底高纯错谱仪

【磐诺-高纯气体在线气相色谱仪】仪器采用吹扫阀技术、零死体积零泄漏技术、二维中心切割技术、高纯气体类分析专用色谱柱技术和脉冲氦离子化检测器（PDD）技术相结合进行高纯氦、高纯氢、高纯氮、高纯氩、高纯甲烷、高纯二氧化碳、高纯氧等在线检测。样品采集到定量环并置换干净后，切换进样阀，在载气的带动下样品进入色谱柱中分离并将主组分切割放空后依次进入PDD检测器检测得到。【仪器特点】（1）采用高纯气专用色谱柱技术，测量多种无机和有机杂质组分，符合国标要求；（2）仪器具有开机自检功能、断气保护功能、断电自动重启功能、自动标定功能和报警功能，保证系统安全和稳定性；（3）采用带吹扫保护的膜阀和零泄漏管道接头设计，系统漏率＜1*10-8m3.pa.s-1；（4）PDD检测器具有专利技术和宽量程数字化输出，其中CH4检测限≤5ppb；（5）核心部件均使用国际知名品牌，可靠性高，使用寿命长。【应用领域】空分装置在线监测【技术参数】检测能力H2、Ar、O2、N2、CH4、CO、CO2、Kr、Xe等量程CH4（1ppb-1000ppm）检测器脉冲氦离子化检测器（PDD)检出限5ppb（CH4）重复性RSD≤3%分析周期10min功率电源＜300W，220V AC/50Hz工作环境温度：（-10~50）℃，湿度：（10%~90%）RH气源要求载气：高纯氦（≥99.999%）?输出4-20mA、RS232/RS485、以太网尺寸19"标准机箱，5UA、测定成分测定组分检测气体H2Ar/O2N2CH4COCO2He是是是是是是H2否是是是是是O2是Ar是是是是Ar是否是是是是N2是是否是是是CO2是是是是是否Kr是是是是是是Xe是是是是是是B、测定范围测定成分测定范围H210ppb—100ppmAr/O210ppb—100ppmN215ppb—100ppmCH45ppb—100ppmCO25ppb—100ppmCO210ppb—100ppmKr10ppb—100ppmXe20ppb—100ppm

实验室低本底宽能高纯锗HPGE伽马γ能谱仪第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

实验室高纯锗（HPGe）伽马γ能谱仪第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

实验室高纯锗（HPGe）伽马γ能谱仪第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

宽能高纯锗探测器伽马能谱仪HPGe第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯氩色谱分析仪适用于高纯气体、超高纯气体及电子工业用气体中痕量杂质的检测。高纯氩气专用色谱仪配备氩离子化(AID)检测器，采用带吹扫保护气路的六通或十通阀。上述部分与纯化器、无死体积取样阀等部件一起组成一套完整的高纯气体分析整体及解决方案。高纯氩色谱分析仪的性能特点1.采用4.3英寸触屏液晶中文显示，各路温度、操作条件实时显示，完美实现在线监控；2.开机自检，五路独立控温；3.任一路传感器断路，仪器自动显示报警；4.高精度双重稳定气路，zui多可同时安装四种检测器；5.四路外部事件功能支持多阀切换；6.可选配电子流量压力显示系统及内置工作站装置；高纯氩色谱分析仪的技术指标开机稳定时间：＜1小时控温精度：±0.1℃基线噪音：≤0.03mv基线漂移：≤0.2mv/30min氩离子化检测器（AID）：1.检测目标：高纯氩中杂质2.检测限：0.05ppm（以氮计）3.线性范围：102高纯氩色谱分析仪组分检测限(ppm)组分H202N2CH4COCO2检测限≤1≤10≤10≤5≤25≤5高纯氩中气体杂质的测定谱图高纯氩色谱分析仪载气纯化器：控温范围：室温+5℃～500℃控温精度：±0.2℃可纯化气体：惰性气体zui大操作压力：2Mpa去除气体：H2、O2、N2、CO、CO2、CH4、H2O等残留浓度：≤20ppb网页中所显示的高纯氩色谱仪的价格只用于展示用，不同的分析仪器配置不同，价格不同，具体电话联系询价更优惠！请搜索“大连蓝天中意”网查看

高纯氮色谱分析仪适用于高纯气体中痕量杂质的检测。该产品配备FID和ZD；采用带吹扫保护气路的六通或十通阀；与载气纯化器、无死体积取样阀等部件一起组成一套完整的高纯气体分析整体及解决方案。 高纯氮色谱分析仪配备无死体积取样阀、载气专用减压阀。采用进样系统保压防漏技术、中心切割与反吹系统可完成包括高纯氮、高纯氦、高纯二氧化碳、高纯氩、氪气、氙气、氖气等高纯气体以及硅烷等电子工业用气体中痕量杂质的检测。一次进样，双通道同时分析，3分钟可出结果。1.采用4.3英寸触屏液晶中文显示，各路温度、操作条件实时显示，完美实现在线监控；2.开机自检，五路独立控温；3.任一路传感器断路，仪器自动显示报警；4.高精度双重稳定气路，zui多可同时安装四种检测器；5.四路外部事件功能支持多阀切换；6.可选配电子流量压力显示系统及内置工作站装置。高纯氮色谱分析仪载气纯化管可纯化气体：氮气zui大操作压力：1Mpa去除气体：H2、O2、CO、CO2、CH4、H2O等残留浓度：≤10ppb氢火焰离子化检测器（FID）：1.控温范围：室温+5℃～300℃2.检测限：0.05ppm（以甲烷计）3.线性范围：107氧化锆检测器（ZD）：1.检测限：0.05ppm(以氧计)2.线性范围：103 3.检测目标：氢气和氧气 高纯氮色谱分析仪组分检测限(ul/l)组分H202CH4COCO2检测限0.050.050.10.20.2高纯氮中氢气、氧气色谱图 高纯氮气分析仪的应用行业空分、食品级氮（奶粉、乳业等食品加工型企业）等行业专用高纯氮气分析仪。网页中所显示的高纯氮色谱分析仪的价格只用于展示用，不同的分析仪器配置不同，价格不同，具体电话联系询价更优惠！请搜索“大连蓝天中意”网查看

CANBERRA高纯锗γ谱仪产品特征:能量范围从3 keV到3 MeV，组合低能和同轴HPGe探测器的谱学优点探测效率和能量分辨率在3 keV到662 keV能区作了优化，以处理其中大量相近的能量线采用冷指偏心设计，将冷指移至侧边，进一步降低本底扁平和非弹丸化的晶体对接近探测器计数样品提供优化的效率系统配置:宽能(BEGe)锗探测器覆盖3keV到3MeV的能量范围的独特功能。它在低能区的分辨率相当于低能锗探测器，在高能区的分辨率相当于高质量的同轴探测器。

BSI实验室高纯锗γ能谱仪 高纯锗探测器：晶体：可选P型同轴、平面型、井型、P型优化型等多种晶体能量响应范围：根据所选探测器不同，低至3keV，高达10MeV相对效率：10%-160%可选 制冷方式：两种可选 液氮制冷方式：35升杜瓦瓶电制冷方式：斯特林压缩机制冷，几乎零维护 数字化谱仪彩色触摸显示屏，可设置和控制所有参数谱仪状态显示，谱测量软件及显示USB接口，RJ-45接口系统变换增益：16K道死时间校正，脉冲抗堆积小于500ns 解谱软件：能量，分辨率，峰值形态校准自动识别和活度计算多谱同时处理，自动校准 铅屏蔽室：厚度：10cm（可选15cm超低本底）高纯度低本底电解铅，整体浇筑国产、进口铅室可选

新型的NovaCHROM 1000DID氦离子气相色谱仪，采用了AGC仪器公司最新的气相色谱仪技术，是由AGC原100系列气相色谱仪升级而成。NovaCHROM系列使用了全新的交互式触摸界面,非常易于设置和使用。这种最先进的技术是AGC仪器公司50年经验的结晶，使得AGC的仪器在气体分析领域一直处于领先地位。这种检测器在多种痕量分析的应用中具有超高的精确度和可靠性，为客户提供精确的分析数据，并满足易于操作和维护的需求。GB/T 8979-2008《高纯氮》 GB/T 14599-2008《高纯氧》GB/T 4844.3-1995 《高纯氦》 GB/T 4842-2006《氩》GB/T 7445-1995 《纯氢、高纯氢、超纯氢》 GB/T 17873-1999《纯氖》GB/T 5829-1995《氪气》 GB/T 5828-1995《氙气》HG/T 3633-1999《纯甲烷》 GB 10621-2006《食品添加剂 液体二氧化碳》GB/T 16942-2009《电子工业用气体 氢》 GB/T 16943-2009《电子工业用气体 氦》GB/T 16944-2009《电子工业用气体 氮》 GB/T 16945-2009《电子工业用气体 氩》GB/T 14604-2009《电子工业用气体 氧》 GB/T 14600-2009《电子工业用气体 氧化氩氮》GB/T 14601-2009《电子工业用气体 高纯氨》 GB/T 14602-93《电子工业用气体 氯化氢》GB/T 14603-2009《电子工业用气体 三氟化硼》 GB/T 18994-2003《电子工业用气体 高纯氯》GB/T 14851-93《电子工业用气体 磷化氢》 GB/T 17874-1999《电子工业用气体 三氯化硼》GB/T 15909-2009《电子工业用气体 硅烷》 GB/T 21287-2007《电子工业用气体 三氟化氮》 技术特点：● ppb-ppm级杂质分析● 多柱箱独立温控，每一根色谱柱都可实现独立控温● 实现在线连续分析，并通过DCS等实现远程数据传输● 全新可再生双级纯化器芯纯化器系统● 19”机架式设计，可实现在线机柜安装方式● 根据不同需求，可配置不同检测器（DID、ADD、FID、TCD、FPD等）● 集成报警系统，具有自动诊断功能（检测器、系统、流量、维护、温度、压力报警）● 有几十种不同气路系统设计，每种都带有专业的阀门和流量配置，以实现不同杂质的分析应用。 检测器DID氦离子检测器测量范围ppb-ppm-%精准度量程的±1%操作温度30-45℃ 环境温度：10℃-30℃响应时间0.5s（90%）预热时间1小时显示界面6.5”LCD彩色显示屏，带LED背光和电阻式触摸屏载气超纯氦（He）N6.0：20-60mL / min样品气10 - 500 mL / min流量（推荐200ml / min流量）驱动气清洁干燥空气 , 3Bar（300 KPa）压力电子气体控制5-10 Bar输入：控制0-5 Bar的载气输出标准配件1/8”不锈钢Swagelok和VCR接头输出信号0 - 1 V报警检测器，系统，流量，维护，温度，压力输出TrendVision PLUS提供4-20mA或Profibus / Modbus和RS-485连接供电220V尺寸机架/台: 19” (483mm) (W) x 5U (219mm) (H) x 22” (564mm) (D)重量25 kg

PDHID氦离子化气相色谱仪工业发展推动了气体行业的飞速发展，对高纯气、超纯气、电子气、特种气体的需求也大大提升了，提升的不仅仅是用量，质量要求也更加紧迫。气体提纯工艺和检测成为了各大气体生产单位需要紧迫解决的问题。对于气体的检测也随着工业需求在逐步的向前推进，氦离子化检测器也越来越普遍地被应用在高纯气、电子气中痕量杂质的检测。高纯氢 氦离子化气相色谱仪是一款针对高纯气、超纯气和电子气分析的仪器。 高纯氢氦离子化气相色谱仪是一款采用高灵敏度的氦离子检测器进行气体痕量杂质分析的气相色谱仪，适用于氢、氧、氩、氮、氦、氖、氪、氙、二氧化碳等气体中的杂质分析。 采用原装的进口氦离子化检测器和自动切换阀的配合建立完整的分析流程，一次进样可完成常规杂质的分离和检测。将整个分析流程中可能出现的死体积控制到小，从而排除掉残留气体对分析的干扰，提高检测的真实度。 自主研发的阀柱一体化加热装置，能够减少阀与柱的连接管道，减少死体积，增加灵敏度与减少吹扫时间，检测限可达ppb级。压力感应自动进样系统，自动化程度更高。能够简化进样操作流程，并减少人员对进样误差。 参照标准 GB/T3634.2-2011 《纯氢、高纯氢和超纯氢》 GB/T 14599-2008《纯氧、高纯氧和超纯氧》 GB/T 8979-2008《纯氮、高纯氮和超纯氮》 GB/T 4842-2006《氩》 GB/T 4844-2011《纯氦、高纯氦和超纯氦》 GB/T 17873-1999《纯氖》 GB/T 5829-2006《氪气》 GB/T 5828-2006《氙气》 HG/T 3633-1999《纯甲烷》 GB 10621-2006《食品添加剂 液体二氧化碳》 GB/T 23938-2009 《高纯二氧化碳》 GB/T 28125.1-2011《空分工艺中危险物质的测定》 GB/T 16942-2009《电子工业用气体 氢》 GB/T 16943-2009《电子工业用气体 氦》 GB/T 16944-2009《电子工业用气体 氮》 GB/T 16945-2009《电子工业用气体 氩》 GB/T 14604-2009《电子工业用气体 氧》 GB/T 14600-2009《电子工业用气体 氧化氩氮》 GB/T 14601-2009《电子工业用气体 氨》 GB/T 24469-2009《电子工业用气体 5N氯化氢》 GB/T 18994-2003《电子工业用气体 高纯氯》 GB/T 14851-93《电子工业用气体 磷化氢》 GB/T 15909-2009《电子工业用气体 硅烷》 GB/T18867-2014《电子工业用气体 六氟化硫》 GB/T 28726-2012 《气体分析 氦离子化气相色谱法》 检测种类和检测限: PDHID对部分杂质的检测限（ppb） 杂质种类 杂质种类H2O2N2COCH4CO2C2H4C2H6C2H2N2O苯检测限51010255510101051 仪器特点高灵敏的氦离子化检测器（PDHID） 系统配备氦离子化检测器（PDHID），对H2、O2、N2、CH4、CO、CO2、等常规杂质均有很高的线性响应。这款检测器是一种灵敏度高通用型检测器，对几乎所有无机和有机化合物均有很高的响应，特别适合高纯气体的分析，是能够检测至ng/g（ppb） 级的检测器。新制定的大多数气体产品的国家标准中都规定采用氦离子化检测器代替原有的热导等检测器，这大大提高了气体产品的分析能力。 采用中心切割技术，实现仪器的高度自动化 采用VICI公司生产的吹扫型自动十通阀完成中心切割与反吹技术，配合吹扫型自动六通阀，一次进样即可完成复杂样品的分离、选择、检测。使样品经过不同条件的色谱柱进行有效的分离，通过工作站设置的时间程序自动控制吹扫阀的进样、切割、选柱与反吹等过程。 多柱箱系统 系统配置多个独立柱箱控温单元，采用一个主柱箱，多个辅助柱箱对不同色谱柱进行独立控温。使不同的色谱柱在不同柱箱中分离样品、单独活化，避免在检测和维护工作中需要拆装色谱柱的问题。 氦气纯化器： HP-2型氦气纯化器是VICI公司生产的一款专载气纯化器，其纯化基质是一种无挥发性的吸附性合金，吸附剂粒子表面有一层氧化膜需通过加热活化，活化过程必须在真空或惰性气体环境下完成，这样可允许氦气在其间自由扩散，防止氧气纯化层的形成，又可以进行杂质气体的吸附。HP的吸附剂材料具有良好的热稳定性，包括两个温度控制范围。 无死体积的减压阀和取样阀，防止气体残留造成的分析干扰 载气减压阀采用具有两级稳压功能的全不锈钢载气减压阀，大大提高了压力稳定性，确保基线的稳定，同时也降低了阀体内的死体积。 样品取样采用无死体积的取样阀，采用带吹扫保护的取样方式，有效的避免了空气残留的问题，将取样过程对分析的影响降至低的水平。 数字化电子调零技术，增强仪器的抗干扰能力 检测器信号调零采用电子调零技术，利用高精度数字电路进行基流补偿，实现输出信号电平的电子调节，减小了寄生参数，因而具有较强的抗干扰能力。 自动断气保护功能，保障检测器的安全运行 具有智能的断气保护功能，当载气压力小于安全阈值时，系统会自动切断检测器电压，并色谱仪自动降温，以保护检测器及色谱柱不受到损坏。 技术指标 氦离子化检测器（PDHID）： 放电模式：脉冲放电基线噪声：≤0.1mv基线漂移：≤0.5mv/30min检测限：≤1.0×10-11g/ml 氦气纯化器： 可纯化气体：He、Ar、Ne、Kr、Xe、Rn大操作压力：1000Psi去除气体：H2、O2、N2、CO、CO2、CH4、H2O、NO、NH3、CF4等残留浓度：≤10ppb 温控指标： 控温范围：室温上4℃-450℃控温精度：±0.01℃温控区域：8路程序升温阶数：8阶程序升温速率：120℃/min检测器：室温上4℃-450℃ 精度±0.01℃ 通信接口 以太网：IEEE802.3

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。