光电导探测器

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光电导探测器相关的厂商

  • 东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司
    东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司是一家专业金属探测器,金属探测仪,金属检测仪,金属检测器,食品金属探测器,金属分离器,x光机,x射线异物检测仪的集研发、生产、销售于一体的民营高科技企业.经过多年的经营发展和科技上的不断创新，已成为中国最大的金属探测器生产厂家之一，嘉乐仕凭借优质的产品，卓越的技术和完善的服务，产品遍及祖国各地，并远销美洲，欧洲，非洲，中东，东南亚等国际市场。 　　东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司以“诚信是我风格，质量是我生命“ 为宗旨，视用户为“上帝”，一贯秉承“质量第一、顾客满意，持续改进，争创一流”的方针，从产品的研发设计、生产制造到销售及售后服务全过程，已建立一套严谨的品质管理和质量保证体系，且采取有效的市场保护措施，确保为每个用户提供最优质的产品和最完善的服务。 　　展望未来，嘉乐仕将一如继往的秉承”敬业，诚信，融合，创新“的企业精神，研制出更好的产品，提供更好的服务，树立更好的形象，愿与各界新老朋友进行更广泛的合作，共创辉煌! 　　嘉乐仕热忱欢迎企事业单位前来参观考察，洽商合作，愿与您携手共创更辉煌的明天！ 联系人：卢生15907693763（微信同号）QQ:2777469253 欢迎来电咨询！官网：www.jls668.net
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  • 深圳市汇成探测科技有限公司
    深圳市汇成探测科技有限公司始建于2007年是一家专业从事金属探测器研发、生产、销售为一体的企业。公司严格依照ISO9001国际质量标准体系的要求，从产品的研发设计、生产制造到销售及售后服务全过程，已建立一套严谨的品质管理和保证体系。目前公司主营品种齐全有地下可视成像仪、可视地下金属探测器、远程地下金属探测器、探盘式地下金属探测器、手持金属探测器。品质彰显价值，服务缔造信誉。为广大客户提供更优质的服务，公司以“专业、信誉、质量第一、用户至上”为经营宗旨，以高品质的产品与服务满足客户的梦想。追求卓越是我公司致力追求的目标。我们更坚信：有了您的支持和我们不断的努力，我们与社会各界同仁携手并进，开拓创新，共创美好未来。
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  • 青岛森泉光电有限公司 金牌7年
    400-860-5168转4131
    森泉光电有限公司是专业从事焊接设备、光电相关领域仪器设备代理与系统集成业务的综合性服务商，公司总部设在青岛，北京、上海设有分公司，业务范围涵盖国内各著名高校和各科研院所。 我们拥有优质的产品，稳定的供货渠道，强大的技术支持和成熟的销售服务经验，可提供全面的光电应用解决方案，竭诚为您提供服务。森泉为您的科研事业添砖加瓦： 1） 激光控制：电流源、温控器、温度控制器、激光控制器、激光伺服器、偏移锁相伺服器、激光器控制、伺服设备与系统等等2） 探测器：光电探测器、高速光电探测器、位置传感器、单光子计数器、单光子探测器、CCD、光谱仪、椭偏仪、光谱分析系统等等3） 定位与加工：纳米定位系统、微纳运动系统、多维位移台、旋转台、位移台、微型操作器等等4） 光源：半导体激光器、固体激光器、单频激光器、单纵模激光器、窄线宽激光器、光通讯波段激光器、CO2激光器、中红外激光器、染料激光器、飞秒超快激光器等等5） 光机械件：用于光路系统搭建的高品质无应力光机械件，如光学调整架、镜架、挠性镜架、真空镜架、支撑杆、固定底座等等6） 光学平台：主动隔振平台、气浮隔振台、刚性工作台、实验桌、隔振、隔磁、隔声综合解决方案等等7） 光学元件：光学隔离器、光隔离器、棱镜、阿米西棱镜、三角棱镜、直角棱镜、二向色镜、玻璃板、光学窗口片、光纤、偏转镜、反射镜、透射镜、半透半反镜、滤光片、衰减片、玻片等等8）高光谱：高光谱解决方案，光谱仪、可调谐光源、光源
    主营产品： 激光产品   光学测量仪   光学平台   光学仪器组件  
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光电导探测器相关的仪器

  • 硅光电探测器 400-628-5299
    仪器简介：硅光电探测器（Si）&mdash &mdash &mdash 室温型探测器，波长范围：200-1100nm技术参数：型号列表及主要技术指标：技术指标＼型号名称 DSi200 紫敏硅探测器 DSi300 硅探测器 进口紫外增强型 国产低暗电流型有效接收面积(mm2) 100(&Phi 11.28) 100(10× 10)波长范围(nm) 200-1100 300-1100峰值波长(nm) ------- 800± 20峰值波长响应度(A/W) 0.52 0.4254nm的响应度(A/W) 0.14(0.09) -------响应时间(&mu s) 5.9 -------工作温度范围(℃) -10～+60 -------储存温度范围(℃) -20～+70 -------分流电阻RSH(M&Omega ) 10(5) -------等效噪声功率NEP (W/&radic Hz) 4.5× 10-13 -------暗电流(25℃；-1V) ------- 1X10-8&mdash 5× 10-11 A结电容(pf) 4500 3000(-10V)信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正（P） 正（P）主要特点：■ DSi200/DSi300硅光电探测器硅光电探测器（Si）&mdash &mdash &mdash 室温型探测器，波长范围：200-1100nm两种型号的探测器室的外观相同，其中：◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器◆ 推荐配合I-V放大器（型号：ZAMP）使用 硅光电探测器使用建议：◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器。
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    厂商： 北京卓立汉光仪器有限公司
    品牌： 卓立汉光/ZOLIX
    型号： DSi
    价格： 面议
  • 探测器光谱响应测量系统 400-628-5299
    仪器简介：DSR100系列探测器光谱响应度测量系统，是适应不断增长的材料科学对检测设备的需求而诞生的。它结合了北京卓立汉光仪器有限公司给多家科研单位定制的探测器光谱响应测量系统的特点和经验，采用国家标准计量方法进行测试，是光电探测器、器件、光电转换材料科研和检验的必备工具。技术参数：型号 DSR100UV-A DSR100UV-B DSR100IR-A DSR100IR-B波长范围 200~2500nm 1~14&mu m测试光斑\光斑模式 均匀平行光斑 汇聚光斑 均匀平行光斑 汇聚光斑尺寸 Ф2~20mm Ф0.3~3mm Ф2~20mm Ф0.3~3mm 光源 光源 氘灯/溴钨灯复合光源 溴钨灯/碳化硅复合光源光强稳定性 &le 0.8% &le 2%光源切换方式 软件自动切换 软件自动切换三光栅单色仪 光 谱分辨率 ＜0.1nm（435.8nm@1200g/mm光栅） ＜2.5nm (2615nm@75g/mm光栅)扫描间隔 最小可至0.005nm输出波长带宽 ＜5nm ＜10nm多级光谱滤除装置 根据波长自动选择滤光片，消除多级光谱杂散光 　光调制频率 4~400Hz数据采集装置灵敏度 锁相放大器 2nV；直流数据采集可选标准探测器 标准硅探测器 （标定200~1100nm） 标准热释电探测器（标定1~14mm）光谱响应度测量重复性* &le ± 1.5% &le ± 5%光路中心高 305mm仪器尺寸 1500mm× 1200mm× 560mm控制机柜 标准4U控制柜，含计算机主要特点：◆ 宽光谱范围（200~2500nm或1~14&mu m可选），适用面广宽光谱范围意味着适用于各种不同样品，如响应在日盲区的深紫外探测器、响应在可见光的太阳能电池、响应在近红外的光纤传感器、响应在中远红外的红外光电传感器，都可以在DSR100上测量光谱响应度。◆ 开机即用的Turnkey系统设计，维护简单系统采用替代法的测量原理，设计成开机即用的turnkey模式，用户不需要在实验前对系统进行复杂的调试，日常维护也十分简单。◆ 调制法测量技术，提升测量结果信噪比DSR100系统采用调制法测量技术。调制法是目前国家计量单位采用的标准方法，通过选频放大的技术，可以大幅度抑制杂散光或环境噪声对测量精度带来的负面影响。DSR100系统针对弱信号采集专门设计了独特的前置放大电路，同时采用高性能的锁相放大器进行调制法测量。锁相放大器测量灵敏度达到2nV，动态范围达到100dB。通过提高测量灵敏度并且抑制噪声，DSR100系统可以从背景噪声中提取非常微弱的光电探测器响应信号。◆ 全反射光路设计，优化光斑质量由于各种光电探测器的光谱响应范围不同，因此好的探测器光谱响应度测量系统应该是宽光谱范围的，这样才能具备较强的通用性。在宽光谱范围的光学设计中，采用反射式的光路设计要比透射式得到更高品质的光束质量和均匀光斑。在透射式的光学系统中，影响光束质量和光斑品质的重要因素是色差，色差源自于不同波长的单色光在光学材料中的折射率不同，波长范围越宽，色差越明显。而在反射式的光学系统中，由于根本不涉及折射，所以不存在色差的问题。因此采用反射式光路，成像质量大大优于透射式光路，从而可以得到更高均匀度的平行光斑，或者更小尺寸的汇聚光斑。◆ 高稳定性光源，降低背景噪声影响尽管采用调制法可以降低系统杂散光和背景噪声对测量的影响，但光源本身的波动依然无法消除。因此，在采用调制法的系统中，光源稳定性反而成为系统噪声的主要来源。DSR100采用高稳定性的光源来保证系统的高重复性。右图是典型的光源相对强度的稳定度测量数据。◆ 全自动测量流程1)自动化测量流程得到高重复性样品的重复定位精度很大程度上决定了测量重复性，电动平移台重复定位精度10um，远远高于手动样品定位2)自动化测量流程降低了操作人员的要求按软件文字提示即可正确操作系统进行测量，不需要对操作人员进行复杂的培训，特别适合工业客户做检测用3)自动化测量流程提高时间利用率系统在预设方案后即自动运行测量流程，可提高操作人员时间利用率◆ 大空间样品仓，四壁可拆卸，方便系统调试特别设计的四壁方便拆卸的样品仓，给实验人员足够大的空间进行样品安装和调试。同时，也能容纳一些特殊体积的探测器，比如液氮制冷的探测器、条纹变相管等。实验人员的可操作性大大增强。◆ 激光监视光路选项，CCD图像监控，可对极小面积的光电探测器进行精确定位◆ 标准测量软件，数据导出格式支持第三方软件DSR100系统的软件保存所有测试第一手原始数据，可供实验人员导出成txt、xls等常见格式的文档，以便后期分析处理。
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    厂商： 北京卓立汉光仪器有限公司
    品牌： 卓立汉光/ZOLIX
    型号： DSR100
    价格： 面议
  • 砷化铟InAs/铟砷锑InAsSb红外/光电导/光伏探测器 带TE冷却 3-3.35um 400-860-5168转3429
    一,砷化铟 InAs 红外光伏探测器 3-3.35um (P10090系列/P7163)InAs砷化铟光伏电探测器与PbS 硫化铅光电导探测器一样，在3μm左右的红外区域具有高灵敏度，而且噪声低、速度高、可靠性高。该系列是一个新的InAs光伏探测器系列，它比我们的传统产品提供更低的噪音。筱晓光子提供有各种类型可选择，包括非冷却型、热电冷却型和提供高性能的液氮冷却型。砷化铟 InAs 红外光伏探测器 3-3.35um (P10090系列/P7163),砷化铟 InAs 红外光伏探测器 3-3.35um (P10090系列/P7163)通用参数产品特点：低噪声高探测灵敏度高可靠性可采用多元素阵列（客户定制产品）产品应用： 气体分析 激光探测红外分光光度测量辐射温度计 可选配件（单独出售） 温度控制器C1103-04带有前置放大器的红外线探测器模块C12492-210用于InAs光伏探测器的滤波放大器（P10090系列：C4159-06，P7163：C4159-05）技术参数光电特性 P10090-01参数数值峰值波长λp3.35μm截止波长λc3.65μm光灵敏度S λ=λp1.0A/W并联电阻典型值：70Ω；最小值：40Ω峰值探测率D*(λp, 600, 1)典型值：4.5 × 109（cmHz1/2/W）最小值：3.0 × 109（cmHz1/2/W）NEP λ=λp1.5 × 10-11（W/Hz1/2）上升时间Tr (μs)VR=0VRL=50Ω0 to63%0.7 其它型号电气和光学特性（除非另有说明，否则为典型值） Type no.MeasurementconditionPeak sensitivity wavelength λp (μm) Cutoff wavelength λc (μm)Photo sensitivity Sλ=λp (A/W) Shunt resistance Rsh D*(λp, 600, 1) NEPλ=λp (W/Hz1/2)Rise time trVR=0 V RL=50 Ω0 to 63% (μs)Element temperature Td (°C)Min.(Ω)Typ.(Ω)Min.(cm Hz1/2/W)Typ.(cm Hz1/2/W)P10090-01253.353.651.040703.0 × 1094.5 × 1091.5 × 10-110.70P10090-11-103.303.551.22504001.0 × 10101.6 × 10105.3 × 10-120.45P10090-21-303.253.45100013002.0 × 10103.2 × 10102.8 × 10-120.30P7163-1963.003.11.31 × 1051 × 1063.5 × 1011 *36.0 × 1011 *31.5 × 10-130.10*3: D* (λp, 1200, 1)结构/绝对最大值 P10090-01参数数值结构窗体材料蓝宝石玻璃封装TO-5制冷无绝对最大值反向电压VR(V)0.5工作温度-40至+60℃存储温度-40至+80℃输入最大光功率0.6W 结构/绝对最大值更多系列 Type No.Dimensional outline/ Window material *1 Package Cooling Nitrogen hold time (h) Photosensitive area (mm)Absolute maximum ratingsThermoelectric cooler allowable current(A)Thermistor power dissipation(mW)Reverse voltage VR(V)Operating temperature Topr(°C)Storage temperature Tstg(°C)Maximum incident light level(W)P10090-01①/STO-5Non-cooled - &varphi 1-- 0.5 -40 to +60 -40 to +80 0.6P10090-11 ②/S TO-8One-stageTE-cooled1.5 0.2P10090-21Two-stageTE-cooled1.0P7163③/SMetal dewerLN212 *2&varphi 1---55 to +60注：即使是暂时超过绝对最大额定值，也可能导致产品质量下降。始终确保在绝对最大额定值范围内使用产品。*1： S=蓝宝石玻璃*2： 装运时(At the time of shipment)二, 砷化铟InAs/铟砷锑InAsSb MWIR LWIR II型超晶格T2SL光电导(PC)/光伏(PV)探测器1.6-15umPVAS-2TE-5-0.1X0.1-TO8-wAl2O3-70是II型超晶格两级热电冷却红外光伏探测器，具有优良的参数。3°楔形蓝宝石窗口(wAl2O3)防止不必要的干扰效应。该探测器不含汞和镉，符合RoHS指标。InAs/InAsSb T2SL 光伏探测器 两级TE冷却,InAs/InAsSb T2SL 光伏探测器 两级TE冷却技术参数产品特点● 光谱范围为1.7 ~ 5.8 μm● 高响应度● 极好的线性度● 不需要偏差● 无1/f噪声产品应用● 中红外激光探测● 中红外气体分析参数探测器型号PVAS-2TE-5-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70有源元件材料外延超晶格异质结构起始波长λcut-on (10%), μm1.7±0.2峰值波长λpeak, μm4.0±0.3截止波长λcut-off (10%), μm5.8±0.2探测效率D* (λpeak),cmHz1/2/W~9.0×109电流响应度Ri(λpeak),A/W~1.4时间常数T，ns~4电阻R,Ω~5k工作温度Tdet,K～230感光面尺寸A,mm×mm0.1×0.1包装TO8接收角～70°窗口wAl2O3电流响应度特性曲线（230K）三, 砷化铟 InAs / 铟砷锑 InAsSb 红外光伏探测器 2.15-3.5μmPVA-2TE系列是基于InAs 1-x Sb x合金的两级TE冷却红外光伏探测器。该设备具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用，且不含汞和镉，符合RoHS指标要求。带有3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口防止不必要的干扰影响。2-5.5μm红外两级TE冷却InAs光伏探测器 PVA-2TE系列,2-5.5μm红外两级TE冷却InAs光伏探测器 PVA-2TE系列技术参数产品特点● 可探测红外波长范围2-5.5μm● 采用两级TE冷却有效提高探测效率● 可配专用前置放大器● 高温度稳定性与机械耐久性产品应用● 医学热成像● 红外光谱分析● 中红外激光探测参数探测器型号PVA-2TE-3-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70PVA-2TE-5-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70有源元件材料外延InAs异质结构外延InAsSb异质结构起始波长λcut-on (10%), μm2.1±0.22.4±0.2峰值波长λpeak（μm）2.9±0.34.7±0.3截止波长λcut-off (10%), μm3.4±0.25.5±0.2相对响应强度D* (λpeak),cmHz1/2/W≥5×1010≥4×109电流响应度Ri(λpeak),A/W≥1.3≥1.5时间常数T，ns≤15≤20电阻R,Ω≥200K≥1K元件工作温度Tdet,K~230感光面尺寸A,mm×mm0.1×0.1封装TO8接收角Φ～70°窗口wAl2O3TO8型封装外形尺寸图
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    厂商： 筱晓（上海）光子技术有限公司
    品牌： 筱晓光子/microphotons
    型号： PVA-2TE-3-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70
    价格： 3001 - 9999元
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  • 投资7000万元 国内首个光电探测器研发平台开建
    航展期间记者获悉，中航工业航电系统公司与电子科技大学将共同投资7000万元，联合建设“光电探测集成器件及应用实验室”，建设国内第一个全状态光电探测器研发平台。　　根据协议，中航工业洛阳电光设备研究所以3500万元现金投资，建设非制冷红外探测器封装测试线，与电子科技大学已建成的6英寸MEMS加工线合并。这将成为国内第一个集MEMS设计、MEMS加工、器件封装与测试的全状态光电探测器研发平台。该平台将具备年产3000只非制冷红外探测器的生产能力，通过10-15年的努力，将打造成一个年经营规模100亿元，国际一流的光电探测器供应商。　　据了解，光电探测器是利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。　　中国航空工业集团公司副总经理张新国表示，光电探测器的研发、生产是光电产业核心价值环节，本次合作将从根本上打破国外公司的产业垄断，对加速我国光电产业核心器件的自主创新进程有着重要战略意义 通过校企创新，将全面实现我国光电产业的产业链延伸与价值链延伸。
    时间： 2010-11-24
    作者： 刘玉兰
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    时间： 2010-11-29
    作者： 杨丹丹
  • 【新书推荐】宽禁带半导体紫外光电探测器
    基于宽禁带半导体的固态紫外探测技术是继红外、可见光和激光探测技术之后发展起来的新型光电探测技术，是对传统紫外探测技术的创新发展，具有体积小、重量轻、耐高温、功耗低、量子效率高和易于集成等优点，对紫外信息资源的开发和利用起着重大推动作用，在国防技术、信息科技、能源技术、环境监测和公共卫生等领域具有极其广阔的应用前景，成为当前国际研发的热点和各主要国家之间竞争的焦点。我国迫切要求在宽禁带半导体紫外探测技术领域取得新的突破，以适应信息技术发展和国家安全的重大需要。本书是作者团队近几年来的最新研究成果的总结，是一本专门介绍宽禁带紫外光电探测器的科技专著。本书的出版可以对我国宽禁带半导体光电材料和紫外探测器的研发及相关高新技术的发展起到促进作用。本书从材料的基本物性和光电探测器工作原理入手，重点讨论宽禁带半导体紫外探测材料的制备、外延生长的缺陷抑制和掺杂技术、紫外探测器件与成像芯片的结构设计和制备工艺、紫外单光子探测与读出电路技术等；并深入探讨紫外探测器件的漏电机理、光生载流子的倍增和输运规律、能带调控方法、以及不同类型缺陷对器件性能的具体影响等，展望新型结构器件的发展和技术难点；同时，介绍紫外探测器产业化应用和发展，为工程领域提供参考，促进产业的发展。本书作者都是长年工作在宽禁带半导体材料与器件领域第一线、在国内外有影响的著名学者。本书主编南京大学陆海教授是国内紫外光电探测领域的代表性专家，曾研制出多种性能先进的紫外探测芯片；张荣教授多年来一直从事宽禁带半导体材料、器件和物理研究，成果卓著；参与本书编写的陈敦军、单崇新、叶建东教授和周幸叶研究员也均是在宽禁带半导体领域取得丰硕成果的年轻学者。本书所述内容多来自作者及其团队在该领域的长期系统性研究成果总结，并广泛地参照了国际主要相关研究成果和进展。作者团队：中国科学院郑有炓院士撰写推荐语时表示：“本书系统论述了宽禁带半导体紫外探测材料和器件的发展现状和趋势，对面临的关键科学技术问题进行了探讨，对未来发展进行了展望。目前国内尚没有一本专门针对宽禁带半导体紫外探测器的科研参考书，本书的出版填补了这一空白，将会对我国第三代半导体紫外探测技术的研发起到重要的推动作用。”目前市面上还没有专门讲述宽禁带半导体紫外探测器的科研参考书，该书的出版可以填补该领域的空白。本书可为从事宽禁带半导体紫外光电材料和器件研发、生产的科技工作者、企业工程技术人员和研究生提供一本有价值的科研参考书，也可供从事该领域科研和高技术产业管理的政府官员和企业家学习参考。详见本书目录：本书目录：第1章 半导体紫外光电探测器概述1.1 引言1.2 宽禁带半导体紫外光电探测器的技术优势1.3 紫外光电探测器产业发展现状1.4 本书的章节安排参考文献第2章 紫外光电探测器的基础知识2.1 半导体光电效应的基本原理2.2 紫外光电探测器的基本分类和工作原理2.2.1 P-N/P-I-N结型探测器2.2.2 肖特基势垒探测器2.2.3 光电导探测器2.2.4 雪崩光电二极管2.3 紫外光电探测器的主要性能指标2.3.1 光电探测器的性能参数2.3.2 雪崩光电二极管的性能参数参考文献第3章 氮化物半导体紫外光电探测器3.1 引言3.2 氮化物半导体材料的基本特性3.2.1 晶体结构3.2.2 能带结构3.2.3 极化效应3.3 高Al组分AlGaN材料的制备与P型掺杂3.3.1 高Al组分AlGaN材料的制备3.3.2 高Al组分AlGaN材料的P型掺杂3.4 GaN基光电探测器及焦平面阵列成像3.4.1 GaN基半导体的金属接触3.4.2 GaN基光电探测器3.4.3 焦平面阵列成像3.5 日盲紫外雪崩光电二极管的设计与制备3.5.1 P-I-N结GaN基APD3.5.2 SAM结构GaN基APD3.5.3 极化和能带工程在雪崩光电二极管中的应用3.6 InGaN光电探测器的制备及应用3.6.1 材料外延3.6.2 器件制备3.7 波长可调超窄带日盲紫外探测器参考文献第4章 SiC紫外光电探测器4.1 SiC材料的基本物理特性4.1.1 SiC晶型与能带结构4.1.2 SiC外延材料与缺陷4.1.3 SiC的电学特性4.1.4 SiC的光学特性4.2 SiC紫外光电探测器的常用制备工艺4.2.1 清洗工艺4.2.2 台面制备4.2.3 电极制备4.2.4 器件钝化4.2.5 其他工艺4.3 常规类型SiC紫外光电探测器4.3.1 肖特基型紫外光电探测器4.3.2 P-I-N型紫外光电探测器4.4 SiC紫外雪崩光电探测器4.4.1 新型结构SiC紫外雪崩光电探测器4.4.2 SiC APD的高温特性4.4.3 材料缺陷对SiC APD性能的影响4.4.4 SiC APD的雪崩均匀性研究4.4.5 SiC紫外雪崩光电探测器的焦平面成像阵列4.5 SiC紫外光电探测器的产业化应用4.6 SiC紫外光电探测器的发展前景参考文献第5章 氧化镓基紫外光电探测器5.1 引言5.2 超宽禁带氧化镓基半导体5.2.1 超宽禁带氧化镓基半导体材料的制备5.2.2 超宽禁带氧化镓基半导体光电探测器的基本器件工艺5.3 氧化镓基日盲探测器5.3.1 基于氧化镓单晶及外延薄膜的日盲探测器5.3.2 基于氧化镓纳米结构的日盲探测器5.3.3 基于非晶氧化镓的柔性日盲探测器5.3.4 基于氧化镓异质结构的日盲探测器5.3.5 氧化镓基光电导增益物理机制5.3.6 新型结构氧化镓基日盲探测器5.4 辐照效应对宽禁带氧化物半导体性能的影响5.5 氧化镓基紫外光电探测器的发展前景参考文献第6章 ZnO基紫外光电探测器6.1 ZnO材料的性质6.2 ZnO紫外光电探测器6.2.1 光电导型探测器6.2.2 肖特基光电二极管6.2.3 MSM结构探测器6.2.4 同质结探测器6.2.5 异质结探测器6.2.6 压电效应改善ZnO基紫外光电探测器6.3 MgZnO深紫外光电探测器6.3.1 光导型探测器6.3.2 肖特基探测器6.3.3 MSM结构探测器6.3.4 P-N结探测器6.4 ZnO基紫外光电探测器的发展前景参考文献第7章 金刚石紫外光电探测器7.1 引言7.2 金刚石的合成7.3 金刚石光电探测器的类型7.3.1 光电导型光电探测器7.3.2 MSM光电探测器7.3.3 肖特基势垒光电探测器7.3.4 P-I-N和P-N结光电探测器7.3.5 异质结光电探测器7.3.6 光电晶体管7.4 金刚石基光电探测器的应用参考文献第8章 真空紫外光电探测器8.1 真空紫外探测及其应用8.1.1 真空紫外探测的应用8.1.2 真空紫外光的特性8.2 真空紫外光电探测器的类型和工作原理8.2.1 极浅P-N结光电探测器8.2.2 肖特基结构光电探测器8.2.3 MSM结构光电探测器8.3 真空紫外光电探测器的研究进展8.3.1 极浅P-N结光电探测器的研究进展8.3.2 肖特基结构光电探测器的研究进展8.3.3 MSM结构光电探测器的研究进展
    时间： 2022-05-31
    作者： 张小鱼
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    [size=4] photoconductive detector 利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像模糊，连续薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取镶嵌靶面的方法，整个靶面由约10万个单独探测器组成。 1873年，英国W.史密斯发现硒的光电导效应，但是这种效应长期处于探索研究阶段，未获实际应用。第二次世界大战以后，随着半导体的发展，各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面，到50年代中期，性能良好的硫化镉、硒化镉光敏电阻和红外波段的硫化铅光电探测器都已投入使用。60年代初，中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（锗掺金）和Ge:Hg光电导探测器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。 工作原理和特性 光电导效应是内光电效应的一种。当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时，光子能够将价带中的电子激发到导带，从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应。这里h是普朗克常数，v是光子频率,Eg是材料的禁带宽度（单位为电子伏）。因此，本征光电导体的响应长波限λc为 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c为光速。本征光电导材料的长波限受禁带宽度的限制。在60年代初以前还没有研制出适用的窄禁带宽度的半导体材料，因而人们利用非本征光电导效应。Ge、Si等材料的禁带中存在各种深度的杂质能级，照射的光子能量只要等于或大于杂质能级的离化能，就能够产生光生自由电子或自由空穴。非本征光电导体的响应长波限λ由下式求得 λc＝1.24/Ei 式中Ei代表杂质能级的离化能。到60年代中后期，Hg1-xCdxTe、PbxSn1-xTe、PbxSn1-xSe等三元系半导体材料研制成功,并进入实用阶段。它们的禁带宽度随组分x值而改变，例如x＝0.2的HG0.8Cd0.2Te材料，可以制成响应波长为 8～14微米大气窗口的红外探测器。它与工作在同样波段的Ge：Hg探测器相比有如下优点：①工作温度高（高于77K），使用方便,而Ge:Hg工作温度为38K。②本征吸收系数大,样品尺寸小。③易于制造多元器件。表1和表2分别列出部分半导体材料的Eg、Ei和λc值。 通常，凡禁带宽度或杂质离化能合适的半导体材料都具有光电效应。但是制造实用性器件还要考虑性能、工艺、价格等因素。常用的光电导探测器材料在射线和可见光波段有：CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge等 在近红外波段有：PbS、PbSe、InSb、Hg0.75Cd0.25Te等 在长于8微米波段有:Hg1-xCdxTe、PbxSn1-x、Te、Si掺杂、Ge掺杂等；CdS、CdSe、PbS等材料可以由多晶薄膜形式制成光电导探测器。 可见光波段的光电导探测器 CdS、CdSe、CdTe 的响应波段都在可见光或近红外区域，通常称为光敏电阻。它们具有很宽的禁带宽度（远大于1电子伏）,可以在室温下工作，因此器件结构比较简单，一般采用半密封式的胶木外壳，前面加一透光窗口，后面引出两根管脚作为电极。高温、高湿环境应用的光电导探测器可采用金属全密封型结构，玻璃窗口与可伐金属外壳熔封。 器件灵敏度用一定偏压下每流明辐照所产生的光电流的大小来表示。例如一种CdS光敏电阻,当偏压为70伏时，暗电流为10-6～10-8安，光照灵敏度为3～10安/流明。CdSe光敏电阻的灵敏度一般比 CdS高。光敏电阻另一个重要参数是时间常数 τ，它表示器件对光照反应速度的大小。光照突然去除以后，光电流下降到最大值的 1/e（约为37％）所需的时间为时间常数 τ。也有按光电流下降到最大值的10％计算τ的 各种光敏电阻的时间常数差别很大。CdS的时间常数比较大（毫秒量级）。 红外波段的光电导探测器 PbS、Hg1-xCdxTe 的常用响应波段在 1～3微米、3～5微米、8～14微米三个大气透过窗口。由于它们的禁带宽度很窄，因此在室温下，热激发足以使导带中有大量的自由载流子，这就大大降低了对辐射的灵敏度。响应波长越长的光，电导体这种情况越显著，其中1～3微米波段的探测器可以在室温工作（灵敏度略有下降）。3～5微米波段的探测器分三种情况：①在室温下工作，但灵敏度大大下降，探测度一般只有1～7×108厘米瓦-1赫；②热电致冷温度下工作(约-60℃),探测度约为109厘米瓦-1赫 ③77K或更低温度下工作,探测度可达1010厘米瓦-1赫以上。8～14微米波段的探测器必须在低温下工作，因此光电导体要保持在真空杜瓦瓶中，冷却方式有灌注液氮和用微型制冷器两种。 红外探测器的时间常数比光敏电阻小得多,PbS探测器的时间常数一般为50～500微秒,HgCdTe探测器的时间常数在10-6～10-8秒量级。红外探测器有时要探测非常微弱的辐射信号,例如10-14 瓦；输出的电信号也非常小,因此要有专门的前置放大器。[/size]

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    火焰探测器的工作原理与紫外线探测器的渊源

    火焰探测器又称感光式火灾探测器，即探测火焰燃烧的光照强度和火焰的闪烁频率的一种火灾探测器。下面工采网小编给大家介绍一下火焰探测器工作原理。火焰燃烧过程释放紫外线、可见光、红外线，在特定波长、特定闪烁频率（0.5HZ-20HZ）具有典型特征，有别于其他干扰辐射，阳光、热物体、电灯等辐射出的紫外线、红外线没有闪烁特征。火焰探测器工作原理是通过检测火焰辐射出的特殊波长的紫外线、红外线及可见光等，同时配合对火焰特征闪烁频率来识别，来探测火焰。一般选用紫外光电二极管、紫外线探测器、紫外线传感器等作为探测元件。[img=,446,450]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/12/201712011704_01_3332482_3.jpg!w446x450.jpg[/img]紫外线探测器是将一种形式的电磁辐射信号转换成另一种易被接收处理信号形式的传感器，光电探测器利用光电效应，把光学辐射转化成电学信号。光电效应可分为外光电效应和内光电效应。外光电效应器件通常指光敏电真空器件，主要用于紫外、红外和近红外等波段。具有内增益的外光电效应器件包括光电敏倍增管、像增强器等光敏电真空器件，它们具有极高灵敏度，能将极微弱的光信号转换成电信号，可进行单光子检测，其灵敏度比内电光效应的半导体器件高几个量级。内光电效应分为光导效应和光伏效应。光导效应中，半导体吸收足够能量的光子后，把其中的一些电子或空穴从原来不导电的束缚状态激活到能导电的自由状态，导致半导体电导率增加、电路中电阻下降。光伏效应中，光生电荷在半导体内产生跨越结的P-N小势差。产生的光电压通过光电器件放大并可直接进行测量。根据光导效应和光伏效应制成的器件分别称为半导体光导探测器和光伏探测器。最后给大家介绍三款性能非常优秀的紫外线探测器和紫外线二极管，都是应用在火焰检测和防紫外辐射源等领域的顶尖产品。[b]德国SGLUX 紫外光电探测器 - TOCON_ABC1[img=,298,298]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/12/201712011705_01_3332482_3.jpg!w298x298.jpg[/img]基于碳化硅的宽频紫外光电探测器，带有集成放大器TOCON是5伏供电的紫外光电探测器，带有的集成放大器使紫外辐射转化成0~5V电压输出。TOCON的输出电压引脚可以直接连接到控制器，电压计或其他带有电压输入的数据分析装置。高度现代化的电子元件和带有紫外玻璃窗的密封金属外壳可消除封装内寄生电阻路径导致的噪声或电磁干扰。对各个工业紫外传感应用来说，TOCON 是完美的解决方案，从pW/cm2水平的火焰检测到W/cm2水平的紫外固化灯控制。十种不同的TOCONs覆盖了这13个数量级范围，它们的灵敏度有所不同。TOCONs生产为紫外宽频传感器或带有过滤器进行选择性测量。在恶劣环境和极低或极高的紫外辐射中，精密电子件使TOCON成为了一个可靠的元器件。但是sglux内部生产的SIC探测器芯片使TOCON成为了永存的准传感器，以PTB所报告的强抗辐射为特点。应用在紫外辐射和火焰检测领域。[b]紫外光电探测器TOCON_ABC1特性：[/b]基于碳化硅的宽频紫外光电探测器放于TO5 外壳中，带有集中器镜头盖0…5 V电压输出峰值波长是280 nm在峰值处最大辐射(饱和极限)是18 nW/cm2 ,最小辐射(分辨极限) 是1,8 pW/cm2[b]德国SGLUX 紫外光电探测器 - TOCON_ABC10[/b][img=,298,298]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/12/201712011705_01_3332482_3.jpg!w298x298.jpg[/img]TOCON是5伏供电的紫外光电探测器，带有的集成放大器使紫外辐射转化成0~5V电压输出。TOCON的输出电压引脚可以直接连接到控制器，电压计或其他带有电压输入的数据分析装置。高度现代化的电子元件和带有紫外玻璃窗的密封金属外壳可消除封装内寄生电阻路径导致的噪声或电磁干扰。对各个工业紫外传感应用来说，TOCON 是完美的解决方案，从pW/cm2水平的火焰检测到W/cm2水平的紫外固化灯控制。十种不同的TOCONs覆盖了这13个数量级范围，它们的灵敏度有所不同。TOCONs生产为紫外宽频传感器或带有过滤器进行选择性测量。在恶劣环境和极低或极高的紫外辐射中，精密电子件使TOCON成为了一个可靠的元器件。但是sglux内部生产的SIC探测器芯片使TOCON成为了永存的准传感器，以PTB所报告的强抗辐射为特点。应用在紫外辐射、淬火控制和火焰检测领域。[b]紫外光电探测器TOCON_ABC10特性：[/b]基于碳化硅的宽频紫外光电探测器放于TO5 外壳中，带有衰减器0…5 V 电压输出峰值波长是290 nm在峰值处最大辐射(饱和极限)是18 nW/cm2 ,最小辐射(分辨极限) 是1,8 mW/cm2[b]德国SGLUX 紫外光电二极管 - SG01D-5LENS[img=,394,291]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/12/201712011706_01_3332482_3.jpg!w394x291.jpg[/img]SiC 具有独特的特性，能承受高强度的辐射，对可见光几乎不敏感，产生的暗电流低，响应速度快和噪音低。这 些特性使SiC成为可见盲区半导体紫外探测器的最佳使用材料。SiC探测器可以一直工作于高达170°C(338°F)的温度中。信号（响应率）的温度系数也很低， 0,1%/K。由于噪音低(fA级的暗电流), 能够有效地检测到极低的紫外辐射强度。请注意这个装置需要配置相应的放大器。(参见第3页中的典型电路)。SiC光电二极管有七个不同的有效敏感面积可供选择，从0.06 mm2 到36 mm2。标准版本是宽频UVA-UVB-UVC。四个滤波版本导致更严格的感光范围。所有光电二极管都有密封的金属外壳（TO型），直径为5.5mm的TO18 外壳或9.2mm 的TO5外壳。进一步的选项是2只引脚（1绝缘，1接地）或3只引脚（2绝缘，1接地）。[b]德国SGLUX 紫外光电二极管 SG01D-5LENS 特点[/b]宽频UVA+UVB+UVC, PTB报道的芯片高稳定性, 用于火焰检测辐射敏感面积 A = 11,0 mm2TO5密封金属外壳和聚光镜, 1绝缘引脚和1接地引脚10μW/cm2 峰值辐射约产生350 nA电流[b]德国SGLUX 紫外光电二极管 SG01D-5LENS参数：[/b][b][img=,690,365]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/12/201712011706_02_3332482_3.jpg!w690x365.jpg[/img][/b][/b][/b]

  • 主动红外探测器的应用特点

    主动红外探测器由红外发射机、红外接收机和报警控制器组成。分别置于收、发端的光学系统一般采用的是光学透镜，起到将红外光束聚焦成较细的平行光束的作用，以使红外光的能量能够集中传送。红外光在人眼看不见的光谱范围，有人经过这条无形的封锁线，必然全部或部分遮挡红外光束。接收端输出的电信号的强度会因此产生变化，从而启动报警控制器发出报警信号。主动式红外探测器遇到小动物、树叶、沙尘、雨、雪、雾遮挡则不应报警，人或相当体积的物品遮挡将发生报警。由于光束较窄，收发端安装要牢固可靠，不应受地面震动影响，而发生位移引起误报，光学系统要保持清洁，注意维护保养。因此主动式探测器所探测的是点到点，而不是一个面的范围。其特点是探测可靠性非常高。但若对一个空间进行布防，则需有多个主动式探测器，价格昂贵。主动式探测器常用于博物馆中单体贵重文物展品的布防以及工厂仓库的门窗封锁、购物中心的通道封锁、停车场的出口封锁、家居的阳台封锁等等。

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    InAs砷化铟光伏电探测器与硫PbS光电导探测器一样，在3μm左右的红外区域具有高灵敏度，而且噪声低、速度高、可靠性高。该系列是一个新的InAs光伏探测器系列，它比我们的传统产品提供更低的噪音。筱晓光子提供有各种类型可选择，包括非冷却型、热电冷却型和提供高性能的液氮冷却型。光谱响应3.35um材质砷化铟 InAs通用参数产品特点：低噪声高探测灵敏度高可靠性可采用多元素阵列（客户定制产品）产品应用： 气体分析 激光探测红外分光光度测量辐射温度计 可选配件（单独出售） 温度控制器C1103-04带有前置放大器的红外线探测器模块C12492-210用于InAs光伏探测器的滤波放大器（P10090系列：C4159-06，P7163：C4159-05）技术参数光电特性 P10090-01参数数值峰值波长λp3.35μm截止波长λc3.65μm光灵敏度S λ=λp1.0A/W并联电阻典型值：70Ω；最小值：40Ω峰值探测率D*(λp, 600, 1)典型值：4.5 × 109（cmHz1/2/W）最小值：3.0 × 109（cmHz1/2/W）NEP λ=λp1.5 × 10-11（W/Hz1/2）上升时间Tr (μs)VR=0VRL=50Ω0 to63%0.7 其它型号电气和光学特性（除非另有说明，否则为典型值） Type no.MeasurementconditionPeak sensitivity wavelength λp (μm) Cutoff wavelength λc (μm)Photo sensitivity Sλ=λp (A/W) Shunt resistance Rsh D*(λp, 600, 1) NEPλ=λp (W/Hz1/2)Rise time trVR=0 V RL=50 Ω0 to 63% (μs)Element temperature Td (°C)Min.(Ω)Typ.(Ω)Min.(cm Hz1/2/W)Typ.(cm Hz1/2/W)P10090-01253.353.651.040703.0 × 1094.5 × 1091.5 × 10-110.70P10090-11-103.303.551.22504001.0 × 10101.6 × 10105.3 × 10-120.45P10090-21-303.253.45100013002.0 × 10103.2 × 10102.8 × 10-120.30P7163-1963.003.11.31 × 1051 × 1063.5 × 1011 *36.0 × 1011 *31.5 × 10-130.10*3: D* (λp, 1200, 1)结构/绝对最大值 P10090-01参数数值结构窗体材料蓝宝石玻璃封装TO-5制冷无绝对最大值反向电压VR(V)0.5工作温度-40至+60℃存储温度-40至+80℃输入最大光功率0.6W 结构/绝对最大值更多系列 Type No.Dimensional outline/ Window material *1 Package Cooling Nitrogen hold time (h) Photosensitive area (mm)Absolute maximum ratingsThermoelectric cooler allowable current(A)Thermistor power dissipation(mW)Reverse voltage VR(V)Operating temperature Topr(°C)Storage temperature Tstg(°C)Maximum incident light level(W)P10090-01①/STO-5Non-cooled - ?1-- 0.5 -40 to +60 -40 to +80 0.6P10090-11 ②/S TO-8One-stageTE-cooled1.5 0.2P10090-21Two-stageTE-cooled1.0P7163③/SMetal dewerLN212 *2?1---55 to +60注：即使是暂时超过绝对最大额定值，也可能导致产品质量下降。始终确保在绝对最大额定值范围内使用产品。*1： S=蓝宝石玻璃*2： 装运时(At the time of shipment)
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    价格： 面议
  • 碲镉汞(MCT)中红外光电探测器，带放大，带TEC
    碲镉汞(MCT)中红外光电探测器，带放大，带TECMCT-12-4TE放大探测器是一种热电冷却光电导HgCdTe(碲镉汞，MCT)探测器。这种材料对2.0到12 μm的中红外光谱波段光波敏感。半导体制冷片(TEC)采用一个热敏电阻反馈电路对探测器元件的温度控制在-30 °C，从而将热变化对输出信号的影响最小化。为了获得最佳效果，我们推荐将输出电缆(不附带)与一个50欧姆的终端连接。由于探测器是AC偶合的，因此它需要一个脉冲或斩波输入信号。 交流耦合探测器不会看到未斩波的直流信号，因为它们对只对强度变化而不是强度的绝对值敏感。产品特点● 可探测的中红外光波波段为2.0 - 12 μm● 低通滤波器带宽高达160 kHz● 高频截止频率：10MHZ● 内置半导体制冷片提高灵敏度● 1 mm x 1 mm的热电冷却探测元件● SM1(1.035英寸-40)内螺纹● 附带符合当地区域使用的电源适配器产品应用● 中红外气体分析● 中红外激光探测技术参数响应光谱调制线性度测试（采用MCT-12-4TE 中红外MCT探测器测试）封装及尺寸安装举例咨询电话：021-64149583、021-56461550、021-65061775公司邮箱：info@microphotons.com公司网址：http://www.ideal-photonics.com公司地址：上海市杨浦区黄兴路2077号蓝天大厦21F
    供应商： 筱晓（香港）光子技术有限公司
    品牌： LD-PD
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