交直流发射仪

交直流电弧发展瓶颈有哪些？

我在想农村现在电源经常出现电力紧缺。为什么不能在平常把电源换成直流电源储存起来在停电的情况下自动转换保持家用正常呢？请多指教。需要实验的是交直流的几次自动转换问题

交直流电压电流表标准器组建标技术报告[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=22340]交直流电压电流表标准器组建标技术报告[/url]

一直以来认为国内并没有成功商品化交变磁场调制反塞曼效应背景校正（简称交流塞曼）技术，近日上网一搜，才发现自己严重Out了。早在2009年，上海光谱的SP-3880AA就已经把交流塞曼和直流塞曼（直流磁场激励反塞曼效应背景校正）共冶一炉，居然在一台机子上实现了！一个感觉——震撼。如果再看这型仪器的其他配置，更觉震撼：开关型直流化石墨炉电源、横向加热石墨炉、固体进样技术、etc。呵呵，我不相信横向加热石墨炉，因为这一项和仪器的其他部分不匹配。但其他几项，就算拿到国际上，也算先进了。不说其他，单论这交直流塞曼合体。我们知道，恒定磁场反塞曼效应背景校正（恒磁塞曼，以区别于直流塞曼）要使用塞曼分裂的p成分（即偏振方向平行于磁场的成分）作为总吸收信号的测量光束，而对于部分反常塞曼效应的原子吸收谱线，其p成分内部因为磁致分裂较大，导致分析谱线峰值下降，从而损失相对灵敏度。Cu、Au、Ag、Cr、As等元素的灵敏线不幸都落在这个部分中。因此，从相对灵敏度来说，恒磁塞曼不如交流塞曼，后者虽然也存在同样的问题，但一来相对灵敏度损失不太大（因为不使用p成分），二来还可以通过调节磁场强度来解决。恒磁塞曼使用永久磁铁，自然也就无法调节磁场。所以，用直流电磁铁来激励一个强度可调的直流磁场，就成为一种顺理成章的思路，这就是直流塞曼技术。直流塞曼的光路结构完全和恒磁塞曼相同，但磁场却与交流塞曼匹配。如果用交变信号激励磁场，在磁场最大时让s成分（偏振方向垂直于）输出，而在零磁场时让p成分输出，那么就实现另一种形式的交流塞曼，磁场调制和信号测量的同步方法实际上很简单，此处不叙。和经典的交流塞曼系统相比，只是在零磁场时用p成分代替s成分而已，而这二者是完全等价的。换句话说，交直流塞曼本来就可以合体的！为何过去没有人意识到这一点呢？我想应该是没有人认为有交流塞曼还需要直流塞曼吧。如果用两个光电检测器同时测定p成分和s成分，直流塞曼在处理高速背景方面无疑占有优势，这也就是二者合体的意义。不过，这需要有双检测器为前提。SP-3880AA并没有说明这一点，表明这型仪器没有使用双检测器，所以其交直流塞曼合体的意义并不太大。不过，这是一型真正的商品化交流塞曼原子吸收系统，仅就此而言，填补国内空白是可以自称的。顺便指出，双检测器并非增加一个PMT那么简单，要求两个PMT性能上严格匹配，并且对光路要求很严格，所以会增加成本。SP3880AA有如此的技术，但除了频频获奖外，并没有吸引多少眼球。我曾在本坛中从2008年搜到2011年，竟然没有一篇帖子谈论上海光谱的这型仪器。个中原因恐怕只有上海光谱自己知道了。其实据我所知，交流塞曼，甚至纵向交流塞曼在国内早有人研制出来了，但一到产品阶段就卡壳，无法进行下去。我国的仪器产业，固然在理论水平方面落后于国外，但更主要的原因是先进制造能力，当然还有市场能力的缺乏。但愿这种看法是错误的。

现在很多从事现场环境监测工作的朋友，常常为现场监测电源供电问题而头疼，因为很多地方环境恶劣，无法接通交流市电，所以一款交直流两用的智能移动电源对这些朋友来说就显得尤为重要，不用整天背着上百米的电源线排到处跑，本来现场应急监测就是讲求便携、高效，建议大家看看市面上的此类电源，我们刚买到崂应9011型 智能交直流移动电源，尝到了甜头，真是很方便，就像生活中的自拍神器的功效一般

清华大学化学系仪器分析教程之＿02原子发射光谱法 清清华大学化学系仪器分析教程之＿02原子发射光谱法 概述原子光谱的产生光谱项原子能级与能级图 原子谱线的强度及其影响因素主要部件的性能与作用原子发射光谱仪的类型直流电弧低压交流电弧高压电容火花电感耦合高频等离子体（ICP）光源多道直读光谱仪定性分析半定量分析光谱干扰非光谱干扰 配有很详细的FLASH动画说明，强烈推荐下载。...... http://www.instrument.com.cn/download/shtml/008189.shtml

火焰发射光谱仪是原子发射光谱仪吗？

亿光发射管也可以称作亿光红外发射管或亿光红外线发射二极管，属于二极管类。它是可以将电能直接转换成近红外光（不可见光）并能辐射出去的发光器件，主要应用于各种光电开关及遥控发射电路中。亿光发射管的结构、原理与普通发光二极管相近，只是使用的半导体材料不同。亿光红外发光二极管通常使用砷化镓（GaAs）、砷铝化镓（GaAlAs）等材料，采用全透明或浅蓝色、黑色的树脂封装　　亿光发射管参数介绍　　发射距离、发射角度（15度、30度、45度、60度、90度、120度、180度）、发射的光强度、波长。是亿光发射管的物理参数，需了解其电性能参数：市场上常用的直径3mm,5mm为小功率亿光发射管，8mm,10mm 为中功率及大功率发射管。小功率发射管正向电压：1.1－1.5V，电流20ma,中功率为正向电压：1.4-1.65V 50－100ma，大功率发射管为正向电压：1.5-1.9V200－350ma。1－10W的大功率亿光发射管可应用于红外监控照明。http://www.dzsc.com/data/uploadfile/20121018152042817.jpg　　亿光发射管应用范围　　亿光发射管的应用范围主要有以下几点：　　1、适用于各类光电检测器的信号光源。　　2、适用于各类光电转换的自动控制仪器，传感器等。　　3、根据驱动方式，可获得稳定光、脉冲光、缓变光，常用于遥控、警报、无线通信等方面。　　使用注意事项　　亿光发射管应保持清洁、完好状态，尤其是其前端的球面形发射部分既不能存在脏垢之类的污染物，更不能受到摩擦损伤，否则，从管芯发出的红外光将产生反射及散射现象，直接影响到红外光的传播。　　由于红外波长的范围相当宽，因此亿光发射管必须与LED接收管配对使用，否则将影响遥控的灵敏度，甚至造成失控。因此在代换选型时，要务必关注其所辐射红外光信号的波长参数。　　亿光发射管的发光功率与光敏器件的灵敏度因封装而有角分布使用时注意安装指向调整，更换时亦应做相应调整，注意管子的极性，管子不要与电路中的发烧元器件靠近。　　亿光发射管在工作过程中其各项参数均不得超过极限值，因此在代换选型时应当注意原装管子的型号和参数，不可随意更换。另外，也不可任意变更亿光发射管的限流电阻。

[url=http://www.huaketiancheng.com/][b]原子发射光谱仪[/b][/url]是测定每种化学元素的气态原子或离子受激后所发射的特征光谱的波长及强度来确定物质中元素组成和含量。　　原子发射光谱仪是根据试样中被测元素的原子或离子，在光源中被激发而产生特征辐射，通过判断这种特征辐射波长及其强度的大小，对各元素进行定性分析和定量分析的仪器。　　原子发射光谱仪，是将成分复杂的光分解为光谱线的科学仪器。它密封在一个温度稳定的恒温机箱里，设计小巧，操作简易，设备的搬运和操作只要一个人就能完成。这一类仪器一般包括：光源、单色器、检测器和独处器件。原子发射光谱仪装备了超高灵敏度的光电倍增管，在全量程范围内使检测器的动态范围能鉴别出成分的最微小的差别。原子发射光谱仪有火花原子发射光谱仪，光电原子发射光谱仪，手持式光谱仪，便携式光谱仪，能量色散光谱仪，真空原子发射光谱仪等多种品种。原子发射光谱仪广泛应用于铸造、钢铁、金属回收和冶炼以及军工、航天航空、电力、化工、高等院校和商检、质检等部门。

发射谱，通常称为荧光谱。在特定激发波长情况下，一段发射波长和该波长荧光强度对应曲线。如果是扫描光谱仪，激发波长选择后，发射侧光栅扫描，发射单色仪的波长对应检测器强度的曲线；如果是CCD检测器，就是对应像素的波长和强度的关系。光栅可能也需要扫描来侧高分辨率的宽范围的图谱。测量时为了提高信噪比，可以在激发侧加带通滤光片来最大限度抑制杂散光，在发射侧添加高通滤光片（低通，上转换时候）来消除二次散射光。通常设定激发波长后，发射范围设定不要包括激发波长，当然，PLQY特殊测试要求除外。要考虑检测器的响应线性区间。

前2年本来打算买热电的直读，可是因为经费的问题，没有搞定。现在热电的直流电弧直读光谱停产了，我也没再打听到有哪个厂家在生产直流电弧的直读光谱，大家有这方面的信息吗？

光源作为原子发射光谱仪主要部件之一，是决定光谱分析灵敏度和准确度的重要因素，它分为电弧光源、火花光源以及近年发展的电感耦合等离子体光源和辉光放电光源。各光源的原理和特点又是什么呢?　　原子发射光谱仪由光源、分光系统、检测系统和数据处理系统四个部分组成。而光源是光谱仪检测主要的部分之一，光源的作用是提供样品蒸发和激发所需的能量。它先把样品中的组分蒸发、离解成气态原子，然后再使原子的外层电子激发产生光辐射。光源是决定光谱分析灵敏度和准确度的重要因素，它分为电弧光源、火花光源以及近年发展的电感耦合等离子体光源和辉光放电光源。　　一、激发光源　　1.原子发射光谱对激发光源的要求　　(1)光源应具有足够的激发容量，利于样品的蒸发、原子化和激发，对样品基体成分的变化影响要小。　　(2)光源的灵敏度要高，具有足够的亮度，对元素浓度的微小变化在线状光谱的强度上应有明显的变化，利于痕量分析。　　(3)光源对样品的蒸发原子化和激发能力有足够的稳定性和重现性，以保证分析的精密度和准确度。　　(4)光源本身的本底谱线要简单，背景发射强度弱，背景信号要小，对样品谱线的自吸效应要小，分析的线性范围要宽。　　(5)光源设备的结构简单，易于操作、调试、维修方便等。　　二、电弧光源　　电弧是较大电流通过两个电极之间的一种气体放电现象，所产生的弧光具有很大的能量。若把样品引入弧光中，就可使样品蒸发、离解，并进而使原子激发而发射出线状光谱。它可分为直流电弧和交流电弧。　　1.直流电弧直流电弧发生器及直流电弧如图1所示。电源可用直流发电机或将交流电整流后供电，电压为220～380V、电流为5～30A，可变电阻R用于调节电流的大小，电感L用来减小电流的波动。　　图1 直流电弧发生器和直流电弧　　E-直流电源 V-直流电压表 L-电感 R-可变电阻 A-直流电流表 I-阳极 2-样品槽 3-电弧柱 4-电弧火焰 5-阴极　　带有凹槽的石墨棒阳极，可放置样品粉末，其与带有截面的圆锥形石墨阴极之间的分析间隙约为4～6mm。点燃直流电弧后，两电极间弧柱温度达4000～7000K，电极温度达3000～4000K。在弧焰中样品蒸发、离解成原子、离子、电子，粒子间碰撞使它们激发，从而辐射出光谱线。　　直流电弧光源的弧焰温度高，可使70种以上的元素激发，适用于难熔、难挥发物质的分析，测定的灵敏度高、背景小，适用于定性分析和低含量杂质的测定。因弧焰不稳定易发生谱线自吸现象，使分析精密度、再现性差。阳极温度高不适用于定量分析及低熔点元素分析。　　2.交流电弧交流电弧发生器由交流电源供电。常用110～120V低压交流电弧，其设备简单、操作安全。用高频引燃装置点火，交流电弧放电具有脉冲性，弧柱温度比直流电弧高，稳定性好，可用于定性分析和定量分析，有利于提高准确度。其不足之处是蒸发能力低于直流电弧，检出灵敏度低于直流电弧。　　单纯的电弧光源至今仍保留在地质试样、粉末和氧化物样品中的杂质元素分析中。　　三、火花光源　　高压火花发生器可产生10～25kV的高压，然后对电容器充电，当充电电压可以击穿由试样电极和碳电极构成的分析间隙时，就产生火花放电。放电以后，又会重新充电、放电，反复进行。　　火花光源的放电电路见图2。它由放电电容C、电阻R、电感圈L和放电分析间隙G组成。　　图2 火花光源的放电电路　　1-碳电极 2-试样电极　　当电极被击穿时产生的火花在电极间产生数条细小弯曲的放电通道，短时间释放大量能量，放电的电流密度达105～106A/cm2，使样品呈现一股发光蒸气喷射出来，喷射速度约105cm/s，称为焰炬。每次放电都在电极表面的不同位置产生新的导电通道，单个火花直径约0.2mm，当曝光数十秒时，可发生几千次击穿，由于每次击穿的面积小，时间短，使电极灼热并不显著。　　高压火花放电的平均电流比电弧电流小，约为十分之几安培，但在起始的放电脉冲期间，瞬时电流可超过1000A，此电流由一条窄的仅包含极小一部分电极表面积的光柱来输送，此光柱温度可达10000～40000K。虽然火花光源的平均电极温度比电弧光源温度低许多，但在瞬时光柱中的能量却是电弧光源的几倍，因此高压火花光源中的离子光谱线要比电弧光源中明显。此种光源的特点是放电稳定性好，分析结果重现性好，适于做定量分析。缺点是放电间隔时间长，电极温度较低，对试样蒸发能力差，适于低熔点、组成均匀的金属或合金样品的分析。由于灵敏度低，背景大，不宜做痕量元素分析。　　四、等离子体光源　　电感耦合等离子体(inductively coupled plasma, ICP)光源它由高频发生器、等离子体炬管和雾化器组成，为现代原子发射光谱仪中广泛使用的新型光源。　　1.高频发生器高频发生器在工业上称射频(radio frequency,RF)发生器，在ICP光源中称高频电源或等离子体电源，它通过工作线圈向等离子体输送能量，是ICP火焰的能源。高频发生器有两种类型，即自激式和它激式，它们都能满足ICP分析的需求。　　自激式高频发生器由整流稳压电源、振荡回路和大功率电子管放大器三部分组成，提供40.68MHz高频振荡电场。它的电路简单，造价低廉，具有自动补偿、白身调节作用是目前仪器厂商广泛使用的技术。　　它激式高频发生器是由石英晶体振荡器、倍频、激励、功放和匹配五部分组成，它采用标准工业频率振荡器6.87MHz工作，经4～6倍的倍频电路处理，产生27.12MHz或40.68MHz的工作频率，经激励、放大，由匹配箱和同轴电缆输送到ICP负载上，此种发生器频率稳定性高、耦合效率高，功率输出易于自动控制，但其电路比较复杂，易发生故障，因而应用厂商较少。　　现在被广大厂商广泛采用的是固态高频发生器，它是由一组固态场效应管束代替自激式高频发生器中的大功率电子管，以获得大功率高频能量的输出。它具有体积小，输出功率稳定、耐用、抗震、抗干扰能力强，已成为新一代ICP光谱仪使用的主流产品，使用寿命已大干5000h。　　高频发生器产生的频率和它的正向功率(系指在ICP燃炬负载线圈上获得的功率)是两个重要的性能指标，二者有紧密的相关性。　　高频发生器产生的振荡频率和它的正向功率呈反比关系，如使用5MHz频率，维持ICP放电的功率为5～6 kW 使用9MHz，功率为3kW 使用21 MHz，功率为1.5kW，因而提高振荡频率 可使ICP放电所需的功率降低，并进而降低激发时的温度和电流密度，还会降低冷却氩气的消耗量，振荡频率的稳定性应≤0.1%。　　高频发生器的功率应1.6kW，当输出功率为300～500W时，能维持ICP火焰燃烧，但不稳定，不能进行样品分析工作，当输出功率800W时，ICP火焰才能保持稳定，才可进行样品分析，输出功率的稳定性应≤0.1%，它直接影响分析的检出限和分析数据的精密度。　　2011年美国PE公司在Optima 8000系列仪器上，采用平行铝板作为高频感耦元件，称为平板等离子体。其在射频发生器上用两块平行放置的铝板，取代传统的螺旋铜管感应线圈，构成电感耦合等离子体炬，可降低氩气消耗在10L/min以下，并且平行铝板不需用水冷却，当等离子体冷却气只有8L/min，等离子体炬焰仍然稳定，使操作成本大大降低，并有良好的稳定性和分析性能。　　2.等离子体炬管高频发生器通过用水冷却的空心管状铜线圈围绕在石英等离子体炬管的上部，可辐射频率为几十兆赫的高频交变电磁场。等离子体炬管由三层同心圆的石英玻璃管组成，工作氩气携带经适当方法雾化后的样品气溶胶，从等离子体矩管的中心管进入等离子体火焰的中央处，中心管的个外层同心管以切线的方向通入冷却用的氩气，它可抬高等离子体火焰、减少炭粒沉积，起到既可稳定等离子体炬焰，又能冷却中心进样石英管管壁的双重保护作用。中心管的第二个外层同心管通入能点燃等离子体火焰的辅助氩气。开始时由于炬管内没有导电粒子，不能产生等离子体炬焰，可用电子枪点火产生电火花，会触发少量工作氩气电离产生导电粒子，其可在高频交变电磁场作用下高速运动，再碰撞其它氩原子，使之迅速大量电离，形成“雪崩”式放电，电离的Ar+在垂直于磁场方向的截面上形成闭合环形路径的涡流，即在高频感应线圈内形成电感耦合电流，这股高频感应电流产生的高温又再次将氩气加热、电离，而在石英炬管上口形成一个火炬状的稳定等离子体炬焰，此炬焰的外层电流密度大，温度高，试样在此炬焰中蒸发、原子化并进行电离，再激发而呈现辐射光谱。　　电感耦合等离子体光源结构示意图，见图3。　　1-等离子体炬焰 2-高频线圈 3-三个同心石英管 4-辅助氩气 5-冷却氩气(冷却中心炬管) 6-工作氩气及样品入口(由雾化室进入)　　(1)等离子体炬焰的稳定曲线理想的ICP炬管应易点燃，节省工作氩气并且炬焰稳定。通用ICP炬管的不足之处是氩气消耗量大，降低冷却氩气流量又会烧毁ICP炬管。为了降低氩气的消耗量，必须保持高频输入的正向功率与等离子体消耗能量之间的平衡，才能使ICP炬焰稳定。等离子体输入的正向功率，一般为1 kW，消耗能量包括工作气流和冷却气流带走的能量、热辐射和光辐射散失的能量，试样和溶剂蒸发、气化和激发消耗的能量，炬管壁传导和热辐射能量。当这些消耗能量的总和大于高频输入的正向功率时，会使等离子体炬焰熄灭，而高频输入的正向功率过大又会烧毁等离子体炬管，对每一支ICP石英炬管都有保持ICP炬焰稳定的曲线，对直径22 mm的ICP炬管的等离子体炬焰的稳定曲线如图4所示。　　(2)等离子体炬焰中，三股氩气的作用　　①工作氩气也称载气或样品雾化气，此股氩气经雾化器，使样品溶液转化成粒径只有1～10um的气溶胶，并将样品气溶胶引入到ICP炬焰中还起到不断清洗雾化器的作用，它的流量约为0.4～1.0L/min，其压力约为15～45psi(1psi=6894.76Pa)。　　②冷却氩气它沿中心炬管的切线方向引入，主要起冷却作用，保护中心炬管免被高温熔化，冷却等离子体炬焰的外表面并与中心炬管的管壁保持一定距离，保护中心炬管顶端温度不会发生过热。其流量一般为10～20L/min，新型炬管此流量可降至8L/min。　　③辅助氩气它从三个同心石英管的外层通入，其作用是点燃等离子体火炬，也起到保护中心炬管和中间石英管的顶端不被烧熔，并减少样品气溶胶夹带的盐分过多沉积在中心炬管的顶端，其流量为0.1～1.5L/min。　　冷却气和辅助气都可起到提升ICP火焰高度，实现变换高度来观测ICP火焰的作用。　　(3)等离子体炬焰的观测方式　　①垂直观测又称径向观测或侧视观测。此时观测方向垂直于ICP炬焰，能够观测火焰气流方向的所有信号，是常用的观测方式，适用于任何基体试液，并有较小的基体效应和干扰效应，此时，可以观察到电感耦合等离子体的炬焰分为焰心区、内焰区和尾焰区三个部分，如图5所示。各个区域的温度不同，功能也不相同。　　1-Ar气导入区 2-预热区 3-ICP焰心 4-ICP内焰 5-ICP尾焰 6-电感线圈 7-在电感线圈上方进行观测的高度　　ICP的焰心区呈白炽状不透明，是高频电流形成的涡电流区，温度高达10000K，试样气溶胶通过该区时被预热、蒸发，停留约2ms。　　ICP的内焰区在焰心上方，在电感线圈上方约10～20mm，呈浅蓝色半透明状，温度约6000～8000K，试样中的原子在该区被激发，龟离并产生光辐射，试样停留约1 ms，比在电弧光源和高压火花光源中的停留时间(约10-3～10-2 ms)长，利于原子的离解和激发。　　ICP的尾焰区在内焰的上方，呈无色透明状，温度约6000K，仅能激发低能态原子的试样。　　②水平观测又称轴向观测或端视观测。此时水平放置ICP炬管，火焰气流方向与观测方向呈水平重合，由于整个火焰各个部分的光都可被采集，灵敏度高。缺点是基体效应高，电离干扰大，炬管易积炭和积盐而沾污，适用于水质分析。　　此时由于尾焰温度低可能会产生自吸和分子光谱，导致测量偏差加大，为此应采用尾焰消除技术(如压缩空气切割技术、冷锥技术或加长炬管)，以消除分子复合光谱干扰、降低基体效应，以提高灵敏度，扩展线性动态范围。　　③双向观测即在水平观测基础上，增加一套侧向观测光路，就可实现水平/垂直双向观测，可同时实现全部元素的水平观测及垂直观测，也可实现部分元素的水平测量或垂直测量。此时为实现垂直观测，会在炬管上开口，而导致缩短炬管使用寿命，此时会降低分析速度，增加了分析消耗。　　3.雾化器雾化器可将试样溶液雾化后转化成气溶胶，并被工作氩气携带进入等离子体炬中。　　现在广泛使用玻璃同心雾化器，又称迈哈德(Meinhard)雾化器，其构造如图6(a)所示。　　(a)雾化器的双流体结构 (b)喇叭口形雾化器结构(防止盐类在喷口处沉积) (c)雾化器喷口的A、C、K型的结构 1-液体样品入口 2-喷雾气体入口 3-喷液毛细管 4-气溶胶喷口 5-玻璃外壳　　玻璃同心雾化的双流体结构中有两个通道，喷液毛细管(中心管)和外管之间的缝隙为0.01～0.35mm，毛细管气溶胶喷口的孔径约为0.15～0.20mm，毛细管壁厚为0.15～0.10mm。其喷雾原理是当喷雾气体(载气)通入雾化器后，在毛细管喷口形成负压而自动提升液体样品，将溶液粉碎成细小液滴，并载带微小液滴从喷口喷出气溶胶。　　为防止液体盐类在喷口处沉积，可将喷口制成喇叭口形，使出口保持湿润，而不易堵塞[见图6(b)]。　　由于加工方法不同，气溶胶喷口的形状有三种，即A、C、K型[见图6(c)]。A型为平口型(标准型)，喷口内管和外管在同平面上，喷口端面磨平。C型为缩口型，中心管比外管缩进0.5mm，且中心管被抛光。K型与C型相同，但中心管未被抛光。A型喷口雾化效率高，C型和K型，耐盐能力强，不易堵塞。　　雾化器的进样效率是指进入等离子体焰炬的气溶胶量与被提升试液量的比值。当增加载气压力时，会增加试液的提升量，但进样效率会降低，这点由雾化器的结构决定的，因此使用雾化器时，应确定进样效率适当值时，所对应载气的压力和流量。过度增加试液提升量，会增加大液滴的数量使废液量增加，易造成喷口阻塞，反而使进样效率下降。　　在PE公司Optima系列仪器上还配备了eNeb雾化器。　　eNeb雾化器的机理为：采用两个均匀微米级细孔的有机薄膜，不需高压雾化气流，仅在膜片的两端加以高频电场，在激烈振荡的电场作用下，从薄膜的微孔处不断喷射出大小一致的液滴，形成而均匀细小的气溶胶，直接进入等离子炬。其雾化效率可得到提高。气溶胶喷头的膜片，采用耐腐蚀的高分子Kapton材料薄膜制成，经激光打孔形成10um以下的均匀密集微孔，孔径和形状可保持严格的一致性，使得形成的气溶胶颗粒具有很好的一致性，并且粒径可控制在不超过10um的很窄范围内，从而使其雾化效率得到很好的提高。进样的精密度和长时间稳定性良好。　　4.电感耦合等离子体光源的特性　　(1)此光源的工作温度高于其它光源，等离子体炬表面层温度可达10000K以上，在中心管通道温度也达6000～8000K，在分析区内有大量具有高能量的Ar+等离子，它们通过碰撞极有利于试样的蒸发、激发、电离，有利于难激发元素的测定，可测70多种元素，具有高灵敏度和低的检测限，适用于微量及痕量元素分析。　　(2)此光源不使用电极，可避免由电极污染带来的干扰。因使用氩气作为工作气体，产生的光谱背景千扰低、光源稳定性良好，可使分析结果获得高精密度(标准偏差为1%～2%左右)和准确度，定量分析的线性范围可达4～6个数量级。　　由于电感耦合等离子体光源具有良好的分析性能和广泛的应用范围，在近二十年受到广泛重视，发展迅速。　　此光源使用氮气发生器从空气中提取氮气，作为产生等离子体的气源，而不使用昂贵的氩气。它不使用高频发生器的电场作为等离子体炬的能源，而是使用大功率1000W工业级磁控管产生的电磁场作为N2等离子体炬的能源。这种使用磁场而非电场来耦合微波能量并激发N2等离子体的技术，大大降低了发射光源的成本，原子化温度达5000℃，并具有即开即用、操作简便的特点。　　此光源使用的炬管，可随时拆卸，安装时可实现炬管的快速定位和与气源的连接，保证了定位精度和快速启动。　　此光源使用One Neb通用雾化器(见图7)，采用惰性材料制作，耐有机溶剂和强酸，其特殊的防阻塞设计使其成为高盐、高固体溶解浓度样品溶液进行雾化的选择。　　1-试液样品入口 2-雾化N2入口 3-四氟乙烯喷液毛细管 4-气溶胶喷口 5-聚乙烯外壳　　五、辉光放电光源　　辉光放电(glow discharge, GD)可用作原子发射光谱的激发光源，它具有较高的稳定性，能直接用于固体样品的成分分析和逐层分析。　　辉光放电有直流放电(DC)模式，可用于金属等导体分析，射频放电(RF)模式可用于所有固体样品(导体、半导体和绝缘体)的分析。　　辉光放电光源，基本上都是格里姆(Grimm)型，其结构见图8。　　此光源中，阳极空心圆筒伸入环形阴极中，它们之间为聚四氟乙烯绝缘体。两个电极间的距离和阳极圆筒下端面与阴极试样之间的距离皆为0.2 mm。光源内部抽真空至10Pa后，充入压力约100～1000Pa的低压放电气体氩，然后在两电极间施加500～1500V直流电压 阳极接地保持零电位，阴极施加负高压。使光源内氩气被激发、离解成Ar+和电子，在两电极间形成Ar+等离子体。在电场作用下Ar+与阴极样品碰撞，在样品表面的原子，获得可以克服晶格束缚的5～15eV的能量，并以中性原子逸出表面，其再与Ar+和自由电子产生一系列的碰撞，会被激发电离、产生二次电子发射，从而在负辉区产生样品特征的发射光谱。负辉区主要构成阴极的金属原子的溅射和光辐射，它产生大的电流密度和电子动能，会使挥发出的气态原子强烈电离，并激发出光辐射(见图9)。　　1-石英窗 2-阳极 3-环形阴极 4-绝缘体 5-放电气体(Ar)入口 6-放电气体出口 7-样品 8-负辉区　　辉光放电光源，除使用直流电压供电分析金属导体外，还可在两电极间施加具有一定频率的射频电压，此时样品可交替作为阴极或阳极，其表面轮流受到正离子和电子的碰撞，增大了样品原子被撞击的频率，提高了样品原子化和被激发离子化效率，它可直接分析导体、半导体和绝缘体样品。　　辉光放电过程，样品原子被不断地逐层剥离，随溅射过程的进行，光谱信息反映的化学组成，由表面到里层所发生的变化，可用于深度分析。

你理解所谓的ICP发射光谱中的第一共振发射线吗？

原子发射光谱中的自吸系数光谱定量分析的关系式 　　光谱定量分析主要是根据分析试样光谱中待测元素的谱线强度来确定元素的含量（浓度）。某元素的谱线强度I与该元素在试样中的百分含量c的相互关系， 或lgI=blgc+lga 式中常数a与元素的性质、试样的蒸发和激发条件，试样的组成，以及该谱线的跃迁几率、辐射频率、激发电位、弧焰温度等一系列因素有关。常数b为自吸系数，它是与谱线的自吸性质有关的参数。当某元素浓度很低时，谱线强度不大，谱线没有自吸现象，b=1；当浓度高时，谱线容易出现自吸，b1，此时I与c关系复杂，I-c曲线呈弯曲形状。由此可见，参数a与b不仅与实验条件有关，而且与待测元素的含量有关。只有当待测元素的含量在一定范围时，a和b才是常数。 　　由于试样的蒸发、激发条件，以及试样组成等的变化，均可使参数a发生改变，直接影响谱线的强度。这种变化很难避免，为此应用内标法进行光谱定量分析。 　　首先在待测元素的谱线中选定一条谱线，称为分析线，其强度以I表示。其次，在待测试样中，准确地加入某一种元素，称该元素为内标元素，选内标元素的一条谱线，称为内标线（比较线），其强度以表示。分析线和内标线这一对“均称”的谱线称分析线对。它们的强度之比I/，称为相对强度。所谓“均称”是指分析线对选择得当，当某些条件变化的情况下，对分析线和内标线强度引起同等程度的改变。分析线对的波长应相近，而且应在乳剂特性曲线的直线部分。根据分析线对相对强度与分析元素含量的关系，进行光谱定量分析的方法称为内标法。 内标法光谱定量分析的基本关系式： lgR=lgI/=blgc+lga 根据乳剂特性曲线，对分析线和内标线强度所引起的黑度 S=γ1lgI-i1 =γ2lg-i2 因为分析线对是在同一谱片上，γ1=γ2=γ ，i1= i2=i ΔS=S-=γlgI/=γ（blgc+lga） 这是基于内标法原理以摄谱法进行光谱定量分析的基本关系式。 在内标法中，正确选用分析线对有助于提高准确度。选用内标元素及分析线对一般应注意以下几点： （1） 分析线没有自吸。 （2） 分析线和内标线的谱线强度、宽度要相近。 （3） 分析线和内标线的波长要相近，以避免乳剂的不均匀所产生误差。 （4） 分析线和内标线的黑度要落在乳剂特性曲线的直线部分。 （5） 分析线和内标线的背景要小 （6） 内标元素的含量不随分析元素含量的变化而变化。 （7） 分析元素和内标元素的激发电位、电离电位要相近。 （8） 分析元素和内标元素的沸点、挥发性、扩散性要相近，以保证得到形状相近的蒸发曲线，提高准确度。谱线的自吸和自蚀 激发源中的等离子体有一定的体积，温度及原子浓度在其各部位分布不均匀。中间温度高，边缘温度低，中心区域激发态的原子多，边缘基态或较低能态的原子较多。某元素的原子从中心发射某一波长的电磁辐射，必然要通过边缘到达检测器，这样所发射的电磁发射就有可能被处在边缘的同元素基态或较低能态的原子所吸收。因此，检测接收到的谱线强度就减弱了。这种原子在高温发射某一波长的辐射，被处于边缘低温状态的同种原子所吸收的现象称为自吸。 自吸对谱线中心处的强度影响较大。这是由于发射谱线的宽度比吸收谱线的宽度来的大的缘故。自吸的程度用自吸系数b表示。当试样中元素的含量很低时，不表现出自吸，；当含量增大时，自吸现象增强，b1。当达到一定的较大含量时，由于自吸严重，谱线中心的辐射被强烈的吸收，致使谱线中心的强度比边缘更低，似乎变成两条谱线，这种现象成为自蚀。如图10.27所示。在谱线表上，用标r表示有自吸的谱线，用标R表示有自蚀的谱线。基态原子对共振线的自吸最为严重，并且常产生自蚀。激发源中弧焰的厚度越厚，自吸现象越严重。不同光源类型，自吸情况不同，直流电弧的蒸气的厚度大，自吸现象比较明显

在原子发射光谱仪中测试样品时,原子发射线显示浓度是离子发射线的一半,其机理如何?有何方法解决他们的不一致??

弱弱的请问下，原子吸收分光光度计中方法选择可以选择发射法来检测钾，钠，钙，镁等离子的，请问使用原子发射来分析时，各元素的空心阴极灯是不须使用的吧，这里的原子发射原理与ICP部分的原子发射是一样的吗？而ICP-MS则是将溶液中的各种离子在8000K的温度下同时被激发成带一个正电荷的离子，原子发射法则是以什么形式被测定的，其与原子吸收法测钾等不是正好相反吗？

[font=SimSun][color=black]先看看基本谱线的定义[/color][/font][font=SimSun][color=black]1.原子发射线（[/color][/font][color=black]Atom line[/color][font=SimSun][color=black]）：从原子的激发态跃迁回到基态所产生的发射光谱，一般在元素后标[/color][/font][color=black] "I"[/color][font=SimSun][color=black]，如[/color][/font][color=black]Ba I 553.5[/color][font=SimSun][color=black]2.离子线（[/color][/font][color=black]ion line[/color][font=SimSun][color=black]）：从原子的离子态跃迁回到基态所产生的发射光谱，一般在元素后标[/color][/font][color=black] "II"[/color][font=SimSun][color=black]，“[/color][/font][color=black]III[/color][font=SimSun][color=black]”，表示一次电离，二次电离原子的离子谱线，如[/color][/font][color=black] Ba II 455.4 nm[/color][font=SimSun][color=black]。[/color][/font][font=SimSun][color=black]你选择的谱线是原子发射线还是离子发射线？[/color][/font]

我像问下上海那有这仪器测定红外发射率，求助，谢谢。

各位： 想大概了解一下射频辉光放电发射光谱仪，价格在什么范围内？ 只需知道大概的价格范围，这样也好跟头儿提议是否需要购买的事情。请知情的朋友帮助一下，十分感激。

问一下上海市哪里有检测场发射性能的地方，高校或机构？我要检测电泳沉积碳纳米管薄膜的场发射性能，包括电压-电流曲线、阀值电压、发光点密度等等。检测仪器大致是一个真空二极管结构。

原子荧光的原理：是基态的[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原子吸收[/color][/url]特定波长的辐射后，原子跃迁到高能态然后回到低能态或者基态发射出的光叫荧光原子发射光谱是：基态原子在受激发后，返回较低能态时生产的发射光谱这2者都是从高能态到低能态或者激发态，为什么一个叫荧光一个叫发射光谱，没想明白

大束科技发明并提供了一种发射针结构、热场发射电子源及电子显微镜，涉及电子显微镜技术领域，解决了氧化锆等低逸出功材料团易从发射针上脱落，影响电子源寿命的技术问题。该发射针结构位于电子源中发射电子，其包括针本体和低逸出功材料团，针本体的周壁上设置有容纳部，低逸出功材料团在烧结过程中形成有嵌入容纳部内的结合部位，且结合部位与容纳部的配合结构将低逸出功材料团夹固于针本体上。本发明的发射针结构能够将低逸出功材料团更为牢固的固定在针本体上，既能够增加储备氧化锆的数量，也能够增强低逸出功材料团与针本体结合的强度，防止低逸出功材料团脱落，延长了热场发射电子源的使用寿命。大束科技成立于2018年，是一家以自主技术驱动的电子显微镜核心配件研发制造商及配套服务商。 目前公司主要生产电子显微镜的核心配件离子源、电子源以及配套耗材抑制极、拔出极、光阑等销往国内外市场，此外，还为用户提供定制化电子显微镜以及电子枪系统等的维修服务，以及其他技术服务和产品升级等一站式、全方位的支持。在场发射电子源（电子显微镜灯丝）、离子源以及电镜上的高低压电源、电镜控制系统研发制造等领域等均具有优势。大束科技致力于成为电子显微镜行业上游配件的研发制造供应商；未来将在满足本土市场的同时，进军国际高端电子显微镜市场。

用荧光法固定激发波长,测物质的发射光谱时,在激发波长处出峰是正常的吗，是锐利光吗?如果是正常的,它比物质的发射谱最高的峰还高,这正常吗?什么原因可能导致出现激发波长处峰增高的现象? 还有，在比激发波长大，但是比物质的荧光强度最大处发射波长小的位置有一小峰，空白容积的谱中也有这个峰，这是拉曼光吗？它和最大的发射峰有部分的重叠，这个峰对激发波长的选择有影响吗？ 还有，发射谱图中峰边缘呈锯齿状，是不是和狭缝宽度有关？还是和别的有关？有解决的办法吗？

全谱直读等离子体发射光谱仪与电感耦合等离子体原子发射光谱有什么区别么？

940nm　　现在市场上使用较多红外发射管的是850nm和940nm 因为850nm发射功率大，照射的距离较远，所以主要用于红外监控器材上；而940nm主要用于家电类的红外遥控器上。　　峰值波长：λp (单位：nm)　　发光体或物体在分光仪上所量测的能量分布，其峰值位置所对应的波长，称为峰值波长λp 辐射强度：POWER（单位：mW/sr）用以表示红外线发光二极管（IR LED）辐射红外线能量之大小。　　辐射强度（POWER）与输入电流（If）成正比，发射距离与辐射强度（POWER）成正比。 mW/sr：表示红外线辐射强度的单位，为发射管发射红外线光之单位立体角(sr)所辐射出的光功率的大小　　半功率角：2θ1/2 指发射管其上下或左右两边所辐射出的红外线强度为该组件最大辐射强度的50%时，其上下或左右两边所夹的角度称为半功率角。　　人们习惯把红外发射管和红外线接收管称为红外对管。红外对管的外形与普通圆形的发光二极管类似。初接触红外对管者，较难区分发射管和接收管。本文介绍三种简便的识别方法。http://www.dzsc.com/data/uploadfile/20121019105553605.jpg １． 根据内部结构识别　　红外对管的内部结构如左图(a),(b)所示。左图(ａ)是红外发射管，管芯中央凹陷，类似聚光罩的形状。左图（ｂ）是红外接收管，管芯中央的平台上有红外感光电极。红外对管的两引脚１长１短，长引脚是正极，和普通发光管相同。　　２．用三用表测量识别　　可用５００型或其他型号指针式三用表的１ｋΩ电阻挡，测量红外对管的极间电阻，以判别红外对管。判据一：在红外对管的端部不受光线照射的条件下调换表笔测量，发射管的正向电阻小，反向电阻大，且黑表笔接正极（长引脚）时，电阻小的（１ｋΩ～２０ｋΩ）是发射管。正反向电阻都很大的是接收管。判据二：黑表笔接负极（短引脚）时电阻大的是发射管，电阻小并且三用表指针随着光线强弱变化时，指针摆动的是接收管。　　注：１）黑表笔接正极，红表笔接负极时测量正向电阻。　　２）电阻大是指三用表指针基本不动。　　３． 通电试验方法判别 用一只发光二极管和一只电阻与被测的对管串联，如上图２所示。图中电阻起限流作用，阻值取２２０Ω～５１０Ω。ＬＥＤ发光二极管用来显示被测红外管的工作状态。用遥控器（电视机遥控器等）对着被测管按下遥控器的任意键，ＬＥＤ亮时，被测管是红外接收管。不亮则是红外发射管。

操作原子射线发射光谱仪，有这方面的专家吗