热离子原射仪

BreathSpec呼气分析仪是一款专用于人体呼气分析的仪器，操作简单，坚固耐用，配备循环气体单元（CGFU），只需要一个电源即可运行。仪器将气相色谱（GC）的高分离度与离子迁移谱（IMS）的高灵敏度相结合，无需任何样品前处理即可检测出高潮湿基质（人体呼出气体）中的痕量挥发性有机物，仅需几分钟即可给出检测结果， 检出限可低至ppbv/pptv级别。软件公司开发的强大功能软件可对待测物中痕量挥发性有机物的指纹谱图进行分析，简单易用，直观方便。软件包括LAV软件和定性分析软件。数据直观的LAV软件Laboratoy Analytical Viewer(LAV)用于气相离子迁移谱图数据分析与信息提取，该软件可与Windows系统的数据提取程序相兼容，如将.mea格式转为.csv格式后使用Windows系统进行数据处理。LAV软件与相关“插件”具有两大用途：气相离子迁移谱图中的每组信号峰对应整个样品的顶空成分，LAV软件安装的“Reporter”插件可对参考样品与待测未知样品进行比对，用户一眼便可看出样品间VOCs的差异。“Gallery-plot”插件在比较样品VOCs差异时更为直观，可用来比较不同样品中各顶空成分的有无及信号峰的强度，据此鉴别样品的相似度、真伪等。据此判断正常群体与阳性群体呼气挥发性物的差异准确便捷的定性软件GC×IMS Library Search软件可简单快速的对待测物中未知挥发性有机化合物（VOCs）进行定性。软件内置NIST气相保留指数数据库和G.A.S.迁移时间数据库，二个数据库相结合使得化合物的定性更加准确。GC×IMS Library Edit软件可不断补充和扩展迁移时间数据库，用户可建立自己行业的数据库，以此引导本行业的发展。 GC×IMS数据库用于定性分析仪器的优势 可移动性：内置计算机，可独立运行内置气源重量：20kg灵活性：具有多种采样模式选择性：可更换GC毛细管柱灵敏度：5KV/10cm TOF-IMSLow ppb级别直接取样：仪器配备检测CO2/O2流量的肺活量计，可快速可靠的取样，从而确保设备能够简单快速的生成数据库，并可用于不同疾病的临床研究。 远程取样—呼吸采样：实际呼吸采样只需一次呼气。待测者呼气进入采样器，在后半部分，将5mL呼气取样到普通的注射器中。拉动注射器的活塞可以由待测者自己完成，或者由护士来帮助完成。如果采样失败，可以立即重复。 远程取样—体腔静态顶空采样：从供试者的口腔或鼻腔中采集气体用于口腔或鼻腔疾病的相关诊断。 远程取样—皮肤采样：通过各种小装置，进行皮肤伤口等部位的采样，将其扣到待测位置，拉动注射器活塞进行取样。 产品特点采样方式灵活多变样品无需前处理、采样后即可分析分析速度快，检出限低可配备CGFU循环气体单元、无需载气钢瓶仪器小巧轻便，便携性能好操作简单，便于上手软件功能强大，数据可视直观化应用领域呼气与肺部疾病的研究呼气中VOCs的大数据收集伤口细菌感染类型的确定ICU中毒病人的毒物判断麻醉剂量与人体呼气的关系研究人体皮肤释放的气体检测药物代谢过程的监控

价格电议KRI 射频离子源 RFICP 系列 上海伯东美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RFICP 系列提供完整的套装, 套装包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.射频离子源 RFICP 系列技术参数:型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流100 mA350 mA600 mA800 mA1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ20 cm Φ30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000射频离子源 RFICP 系列应用:离子辅助镀膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )离子溅镀 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)上海伯东离子源典型应用: 射频离子源 RFICP 325 安装在 1650 mm 蒸镀机中, 实现离子辅助镀膜 IBAD 及预清洁 Pre-clean, 完成 LED-DBR 镀膜生产右图: 在高倍显微镜下检视脱膜测试, 样品无崩边上海伯东离子源典型应用: 安装在离子蚀刻机中的 KRI 射频离子源, 对应用于半导体后端的6寸晶圆进行刻蚀. 右图: 射频离子源 RFICP 安装于腔内 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 欢迎联络上海伯东叶女士,分机109

溅射离子枪主要用途:溅射清洗/表面科学中样品表面处理, MBE and HV 溅射过程离子辅助沉积离子束溅射镀膜反应离子刻蚀技术指标:离子能量25eV - 5keV总的离子束电流1mA (at 5kV with Argon)High Current Version: up to 4mA (at 5kV with Argon)电流密度120μA/cm2 at 100mm working distance离子束发散角Ion energy dependant (typically 15°)工作距离100 mm (typically)等离子体杯Alumina (superior than other dielectric materials due to highest yield of secondary electrons)气体进气口径CF-16 (1.33“OD)气体流速1 - 5 sccm (1,5 sccm typical, gas dependant)工作真空度10-6mbar - 10-3mbar (1x10-5mbar typical in chamber with 300l/s pimp). Low 10-6 mbar range possible - beam current then 140μA max.激发模式微波放电等离子体 (无灯丝)安装口径CF-35 (2.75“OD)枪直径34mm (真空端)泄露阀需要气体质量流量计第二代等离子体源，可以提供离子源，原子源，离子/原子混合源原子源主要用途：制备氮化物， e.g. GaN, AlN, GaAsN, SiN etc.氢原子清洗，氢原子辅助MBE.制备氧化物， e.g. ZnO, Superconductors, Optical coatings, Dielectrics. 掺杂， e.g. ZnSe离子源用途:离子束辅助沉积(IBAD) for both UHV and HV processes溅射沉积，双离子束溅射，Sputter deposition and dual ion beam sputtering溅射清洗/表面科学中的样品表面处理，Sputter cleaning / surface preparation in surface science, MBE and HV sputter processes.原位刻蚀， e.g. Chlorine 技术参数：真空兼容性：完全UHV兼容可烘烤：200°C微波功率：最大250W，2.45GHz磁铁类型：永久稀土。可在不破坏真空的情况下进行烘烤安装：NW63CF（4.5“OD）真空长度：300mm（可定制长度）：真空直径最大值=57mm光束直径：源处约25mm（较窄的光束也容易产生）等离子杯：氧化铝孔径：氧化铝或氮化硼气体流速：0.01-100sccm，取决于所选孔径工作压力：约10-7托至5x10-3托，取决于孔径、泵和应用-请联系tectra讨论您的应用。提供差动泵选项工作距离：50mm-300mm。150mm（典型值）冷却：全水冷（包括磁控管）电源：微波炉电网供电**仅限离子源和混合源19“机架安装。3U高度。230VAC，50Hz或115VAC，60Hz19“机架安装。3U高度。230VAC，50Hz或115VAC，60Hz主要特点：无灯丝适用于大多数气体，包括反应性气体，如氧气、氯气、氢气、氮气等。无微波调谐出厂设置，只需打开和关闭等离子。用户可配置提取光学器件设计为可快速方便地更换，允许用户自定义其来源，以适应样本大小、工作压力和电流密度的特定组合。易于更换的孔径使光束直径、气体负载和原子通量得以优化。简单烘烤制备新的可烘烤ECR磁体只需松开4个螺钉，即可进行简单的烘烤准备。磁体不需要移除，但仍位于封闭冷却回路的空气侧。因此，没有烧结材料暴露在真空中。Al2O3等离子区氧化铝等离子杯作为标准，具有更高的二次电子产量、更好的抗腐蚀性气体（如氧气）和理想的等离子打击能力从法兰（刀口侧）到外壳端，空气侧环境坡度的最小值仅为258mm

仪器简介：典型应用是氩离子溅射清洗表面(中科院物理所配置多套IG2型离子源)溅射清洗 /表面准备，用于表面科学， MBE ，高真空溅射过程离子辅助沉积离子束溅射镀膜反应离子刻蚀高性价比IG2溅射离子枪套件是低成本离子束蚀刻和溅射清洁样品的完美解决方案，用于表面分析、清洁STM尖端、一般真空科学和纳米技术应用。如果您只想清洁样品或 STM 吸头的表面，为什么要支付超出您需要的费用？这种操作简单且可靠的溅射离子枪和控制构成了当今市场上价格最低的封装！IG2 还可以使用惰性气体（如氩气和氧气）运行。操作理论IG2离子源产生高能惰性气体离子束，用于溅射蚀刻固体表面。该源需要使用惰性气体（如氩气）的静压为 5x10-5 torr（有关兼容气体列表，请参见数据表）。离子在离子源的双丝电离室内由电子撞击产生，然后以高达2 kV的能量聚焦在目标上。通过使用离轴灯丝几何形状，离子束的杂质含量最小化。聚焦透镜允许在给定的工作压力和源到样品距离下获得高离子电流密度。双钨丝组件允许在第根灯丝打开时继续运行。在推荐的工作条件下，灯丝组件的预期寿命在正常使用下为数年。灯丝组件在现场很容易更换。32-165 型 2 kV 离子源控制器提供操作 04-165 2 kV IG2型离子源所需的所有必要电压和电流。光束电压可以手动、远程或使用内置定时器激活。此外，阳极（离子）和灯丝电流以及光束和聚焦电压可以在外部进行监控，以确保溅射条件的准确再现。

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRi 射频离子源 RFICP 系列上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RFICP 系列提供完整的系列, 包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.射频离子源 RFICP 系列技术参数:型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流100 mA350 mA600 mA800 mA1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ20 cm Φ30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000 射频离子源 RFICP 系列应用:离子辅助镀膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)离子溅镀 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures) 上海伯东美国考夫曼 KRi 大口径射频离子源 RFICP 220, RFICP 380 成功应用于 12英寸和 8英寸离子束刻蚀机, 作为蚀刻机的核心部件, KRI 射频离子源提供大尺寸, 高能量, 低浓度的离子束, 接受客户定制, 单次工艺时间更长, 满足各种材料刻蚀需求!1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRi 射频离子源, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗女士

离子溅射仪喷金仪镀膜仪SD-900实验室仪器SEM镀膜博远微纳VPI离子溅射仪外观亮丽，做工精致，旋钮式定时器档位清晰，手感舒适；特殊定制的真空指示和电流指示表头沉稳大气；前面板上的微泄漏气阀门可以连接多种气体；调节溅射电流大小，成膜速度快，质量好；功能控制和定时皆由CPU调度，使用范围广。 工作时结合内部自动控制电路很容易控制真空室压强、电离电流及选择所需的电离气体，获得最佳镀膜效果。 离子溅射仪喷金仪镀膜仪SD-900实验室仪器SEM镀膜博远微纳VPI是一款最常用的离子溅射仪，是一切溅射仪的基础。是以金属靶材和样品台分别作为阴阳两极，在真空状态下产生辉光放电，使金原子与残存的气体不断碰撞而沉积成薄膜。可以使用Au，Pt，Cr、Al、Cu等靶材。 具有成膜均匀，操作简单，所需时间短，过程可控，数码计时等优点。 配有高位定性飞越真空泵参数：主机规格：300mm×360mm×380mm（W×D×H）靶（上部电极）：50mm×0.1mm（D×H）靶材：Au（标配）也可根据实际情况配备银靶、铂靶等。样品室：硼硅酸盐玻璃160mm×120mm（D×H）样品台尺寸：可安装直径50mm和直径70mm的样品台，也可根据自身要求定制样品台靶材尺寸：Ф50mm 真空指示表：1Pa离子电流表：50mA定时器：0-999S微型真空气阀：可连接φ3mm软管可通入气体： 多种最高电压： -1600 DCV机械泵：标准配置2L/S（国产VRD-8） 输入电压：220V(可做110V),50HZ特点：1、简单、经济、可靠、外观精美。2、可调节溅射电流和真空室压强以控制镀膜的速率和颗粒的大小。3、SETPLASMA手动启动按钮可预先设置好压强和溅射电流避免对膜造成不必要的损伤。4、真空保护可避免真空过低造成设备短路。5、同时可以通过更换不同的靶材（金、铂、铱、银、钯等），以达到更细颗粒的涂层。6、通过通入不同的惰性气体以达到更纯净的涂层。需要镀膜的样品1、电子束敏感的样品:主要包括生物样品，塑料样品等。SEM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；2、非导电的样品:由于样品不导电，其表 面带有“电子陷阱”， 这种表面上的电子积累 被称为“充电”。为了 消除荷电效应，可在样 品表面镀一层金属导电 层，镀层作为一个导电 通道，将充电电子从材 料表面转移走，消除荷 电效应。在扫描电镜成 像时，溅射材料增加信 噪比，从而获得更好的成像质量。3、新材料:非导电材料和半导体材料通过国际CE认证。

美国SVT公司的RF等离子源适用于多个公司多种型号。 法兰接口包括： 2.75' ' 、4.5' ' 、6' ' 。 等离子源用于离解双原子氮、氧和氢。离解过程中不会产生高能离子。 产生的束流含有零离子，有助于生长高质量的薄膜，也可以在不损伤衬底表面的情况下清洗衬底。 高生长率等离子体源能够在生长速率大于4μm/hr的情况下生长高质量的薄膜。 光阑和等离子腔形状可以顾客定制，以满足客户对不同流量的需求。 软件作为可选项，能够实现自动操作，允许用户保存数据，编写工艺程序。特点可提供N2、O2、H2等离子源生长速率大于4μm/hr源设计有等离子体观察窗口光阑和等离子腔形状可以客户定制RF自动调节可选RF 功率200-600W气体流量0.1-10SCCM法兰4.50’’ CF 源直径2.35’’水冷却0.17GPM 流量(0.227m3/hr)RF匹配网络手动调节(自动调节可选)等离子腔PBN，氧化铝，石英

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 射频离子源 RFICP 140上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中，射频离子源 RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 就标准的型号而言, 可以在离子能量为 100~1200 eV 范围内获得很高的离子密度. 可以输出最大 600 mA 离子流.KRI 射频离子源 RFICP 140 技术参数:阳极电感耦合等离子体1kW & 1.8 MHz射频自动匹配最大阳极功率1kW最大离子束流 500mA电压范围100-1200V离子束动能100-1200eV气体Ar, O2, N2,其他流量5-40sccm压力 0.5mTorr离子光学, 自对准OptiBeamTM离子束栅极14cm Φ栅极材质钼, 石墨离子束流形状平行,聚焦,散射中和器LFN 2000高度25.1 cm直径24.6 cm锁紧安装法兰12”CFKRI 射频离子源 RFICP 140 应用领域：预清洗表面改性辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,溅镀和蒸发镀膜 PC离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗女士

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 射频离子源 RFICP 100上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 400 mA 离子流. 考夫曼型离子源 RFICP 100 源直径19cm 安装在10”CF 法兰, 在离子溅镀时, 离子源配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配置下 RFICP 100 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 400 mA.KRI 射频离子源 RFICP 100 技术参数型号RFICP 100Discharge 阳极RF 射频离子束流350 mA离子动能100-1200 V栅极直径10 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力 0.5m Torr长度23.5 cm直径19.1 cm中和器LFN 2000KRI 射频离子源 RFICP 100 应用领域 预清洗 表面改性 辅助镀膜(光学镀膜) IBAD,溅镀和蒸发镀膜 PC离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置如下美国 KRI 射频离子源 RFICP 100美国 HVA 真空闸阀德国 Pfeiffer 分子泵 HiPace 23001978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请联络上海伯东。上海伯东版权所有, 翻拷必究！

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRi 射频离子源 RFICP 220上海伯东代理美国原装进口 KRi 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 1000 mA.KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:阳极电感耦合等离子体2kW & 2 MHz射频自动匹配最大阳极功率1kW最大离子束流 1000mA电压范围100-1200V离子束动能100-1200eV气体Ar, O2, N2, 其他流量5-50 sccm压力 0.5mTorr离子光学, 自对准OptiBeamTM离子束栅极22cm Φ栅极材质钼离子束流形状平行,聚焦,散射中和器LFN 2000, MHC 1000高度30 cm直径41 cm锁紧安装法兰10”CFKRI 射频离子源 RFICP 220 基本尺寸KRI 射频离子源 RFICP 220 应用领域：预清洗表面改性辅助镀膜 (光学镀膜) IBAD,溅镀和蒸发镀膜 PC离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE射频离子源 RFICP 220 集成于半导体设备, 实现 8寸芯片蚀刻1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗女士

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 射频离子源 RFICP 40上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.射频离子源 RFICP 40 特性:1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.2. 离子源结构模块化设计, 使用更简单 基座可调节, 有效优化蚀刻率和均匀性.3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性KRI 射频离子源 RFICP 40 技术参数:型号RFICP 40Discharge 阳极RF 射频离子束流100 mA离子动能100-1200 V栅极直径4 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力 0.5m Torr长度12.7 cm直径13.5 cm中和器LFN 2000KRI 射频离子源 RFICP 40 应用领域： 预清洗 表面改性 辅助镀膜 (光学镀膜 ) IBAD,溅镀和蒸发镀膜 PC离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

紧凑型、模块化和智能化CCU-010 LV_CT-010为一款结构紧凑、全自动型的热蒸发镀碳设备，使用非常简便。采用独特的插入式设计，可选通过简单地变换镀膜头就可轻松配置为溅射设备。在镀膜之前和/或之后，可以进行等离子处理。模块化设计可轻松避免交叉污染。CCU-010系列镀膜仪标配膜厚监测装置。特点和优点✬ 高性能热蒸发镀碳和等离子处理✬ 专有的自动碳源卷送设计–多达数十次碳镀膜，无需用户干预✬ 独特的即插即用蒸碳镀膜模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置，可兼容不同尺寸的样品巧妙的真空设计CCU-010 LV_CT-010精细真空镀膜系统专为SEM和EDX的常规高质量镀碳而设计。模块化的设计可将低真空单元后续很轻松地升级为高真空单元。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。CT-010碳蒸发模块紧凑的插入式碳蒸发模块为镀碳树立了新标杆。将该头插入CCU-010 LV镀膜主体后，即可立即使用，适合SEM/EDS等需要高质量碳膜应用的场合。CT-010使用欧洲专有的、独特且技术领先的碳绳卷轴系统，可在一次真空下进行多达数十次涂层的镀膜，而无需更换碳源。一段碳绳蒸发后，新的一段会自动前进，用过的碳绳会掉落到方便的收集盘中。除了易于使用外，自动卷轴系统还允许在一个镀膜循环内可控地沉积几乎任何厚度的碳膜。易于选择的镀膜模式可保障镀膜安全，从对温度敏感的样品进行温和的蒸镀薄碳膜到在中厚碳膜层应用时的高功率闪蒸镀碳。整合脉冲蒸发、自动启动挡板后除气及膜厚监控的智能电源控制提供了精确的碳膜厚度，并可避免火花引起的表面不均匀。GD-010辉光放电模块可选的GD-010辉光放电系统可快速安装，通过空气、氩气或其它专用气体进行表面处理，例如，使碳膜亲水。本机可按顺序进行碳镀膜和辉光放电处理，无需“破”真空或更换处理头，极大地简化了操作过程。本单元安装到CT-010，与所有样品台兼容。ET-010等离子刻蚀单元在对样品进行镀膜之前或镀膜之后，可以对样品进行等离子刻蚀处理。使用该附件，可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品，增加薄膜的附着力。也可在样品镀碳后进行等离子处理，从而对碳膜表面进行改性。RC-010手套箱应用的远程控制软件◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表，包含导出功能（Excel、png等）◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010提供了一个直径不小于60mm的样品台，该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 LV系列镀膜仪版本除了CCU-010 LV热蒸发镀碳仪之外，还可选择：CCU-010 LV磁控离子溅射镀膜仪；CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪；CCU-010 LV手套箱专用镀膜仪。所有CCU-010 LV系列镀膜仪均采用TFT 触摸屏操控，配方可编程，保证结果可重复；具有断电时系统自动排气功能，可防止系统被前级泵油污染。

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 霍尔离子源 eH 2000上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eH 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性&bull 水冷 - 与 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流&bull 可拆卸阳极组件 - 易于维护 维护时, 最大限度地减少停机时间 即插即用备用阳极&bull 宽波束高放电电流 - 高电流密度 均匀的蚀刻率 刻蚀效率高 高离子辅助镀膜 IAD 效率&bull 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统 安装方便&bull 等离子转换和稳定的功率控制KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数型号eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO供电DC magnetic confinement - 电压40-300V VDC - 离子源直径~ 5 cm - 阳极结构模块化电源控制eHx-30010A配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode - 离子束发散角度 45° (hwhm) - 阳极标准或 Grooved - 水冷前板水冷 - 底座移动或快接法兰 - 高度4.0' - 直径5.7' - 加工材料金属电介质半导体 - 工艺气体Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors - 安装距离16-45” - 自动控制控制4种气体 * 可选: 可调角度的支架 SidewinderKRI 霍尔离子源 eH2000 应用领域&bull 离子辅助镀膜 IAD&bull 预清洗 Load lock preclean&bull 预清洗 In-situ preclean&bull Direct Deposition&bull Surface Modification&bull Low-energy etching&bull III-V Semiconductors&bull Polymer Substrates1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请联络上海伯东上海伯东版权所有, 翻拷必究！

美国 KRI 霍尔离子源 eH 400上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3”放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体KRI 霍尔离子源 eH 400 特性• 可拆卸阳极组件 - 易于维护 维护时, 限度地减少停机时间 即插即用备用阳极• 宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率 刻蚀效率高 高离子辅助镀膜 IAD 效率• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统• 高效的等离子转换和稳定的功率控制KRI 霍尔离子源 eH 400 技术参数:型号eH 400 / eH 400 LEHO供电DC magnetic confinement - 电压40-300 V VDC - 离子源直径~ 4 cm - 阳极结构模块化电源控制eHx-3005A配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode - 离子束发散角度 45° (hwhm) - 阳极标准或 Grooved - 水冷前板水冷 - 底座移动或快接法兰 - 高度3.0' - 直径3.7' - 加工材料金属电介质半导体 - 工艺气体Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors - 安装距离6-30” - 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架 SidewinderKRI 霍尔离子源 eH 400 应用领域:• 离子辅助镀膜 IAD• 预清洁 Load lock preclean• In-situ preclean• Low-energy etching• III-V Semiconductors• Polymer Substrates 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请参考以下联络方式 上海伯东: 叶女士 台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-3511 ext 109 T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049 M: +86 1391-883-7267 M: +886-939-653-958上海伯东版权所有, 翻拷必究！

GVC-2000磁控离子溅射仪（镀金仪）特点1.基本无温升、样品表面无热损失 GVC-2000制样效果图 其他制样设备效果图上面两张图片为滤膜类样品的电镜图片，左侧图片为GVC-2000喷金后的电镜观测图，可以看出，样品形貌真实完整，右侧图片为其他设备喷金后的电镜观测图片，可以看出，热损伤严重，几乎无法识别为同种样品。2.颗粒更小，更适宜于高倍图像观测，适配场发射/高分辨场发射电镜 金颗粒尺寸：6~10nm 陶瓷膜，镀层材料Pt，10万倍图片，无颗粒感 滤膜材料，镀层材料Pt，20万倍图片，无颗粒感3.GVC-2000磁控离子溅射仪低压大电流溅射，效率更高。

SD-160型离子溅射仪是采用二级（DC）直流溅射原理设计而成的离子溅射镀膜设备。二极（DC）直流溅射是一种最简单、可靠、经济的镀膜技术，是许多厂商提供的离子溅射仪的基础。除了具有通常的基本结构外，它的特点是：配置有样品溅室，真空显示表、溅射电流指示表、溅射电流调整控制器、微型真空阀、定时器。工作时结合内部自动控制电路很容易控制真空室压强、电离电流及选择所需的电离气体，获得最佳镀膜效果。特殊设计的钟罩边缘橡胶密封圈，可保证长期使用不会出现影响样品溅射室真空度的玻璃钟罩“崩边”现象；陶瓷密封高压头比通常采用的橡胶密封更经久耐用。根据电场中气体电离特性，采用大容量样品溅射真空室和相应面积溅射靶，使溅射镀层更均匀洁净。此外SD-160应用高稳定性、高灵敏 度电磁阀，采用双气路自动控制系统，更 易实现对样品的保护以及对样品成膜品质 的保证。特别适用于电镜实验室的SEM样品制备和新材料研究的电极制作。 配有高位定性的飞跃真空泵"The SD-160 type ion sputtering apparatus is designed by means of the two stage (DC) DC sputtering principle. DC (DC) sputtering is the simplest, reliable and economical coating technology, and is the foundation of many manufacturers.In addition to its usual basic structure, SD-160 is characterized by the configuration of a sample splash, a vacuum display table, a sputtering current indicator, a sputtering current adjustment controller, a miniature vacuum valve, and a timer. It is easy to control the vacuum chamber pressure, ionization current and choose the required ionization gas when working in conjunction with the internal automatic control circuit, so as to achieve the best coating effect. Specially designed bell ring rubber seal ring,It is guaranteed that the long term use of glass clocks, which will not affect the vacuum of the sample sputter room, is "disintegrating" the ceramic sealing high pressure head is more durable than the usual rubber seal. According to the ionization characteristics of the gas in the electric field, the large volume sample sputtering chamber and the corresponding area sputtering target are used to make the sputtering coating more uniform and clean.In addition, SD-160 uses high stability, high sensitivity solenoid valve and dual gas automatic control system. It is easier to protect the sample and guarantee the quality of film forming. It is especially suitable for SEM sample preparation in electron microscope laboratory and electrode preparation for new material research.High qualitative jump vacuum pump"溅射气体溅射靶材溅射电流溅射速率样品仓尺寸样品台尺寸工作电压根据实验目的可添加氩气，氮气等多种气体。标配靶材为金靶，厚度为50mm*0.1mm。也可根据实际情况配备银靶、铂靶等。最大电流50mA,最大工作电流30mA优于4nm/min直径160mm，高120mm样品台尺寸可安装直径50mm和直径70mm的样品台，也可根据自身要求定制样品台220V(可做110V),50HZ 需要镀膜的样品 电子束敏感的样品非导电的样品新材料主要包括生物样品，塑料样品等。S EM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；由于样品不导电，其表面带有“电子陷阱”，这种表面上的电子积累被称为“充电”。为了消除荷电效应，可在样品表面镀一层金属导电层，镀层作为一个导电通道，将充电电子从材料表面转移走，消除荷电效应。在扫描电镜成像时，溅射材料增加信噪比，从而获得更好的成像质量。非导电材料实验电极制作观察导电特性

KRI 考夫曼离子源 eH 200,系列离子源结合是圆柱式及线性配置的离子枪 (ion source), 这些配置可以整合至多种真空工艺平台, 包含镀膜机, 传送腔体, 卷绕式镀膜机, 磁控溅射机, 连续式镀膜机, 我们提供一套完整的方案包含离子源 (ion source), 电子中和器, 电源供应器（Compact Power Supply）, 流量控制器 (MFC), 等等KRI Ion Source eH 系列离子源 应用eH 系列离子源是应用在标准或新型材料工艺, eH 系列产品科技可以在指定能量, 化学反应, 电流密度及投射轨道来产生及控制离子, 由于提供原子等级的细微加工能力, eH 离子源可以有效地以奈米精度来处理薄膜 (thin films) 及表面, 无论是本身密度的浓缩, 应力控制, 光学传输（photonics）, 纯净度, 阻抗, 平滑介面, 附着力改善等等,KRI 霍尔离子源主要应用?离子辅助镀(IBAD)?In-Situ Substrate Preclean (PC)?Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)?Direct Deposition (DD)?离子刻蚀 (IBE).光学镀膜一般应用如下:1. 离子辅助镀膜及电子枪蒸镀2. 线上式磁控溅射及蒸镀设备预清洗3. 表面处理4. 表面硬化层镀膜5. 磁控溅射辅助镀膜6. 离子刻蚀 (ion etching)7. 偏压离子束磁控溅射镀膜KRI Ion Source eH 系列离子源技术参数:ModeleH 200, eH 200 LEHOCathode / NeutralizerYesAnode moduleYesProcess gasesInert, reactive, organicPower controllereH Plasma Power Pack 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请登录我们网站或与市场部罗女士联系。伯东版权所有, 翻拷必究!

系统配置：■赛默飞IRISIntrepidIIXDL电感耦合等离子体发射光谱仪ICP-OES这台仪器状况良好，已经在SpectraLabScientific进行了测试。所有套件和组件均包含90天保修。仪器实物图：仪器简介：新一代Intrepid全谱直读等离子体发射光谱仪扩展并增强了ThermoElementalIRIS系列业已验证的性能。新的Intrepid拓宽了波长范围，

真空离子溅射仪为扫描电镜用户在制样过程中提供了更广泛的选择，以便适用支持扫描电子显微镜所需的涂层要求。在结构设计秉承人体工学设计理念设计,紧凑及经典的外观设计和更小的桌面占用面积为您大大节约了实验室空间.人机界面方面更加注重人性，简单智能,触摸屏,一键控制。 对于S E M样品常规适用黄金溅射，G V C - 1 0 0 0提供了一个低成本的解决方案，同时可以通过更换不同的靶材（金、铂、铱、银、铜等），以达到更细颗粒的涂层。同时通过智能的人机界面精确、简单、方便控制仪器，同时具有估算镀层厚度，实时显示真空度，溅射电流。设定溅射时间。以及靶材的剩余情况G V C - 1 0 0 0是专用于扫描电镜（S E M）的样品喷金仪器,能够极为有效的提供样品的导电性及导热性,确保恒沉积速率,减少等离子体对样品的热影响和离子轰击损伤.显著提供扫描电镜观测结果.

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准大口径射频离子源 RFICP 380 上海伯东美国 KRi 大口径射频离子源 RFICP 380, 3层栅极设计, 栅极口径 38cm, 提供离子动能 100-1200eV 宽束离子束, 最大离子束流 1000mA, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用. 广泛 应用于离子束刻蚀机.KRi 射频离子源 RFICP 380 特性1. 放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长. 2kW & 1.8 MHz, 射频自动匹配2. 离子源结构模块化设计3. 离子光学, 自对准技术, 准直光束设计, 自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行4. 全自动控制器5. 离子束动能 100-1200eV 6. 栅极口径 38cm, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用射频离子源 RFICP 380 技术规格:阳极电感耦合等离子体2kW & 1.8 MHz射频自动匹配最大阳极功率1kW最大离子束流 1000mA电压范围100-1500V离子束动能100-1200eV气体Ar, O2, N2,其他流量5-50sccm压力 0.5mTorr离子光学, 自对准OptiBeamTM离子束栅极38cm Φ栅极材质钼离子束流形状平行,聚焦,散射中和器LFN 2000高度38.1 cm直径58.2 cm锁紧安装法兰12”CF射频离子源 RFICP 380 基本尺寸: 上海伯东美国考夫曼 KRI 大口径射频离子源 RFICP 220, RFICP 380 成功应用于 12英寸和 8英寸磁存储器刻蚀机, 8英寸量产型金属刻蚀机中, 实现 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蚀工艺, 适用于 IC, 微电子,光电子, MEMS 等领域.作为蚀刻机的核心部件, KRI 射频离子源提供大尺寸, 高能量, 低浓度的离子束, 接受客户定制, 单次工艺时间更长, 满足各种材料刻蚀需求!若您需要进一步的了解 KRi 射频离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

ETD-2000 型离子溅射仪外观沉稳大气，采用真空自动控制和真空保护电路，使操作和应用更加安全可靠。为扩大应用领域，可同时手动调整溅射仪的电离电流或手动调整其真空微调针阀，改变电离室的压强，获得最佳的喷镀效果。独特的真空橡胶压边密封结构，保证长期使用不会使钟罩边缘出现毛边而影响真空室中的真空度，陶瓷密封高压插头经久耐用。 工作时结合内部自动控制电路很容易控制真空室压强、电离电流及选择所需的电离气体，获得最佳镀膜效果。 ETD-2000型是一款最常用的离子溅射仪，是一切溅射仪的基础。是以金属靶材和样品台分别作为阴阳两极，在真空状态下产生辉光放电，使金原子与残存的气体不断碰撞而沉积成薄膜。可以使用Au，Pt，Cr、Al、Cu等靶材。 具有成膜均匀，操作简单，所需时间短，过程可控等优点。 配有高位定性真空泵 参数：主机规格：305mm×365mm×325mm（W×D×H）靶（上部电极）：金：50mm×0.1mm（D×H）靶材：Au（标配），也可根据实际情况配备银靶、铂靶等样品室：硼硅酸盐玻璃160mm×120mm（D×H）靶材尺寸：Ф50mm 真空指示表： 最高真空度：≤ 4X10-2 mbar离子电流表： 最大电流：50mA定时器： 最长时间：3600s微型真空气阀：可连接φ3mm软管可通入气体： 多种最高电压： -1600 DCV 输入电压：220V(可做110V),50HZ机械泵：标准配置2L/S（国产VRD-8） 特点：1、简单、经济、可靠。2、可调节溅射电流和真空室压强以控制镀膜的速率和颗粒的大小。4、真空保护可避免真空过低造成设备短路。5、同时可以通过更换不同的靶材（金、铂、铱、银、铜等），以达到更细颗粒的涂层。6、通过通入不同的惰性气体以达到更纯净的涂层。7、数字计时器定时自由方便。8、计时器可随时停止，观察样品涂层，并可继续工作。9、可调节样品台，适用于多种样品。需要镀膜的样品1、电子束敏感的样品:主要包括生物样品，塑料样品等。S EM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；2、非导电的样品:由于样品不导电，其表 面带有“电子陷阱”， 这种表面上的电子积累 被称为“充电”。为了 消除荷电效应，可在样 品表面镀一层金属导电 层，镀层作为一个导电 通道，将充电电子从材 料表面转移走，消除荷 电效应。在扫描电镜成 像时，溅射材料增加信 噪比，从而获得更好的成像质量。3、新材料:非导电材料和半导体材料

价格货期电议KRI 考夫曼离子源 KDC 100上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 100 中型规格栅极离子源, 广泛加装在薄膜沉积大批量生产设备中, 考夫曼离子源 KDC 100 采用双阴极灯丝和自对准栅极, 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 400 mA.KRI 考夫曼离子源 KDC 100 技术参数：型号KDC 100供电DC magnetic confinement - 阴极灯丝2 - 阳极电压0-100V DC电子束OptiBeam&trade - 栅极专用, 自对准 -栅极直径12 cm中和器灯丝电源控制KSC 1212配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 - 安装移动或快速法兰 - 高度9.25' - 直径7.6' - 离子束聚焦平行散设 -加工材料金属电介质半导体 -工艺气体惰性活性混合 -安装距离8-36” - 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架KRI 考夫曼离子源 KDC 100 应用领域： 溅镀和蒸发镀膜 PC辅助镀膜(光学镀膜)IBAD表面改性, 激活 SM离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

上市时间：2019年10月SPECTROGREEN ICP-OES采用全新研发的DSOI技术，该技术将传统径向系统的灵敏度推高了数倍，非常适合环境及农业等样品的检测，同时适用于消费品安全、药品、石化产品、高盐、金属、化学品和食品等行业。 全新的垂直同步双观测（DSOI）技术，使传统的径向等离子体观测仪器的灵敏度提高了数倍。 • 新推出的GigE读出系统，能够在不到100毫秒的时间内收集、传输光谱及数据，从而加快分析速度，缩短了样品切换的时间，使单位时间内的样品分析数量大大增加。 • 极为灵敏及响应快速的LDMOS发生器，不需要外部冷却：具有分析高重的复杂基体的能力 -- 而无需稀释样品 – 仪器开机速度快（约10分钟）-- 生产率高 • 新的New SPECTRO ICP Analyzer Pro 操作软件采用了简单直观的界面，易于使用 SPECTRO公司新研发的垂直同步双观测DSOI光学系统，为提升ICP-OES的灵密度提供了一种全新解决方案。采用该技术解决了等离子体观测的核心问题。该技术采用全新的视角观测并记录垂直燃烧的等离子体所产生的信号，使用两个光学接口，并用一个增强反射镜来捕获等离子体两侧发出的光，以增加灵敏度，巧妙地解决了困扰垂直炬焰双观测所存在的干扰等诸多问题。因此，DSOI提供的灵敏度是传统径向观测仪器的数倍，同时简单明了地解决了传统垂直双观测所存在的模式复杂、使用成本高等问题。产品简介全新的垂直同步双观测（DSOI）技术，使传统的径向等离子体观测仪器的灵敏度提高了数倍。新推出的GigE读出系统，能够在不到100毫秒的时间内收集、传输光谱及数据，从而加快分析速度，缩短了样品切换的时间，使单位时间内的样品分析数量大大增加。极为灵敏及响应快速的LDMOS发生器，不需要外部冷却：具有分析高重的复杂基体的能力 -- 而无需稀释样品 – 仪器开机速度快（约10分钟）-- 生产率高新的New SPECTRO ICP Analyzer Pro 操作软件采用了简单直观的界面，易于使用 SPECTRO公司新研发的垂直同步双观测DSOI光学系统，为提升ICP-OES的灵密度提供了一种全新解决方案。采用该技术解决了等离子体观测的核心问题。该技术采用全新的视角观测并记录垂直燃烧的等离子体所产生的信号，使用两个光学接口，并用一个增强反射镜来捕获等离子体两侧发出的光，以增加灵敏度，巧妙地解决了困扰垂直炬焰双观测所存在的干扰等诸多问题。因此，DSOI提供的灵敏度是传统径向观测仪器的数倍，同时简单明了地解决了传统垂直双观测所存在的模式复杂、使用成本高等问题。SPECTROGREEN在分析挑战性的高重基体中的痕量元素方面具有显著优势，这类样品包括黑色及有色、石油及化工、污水及废水、土壤及淤泥、高盐和金属等。同时SPECTROGREEN光谱仪是环境、农学、医药、食品、及日用品安全等常规分析的理想选择。 SPECTROGREEN的推出得益于德国斯派克分析仪器公司40年的仪器研发制造及服务经验，集多年电感耦合等离子发射光谱（ICP-OES、ICP-AES及ICP等离子体）技术之大成。SPECTROGREEN ICP-OES光谱仪预制了斯派克公司专有的ICP ANALYZER PRO software软件，简洁直观，易于操作，分析效率高。德国斯派克分析仪器公司生产的其他型号的ICP-OES包括：SPECTRO GENESIS, SPECTROBLUE及 SPECTRO ARCOS

GVC-2000P磁控离子溅射仪采用平面磁控溅射靶头进行靶材溅射，以确保工作过程样品不会发生热损伤；采用ARM作为处理器，全自主知识产权，扩展性好，可选配。一.GVC-2000P磁控离子溅射仪（镀金仪）主要特点1、一键操作，具备工作完成提示音；2、镀膜颗粒小，无热损伤；3、靶材更换非常简单；4、特殊密封结构，玻璃不易损坏；5、内置操作向导，无需培训即可熟练操作；二、GVC-2000P磁控离子溅射仪（镀金仪）技术参数外形尺寸420（L）×330（D）×335（H）溅射靶头平面磁控靶可用靶材Au、Pt、Ag、Cu等靶材尺寸φ57×0.12mm真空室高硅硼玻璃 ~φ200×130mm工作介质空气或氩气样品台φ125mm样品台转速4-20rpm可调真空泵旋片泵（可选配干泵）抽速1.1L/s真空测量皮拉尼式真空规管工作真空4-20Pa极限真空≤1Pa工作电流0-100mA连续可调显示屏7英寸 800×480 彩色触摸屏工作时间1-999s连续可调进气自动放气自动金颗粒尺寸（硅片喷金）电池隔膜10万倍（喷铂）三、GVC-2000P磁控离子溅射仪技术方案1、采用平面磁控溅射靶头进行靶材溅射，以确保工作过程样品不会发生热损伤；2、采用ARM作为处理器，全自主知识产权，扩展性好，可选配：（1）膜厚监控组件：可预设期望镀膜厚度，在工作过程中精确控制镀膜厚度；（2）样品台加热组件：可通过加热提高膜层的致密性以及与基地的结合力。3、7英寸触摸式液晶显示屏，分辨率为800×480，全数字显示。3.1）可设定：（1）溅射电流；（2）溅射时间；（3）靶材种类；（4）工作真空度；（5）工作气体；（6）屏幕亮度等参数；3.2）可显示：（1）溅射电流；（2）溅射剩余时间；（3）工作真空度；（4）靶材累计使用时间；（5）设备累计使用时间等参数。4、溅射电流：2-100mA连续可调，最小步长为1mA；5、溅射时长：1-999s连续可调，最小步长为1s 6.溅射真空：4-20Pa连续可调，最小步长为0.1Pa 7、溅射靶材：标配为高纯铂靶（纯度4N9），规格为φ57×0.12mm；也可使用金、银、铜、金钯合金等金属作为溅射靶材；8、真空室：采用高透光性的高硅硼玻璃，尺寸约为φ200×130mm；9、样品台：可自转的不锈钢样品台，直径为φ125mm，转速4-20rpm可调；10、靶材参数：系统提供金、铂、银、铜对于空气和氩气的工作参数，可直接使用。同时提供4种自定义靶材，用户可根据自己需求设定工作参数；11、预溅射：具有全自动控制的预溅射挡板，确保工作过程稳定可靠；12、一键操作：系统可自动完成抽气、充气、参数调整、预溅射、溅射镀膜等工作过程；溅射完成后，关闭真空泵，系统自动充气使真空室内外压力平衡；13、具备溅射电流和真空度双重互锁，安全可靠，任一条件触发，系统即可停止工作，防止因为误操作导致设备损坏；14、系统采用皮拉尼真空规作为真空测量元件；15、极限真空优于1Pa，真空泵抽速为1.1L/s；16、具备实时曲线显示溅射电流和真空度功能非常方便用户了解系统工作状态；17、采用独特的靶材更换结构，无需任何工具，即可实现快速更换靶材；18、仪器供电：AC220±10%V，额定功率500W、

RBD 仪器提供各种溅射离子枪，用于样品清洁和深度剖析。无论何种应用，RBD 都能以最低的价格提供最高的性能。溅射速率标准也可从RBD获得。IG2 2kV backfill 离子源RBD的低成本溅射离子源封装IG2是在UHV条件下溅射清洗样品的理想解决方案。IG2离子源套件由 04-165 型 2 kV 回填离子源和 32-165 型离子源控制组成。这些装置可分别与 PHI 04-161 和 04-162 离子源以及 PHI 20-045 对照互换。 3kV离子源RBD提供3 kV离子源溅射，包括电子放电源、电源和电缆。3 kV 离子源设计工作电压低至 100 eV，提供 10 mm 的大光斑尺寸，与所有惰性气体兼容，不需要差分泵抽气。该套件包括离子源、电子控制单元、采样电流计、电缆、操作手册和备用灯丝组件。 高性能离子源和控制器1401 型离子枪非常适合用于表面化学实验，例如使用俄歇和 XPS 进行样品制备和深度剖析。它可以与大多数惰性气体一起使用。1402 型离子枪在非常低的光束能量下具有高光束电流。 它也可以在远光灯能量（高达 3 keV）下运行，以提供额外的深度剖析和样品清洁能力1407 型离子枪在电子冲击电离离子枪中具有双等离子体性能。通过光学柱中的可变孔径，可以获得广泛的光束电流和光斑尺寸。在5 keV的光束能量下，光束电流可以从2 uA调节到直径为20 um的光斑，从20 uA调节到直径为100 um的光斑。

离子源，应用于FEI（赛默飞）的聚焦离子束设备。液态镓离子源 寿命大于1000小时 发射电流 2.0uA821 6845离子源168821 7150离子源171两种离子源适用机型不同需要根据客户使用机器的具体型号来配置，大束科技自主研发离子源发射电流2.0uA，使用寿命大于1000小时。大束科技成立于2018年，是一家以自主技术驱动的电子显微镜核心配件研发制造商及配套服务商。 目前公司主要生产电子显微镜的核心配件离子源、电子源以及配套耗材抑制极、拔出极、光阑等销往国内外市场，此外，还为用户提供定制化电子显微镜以及电子枪系统等的维修服务，以及其他技术服务和产品升级等一站式、全方位的支持。在场发射电子源（电子显微镜灯丝）、离子源以及电镜上的高低压电源、电镜控制系统研发制造等领域等均具有优势。大束科技致力于成为电子显微镜行业上游配件的研发制造供应商；未来将在满足本土市场的同时，进军国际高端电子显微镜市场。

价格货期电议上海伯东美国 KRI 射频离子源成功应用于 LED-DBR 离子辅助镀膜市场. 随着对镀膜品质要求的不断提升, 使用霍尔离子源辅助镀膜已经无法满足高端镀膜应用市场, 国内某知名 LED 制造商经过我司推荐采用射频离子源 RFICP 325 安装在 DBR 生产设备 1650 mm 蒸镀机中. 成功实现高端光学镜头镀膜并通过脱膜测试!上海伯东射频离子源客户案例: 国内某知名 LED 制造商1. 离子源应用: LED-DBR 镀膜生产2. 系统功能: 1650 mm 尺寸电子枪蒸镀镀膜机.3. 离子源: 采用美国 KRI 射频离子源 RFICP 325. 离子源 RFICP 325 提供的离子束 (不论是离子能量还是离子密度) 均是目前业界较高等级, 离子源 RFICP 325 特殊的栅极设计 E22 Grided 可以涵盖 1650 mm 尺寸的蒸镀机中大范围的载具 substrate holder, 无论是生产良率或是均匀性都可达到最高生产效能.4. 离子源功能: 通过射频离子源 RFICP 325 实现离子辅助镀膜 IBAD 及预清洁 Pre-clean 功能后, 所生产出的 LED-DBR 无论是亮度测试, 脱膜测试, 顶针测试, 光学特性等等… 都优于目前一般业界蒸镀机所搭配的离子源.上海伯东射频离子源安装案例: KRI RFICP 325 射频离子源安装于 1650 mm 尺寸电子枪蒸镀镀膜机.KRI 射频离子源测试案例: LED-DBR 脱膜测试.1. 在高倍显微镜下检视脱膜测试2. 测试结果--------- 使用其他品牌离子源--- ---- 使用美国考夫曼 KRI RFICP 325 离子源 ----------------------从上图可以清楚看出, 使用其他品牌离子源, 样品存在崩边的问题 使用上海伯东美国考夫曼离子源, 样品无崩边 上海伯东美国射频离子源 KRI RFICP 325 优点:高离子浓度, 高离子能量, 离子束涵盖面积广 镀膜均匀性佳, 提高镀膜品质 模块化设计, 保养快速方便 增加薄膜附着性, 增加光学膜后折射率 全自动控制设计, 操作简易 低耗材成本, 安装简易 上海伯东是美国考夫曼离子源 Kaufman & Robinson, Inc 中国总代理. 美国考夫曼公司离子源已广泛应用于离子溅射镀膜 IBSD. 考夫曼离子源可控制离子的强度及浓度, 使溅射时靶材被轰击出具有中和性材料分子而获得高致密, 高质量之薄膜. 考夫曼离子源可依客户溅射工艺条件选择 RFICP 射频电源式考夫曼离子源或是 KDC 直流电原式考夫曼离子源.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请查看官网或咨询叶女士

新一代高精度低温铯离子源FIB系统运用曾获诺贝尔奖的激光冷却技术，zeroK Nanotech公司于2020年推出了基于低温铯离子源（Cs+ LoTIS）的新一代高性能聚焦离子束系统——FIB: ZERO（Cs+ LoTIS）和相应的离子源升配件——FIB：RETRO。zeroK Nanotech公司采用的低温技术可以减少离子束中的随机运动，从而使FIB：ZERO中的离子束斑与传统离子源产生的束斑相比具有更高的亮度，更小的尺寸和更低的能量散失。同时，还可以产生更多的二次离子，获得更清晰的成像。一系列测试表明，新一代的FIB: ZERO（Cs+ LoTIS）与传统的液态金属镓离子源(Ga+ LMIS) FIB 系统相比拥有更高的微纳加工精度，更清晰的成像对比度和景深。其加工速度与传统FIB基本一致，在低离子束流能量条件下有着更优异的表现。与氦（He+），氖（Ne+）离子源FIB相比，FIB: ZERO拥有高一个数量的加工速度和对样品更少的加工损伤。应用领域◎ 纳米精细加工◎ 芯片线路修改和失效分析◎ 微纳机电器件制备◎ 材料微损伤磨削加工◎ 微损伤透射电镜制样设备特点更高的亮度：低温Cs+离子使FIB: ZERO（Cs+ LoTIS）与传统FIB (Ga+ LMIS)相比具有更高的亮度，配合其全新的高对比度大景深成像系统，对样品的观察范围更大、更清晰。更小的离子束斑尺寸：FIB: ZERO（Cs+ LoTIS）系统小分辨率可达2 nm，提供了比传统的FIB (Ga+ LMIS)更高的加工精度。更小的能量散失：可达10 nA以上的离子束电流，保证了低能量离子束条件下的优 秀表现。设备型号FIB:ZERO聚焦离子束采用Cs+低温离子源（LoTIS）的聚焦离子束 FIB：ZERO系统以较低的束能量提供较小的聚焦点尺寸，并提供多种束电流。它是当今基于Ga+，He+或Ne+的FIB的下一代替代产品。FIB:ZERO是采用新型高性能Cs+离子源的聚焦离子束系统。与 Ga+系统相比，即使在较低的光束能量下，它也可以提供更好的分辨率。与He+或Ne+系统相比，它的铣削速率高一个数量，并且减少了样品损伤。FIB:ZERO还可提供可更高的对比和更高的二次离子产率。FIB:ZERO应用领域：◎ 高分辨率溅射◎ 二次电子或离子成像◎ 气体驱动的沉积和去除◎ 电路编辑 FIB:ZERO主要参数◎ Cs+离子束在10 keV下具有2 nm分辨率◎ 1 pA至10+ nA束电流◎ 2 keV至18 keV的束能量◎ 兼容大多数附件动态SIMS与同类产品相比，采用Cs+低温离子源（LoTIS） 的SIMS：ZERO聚焦电子束SIMS平台，可向同一个点提供100倍的电流，从而能够以更高的分辨率分析更大的样本。 SIMS：ZERO产品特点：◎ 具有纳米分辨率的Cs +离子束◎ 10+ nA束电流（Cs +）◎ 功能齐全的FIB系统◎ 高分辨率的SIMS SIMS：ZERO技术优势：◎ 无需薄片即可获得类似EDX的光谱◎ 收集SIMS数据的速度提高100倍◎ 控制SIMS的纳米加工过程测试数据微纳加工对比加工均匀性对比左图为用FIB (Ga+ LMIS)系统从硅基底上去除150nm厚金膜的结果，右侧为ZeroK nanotech的FIB: ZERO （Cs+ LoTIS）在相同时间内去除金膜的结果。 加工精度对比左侧图为Ga+离子源FIB加工结果, 右侧图为ZeroK Nanotech FIB: ZERO在相同时间内加工的结果。加工速度对比在10 kV下 Cs+离子束磨削速度比30kV下的Ga+离子束慢15%，比10kV下的Ne+离子束的磨削速度高90%。 加工损伤范围对比SRIM（The Stop and Range of Ions in Matter）模拟离子束在加工硅的过程中对材料的影响范围，图从左至右分别为Ne+10KV, Ga+30KV, Cs+10KV。从图可以看出，Cs+离子源对被加工材料的损伤范围小。成像效果对比景深成像对比左图为Ga+离子源FIB系统对120μm高的样品成像结果，右图为ZeroK Nanotech FIB：ZERO对同一样品的成像结果。成像对比度比较左图为Ga+离子源FIB对GaAs/AlGaAs/GaAs层状结构的成像结果，右图为ZeroK Nanotech FIB：ZERO对同一样品的成像结果。成像清晰度比较左图为Ga+离子源FIB系统对芯片横截面的成像结果，右图为ZeroK Nanotech FIB：ZERO对同一截面的成像结果。发表文章1. Steele, A. V., A. Schwarzkopf, J. J. McClelland and B. Knuffman (2017). "High-brightness Cs focused ion beam from a cold-atomic-beam ion source." Nano Futures 1: 015005.2. Knuffman, B., A. V. Steele and J. J. Mcclelland (2013). "Cold atomic beam ion source for focused ion beam applications." Journal of Applied Physics 114(4): 191.用户单位TU Kaiserslautern

射频感应耦合 等离子源 电离层环境模拟器| 介绍低温氩气源（LTA）是一种紧凑的一种等离子设备，设计用于在发射之前进行空间等离子体物理研究或对空间硬件进行测试。它可以人为地模拟较高的电离层条件，这意味着它可以以非常低的电子温度（0.5 eV），低离子能量（比等离子推进器低两个数量级）和相对较高的电子密度产生等离子流。 （?10 11 m -3）。该流的速度也与在轨道上遇到的离子流（?8 km / s）相似。| 应用电离层模拟研究ThrustMe的离子源和等离子体诊断工具可帮助研究人员在地面上进行电离层研究。LTA可以模拟类似于高层大气中的粒子环境，从而为研究人员提供了进行实验的机会，而这种实验对于使用ThrustMe的等离子体诊断技术发送到太空或校准自己的探头和传感器而言过于昂贵。测试您的太空硬件再现高空电离环境可以使卫星集成商和子系统制造商在发射前测试其太空硬件。在系统级别，ThrustMe的LTA可用于研究卫星的充电并预测飞行过程中可能出现的任何问题。在子系统级别，在地面上重现电离层可以为天线制造商提供机会来研究其天线在不同高度或不同太阳活动水平下的信号传播。太空环境测量ThrustMe的MD-1探针是前所未有的小.绝.对电子密度探针。它很小的3x50mm尺寸几乎可以安装在任何小型卫星上。将此探针用于高层大气和太空天气研究目的。

多功能离子减薄仪EM RES102Leica EM RES102 通过离子枪激发获得离子束，以一定入射角度对样品进行轰击，以去除样品表面原子，从而实现对样品的离子束加工。Leica EM RES102主要功能为：对无机薄片样品进行离子减薄，使得薄片样品可被透射电子穿过，从而适宜TEM透射电子显微镜观察；对无机块状样品进行离子束抛光、离子束刻蚀，样品表面离子清洗及斜坡切割，便于SEM扫描电子显微镜观察样品内部结构信息。* 具有2把离子枪，离子束能量为0.8keV-10keV，相对位置，可分别±45°倾斜，样品台倾斜角度-120°至 210°，离子束加工角度0°至90°，样品平面摆动角度360°， 垂直摆动距离±5mm。实际操作参数根据具体应用需要选择（系统备有参考参数，也可自行设置参数并存储）* 可选配样品台：TEM样品台（?3.0mm或?2.3mm），FIB样品清洗台，SEM样品台，斜坡切割样品台（对样品35°或90°斜坡切割）等* SEM样品台可容纳最大样品尺寸：直径25mm，高度12mm* 全无油真空系统，样品室带有预抽室，保证样品交换时间1分钟* 全电脑控制，触摸屏操作界面，内置视频观察系统，可实时观察样品处理过程