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半导体晶片温度控制是目前针对半导体行业所推出的控温设备,无锡冠亚半导体晶片温度控制采用全密闭循环系统进行制冷加热,制冷加热的温度不同,型号也是不同,同时,在选择的时候,也需要注意制冷原理。 半导体晶片温度控制制冷系统运行中是使用某种工质的状态转变,从较低温度的热源汲取必需的热量Q0,通过一个消费功W的积蓄过程,向较热带度的热源发出热量Qk。在这一过程中,由能量守恒取 Qk=Q0 + W。为了实现半导体晶片温度控制能量迁移,之初强制有使制冷剂能达到比低温环境介质更低的温度的过程,并连续不断地从被冷却物体汲取热量,在制冷技巧的界线内,实现这一过程有下述几种根基步骤:相变制冷:使用液体在低温下的蒸发过程或固体在低温下的消溶或升华过程向被冷却物体汲取热量。平常空调器都是这种制冷步骤。气体膨胀制冷:高压气体经绝热膨胀后可达到较低的温度,令低压气体复热可以制冷。气体涡流制冷:高压气体通过涡流管膨胀后可以分别为热、冷两股气流,使用凉气流的复热过程可以制冷。热电制冷:令直流电通过半导体热电堆,可以在一端发生冷效应,在另一端发生热效应。 半导体晶片温度控制在运行过程中,高温时没有导热介质蒸发出来,而且不需要加压的情况下就可以实现-80~190度、-70~220度、-88~170度、-55~250度、-30~300度连续控温。半导体晶片温度控制的原理和功能对使用人员来说有诸多优势: 因为只有膨胀腔体内的导热介质才和空气中的氧气接触(而且膨胀箱的温度在常温到60度之间),可以达到降低导热介质被氧化和吸收空气中水分的风险。 半导体晶片温度控制中制冷原理上如上所示,用户在操作半导体晶片温度控制的时候,需要注意其制冷的原理,在了解之后更好的运行半导体晶片温度控制。
温度快速变化试验箱制冷系统进行排污的目的在于淸除制冷系统中的污物,以免系统中的污物进入压缩机和节流阀。排污方式如下: 1、温度快速变化试验箱制冷系统的设备管道在运行前都必须进行排污,以清除安装过程中残留在系统内的焊渣,铁屑,沙粒等污物。防止污物损伤制冷机的部件和系统中的阀门,避免系统管道阻塞。 2、氨制冷系统排污时,可用空压机或氨制冷机提供压缩空气,压缩空气的压力一般不超过0.6MPa。排污口应设置在管道的最低处,排污工作可分组,分段分层进行。 3、温度快速变化试验箱制冷系统排污一般不少于3次,直到排出气体不带水蒸气,油污和铁锈等杂物。 4、为了有效的利用压缩气体的爆发力和高速气流,可在排污口上装个阀门,待系统内压力升高时快速打开阀门,使气体迅速排出,带出污物。 5、实践中也可用木塞堵住排污口,当系统有一定压力时,将木塞拔掉,使空气迅速排出,这种方法很好。但存在一定危险,操作时务必小心,注意安全。 6、氟利昂系统的排污也在系统安装完后进行,使用0.6MPa的氮气进行分段吹污。排污的方法和检验和氨系统相同,氟利昂系统排污和试压时不能使用压缩空气,压缩空气中含有水蒸气,若残留在氟利昂系统内,将引起氟利昂系统的冰堵或冰塞现象。 7、在排污过程中,如发现管路法兰阀门有明显泄漏,应及时补救。系统排污结束后,应将系统所有阀门的阀芯和过滤器拆卸清洗。 本文出自北京雅士林试验设备有限公司 转载请注明出处
温度冲击试验箱制冷系统的选择主要是压缩机与蒸发器的选用。 制冷系统是温度冲击试验箱的核心部件之一,主要由压缩系统、冷凝系统、蒸发系统和调节阀四大部份组成,另外还有风扇、导管和仪表等辅件。整个制冷系统是一个密封的循环回路,制冷剂在该密封系统中循环,根据需要控制供应量和进入蒸发器的次数,以获得适宜的低温条件。压缩机是温度冲击试验箱制冷系统的心脏,它推动制冷剂在系统中循环。冷凝器的作用是排除压缩后的气态制冷剂中的热量,使其凝结成液态制冷剂;冷凝器的冷却方式有空气冷却、水冷却、空气与水相结合三种,空气冷却只限于小型环境试验箱制冷设备中应用。蒸发器的作用是向温度冲击试验箱内提供冷量,蒸发器安装在试验箱内,利用鼓风机将冷却的空气吹向试验箱内的各个部位,大型温度冲击试验箱常用风道连接蒸发器,延长送风距离,使温度下降更加均匀。