业务也会集中在2020年开始放量。作为特斯拉供应商，公司盈利能力将直接受益于国产Model 3 销量的提升，而且随着Model Y车型的国产化进程加快，将继续开启公司的盈利增长空间。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "宁德时代(300750)竞争力进一步凸显/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "公司主营新能源汽车动力电池，2019年全球市占率达28%。凭借成本和产品优势，公司积极开拓国内外市场，未来市占率有望进一步提升。公司还积极布局储能产业链上下游，未来有望率先步入储能发展的快车道。随着新能源汽车竞争力提升，预计到2025年动力电池需求量约1013GWh。新时代证券指出，公司竞争力强，经营方面，相比LGC等国际厂商，公司营业利润率持续为正。客户方面，公司成功开拓了特斯拉、大众、奔驰、宝马等国际一流整车厂，反映出公司强大竞争力。随着动力电池不断降本，未来公司的竞争力进一步凸显。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "先导智能(300450)产品市占率第一/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "公司以薄膜电容器设备起家，2008年切入锂电设备市场，核心设备锂电池卷绕机国内市场份额达60%以上，稳居行业第一。2017年收购珠海泰坦新动力后，可提供前中后段整线生产设备，公司客户包括松下、索尼、三星 SDI、LG 化学、特斯拉、CATL、比亚迪等全球知名企业。申万宏源证券指出，公司拟定增25 亿元用于产能提升，宁德时代将全额认购，交易完成后CATL将持有公司7.29%股权，成为公司战略投资者。引入宁德时代将极大提高公司长期业绩的确定性，伴随CATL扩产公司业绩成长性再次被打开，锂电设备龙头蓄势待发。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "赣锋锂业(002460)深度绑定特斯拉等/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "公司从中游锂化合物制造起步，后进军上游锂资源，加速拓展下游锂电池生产，目前已形成垂直整合的业务模式。覆盖上游锂资源开发、中游锂盐深加工以及金属冶炼、下游锂电池制造及退休锂电池综合回收利用等多个方面。多个业务板块间通过发挥协同效应，提升资源利用率，公司营运效率及盈利能力。华安证券指出，目前公司氢氧化锂设计产能为3.1万吨，为满足近期市场对电池级氢氧化锂的需求，公司通过发挥自身柔性生产线优势，持续释放产能，2019 年氢氧化锂产能利用率高达99.39%。深度绑定特斯拉、德国宝马、大众等欧美终端车企，氢氧化锂销售未来可期。/pp style="text-align: center text-indent: 0em "a href="https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target="_self"img style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/5f2ab726-e026-4904-b781-d5e14f7c5e80.jpg" title="半导体材料与器件.jpg" alt="半导体材料与器件.jpg"//a/p

近日有投资者在互动平台就大族激光是否有切割碳化硅的技术与设备，以及已量产的第三代半导体设备进行了提问。大族激光表示公司应用于第三代半导体的SiC晶锭激光切片机、SiC超薄晶圆激光切片机正在客户处做量产验证。有数据显示，大族激光今年上半年实现营业收入69．37亿元，营业利润6．82亿元；归属于母公司的净利润6．31亿元，扣除非经常性损益后净利润6．07亿元。其中半导体及泛半导体行业晶圆加工设备业务实现营业收入7．17亿元。今年5月份，大族激光的全资子公司大族半导体发布了激光切片（QCB技术）新技术，并同时发布了两款全新设备：SiC晶锭激光切片机（HSET－S－LS6200）、SiC超薄晶圆激光切片机（HSET－S－LS6210）。其产品性能非常优越，以切割2cm厚度的晶锭，分别产出最终厚度350um，175um和100um的晶圆为例，QCB技术可在原来传统线切割的基础上提升分别为40％，120％和270％的产能。据悉，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021－2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。第三代半导体材料是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。以第三代半导体的典型代表碳化硅（SiC）为例，碳化硅具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高热导率等特点，使得其器件适用于高频高温的应用场景，相较于硅器件，碳化硅器件可以显著降低开关损耗。 因此，碳化硅可以制造高耐压、大功率的电力电子器件，用于智能电网、新能源汽车等行业。

仪器信息网讯 第一代半导体兴起于20世纪五十年代，以硅（Si）、锗（Ge）半导体材料为代表，广泛应用于集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业。20世纪九十年代以来，随着移动通信的飞速发展、以光纤通信为基础的信息高速公路和互联网的兴起,以砷化镓、锑化铟为代表的第二代半导体材料开始崭露头角。二十一世纪以来，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料开始初露头角。第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性，可以实现更好的电子浓度和运动控制，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。目前，市场火热的5G基站、新能源汽车和快充等都是第三代半导体的重要应用领域。随着工业、汽车等市场需求的增加，以GaN、SiC为代表的第三代半导体材料的重要性与优越性逐渐凸显了出来。同时，随着第三代半导体材料产业化技术日趋成熟，生产成本不断降低，使得第三代半导体材料突破传统硅基半导体材料的瓶颈，从而引领了新一轮产业革命。未来采用第三代半导体材料器件的产品和企业将会越来越多。但在半导体器件向小型化和集成化方向发展的同时，半导体器件特性测试也越来越重要。针对于此，仪器信息网在2022年12月21日举办的第三届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议上，特设置了第三代半导体研究与检测技术专场。邀请第三代半导体领域相关研究、应用与检测专家、知名仪器企业技术代表，以线上分享报告、在线与网友交流互动形式，为同行搭建公益学习互动平台，增进学术交流。为回馈线上参会网的支持，增进会议线上交流互动，会务组决定在会议期间增设多轮抽奖环节，欢迎大家报名参会。同时，只要报名参会并将会议官网分享微信朋友圈积赞30个可以获得《2021年度科学仪器行业发展报告》（独家首发）一本，（兑奖方式见文末）报名参会进群还将获得半导体相关学习电子资料压缩包一份。会议同期，还有部分赞助厂商将抽取幸运观众，邮寄企业周边产品。本次会议免费参会，报名链接：https://insevent.instrument.com.cn/t/5ia 或扫描二维码报名第三代半导体研究与检测技术专场专场会议日程：时间报告题目演讲嘉宾专场2：第三代半导体研究与检测技术（12月21日）9:30氮化镓增强型功率器件进展黄火林(大连理工大学 教授)10:00如何利用牛津原子力显微镜评价化合物半导体质量刘志文 (牛津仪器科技（上海）有限公司)10:30Epitaxial growth of thick GaN layers on Si substrates and the physics of carbon impurity杨学林(北京大学 正高级工程师)11:00海洋光学微型光谱仪在半导体领域的应用卢坤俊(海洋光学 资深技术&应用专家)11:30GaN电力电子器件研究进展赵胜雷(西安电子科技大学 副教授)直播抽奖：5张30元京东卡12:00午休午休音乐14:00GaN功率器件及功率集成电路技术魏进(北京大学 研究员)14:30布鲁克新一代能谱仪及其在半导体样品上的应用陈剑锋（布鲁克（北京）科技有限公司 应用工程师）15:00聚焦离子束及飞秒激光微纳加工徐宗伟（天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 副教授）15:30雷尼绍拉曼光谱技术的发展及其在半导体材料分析中的应用王志芳（雷尼绍(上海)贸易有限公司北京分公司 光谱产品部应用经理）16:00GaN半导体器件的仿真设计与制备研究张紫辉（河北工业大学 教授）16:30氮化物半导体的原子尺度晶格极性研究王涛（北京大学 高级工程师）直播抽奖：5张30元京东卡嘉宾介绍大连理工大学 黄火林 教授黄火林，大连理工大学教授/博导&省第三代半导体技术创新中心副主任，在国内外长期从事第三代氮化镓材料半导体功率器件研发工作。2014年从新加坡国立大学回国后加入大连理工大学，建立第三代半导体电子器件实验室；已在IEEE EDL、T-ED、T-PEL等领域著名期刊和重要国际会议上发表学术论文超过五十篇；近五年已经申请或授权国际、国内发明专利近三十项（第一发明人）；主持国家级、省部级纵向及横向课题十余项。【摘要】氮化镓材料是第三代半导体的典型代表，利用该材料异质结结构2DEG优势制造的新一代功率器件已经进入民用和军用领域。增强型（常关型）操作是目前该领域的主要技术难题之一，本次报告将介绍氮化镓增强型功率器件的关键技术问题和研究进展。牛津仪器科技（上海）有限公司 刘志文 高级应用科学家刘志文，2006年博士毕业于大连理工大学三束国家重点实验室，博士期间主要利用AFM，TEM，XRD等技术手段研究PVD制备的氧化物薄膜的生长机制。毕业之后直接加入安捷伦科技，作为纳米测量部的应用科学家，主要从事AFM的应用工作。2018年加入牛津仪器Asylum Research。目前作为牛津仪器的高级应用科学家，主要从事原子力显微镜的应用推广、测试方法的研究以及AFM相关的多系统耦合。【摘要】 近几年，由于化合物半导体行业的飞速发展，其衬底以及外延薄膜质量评价越来越受到关注。如何评价高质量衬底和外延薄膜对工艺优化至关重要。原子力显微镜（AFM）是评价衬底和薄膜质量不可或缺的技术手段。在本次讲座中，主要用AFM从表面结构，力学性质和电学性质全面评价衬底和薄膜质量，涉及材料生长机制、表面不均匀性、缺陷类型、粗糙度、表面污染、力学性质、导电、表面电势、高压击穿等，从而实现对衬底和薄膜质量的全面评估。北京大学 杨学林 正高级工程师杨学林，1981年生，北京大学宽禁带半导体研究中心高级工程师，国家优秀青年科学基金获得者。2004年和2009年分别在吉林大学和北京大学获学士和博士学位，2009年-2012年在日本东京大学从事博士后研究工作。近年来在Si衬底上GaN基材料的MOCVD外延生长、C杂质的掺杂调控、缺陷影响电子器件可靠性的机理研究等方面取得了多项进展。以第一/通讯作者在PRL,AFM,APL等期刊上发表SCI论文30余篇；在本领域国内外学术会议上做邀请报告近20次，申请/授权国家发明专利13件。【摘要】 In this talk, we will discuss current challenges and summarize our latest progresses in the growth of thick GaN layers on Si substrates and physics of the carbon impurity in GaN. We firstly propose a large lattice-mismatch induced stress control technology to grow crack-free GaN and high mobility AlGaN/GaN as well as InAl(Ga)N/GaN heterostructures on Si substrates. Then, a Ga vacancy engineering is demonstrated for growth of thick GaN layers on Si substrates and fabrication of quasi-vertical GaN devices. Finally, the C doping behaviors in GaN are discussed, including the observation of two localized vibrational modes of CN in GaN and clarifying the formation and dissociation process of C-H complex in GaN.海洋光学 卢坤俊 资深技术&应用专家现任海洋光学亚洲公司资深应用工程师，拥有应用化学硕士学位。主要负责光纤光谱仪相关产品的技术支持与光谱解决方案的应用开发工作，具有丰富的材料、化学应用背景。【摘要】 介绍海洋光学公司及工业客户合作模式，并分享海洋光学微型光谱仪在半导体膜厚测量， PECVD过程监控，Plasma Etching终点指示以及 Plasma Cleaning过程监控中的原理及应用。西安电子科技大学 赵胜雷 副教授赵胜雷，博士，副教授，华山学者菁英人才。主要从事研究氮化物功率器件与应用研究，面向国家重大需求，深入探索器件工作机理，提出多种新型结构，大幅提升器件性能。主持和参与国家科技重大专项、国家自然科学基金等项目10余项，发表SCI论文70余篇，申请与授权发明专利30余项，获得中国电子学会技术发明一等奖。【摘要】GaN电力电子器件经过20多年的科研与产业化发展，已在电力电子器件研究领域与市场占据一席之地，但还有很大提升空间。GaN器件与Si、SiC器件相比有何优点，有何不足？本报告将从当前商业化pGaN器件遇到的问题、新型双向阻断功率应用等角度出发探讨GaN电力电子器件的关键技术。北京大学 魏进 研究员魏进，北京大学集成电路学院研究员、博士生导师。分别获中山大学、电子科技大学、香港科技大学的学士、硕士、博士学位。曾任职英诺赛科科技有限公司研发经理、香港科技大学博士后研究员、香港科技大学研究助理教授。长期致力于 GaN 基、 SiC 基功率电子器件及功率集成电路技术的研究。在IEDM、IEEE EDL等著名国际会议/期刊发表学术论文140余篇，其中一作/通讯作者论文40余篇，总引用2000余次，H因子为28。【摘要】 GaN功率半导体器件具有卓越的高平开关能力，有望大幅度提升功率开关系统的效率与功率密度。本报告将讨论GaN功率半导体器件及集成电路面临的关键技术难题（包含动态导通电阻退化，动态阈值电压漂移等）的物理机制及解决方案。布鲁克（北京）科技有限公司 陈剑锋 应用工程师2003年毕业于中科院长春应化所，主要研究方向是高分辨电子显微镜在高分子结晶中的应用，毕业后加入FEI，负责SEM/SDB的应用、培训以及市场等推广工作。2011年加入安捷伦公司负责SEM的市场和应用工作，2018年在赛默飞负责SEM的应用工作。2021年加入布鲁克，负责EDS、EBSD、 Micro-XRF等产品的技术支持工作，对电子显微镜的相关应用具有多年的实操经验。【摘要】 随着目前工业和自动化控制的发展，促使人们在半导体行业上不断突破到更微观的结构，能谱和电子显微镜因为在纳米尺度上的分析能力和直观的结果解读使之在半导体行业以及相应的材料，结构，性能的研究，测试，表征等方面的依赖性也变得越来越高，布鲁克纳米分析部门推出第七代能谱配合EBSD和同轴TKD等技术继续在分析测试，失效分析，产品工艺改进和品质控制等领域助力新能源行业的发展，本期报告我们将主要介绍布鲁克新一代能谱仪特点应用，让新老客户对我们的产品及应用有一个更好的了解和认知。天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 徐宗伟 副教授徐宗伟，天津大学英才副教授，博导。研究领域：宽禁带半导体器件、超快能量束（离子、fs激光）加工、拉曼及荧光光谱表征、微纳加工机理、微刀具制备及纳米切削技术。中国电子显微镜学会聚焦离子束专业委员会委员。【摘要】 聚焦离子束、飞秒激光微纳加工，由于其精度高、直写成型和灵活性高等优势，成为重要的微纳制造技术。随着纳米功能器件制造需求和制造难度的不断增加，对基于聚焦离子束和飞秒激光制造技术提出了许多新的挑战。报告结合加工工艺优化、光谱表征以及原子尺度模拟等研究手段，分享两种先进制造技术在制备微纳光学功能器件、原子尺度点缺陷色心、宽禁带半导体功能结构中的应用。雷尼绍(上海)贸易有限公司北京分公司光谱产品部应用经理 王志芳王博士，毕业于中国科学技术大学物理系，现任雷尼绍光谱产品部应用经理。主要从事拉曼光谱技术在各个领域的开发和应用工作，具有多年的拉曼光谱系统使用经验及拉曼光谱分析经验。【摘要】 半导体材料和器件的性能及稳定性往往与材料本身的性质联系在一起，包括材料应力、缺陷、杂质、载流子浓度还有温度响应等等。拉曼光谱检测可以获得以上半导体材料的性质，并且拉曼光谱还具有速度快、无需制样、无损伤等表征优势，可以同时获得静态及动态变化中的结构信息，已经成为半导体材料表征和器件测试的一个重要手段。本次报告主要介绍雷尼绍拉曼技术在半导体领域的应用方向和相关案例，同时分享适用于半导体领域的拉曼技术的发展和应用。河北工业大学 张紫辉 教授张紫辉，男，生于1983年，2006年毕业于山东大学并获得理学学士学位，2015年毕业于新加坡南洋理工大学并获博士学位，后留校担任南洋理工大学研究员，目前担任河北工业大学教授、博士生导师、河北省特聘专家。主要研究第三代半导体器件、半导体器件物理、芯片仿真技术。目前已经在Applied Physics Letters、IEEE Electron Devices、Optics Express、Optics Letters等领域内权威SCI 期刊发表科研论文130多篇，其中以第一作者/通讯作者发表文章80余篇； 参与出版学术著作5部；获授权美国专利、中国国家专利共计21项，申请18项，已经完成成果转化4项；先后主持各类科研项目15项。【摘要】 本次报告将围绕深紫外发光二极管（DUV LED）、Micro-LED、日盲紫外探测器和肖特基功率二极管（SBD），详细阐述半导体器件仿真技术在半导体器件设计和制备过程中的关键作用，同时深入探讨影响各类半导体器件性能指标的关键因素，并提出优化设计方案：（1）探索提高AlGaN基DUV LED载流子注入效率、光提取效率、电流扩展效应的方法及机理；（2）研究抑制GaN基Micro-LED侧壁非辐射复合的方法，并提高发光效率；（3）研究降低紫外探测器的暗电流、提高响应度的方法和相关器件物理；（4）利用半导体仿真技术探索GaN基SBD的击穿过程，并优化器件架构设计，制备高击穿电压的GaN基SBD。北京大学 王涛 高级工程师王涛，北京大学电子显微镜实验室高级工程师，2013年在四川大学获得学士学位， 2018年在北京大学获得博士学位，曾在沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）和德国莱布尼兹晶体生长研究所（IKZ）交流学习。目前主要从事（超）宽禁带半导体材料纳米尺度物性研究，主要包括利用高空间分辨、高能量分辨电子显微镜技术研究材料的物性，以及原位条件下材料的物性调控研究。以第一作者或通讯作者在Advanced Materials、 Light: Science & Applications、Advanced Science、Applied Physics Letters和Nanomaterials等期刊上发表多篇文章。兑奖方式：1） 直播间抽奖中奖后，凭借中奖截图凭证联系直播助手领奖；2） 分享朋友圈兑奖，凭借朋友圈点赞截图，联系直播助手领取《2021年度科学仪器行业发展报告》扫码加直播助手微信

2024年3月28日-29日，第三届第三代半导体材料技术与市场研讨会在四朝古都、江南水乡苏州召开，会议由半导体在线主办，来自全国500+第三代半导体产业链相关科研院校、企业等代表参加了会议。促进第三代半导体材料领域的相互交流与合作。天美公司携半导体材料完整的分子光谱表征方案出席了此次研讨会。在会议期间，老师、研发工作者及行业从业者分别莅临到天美公司展台，详细咨询了天美公司在半导体行业中的仪器解决方案。天美集团旗下爱丁堡系列分子光谱仪器可为半导体加工制造行业提供快速、无损、灵敏、高效的拉曼，荧光、紫外及红外测试技术，表征半导体材料的化学键组成，结构晶型分析、电子学性质和缺陷分析等信息，为半导体原料制备与合成进行参数严格把控。

近日，有报道称，为了发展新一代功率半导体，韩国30家本土半导体企业以及大学和研究所组建碳化硅产业联盟，以应对急速增长的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓（Ga2O3）等宽禁带半导体所引领的新型功率半导体市场，从而形成韩国本土碳化硅生态圈。据悉，联盟内的30家韩国功率半导体企业将共同参与材料、零部件、设备的开发，培育与碳化硅半导体相关的材料、零部件和设备企业的发展。其中，LX Semicon将负责研发碳化硅半导体，SK siltron则负责碳化硅衬底，Hana Materials和STI将研发碳化硅半导体零件和设备技术。嘉泉大学、光云大学和国民大学将支持碳化硅半导体研发基础设施，国立纳米材料研究所和韩国陶瓷工程技术研究所将提供技术支持。宽禁带半导体就是第三代半导体，主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.3eV)，亦被称为高温半导体材料。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓，而氧化锌、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，被行业称为第三代半导体材料的双雄。基于第三代半导体的优良特性，其在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中颇具优势。其中，碳化硅、氮化镓的研究和发展较为成熟。以SiC为核心的功率半导体，是新能源汽车充电桩、轨道交通系统等公共交通领域的基础性控件；射频半导体以GaN为原材料，是支撑5G基站建设的核心；第三代半导体在消费电子、工业新能源以及人工智能为代表的未来新领域，发挥着重要的基础作用。近年来，随着新能源汽车的兴起，碳化硅IGBT器件逐渐被应用于超级快充，展现出了强大的市场潜力，第三代半导体发展进入快车道。第三代半导体器件的生产离不开检测，以碳化硅功率器件的生产为例，只有通过对各个生产环节的检测才能不断提高良率和工艺水平。碳化硅的检测主要包括衬底检测、外延片检测、器件工艺、点穴参数、可靠性分析和失效分析。除了以上这些检测项目对应的仪器外，第三代半导体制造也离不开半导体设备，碳化硅产业链更是如此，其涉及的设备种类繁多。碳化硅的很多工艺段设备可以与硅基半导体工艺兼容，但由于宽禁带半导体材料熔点较高、硬度较大、热导率较高、键能较强的特殊性质，使得部分工艺段需要使用专用设备、部分需要在硅设备基础上加以改进。相关工艺及半导体制造设备如下，

1月31日，贺建奎博士发布：贺建奎实验室“第三代DNA合成仪 (酶促反应法)取得科研突破。核心技术已于上月申请了国家专利。除了建立实验室来研究罕见病的基因治疗以外，贺建奎还在为另一个项目筹资，希望在三年内研发出中国首个“第三代生物酶促反应法DNA合成仪”。通过先前信息，贺建奎表示，他希望研制一款“集成的，易于使用的，桌面式DNA合成仪器”，实现高纯度长片段的DNA合成，将我国的DNA合成技术提升到第三代，达到世界先进水平。在贺建奎看来，如果能成功研制出DNA合成仪，将有助于建立合成生物学的数字存储平台，促进各类信息的长期保存、共享和开发。事实上，2017年，贺建奎就带领瀚海基因团队开发第三代基因测序仪，用于无创产前检测（NIPT）、传染病检测、农业育种等方面。当时媒体也有过密集的曝光。

p　　近日，由南方科技大学、中国科学院北京基因组研究所、浙江大学医学院附属妇产科医院(以下简称“浙大妇产科医院”)等多家单位联合完成的“第三代单分子测序仪的无创产前检测研究”结果显示，使用我国完全自主研发的第三代单分子基因测序仪，可成功应用于无创产前检测(英文简称NIPT)，且检测结果100%准确。相关研究成果已发表在由非营利机构美国冷泉港实验室运营的BioRxiv网站上。/pp　　“这是世界上首次利用单分子测序技术进行NIPT临床检测并获得成功的案例。”中国科学院北京基因组研究所研究员、项目测序技术负责人于军说，作为中国第三代基因测序技术研究在国际研究领域的一次引领性重大突破和原创成果，这项研究“将实质性地开启健康与医疗体系的个体化时代”。/pp　　目前，基于二代测序的NIPT还存在着一些不足，如检测胎儿18-三体综合征(爱德华氏综合征)及13-三体综合征(帕陶氏综合征)的假阳性率还明显高于21-三体综合征，胎儿性染色体异常以及微缺失、微重复检测的准确性有待提高等。/pp　　论文第一作者、项目临床负责人、浙大妇产科医院主任医师董旻岳表示，三代测序仪摒弃了二代测序的PCR扩增环节，不受GC偏好影响，在保证了21-三体的精确检测基础上，对18-、13-三体综合征的检出率更高，可有效降低假阳性率。此外，使用二代基因测序仪做NIPT，至少需要在孕12周后才能获得比较准确的检测结果 相比之下，三代基因测序仪灵敏度更高，可检测的cffDNA(母体血浆中存在胎儿游离DNA)浓度低至2%，使得NIPT的检测时间有可能被提前至孕8周。这无疑有利于及早发现、及早处置，将为临床诊治争取到更多宝贵的时间。/pp　　董旻岳同时表示，三代测序技术还有望提高胎儿性染色体异常、微缺失、微重复无创检测的灵敏度，拓宽NIPT检测的疾病谱。/pp　　在10月26日~29日于深圳举行的第12届基因组学国际会议上，美国梅奥医学中心教授David Smith在其报告中提出，美国Illumina公司基因测序仪全球垄断的现状会带来诸多问题，如科研及医疗机构缺乏选择、试剂成本居高不下等。对此，于军认为，本项研究的成功是基因测序领域的重大利好，意味着我国自主研发的第三代基因测序仪打破美国Illumina公司在NIPT领域一家独大局面的未来可期。/pp　　据介绍，该项目所使用的第三代基因测序平台是由深圳市瀚海基因生物科技有限公司(下简称“瀚海基因”)今年7月宣布研发成功并投入小批量样机生产、拥有完全自主知识产权的第三代单分子基因测序仪GenoCare。中国科学院院士陈润生评价说，基于GenoCare的NIPT研究获得成功，证明了无需扩增就可以实现NIPT，这是重大的技术创新，是中国基因测序技术研究领域一次真正意义上的弯道超车。/pp　　南方科技大学副教授、瀚海基因董事长贺建奎告诉《中国科学报》记者，第三代基因测序仪及试剂的完全国产化可使检测成本大幅下降并远低于二代测序仪，此外专门为临床进行的设计也使操作更为方便，这些优点都令三代测序仪便于大规模普及。未来，除了NIPT，第三代单分子基因检测技术还有望应用于单基因病、ctDNA肿瘤早筛、传染病检测、农业育种、法医鉴定等方面。/pp/p