电沉积釜

RWD-02电沉积仪产品特征:具有散热性好的风扇冷 却系统，避免电解过程中样品湿度过高人体工程学设计，可快速装载样品抗腐蚀性强电*可更换精*的电流调节控制 技术参数:分 解路数：二路电*：铂盘电*，螺纹接口电解电流：稳流，*大5 A电*旋转：可调节旋转速度，速度稳定性好，旋转速度可在屏幕上显示冷 却系统：大流量风扇冷 却桅杆：可调节高度的电*夹重量：8kg

EP-4电沉积仪产品特征:可单路（EP-1），2路（EP-2），4路（EP-4），8路（ EP-8），12路（EP-12）多重选择制样更薄,显著提高的效率和分辨率。有 效降低系统MDA采用高纯铂金丝作为电镀柱。经久耐用样品瓶采用聚乙烯材料制作，不易污染,可重复使用样品大小可选，3/4 in和1 in直径可选。也可按照用户需要定制

台式三维原子层沉积系统ALD原子层沉积（Atomic layer deposition, ALD）是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器，化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法，是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此，它是一种真正的纳米技术，以控制方式实现纳米的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性，因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。 美国ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列台式 ALD系统，在小巧的机身（78 x56 x28 cm）中集成了原子层沉积所需的所有功能，可多容纳9片8英寸基片同时沉积。GEMStar XT全系配备热壁，结合前驱体瓶加热，管路加热，横向喷头等设计， 使温度均匀性高达99.9%，气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在 8英寸基体上膜厚的不均匀性小于1%，而且更适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖，可实现对高达1500：1长径比微纳深孔内部的均匀沉积。GEMStar XT 产品特点：■ 300℃ 铝合金热壁，对流式温度控制■ 175℃ 温控150ml前驱体瓶，200℃ 控输运支管■ 可容纳多片4，6，8英寸样品同时沉积■ 可容纳1.25英寸/32mm厚度的基体■ 标准CF-40接口■ 可安装原位测量或粉末沉积模块等选件■ 等离子体辅助ALD插件■ 多种配件可供选择GEMStar XT 产品型号：GEMStar -4 XT：■ 大4英寸/100 mm基片沉积■ 单路前驱体输运支管， 4路前驱体瓶接口■ 不可升为等离子体增强ALDGEMStar -6/8 XT：■ 大6英寸(150mm)/8英寸(200mm)基片沉积■ 双路前驱体输运支管， 8路前驱体瓶和CF-40接口■ 可升为等离子体增强ALDGEMStar -8 XT-P：■ 大8英寸/200mm基片沉积■ 双路前驱体输运支管， 8路前驱体瓶和CF-40接口■ 装备高性能ICP等离子发生器13.56 MHz 的等离子源非常紧凑，只需风冷，高运行功率达300W。■ 标配３组气流质量控制计（MFC）控制的等离子气源线，和一条MFC控制的运载气体线，使难以沉积的氧化物、氮化物、金属也可以实现均匀沉积。GEMStar NanoCUBE：* 大100 mm 立方体样品 沉积* 单路前驱体输运支管， 2路前驱体瓶接口* 主要用于3D多孔材料，以及厚样品的沉积丰富配件：多样品托盘：* 多样品夹具，样品尺寸（8", 6", 4"）向下兼容。* 多基片夹具，多同时容纳9片基片。 温控热托盘：* 可加热样品托盘，高温度500℃，可实现热盘-热壁复合加热方式。粉末沉积盘： 臭氧发生器： 真空进样器（Load Lock） 晶振测厚仪 前驱体瓶： 前驱体加热套：

原子层沉积系统（Atomic Layer Deposition System，ALD)产地：美国 主要产品系列：1.ALD (传统的热原子层沉积)；2.PEALD (等离子增强原子层沉积)；3.Powder ALD (粉末样品的原子层沉积)； 仪器简介：原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），也称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源，化学吸附至表面饱和时自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。ALD的优点包括：1. 可以通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度，从而达到原子层厚度精度的薄膜；2. 由于前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜； 3. 可生成极好的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层；4. 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物；5. 薄膜生长可在低温下进行（室温到400度以下）；6. 可广泛适用于各种形状的衬底；7. 原子层沉积生长的金属氧化物薄膜可用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件，生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。 技术参数：基片尺寸：6英寸、8英寸、12英寸；加热温度：25℃—400℃（可选配更高）；均匀性： 2%；前驱体数：4路（可选配6路）；兼容性： 可兼容100级超净室；尺寸：950mm x 700mm；ALD及PE-ALD技术； 原子层沉积ALD的应用包括：1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；2) 导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；3) 金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；5) 纳米结构 (All ALD Material)；6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；8) 压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；9) 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10) 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15) 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16) 光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17) 传感器 (SnO2, Ta2O5) 18) 磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)； 目前可以沉积的材料包括：1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ... 3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...4） 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ... 5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ... 6） 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ... 7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

电动水底沉积物取样器电动水底沉积物取样器P型主要用于浅水环境沉积物取样，是一款高频率的轻便手持式沉积物取样钻机，和传统柱状手持式沉积物取样器相比，本款电动水底沉积物取样器降低了沉积物取样过程中的压缩，使得沉积物能保持原始厚度和结构。操作时使用2块蓄电池即可满足全天的取样需求。P型取样器同样可以在取样管安装独特岩心爪，以便于更有效率的在沙土环境或者软沉积物环境取样。独特的设计使得取样管能在采样后较容易的从水中脱离。顶部的浮动排气和密封系统有助于实验人员收集非常柔软的沉积物样品，并且几乎无须损失任何样品。优势：机头潜入水下取样（水深20米）锂电池动力、操作简单、携带便携、柱状样品应用领域：水域沉积物调查、河道清淤调查、湿地环境调查技术参数：动力提供：2节12伏特小型蓄电池单次取样所需时间：20秒至1分钟单次充电可取样品数量：30次以上震动频率：5,000至6,000次/分取样管长度：1至2米取样管口径：76毫米取样管管壁厚度：1.3毫米主机重量：8千克【此款设备同时承接取样项目、设备租赁】

请通过我们的联系我们！分子层沉积系统MLD (Molecular Layer Deposition)是一种高级的有机聚合物薄膜与有机无机杂化膜制备技术，可以实现每个循环沉积一个分子层，精确控制厚度，在科研和工业界有非常好的发展前景。分子层沉积系统MLD相对于传统的有机聚合物薄膜沉积工艺（旋涂，热蒸发）而言，薄膜厚度精确可控（控制循环数），厚度更均匀、阶梯覆盖率和保型性更好、重复性更可靠。分子层沉积系统MLD：通过将两种反应气体（或者蒸汽）以气体脉冲形式交替地引入反应器，依靠留在基底表面的吸附分子（如羟基或氨基）进行反应而生成薄膜。由于每次参与反应的反应物局限于化学吸附于基底表面的分子，这使得 MLD 具有自限制生长特征。分子层沉积系统MLD目前可沉积的薄膜有： 有机聚合物物薄膜：Polyimide聚酰亚胺（热解可得到碳膜），Polyurea聚脲，Polyamide（聚酰胺（尼龙66），Polyimide–amide聚酰亚胺-酰胺，Polyurethane聚氨酯，Polythiurea聚硫脲，Polyester聚酯，聚乙二醇（PEG）等。 有机无机杂化薄膜：Al、Ti、Zn、Fe 的有机-无机杂化膜… 设备沉积部分薄膜均匀性数据：材料基片大小均匀性Al-EG(HQ, alucone)6”﹤1%Ti-EG(HQ, Tincone)6”﹤1%Zn-EG(HQ, zincone)6”﹤1%聚酰胺(polyamide)6”﹤3%聚酰亚胺(Polyimide)6”﹤3%聚脲(polyurea)6”﹤3%分子层沉积系统MLD应用领域：MLD沉积的有机聚合物薄膜、有机无机杂化薄膜、有机无机纳米叠层薄膜，可以用于微电子，MEMS， 薄膜封装、生物芯片，润滑，耐磨，耐腐蚀，防静电，阻燃，耐高温 防潮，防水保护层，药片薄膜衣等领域。MLD可实现单层、亚单层、埃级别的精确厚度控制，在分子水平上控制薄膜的形成和生长，并对形貌无特殊要求，能够在平面、粒子、纤维、多孔以及复杂结构上沉积薄膜。Polyimide聚亚酰胺与Ta2O5纳米叠层的介电常数与纳米力学性能：介电常数随Ta2O5含量增加而增加。薄膜的柔软度、弹性、塑性随Polyimide聚酰亚胺的增加而增加分子层沉积系统MLD沉积聚酰亚胺，热解成炭膜Al2O3/TMA+EG纳米叠层防水层：作为气体阻挡层，比单纯的氧化铝薄膜要好，WVTR值可达0.021 g/(m2day)，而氧化铝本身值为0.037 g/(m2day)，测试条件：85 °C，相对湿度85%。PEG薄膜作为防污薄膜-用于生物芯片MLD沉积PEG薄膜，可以提供厚度精确可控，高质量，防污的薄膜，使生物芯片具有高的选择性、稳定、可产业化。技术参数：反应器尺寸：4-8 英寸反应器温度：室温~400 oC前驱体源：4-6 路液/固源，2-3 路气源 MLD可与气相色谱、固定床/高压反应釜联用MLD 可与红外光谱仪联用以上类型 MLD，均可配备实验全程控制与监测系统、尾气处理等

Anric Technologies是由哈佛大学的研究人员创立的，旨在解决台式ALD工具市场的空白，专门致力于为小样品和低预算设计和优化的。Anric 已经开发了几种新的薄膜工艺，包括最近获得专利的用于生长二氧化硅薄膜的混合ALD工艺。AT-410 设计灵感来自哈佛大学从事各种沉积工艺和设备应用时的观察。技术参数：基片尺寸：4英寸；加热温度：25℃~350℃；温度均匀性：±1℃；前体温度范围：从室温至150℃，±2℃；可选择加热套；前驱体数：一次同时可处理多达 5 个 ALD 前体源；PLC 控制系统：7英寸16 位彩色触摸屏控制；模拟压力控制器：用于快速压力检测和脉冲监测样品上载：将样品夹具从边上拉出即可；压力控制装置：压力控制范围从0.1~1.5Torr两个氧化剂/还原剂源，如水，氧气或氨气；在样品上没有大气污染物，因为在沉积区的附近或上游处无 Elestamor O 型圈出现 氧化铝催化剂处理能力：6-10 次/分钟或高达 1.2 纳米/ 分钟高纵横比沉积，具有良好的共形性曝光控制，用于在 3D 结构上实现所需的共形性；预置有经验证过的 3D 和 2D 沉积的优化配方；简单便捷的系统维护及安全联锁；目前市面上占地小，可兼容各类洁净室要求的系统；可以为非标准样品而订制的夹具，如 SEM / TEM 短截线 原子层沉积ALD的应用包括：1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；2)导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；3)金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；4)催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；5)纳米结构 (All ALD Material)；6)生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；8)压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；9)透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10)紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12)光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13)防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；14)电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15)工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16)光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17)传感器 (SnO2, Ta2O5) 18)磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)；

用于沉积纳米级薄膜、纳米粉末包覆、长深孔样品镀膜 具有Thermal-ALD、PEALD、Particle-ALD和生产型ALD 具备近100种膜层工艺。应用领域： 芯片封装、半导体High-k介电层、纳米涂层、3D涂层、锂电池、催化剂、太阳能电池、5G通讯（SAW器件）、生物医学仿生、荧光材料、OLED显示、有机材料、电子电路、光学膜等，细分及对应膜层如下： -High-K介电材料(Al2O3,HfO2,ZrO2,PrAlO,Ta2O5,La2O3) -导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN) -金属互联结构 (Cu WN,TaN,Ru,Ir) -催化材料 (Pt,Ir,Fe,Co,TiO2,V2O5) -纳米结构 (All ALD Material) -生物医学涂层 (TiN,ZrN,TiAlN,AlTiN) -金属 (Ru,Pd,Ir,Pt,Rh,Co,Cu,Fe,Ni) -压电层 (ZnO,AlN,ZnS) -透明电学导体 (ZnO:Al,ITO) -紫外阻挡层 (ZnO,TiO2) -光子晶体 (ZnO,ZnS:Mn,TiO2,Ta3N5) -防反射滤光(Al2O3,ZnS,SnO2,Ta2O5) -电致发光器件(SrS:Cu,ZnS:Mn,ZnS:Tb,SrS:Ce) -工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3,ZrO2) -光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO,SnO2,ZnO) -传感器 (SnO2,Ta2O5) -磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3,ZrO2,WS2) -OLED钝化层 (Al2O3)功能特点：-采用热法和等离子法制备原子层纳米级薄膜-一个循环周期小于2秒钟-可以沉积有机高分子材料，实现表面亲疏水性-可以在纳米粉末或纳米颗粒上沉积薄膜-可以在三维、不规则体、带有长深孔（深宽比2500：1）样品上沉积薄膜-可以沉积低饱和蒸汽压材料-可增加在线椭偏仪和QCM检测-可增加等离子体装置-可扩展臭氧产生器-可集成手套箱设备-可增加Load-lock自动上下载片装置可沉积膜层： 氧化物氮化物硫化物 金属/碲化物

原子层沉积技术原子层沉积系统：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。原子层沉积系统应用：高介电薄膜疏水涂层钝化层深硅刻蚀铜互连阻挡层薄膜微流控台阶涂层用于催化剂层的单金属涂层的燃料电池ALD-4000原子层沉积系统特点：独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统Labview软件，具备四级密码控制的用户授权保护功能安全互锁设计，强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）12”的铝质反应腔体，带有加热腔壁和气动升降顶盖最多7个50ml的加热汽缸，用于前驱体以及反应物，同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀ALD-4000原子层沉积系统选配项：NLD-4000系统的选配项包含自动L/UL上下载(用于6”基片)ICP离子源(用于等离子增强的PEALD)臭氧发生器 等等客户定制选项案例：6”晶圆片上的均匀性数据

设备规格衬底尺寸：标准尺寸：200mm Dia (8 inch）（可定制)工艺温度：温度范围：RT~500°C （可定制）前驱体路数：最大支持6路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶加热系统：可加热温度范围：RT~150℃反应物路数：支持2路反应物气路（可定制）载气：标准：N2, MFC 流量控制（可定制）压力监测：双薄膜规组合（耐腐蚀)，0.005Torr - 1000Torr本底真空度：5x10-3 Torr真空系统：标准油泵控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展操作系统：Win7 操作系统工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线与实时多任务处理操作高温加热模块：独立的源瓶加热模块，可支持RT~200℃预留模块：预留等离子体系统接口，无需更换腔体即可直接升级至等离子体系统（PEALD），实现Thermal-ALD与PEALD的双模式切换 工艺可沉积薄膜种类和应用场景包括：&bull High-K介电材料 (Al2O3, H2O, ZrO2, PrA1Q, Ta2O5, La2O3) &bull 金属互联结构 (Cu, WN, TaN, Ru, In) &bull 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2):&bull 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAIN, AlTIN) &bull 金属(Ru, Pd, Ir Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni &bull 压电层 (ZnO, AIN, ZnS) &bull 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) &bull 光子晶体(ZnO, TiO2, Ta3N5) 机架&bull 框架采用进口铝材搭建，重量轻、承载能力强，散热性好&bull 外壳采用碳钢烤漆及圆角处理，轻便美观，拆卸方便，符合人体工学&bull 显示屏360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停 控制系统&bull 控制系统采用 PLC+工控机+19 寸触摸屏方式实现，系统通过高速以太网进行通讯。&bull 采用 PLC 对设备进行实时控制，同时实现基于Windows7 操作系统的人机界面互动，支持历史数据、工艺配方、报警及日志的储存和导入导出的功能&bull 设备支持“一键沉积”功能，点击运行按键即可自动完成真空抽取、升温、材料沉积、降温等一系列步骤。实现单一或多层材料的沉积；提供独立的手动操作页面，支持手动开关阀门的操作，人机交互同时支持鼠标、键盘和触摸的输入方式&bull 设备运行软件提供用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，防止误操作，保证设备和人身安全&bull 设备运行软件提供逻辑互锁功能，防止用户误操作，并弹出信息对话框进行提示&bull 设备运行软件集成安全及参数配置、IO互锁列表信息功能 真空系统 真空测量采用双真空压力计组合方式，工艺数据更真实，更迅速，更精确，为工艺人员提供井真的数据采集来源，为工艺的可重复性提供了可靠的保障应用领域1.纳米材料：ALD 技术沉积参数高度可控，可在各种尺寸的复杂三维微纳结构基底上，实现原子级精度的薄膜形成和生长，可制备出高均匀性、高精度、高保形的纳米级薄膜。ALD具有高致密性以及高纵宽比结构均匀性，为MEMS机械耐磨损层、抗腐蚀层、介电层、憎水涂层、生物相容性涂层、刻蚀掩膜层等提供优质解决方案。ALD技术沉积参数高度可控，可通过精准控制循环数来控制MTJ所需达到的各项参数，是适用于MTJ制造的最佳工艺方案之一。ALD技术可通过表面修饰，改善纳米孔的生物相容性，同时提升抗菌抑菌和促进细胞合成。2.太阳能电池：ALD基材料在c-Si太阳能电池中的应用始于Al2O3，Al2O3是一种非常有效的表面钝化层，被发现可以显着提高c-Si太阳能电池的效率并应用于大规模产业化中。此后的研究中，ALD的应用研究从表面钝化层扩展到载流子传输材料[8]。3.催化：ALD技术很容易地控制纳米颗粒的大小、孔隙结构、含量和分散，有效设计出核壳结构、氧化物/金属倒载结构、氧化物限域结构、具有多金属管套结构和多层结构，且独特的自限制特性可实现催化材料在高比表面材料上的均匀和可控沉积，实现一步步和“自底向上”的方式在原子层面上构建复杂结构的异质催化剂材料而得到广泛研究。利用ALD技术具有饱和自限制的表面反应特性，有效抑制金属有机化合物、配体的空间位置效应，天然的将金属中心原子互相隔离开，抑制金属原子聚集，合成单原子催化剂。利用ALD技术有效调控金属与载体间的相互作用的特性，可获得单金属催化剂，如Ru、Pt、Pd等贵金属。利用ALD技术能调控两种金属元素生长顺序、循环周期数的特性来精准得到双金属纳米催化剂，合成原子级精准的超细金属团簇，如PtPd、PtRu、PdRu等双金属纳米颗粒。利用ALD技术制备金属氧化物，不仅可以制备性能更加优良的多相催化剂，而且可以对负载型催化剂进行改性，达到修饰、保护催化剂的目的。4.锂电池：ALD在锂离子电池中的应用特点：（1）电极材料的制备和改性；（2）阴极材料上的保护镀膜；（3）阳极材料上的人造固体电解质相间（SEI）；（4）锂金属阳极钝化和防止枝晶生长；（5）ALD作用的固态电解质（SSE）；（6）隔离膜上的保护涂层原速科技ALD技术在锂电池领域的应用主要有以下几个方面：a、锂电池PP/PE隔膜包覆，改善隔膜的浸润性，耐压性，热收缩性能b、锂电池正极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能等c、锂电池负极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能以及安全性能5.光学镀膜：ALD薄膜以饱和吸附的layer-by-layer生长模式，可在结构复杂的几何表面，如大曲面及高纵深比深孔结构，大面积形成高均匀性薄膜，且膜层相较于PVD膜更为致密，在界面处的结合力更强，更适用于未来工业界先进精密光学器件的制造。6.生物医疗：ALD可以通过低温沉积形成非常致密的保护膜，由于是纳米级别的膜厚其本身对医疗设备也不会造成影响，沉积ALD涂层后可以大幅度增加植入设备的寿命以及安全性，也有可能有效的减少更换手术的频率；同时ALD有多种材料都具有生物相容性，这种涂层对人体组织是没有任何细胞毒性的，这使得在再生医学领域中，用于对细胞构建生物相容性底物的制备时，ALD沉积表面涂层能满足对新型生物相容性材料的需求；在药物方面，ALD涂层可以有效的保护颗粒不受周围空气和水分的影响，从而大幅度的延长药物的保质期。7.OLED：几十纳米厚度的ALD封装膜甚至可媲美传统OLED封装技术的阻隔效果，同时具有良好的透光率、热导率、机械强度、耐腐蚀性及与基底的粘结性等性质；ALD封装薄膜因其纳米级的膜厚，可以实现很大程度上的弯曲并保持封装效果不变，这一特性可完美兼容柔性OLED器件封装，真正做到显示屏的可折叠、卷曲；ALD薄膜优异的保型性使其在一些复杂形貌和三维纳米结构的LED表面实现出色的钝化保护层，有效地起到阻隔水氧的作用，提高性能；用ALD在LED表面沉积钝化膜还可以很好地修补被等离子刻蚀造成的破坏性表面，可有效降低漏电流，显著提高LED效率。

芬兰PICOSUN公司是ALD技术发明人Tuomo Suntola创立的，与Picosun专家队伍被称为ALD的梦之队。Suntola于1974年发明ALD技术，因此获得半导体行业European SEMI 2004奖。PICOSUN公司凭借其杰出的生产型与科研型产品，于2022年6月加入美国应用材料公司。PICOSUN产品分为科研型与生产型。科研型产品有：标准型PICOSUN™ R-200 Standard，只有热法原子层沉积系统高级型PICOSUN™ R-200 Advanced，有热法原子层沉积系统与等离子体增强原子层沉积系统高级型ALD可以添加前沿的微波等离子体辅助增强模块Microwave Plasma, 这种微波等离子体增强原子层沉积系统在颗粒、薄膜致密性表现更好，同时有可能沉积具有挑战性的一些氮化物薄膜，如氮化硅等。请搜索我司网站联系我们！

美国SVT公司ALD原子层沉积系统自1990年来薄膜淀积设备顶级制造商。拥有独立的室内实验室用于材料研究和工艺开发。提供广泛的服务，包括淀积设备、淀积部件、集成传感器以及工艺控制设备制造和工艺技术的高度结合，为客户提供可靠的技术服务实验室7台应用淀积设备生长出世界级的材料多条设备生产线几乎覆盖了整个薄膜淀积设备市场在薄膜淀积领域拥有超过120台设备的顶级供应商。NorthStar ALD系统介绍：NorthStar ALD原子层沉积系统提供各种淀积方法，包括热淀积以及能量增强淀积。每台设备可以提供多达8个先驱源管路以及一个热壁淀积腔，使其应用范围极为广泛。设备的快速舱口盖或装载室（可选件）使样品操作快捷方便。NorthStar ALD系统不但能跟其他设备连接起来，还能连接多种测量仪器。原位测量工具以及RoboALD软件自动化系统提高了工艺的再现性。可以直接升级至超高真空提供工艺演示以及工艺培训服务为潜在客户提供免费样品测试。应用领域：High-K电介质纳米涂层MEMS光子晶体扩散阻挡层器件封装表面改性层技术参数：为科研客户量身打造最先进的原子层沉积系统。提供4"、6"、8"、12"等多种尺寸的样品平台。针对客户的需求，提供多种输气设计。---可控真空度: 1 Torr to UHV---气道加热---气体快速进出---样品尺寸: 4in standard, optional 12in---基底加热: up to 300 ℃, optional higher temp主要特点：最安全的设计，多样化的配置，全方位的测试手段。精确的控制手段打造完美的成膜质量。强大的科研团队铸就领先的科技实力。---气体离子化---臭氧输送装置---石英振荡器---四重质量分光计---实时温度显示---椭偏仪---进样室

美国SDI公司VC-MINI-P型电动水底沉积物取样器电动水底沉积物取样器P型主要用于浅水环境沉积物取样，是一款高频率的轻便手持式沉积物取样钻机，本款电动水底沉积物取样器降低了沉积物取样过程中的压缩，使得沉积物能保持原始厚度和结构。操作时使用2块蓄电池即可满足全天的取样需求。P型取样器同样可以在取样管安装独特岩心爪，以便于更有效率的在沙土环境或者软沉积物环境取样。设计使得取样管能在采样后较容易的从水中脱离。顶部的浮动排气和密封系统有助于实验人员收集非常柔软的沉积物样品，无须损失样品。优势：机头潜入水下取样（水深20米）锂电池动力、操作简单、携带便携、柱状样品应用领域：水域沉积物调查、河道清淤调查、湿地环境调查技术参数：动力提供：2节12伏特小型蓄电池单次取样所需时间：20秒至1分钟单次充电可取样品数量：30次以上震动频率：5,000至6,000次/分取样管长度：1至2米取样管口径：76毫米取样管管壁厚度：1.3毫米主机重量：8千克【此款设备同时承接取样项目、设备租赁】美国SDI公司MINI型电动水底沉积物取样钻机信息由北京特提斯科技有限公司为您提供，如您想了解更多关于美国SDI公司MINI型电动水底沉积物取样钻机报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。注：对于医疗器械类产品，请先查证核实企业经营资质和医疗器械产品注册证情况

美国Neocera PLD 脉冲激光沉积系统 P180 & PED 脉冲电子束沉积系统 PED-180 Neocera P180 脉冲激光沉积系统 • Neocera 在 PLD 设备与工艺开发方面具有不可超越的经验• Pioneer 系列 PLD 系统是全球研发领域广泛使用的商业化系统• Neocera 不仅为客户提供基本的 PLD 系统，也提供完整的PLD 实验室交钥匙方案 PLD 实验室交钥匙方案 脉冲激光沉积系统（PLD）一种用途广泛的、用于薄膜沉积以及纳米结构和纳米粒子合成的方法 PLD 是一种复杂材料沉积的有效方法脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition）是一种用途广泛的薄膜沉积技术。脉冲激光快速蒸发靶材，生成与靶材组成相同的薄膜。PLD 的独特之处是能量源（脉冲激光）位于真空室的外面。这样，在材料合成时，工作压力的动态范围很宽，达到 10-10 Torr ~ 100 Torr。通过控制镀膜压力和温度，可以合成一系列具有独特功能的纳米结构和纳米颗粒。另外，PLD 是一种 “ 数字 ” 技术，在纳米尺度上进行工艺控制（?/pulse）。 Neocera Pioneer 系列 PLD 系统 — 基于优秀经验的创新设计 Neocera 利用 PLD 开展了深入广泛的研究，建立了获得 优秀 薄膜质量的临界参数，特别适用于沉积复杂氧化物薄膜。这些思考已经应用于 Pioneer 系统的设计之中。 • 很多复杂氧化物薄膜在相对高的氧压（100 Torr）下冷却可获得好的质量。所有 Pioneer 系统都具备此功能（压力范围可从额定初始压强到大气压）。这也有益于纳米粒子的生成。• Pioneer PLD 系统的激光束入射角为 45°，保持了激光密度在靶材上的最大均匀性，同时避免使用复杂而昂贵的光学部件。更大的入射角能够拉长靶材上的激光斑点，导致密度均匀性的损失。• 为了避免使用昂贵的与氧气兼容的真空泵，消除油的回流对薄膜质量的影响，所有 Pioneer 系统的标准配置都采用无油泵系统。• 我们的研究表明靶和基片的距离是获得优秀薄膜质量的关键参数。Pioneer 系统采用可变的靶和基片的距离，对沉积条件进行控制。 技术参数： 。作为完整 PLD 实验室解决方案供应商，我们还可提供：248nm 激光器（准分子、固体等），气体柜，激光。器和光学器件桌，以及光学器件等。• 带 * 的项目均可客户化。• 上述技术指标如有变更，恕不另行通知，详情见具体报价描述或者咨询销售工程师。 离子辅助沉积 ( IBAD )高性能的离子辅助沉积系统离子辅助沉积已经成为在无规取向的基片或非晶衬底上沉积双轴结构薄膜的一种重要技术。Neocera 开发了离子辅助的PLD 系统，该系统将 PLD 在沉积复杂材料方面的优势与 IBAD 能力结合在一起。 无定形和多晶衬底上单个类单晶薄膜的沉积 离子辅助PLD沉积原理示意图 结果和最佳理论值吻合 连续组成扩展 ( CCS )连续组成扩展功能（CCS）可在单次沉积中沉积很多不同组分的材料，大大缩短了沉积不同组分材料合成新材料的时间，实现合成材料组分的优化。PLD-CCS 系统能以连续的方式改变材料，没有必要使用掩模。可以在每一次循环中，以小于一个单分子层的速率，快速连续沉积每一种组份，其结果是类似于共沉积法。该法无需在沉积后进行退火促进内部扩散或结晶，对于生长温度是关键参数的研究或者被沉积的材料或基片不适合高温退火的情况是非常有帮助的。Neocera 公司PLD 系统可在同一个系统上实现带有连续组成扩展功能（CCS-PLD）和标准型 PLD 功能。 PLD-CCS 三元连续组分扩散 PLD 原理示意图 三元模拟相图 In-Sn-Zn 氧化物相图解 激光分子束外延 ( Laser MBE )激光 MBE 是普遍采用的术语，该法是一种纳米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的 PLD 与在线工艺监测的反射高能电子衍射（RHEED）的联合应用，用户提供了类似于 MBE 的薄膜生长的单分子水平控制。 正确的设计是成功使用 RHEED 和 PLD 的重要因数RHEED 通常在高真空（10-6 torr）环境下使用。然而，因为在某些特殊情况下，PLD 采用较高的压力，差动抽气是必要的，维持 RHEED 电子枪的工作压力，同时保持 500 mTorr 的 PLD 工艺压力。同时，设计完整的系统消除磁场对电子束的影响是至关重要的。Neocera 激光 MBE 系统可以添加客户定制系统，比如超高真空激光衬底加热器，用于集成原位分析系统（XPS/ARPERS 等）。样品可以简单地从激光 MBE/PLD 系统传送到超高真空 XPS/ARPERS 系统。 激光 MEB 原理示意图 激光 MBE 计算机上的 RHEED 图案 RHEED 强度震荡曲线 脉冲电子束沉积系统（PED）：PED-180 脉冲电子束沉积（Pulsed Electron Deposition）是高能脉冲 (100ns) 电子束 ( 约 1000 A,15 keV) 在靶材上穿透将近 1 um，使靶材快速蒸发形成等离子体。对靶材的非平衡提取（烧灼）使等离子体的组成与靶材的化学计量组成一致。在优秀条件下，靶材的化学计量与沉积薄膜的保持一致。所有的固态材料如金属、半导体和绝缘体等都可以用 PED 技术沉积各自的薄膜。 独立的交钥匙脉冲电子束沉积系统 PED• 外延薄膜沉积，多层异质结构（heterostructures）与超晶格• 氧化物薄膜沉积时氧气兼容• 升级选项：离子辅助 PED, 连续组份沉积 PED, 进样系统 load-lock• 可附加的沉积源：脉冲激光与射频 / 直流溅射• 集成 XPS/ARPES UHV 集群系统，原位高真空基片传送系统 PED 沉积的代表性材料示例• 高温超导 (HTS) YBCO( 和 GdBCO) 薄膜• 顺电 (Ba-SrTiO3) 薄膜• 金属氧化物 (SrRuO3) 薄膜• 隔热 / 音玻璃 (SiO2) 膜和 Al2O3 膜• 聚四氟乙烯 (PTFE) 薄膜 PED-180 系统的技术指标

产品详情德国 Sentech等离子沉积机 SI 500 D ： 超高密度等离子体SI 500d具有特殊的等离子体特性，如高密度、低离子能量和介质膜的低压沉积。 平面等离子体源森泰克专利的平面三螺旋天线(PTSA)等离子体源允许高效率低功率耦合。 杰出的沉积特性低腐蚀速率、高击穿电压、低应力、基体无损伤、界面状态密度极低，沉积温度小于100℃，使沉积薄膜具有优异的性能。 动态温度控制 采用动态温度控制的基片电极，结合He背面冷却和基片背面温度传感，在室温至+350℃的大范围温度范围内，提供优良的稳定工艺条件。 SI 500d代表了等离子体增强化学气相沉积介电薄膜、a-Si、SiC和其他材料的前沿。它基于PTSA等离子体源，反应气体分离气体入口，动态控温基片电极，全控真空系统，采用远程现场总线技术的先进森泰克控制软件，以及一个非常友好的通用用户界面来操作SI 500d。 从直径200毫米的晶圆片到负载在载体上的各种基板，都可以在SI 500 d中进行加工。 SI 500d等离子体增强沉积工具可在室温至350℃范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a- SI薄膜。溶液可用来沉积TEOS、SiC和其他具有液体或气体前驱体的材料。s500d特别适用于有机材料在低温下沉积高效的保护屏障，以及在规定温度下无损伤沉积钝化膜。 森泰科提供不同的自动化水平，从真空盒式磁带加载到一个过程室，多达六个端口集群，具有不同的沉积和蚀刻模块，目标是高灵活性或高吞吐量。SI 500d也可以作为集群配置上的进程模块。 SI 500 DICPECVD等离子体沉积工具与真空loadlock高达200毫米晶圆衬底温度从RT到350℃激光端点检测可选的衬底偏置

沉积物测量仪SediMeter 沉积物测量仪SediMeter用于测量水底沉积物厚度的细微变化，分辨率达到0.1 mm。这可用于沉积物的的侵蚀和沉积研究。它也可用于测量水底附近的浊度，这与沉积物的浓度密切相关。 沉积物测量仪的传感器是一个直径20 mm的测量杆，内部安装了36个近红外光学后向散射探测器。这些探测器一个个紧密排列在一起，通过A/D转换器测量后向散射光。后向散射可用于计算近水床（河床、湖床、海床等）的浊度。浊度的测量是每间隔10 mm深度测量一次，而水床变化的测量精度则达到0.1 mm。 测量时将测量杆垂直插入沉积物中进行测量。由于采用的是近红外探测器，可以有效避免环境光的影响。 当后向散射探测器被埋入沉积物中时，这个探测器的信号就会达到100％。当后向散射探测器离沉积物表面较远时，信号是浊度的函数。此时可以很准确的探测水床的高度，即使轻微的波动（如0.1 mm的沉积或侵蚀）可以被探测到。 沉积物测量仪还配有温度传感器，精度达0.01℃。此外，还可选配压力和PAR传感器。 SediMeter采用的浊度单位为FBU，是福尔马肼浊度单位（FormazinTurbidity Units, FTU）的一种，类似于ISO7027标转的FNU（Formazin Nephelometric Units）。不同之处在于SediMeter的散射光测量角度是180度而不是80度，测量波长是靠近近红外的945 nm而不是860 nm。这种长波测量有助于降低环境光的影响。ISO标准和美国标准（NTU）采用的90度角测量在浊度很高时误差较大，而SediMeter要好的多。 功能监测水床沉积物的细微变化监测水床附近水体的浊度监测水温可选监测压力和可见光带数采可单机连续监测可建立监测网络进行大范围连续监测，一个网络最多可布设255台仪器应用领域水床的沉积和侵蚀水床附近浊度变化水利工程对水床的长期影响湖泊环境地球化学与富营养化研究近岸海域的沉积环境地球化学水体污染与沉积的长期监测

沉积物采样器简介：对于沉积物（底泥）的采集一向是个难题，一是从水面上很难接触到底泥，二是底泥本身松散的材质很难保持采样原状。目前对底泥的采集多数使用抓泥斗的方式，采集的也仅仅是表层破坏后的样品。 Beeker型沉积物采样器正是针对这一现状推出的新产品，简而言之，水面上方进行操作，人力即可。采集柱状、原状、57 mm直径，100 cm长度的底泥样品置于透明PVC管中，分层状况一目了然，密封性能良好，不会丢失样品。 在采样前，一个坚硬的切割头安装在采样管底部。一个垫圈安装在采样管顶部。切割头和垫圈用带子紧密连接，采样管被它们夹紧。这种构造可以用在不同长度的采样管上（最大1.5米）。 一个橡胶隔膜装在切割头里，可以在一定压力下膨胀并完全关闭切割头，可以保证采样器提起时，样品完好保存。 通过使用扩展连接杆和顶部的锤击头，可以将采样器插入到底泥中。 通过使用活塞，Beeker沉积物采样器可以避免对样品产生压缩的问题。 采样前，将活塞装在切割头里。当切割头位于沉积物上时，活塞通过绳子保持在一个固定高度（例如将绳子固定在船的栏杆上）。当采样管下降时，活塞保持静止状态。采样管被推入沉积物中，环绕着活塞。 由于摩擦的作用而产生的压缩被部分真空产生反作用抵消。通过Beeker沉积物采样器采集的样品压缩率最大只有4-5%，其它的采样系统通常会压缩30%以上。 采样管被密封以后，通过使用额外的水-气动排放和分离系统，样品可以再细分成10 cm长度的小段样品，并用于化学分析等领域。技术参数：适用水深：5米以内采样规格：所采集样品为河流、湖泊、浅海柱状沉积物（底泥），采样深度为1米（少许增加附件可以达到1.5米），样品直径57 mm。 采样管尺寸：Ø 63x57 mm，长度100 cm，透明PVC材质，可观察沉积物分层状况。标准配置：带橡胶阀切割头一个，采样管固定器一个，活塞一个，活塞连接把手一个，采样管一根，1米长扩展杆四根，T型手柄一个，击打手柄、推拉手柄各一个，吸能设计尼龙锤一个，软管卷轴一个，小型真空泵和压力泵个一个（自带充电器和电池）以及相关附件。主要特点：　　■ 非常完整的配套，包括详细的说明书。 　　■ 保持样品原始的剖面结构和密度。 　　■ 充分的直径空间，减少样品的交叉分散。 　　■ 采样器轻便，简单易用，可在一天内采集很多样品。 　　■ 小型压力泵和大型的软管连接器的使用，使系统具有最大的灵活性和广泛应用。 　　■ 可以用于各种不同类型的沉积物，从非常松软无粘性的，到非固化的沙地，也与土壤的层次无关。 　　■ 一个简单的、可控制的样品排放和/或分离系统。 　　■ 标准系统适用于最大5米的水深。使用额外的扩展连接杆，可在某些项目上达到更大深度。 针对更深的采样要求，我们还提供定制的深水型采样器04.21 Beeker型沉积物采样器，带支架和控制单元的深水采样系统对于更深层的采样，采样器需要和一个水下支架共同使用。将采样器放入支架内，然后用绳索固定沉入水底，并配合气动控制作用。启动气动锤将采样器振入沉积物中。 配合支架和控制单元，Beeker型沉积物采样器在缓慢的水流中可采集水深超过35米以下的沉积物。支架和控制单元可以用于河湖、水库和海洋的采样。如果水流很急，可以增加额外的负重。 通过控制面板来操作气动锤，倾斜传感器的角度可显示支架的倾斜角度和密封的切割头。系统的组成：一套Beeker型采样器(04.20.SA),一个支架和电控气动单元。 深水采样示意图

热ALD设备 AL-1无针孔薄膜沉积概要AL-1通过交替向反应室提供有机金属原料和氧化剂，仅利用表面反应沉积薄膜，实现了高膜厚控制和良好的步骤覆盖率。薄膜的厚度可以控制在原子层的数量级。此外，可以在高宽比的孔内壁上沉积覆盖性好、厚度均匀的薄膜。可同时沉积3片ø 4英寸的晶片。主要特点和优点成膜效率高　通过提供几十毫秒量级的脉冲，减少了原材料的损耗，提高了沉积效率。真空清洁，温度不均匀性小　通过紧贴反应室内壁的内壁加热器，抑制反应室的温度不均匀，可获得清洁的真空。无针孔成膜　由于多种前驱体在反应室中没有混合，因此可以防止颗粒，形成无针孔的薄膜。应用用于下一代功率器件的栅极氧化膜和钝化膜。在3D结构上形成均匀的薄膜，如MEMS。激光表面的沉积碳纳米管的钝化膜

电动手持式沉积物取样钻机产品介绍： 电动手持式沉积物取样钻机使用高频振动原理以获取不受干扰并保持原始厚度的样品，有效的在10米内的潜水环境针对沉积物的地球物理参数、污染物和微生物等进行取样。该钻机采用隔离的密封方法，可保证机头潜入水下，用户可以通过延长杆或者小型绞盘进行水下环境取样，采用高强度PETG样品管降低人员携带重量。使用方法：DS沉积物取样钻机使用便携式锂电池，操作室无需连接额外发电机或者其他动力装置。单次充电即可满足全天的取样需求。取样管可配套使用塑料样品膜，实现样品与样品管分离，保证每次样品不干扰，样品管可重复利用；顶部的浮动排气和密封系统利用真空原理手机柔软的沉积物样品，并且可保证样品无脱落。鉴于孢粉研究、古环境、第四纪研究、河道清淤测算、湖泊水底调查、环境工程、给排水研究调查等取样设备的体积较大，采样劳动强度较高等因素，电动手持式DS沉积物取样钻机应运而生。

由于LTPS TFT具有高电子迁移率，从而得到快速应答。虽然电耗比具有低漏泄电流的Oxide TFT大，但一直应用于消耗大部分电力的智能手机OLED显示领域。 但最近在提高移动和在穿戴设备的能效上有了新的技术，LTPO (Low Temperature Polycrystalline Oxide) TFT，此技术是电子高迁移率的LTPS TFT和低漏泄电流的Oxide TFT合成技术。在这个TFT中，Switching TFT 需要快速ON/OFF光线，使用了低漏泄电流的Oxide TFT。而Operating TFT需要通过调节光量进行快速画面切换，所以使用了具有高电子迁移率的LTPS TFT. 智能手表主要使用黑色背景，由于Switching的电耗比较高，采用LTPO TFT可降低约40%的电耗。因此，包括苹果在内的众多智能设备制造商正在应用或即将应用LTPO. 另外，由于这种低电耗的优势，最近三星和苹果等智能手机制造商正在积极开发，目标是将LTPO显示屏搭载到高端智能手机上。 Oxide TFT中使用的IGZO薄膜仍在以Sputtering方式沉积，但厚度和成分均匀度的问题，等离子体损伤导致物理电器特性降低以及溅射目标均匀度的问题。但是，当应用 ALD-IGZO时，可以在低温度工艺下控制原子单位的厚度和组成，因为工艺过程中没有等离子体损伤，因此可以实现高质量的薄膜沉积。 通过用Thermal ALD的方法控制ALD循环比例，可以获得目标IGZO的原子组成(In:Ga:Zn)的薄膜。因此，这种方式能够轻松的调节适合客户元件结构IGZO的组成。从而获得优于溅射方式的元件特性。 研发IGZO工艺用高生产率配置ALD系统，该系统采用新的技术，将多元系氧化物IGZO的组成比控制在个别应用领域元件所需的组合比。特别是 GD Series的应用，可在多个大面积基板上沉积ALD，有望在目前迅速应用IGZO薄膜的LTPO TFT s元件中提供质量竞争力和高生产率。

德国HYDRO-BIOS公司 微塑料沉积物分离器类别: 微塑料沉积物分离器型号: 471 000关键字: 微塑料沉积物分离器,海洋微塑料,微塑料处理供应商: 青岛水德科技有限公司产品简介:微塑料沉积物分离器主要用于分离沉积物样品中的微塑料组份。详细介绍德国HYDRO-BIOS公司——MPSS微塑料沉积物分离器MicroPlastic Sediment Separator MPSS 德国HYDRO-BIOS公司MPSS微塑料沉积物分离器主要用于分离沉积物样品中的微塑料组份。人类活动排放了大量的塑料制品到自然界，有很大一部分塑料组份进入自然水体后，沉降到了水体底部，这部分塑料会随着水流的扰动悬浮在水中，水体中食物链底端的浮游植物食用后，进入食物链，终经过浮游动物、鱼类，进入人体，对人类健康造成很大影响。人们亟需研究水体沉积物中的塑料组份含量，对沉积物以及水体的健康状况做出客观的评估。虽然塑料碎片不断的在水生环境中积累，但是其影响尚未完全明了。建立一个可靠、已验证和标准化的方法来量化环境中塑料颗粒的量，对水生生态系统中塑料碎片后果的评估起到关键的作用。德国HYDRO-BIOS显著的改善了经典的密度分离方法，设计出了MPSS微塑料分离器。MPSS微塑料分离器能够从沉积物样品中可靠的分离出不同生态相关的各种尺寸的塑料粒子。使用氯化锌溶液(1.6-1.7公斤/升)作为分离液用于提取塑料粒子，包括大的碎片到小的微型颗粒(S-MPP，1毫米)。随后空间分辨率小到1微米的颗粒的鉴定和量化，可使用Raman显微镜来执行。 德国HYDRO-BIOS公司MPSS微塑料分离器主要由三个部分组成，完全不锈钢材质，无边水动力法兰几何形状能够使塑料颗粒不受干扰的上升：Ø 不锈钢沉积物容器配有一个转子，保持恒定搅拌样品，从而确保完好地发掘出所关注的粒子。伺服电机和转速控制器的组合允许从0到20转的区间单独调节搅拌器的旋转速度。Ø 锥形竖管显著的降低了设备的直径，从而提高了收集瓶中的颗粒浓度。Ø 样品腔配备有两个易于观察分离过程的玻璃管。它可以由一个球阀封闭然后从竖管断开。最终产生的小样本量为95毫升，可以通过集成的47毫米过滤器支架进行有效的真空过滤。附带一个带有刹车轮的铝制底座框架，便于移动和稳定的站立。对MPSS微塑料沉积物分离器最开始的研究，证实了对于大的微型颗粒(L-MPP，1-5毫米)有100％的回收率，对于小的微型颗粒(S-MPP)有95.5％的回收率，显著的高于泡沫浮选法得到的数值(L-MPP 55%)，或经典的密度分离法(S-MPP 39.8%)。德国HYDRO-BIOS公司MPSS微塑料沉积物分离器优点：初次真正解决了从沉积物中分离塑料组份的难题标准化方法大型微塑料颗粒(L-MPP, 1-5mm)100%回收率小型微塑料颗粒(S-MPP, 1mm)95.5%回收率卡死自动解锁无边水动力法兰几何形状复式垫片搅拌轴样本处理量：高达6升MPSS微塑料沉积物分离器技术参数：沉积物容量≤6升浓缩样品容量95毫升容器完整容量31升尺寸36x46x140厘米，含底座空重22千克容器材质AISI316不锈钢，玻璃，PTFE聚四氟乙烯(特氟龙)，EPDM三元乙丙橡胶底座材质铝转子转速0-20rpm电源85-260V AC，500W (A) MPSS由沉积物容器、竖管和带集成过滤支架及样品室的分离室组成。马达集成于铝制框架(B) 带有已安装好过滤器支架的分离室的细节。(C) 安装在烧瓶上的过滤模式的分离室。(D) 沉积物容器内部的细节，显示的是转子。(E) MPSS微塑料沉积物分离器剖面图。(F) 经典密度分离法剖面图。 MPSS微塑料分离器工作流程1. 沉积物采样 2. 颗粒分离MPSS中倒入分离液(氯化锌，1.6-1.7千克/升)、倒入沉积物样品、安装分离室、倒入新的分离液、塑料粒子被上升的液体带出。 3. 过滤将过滤器支架连接适当的过滤器、关闭球阀、卸开分离室、切换至过滤模式、在(0.3微米)石英纸上进行真空过滤。 过滤器上的有机化合物的化学氧化产物(例如过氧化氢结合硫酸)。 MPSS微塑料沉积物分离器订购信息： 471 000 MPSS微塑料沉积物分离器 用于分离6升以内的沉积物 完整的带底座的系统 带有转速控制器和电源模块(85-260V AC, 500W)德国HYDRO-BIOS微塑料沉积物分离器代表文献：1.Imhof, H. K. , Schmid, J. , Niessner, R. , Ivleva, N. P. , & Laforsch, C. . (2012). A novel, highly efficient method for the separation and quantification of plastic particles in sediments of aquatic environments. Limnology & Oceanography Methods, 10(7), 524-537.2.Lorenz,C.(2014). Detection of microplastics in marine sediments of the German Coast via FT-IR spectroscopy. Master thesis, Universität Rostock.更多关键词：微塑料分离器，微塑料沉积物分离器，海洋微塑料，海洋微塑料处理，海洋微塑料分离

该ALD拥有达到或超过市场上其他品牌的功能，同时易于使用和维护 - 成本远低于当今市场上的价格腔室温度：室温到325°C±1°C 前躯体温度从室温到 150 °C ± 2 °C（带加热夹套）市场上最小的占地面积（2.5 平方英尺），台式 安装和洁净室兼容简单的系统维护和最低的实用程序和 市场上的前体使用流线型腔室设计和小腔室体积快速循环能力（高达 1.2nm/min Al2O3）和高 曝光，提供深度渗透处理全硬件和软硬件联锁，即使操作安全 在多用户环境中AT410 ALD 系统提供用于 TEM 和 SEM 样品制备的溅射替代方案用于电子显微镜的样品通常受益于薄膜的添加。它通常是导电材料，例如Pt，Pd或Au。这些导电层有助于抑制电荷，减少局部光束加热引起的热损伤，并改善二次电子信号。传统上，这些薄膜是使用PVD技术生长的。随着技术的进步，某些类型的样品不能通过PVD提供，因为需要涂层的特征无法进入现场生长线。研究人员将受益于ALD生长的导电薄膜，因为已经开发出针对小样品导电金属生长进行了优化的系统（与台式溅射的价格点相同） AT410 ALD 系统为保形导电薄膜提供了用于 3D 样品制备的解决方案，同时还提供目前使用溅射/蒸发生长的传统 2D 镀膜。AT 410 不仅突破了界限，而且是当前样品制备过程的有效替代品，所有这些都在台式配置中，价格相当。 沉积材料标配沉积材料菜单开发中设备具备沉积能力的材料氧化物 (AxOy)Al, Si, Ti, Zn, Zr, HfV, Y, Ru, In, Sn, PtLi, Be, Mg, Ca, Sc, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ga, Sr Nb, Rh, Pd, Sn, Ba, La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd元素 (A)Ru, Pd, Pt, Ni, CoRh, Os, IrFe, Cu, Mo氮化物 (AxNy)Zr, Hf, WTi, TaCu, Ga, Nb, Mo, In硫化物 (AxSy)Ca, Ti, Mn, Cu, Zn, Sr, y, Cd, In, Sn, Sb, Ba, La, W其它化合物AZO (AL:ZnO), AxSiyOz ()A=Al, Zr, HfYSZ (yttria stabilized sirconia) ITOMany others

原子层沉积系统（Atomic Layer Deposition System，ALD)产地：美国Angstrom 主要产品系列：1.ALD (传统的热原子层沉积)；2.PEALD (等离子增强原子层沉积)；3.Powder ALD (粉末样品的原子层沉积)； 仪器简介：原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），也称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源，化学吸附至表面饱和时自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。ALD的优点包括：1. 可以通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度，从而达到原子层厚度精度的薄膜；2. 由于前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜；3. 可生成极好的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层；4. 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物；5. 薄膜生长可在低温下进行（室温到400度以下）；6. 可广泛适用于各种形状的衬底；7. 原子层沉积生长的金属氧化物薄膜可用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件，生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。 技术参数：基片尺寸：4英寸、6英寸、8英寸、12英寸；加热温度：25℃—400℃（可选配更高）；均匀性： 1%；前驱体数：4路（可选配6路）；兼容性： 可兼容100级超净室；尺寸：950mm x 700mm；ALD，PE-ALD，粉末ALD技术； 原子层沉积ALD的应用包括：1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；2) 导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；3) 金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；5) 纳米结构 (All ALD Material)；6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；8) 压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；9) 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10) 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15) 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16) 光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17) 传感器 (SnO2, Ta2O5) 18) 磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)； 目前可以沉积的材料包括：1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...4） 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...6） 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

原子层沉积（Atomic layer deposition)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。应用领域：原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度，成份和结构），优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。该技术应用的主要领域包括：1） 晶体管栅极介电层（high-k）和金属栅电极（metal gate）2） 微电子机械系统（MEMS）3） 光电子材料和器件4） 集成电路互连线扩散阻挡层5） 平板显示器（有机光发射二极管材料，OLED）6） 互连线势垒层7） 互连线铜电镀沉积籽晶层（Seed layer）8） DRAM、MRAM介电层9） 嵌入式电容10） 电磁记录磁头11） 各类薄膜（100nm）技术参数：基片尺寸：4英寸、6英寸；加热温度：25℃~350℃；温度均匀性：±1℃；前体温度范围：从室温至150℃，±2℃；可选择加热套；前驱体数：一次同时可处理多达 5 个 ALD 前体源；PLC 控制系统：7英寸16 位彩色触摸屏HMI控制；模拟压力控制器：用于快速压力检测和脉冲监测样品上载：将样品夹具从边上拉出即可；压力控制装置：压力控制范围从0.1~1.5Torr两个氧化剂/还原剂源，如水，氧气或氨气；在样品上没有大气污染物，因为在沉积区的附近或上游处无 Elestamor O 型圈出现 氧化铝催化剂处理能力：6-10 次/分钟或高达 1.2 纳米/ 分钟（同类最佳）高纵横比沉积，具有良好的共形性曝光控制，用于在 3D 结构上实现所需的共形性；预置有经验证过的 3D 和 2D 沉积的优化配方；简单便捷的系统维护及安全联锁；目前市面上占地最小，可兼容各类洁净室要求的系统；可以为非标准样品而订制的夹具，如 SEM / TEM 短截线原子层沉积ALD的应用包括：1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；2)导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；3)金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；4)催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；5)纳米结构 (All ALD Material)；6)生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；8)压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；9)透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10)紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12)光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13)防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；14)电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15)工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16)光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17)传感器 (SnO2, Ta2O5) 18)磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)；目前可以沉积的材料包括：1）氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...2）氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ... 3）氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...4）金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ... 5）碳化物: TiC, NbC, TaC, ... 6）复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ... 7）硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

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Systematic increase of electrocatalytic turnover over nanoporous Pt surfaces Prepared by atomic layer deposition. J. Mater. Chem. A (2015) DOI: 10.1039/c5ta00205b2、 Xiangyi Luo et al. Pd nanoparticles on ZnO-passivated porous carbon by atomic layer deposition: an effective electrochemical catalyst for Li-O2 battery. Nanotechnology(2015) 26, 164003. DOI:10.1088/0957-4484/26/16/1640033、 HengweiWang, et al. Precisely-controlled synthesis of Au@Pd core– shell bimetallic catalyst via atomic layer deposition for selective oxidation of benzyl alcohol. Journal of Catalysis (2015) 324, 59– 68. DOI: 10.1016/j.jcat.2015.01.0194、 Sean W. Smith, et al. Improved oxidation resistance of organic/inorganic composite atomic layer deposition coated cellulose nanocrystal aerogels. J. Vac. Sci. Technol. A (2014) 4, 32 DOI: 10.1116/1.48822395、 Fatemeh Sadat MinayeHashemi et al. A New Resist for Area Selective Atomic and Molecular Layer Deposition on Metal− Dielectric Patterns. J. Phys. Chem. C (2014), 118, 10957− 10962. DOI: 10.1021/jp502669f6、 Jeffrey B. Chou, et.al Enabling Ideal Selective Solar Absorption with 2D Metallic Dielectric Photonic Crystals. Adv. Mater. (2014), DOI: 10.1002/adma.201403302.7、 Jin Xie, et al. Site-Selective Deposition of Twinned Platinum Nanoparticles on TiSi2 Nanonets by Atomic Layer Deposition and Their Oxygen Reduction Activities. ACS Nano (2013), 7, 6337– 6345. DOI: 10.1021/nn402385f8、 Pengcheng Dai, et al. Solar Hydrogen Generation by Silicon Nanowires Modified with Platinum Nanoparticle Catalysts by Atomic Layer Deposition. Angew. Chem. Int. Ed. (2013), 52, 1 – 6. DOI: 10.1002/anie.2013038139、 Joseph Larkin et al. Slow DNA Transport through Nanoporesin Hafnium Oxide Membranes. ACS Nano (2013), 11, 10121– 10128. DOI: 10.1021/nn404326f10、 Thomas M et al. Extended lifetime MCP-PMTs: Characterization and lifetime measurements of ALD coated microchannel plates, in a sealed photomultiplier tube Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A (2013) 732, 388– 391. DOI: 10.1016/j.nima.2013.07.02311、 Kevin J. Maloney et al. Microlattices as architected thin films: Analysis of mechanical properties and high strain elastic recovery. APL Mater. 1, 022106 (2013) DOI: 10.1063/1.481816812、 Sean W. Smith et al. Improved Temperature Stability of Atomic Layer Deposition Coated Cellulose Nanocrystal Aerogels. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (2012) DOI: 10.1557/opl.2012.

主要产品系列：1.ALD (传统的热原子层沉积)；2.PEALD (等离子增强原子层沉积)；3.Powder ALD (粉末样品的原子层沉积)；仪器简介：原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），也称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源，化学吸附至表面饱和时自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。ALD的优点包括：1. 可以通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度，从而达到原子层厚度精度的薄膜；2. 由于前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜；3. 可生成极好的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层；4. 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物；5. 薄膜生长可在低温下进行（室温到400度以下）；6. 可广泛适用于各种形状的衬底；7. 原子层沉积生长的金属氧化物薄膜可用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件，生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。技术参数：基片尺寸：6英寸、8英寸、12英寸；加热温度：25℃—400℃（可选配更高）；均匀性： 2%；前驱体数：4路（可选配6路）；兼容性： 可兼容100级超净室；尺寸：950mm x 700mm；ALD及PE-ALD技术；原子层沉积ALD的应用包括：1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；2) 导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；3) 金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；5) 纳米结构 (All ALD Material)；6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；8) 压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；9) 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10) 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15) 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16) 光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17) 传感器 (SnO2, Ta2O5) 18) 磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)；目前可以沉积的材料包括：1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...4） 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...6） 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

原子层沉积（Atomic layer deposition)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。应用领域：原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度，成份和结构），优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。该技术应用的主要领域包括：1） 晶体管栅极介电层（high-k）和金属栅电极（metal gate）2） 微电子机械系统（MEMS）3） 光电子材料和器件4） 集成电路互连线扩散阻挡层5） 平板显示器（有机光发射二极管材料，OLED）6） 互连线势垒层7） 互连线铜电镀沉积籽晶层（Seed layer）8） DRAM、MRAM介电层9） 嵌入式电容10） 电磁记录磁头11） 各类薄膜（100nm）技术参数：- 基片尺寸：最大直径为4英寸；- 腔室温度： 40℃~315℃；- 温度均匀性：±1℃；- 前体温度范围：从室温至150℃，±2℃；可选择加热套；- 前驱体数：一次同时可处理多达 5 个 ALD 前体源，三种有机金属或其他金属控制源，最高可达150℃，两个氧化剂/还原剂源，如水，双氧水，氧气或氨气等；- PLC 控制系统：7英寸16 位彩色触摸屏HMI控制；- 压力控制装置：压力控制范围从0.1~1Torr；- 模拟压力控制器：用于快速压力检测和脉冲监测；- 样品上载：将样品夹具从边上拉出即可；- 快速循环能力 流线型腔体设计和小腔体体积350cm3； 氧化铝催化剂处理能力：高达6次/分钟或高达0.7纳米/分钟；- 高纵横比沉积，具有良好的共形性 曝光控制，用于在 3D 结构上实现所需的共形性； 预置有经验证过的 3D 和 2D 沉积的优化配方；- 简单便捷的系统维护及安全联锁；- 目前市面上占地较小，可兼容各类洁净室要求的系统；- 可以为非标准样品而订制的夹具，如 SEM / TEM 短截线原子层沉积ALD的应用包括：1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；2)导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；3)金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；4)催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；5)纳米结构 (All ALD Material)；6)生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；8)压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；9)透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10)紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12)光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13)防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；14)电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15)工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16)光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17)传感器 (SnO2, Ta2O5) 18)磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)；目前可以沉积的材料包括：1）氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...2）氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ... 3）氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...4）金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ... 5）碳化物: TiC, NbC, TaC, ... 6）复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ... 7）硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS,

Beeker取样器是在水下土壤中静态取样的工具。样本收集到透明管中，这样它就能将材料保持在原位上，可以据此做出清楚的剖面描述。技术参数采样深度：5米 采样管尺寸：直径63×57mm，长度100/150cm配置：包括一个完整的沉积物采样器，不同长度的采样管，活塞，顶部的锤击头和扩展连接杆，一个真空手泵，一个压力手泵，软管绞盘和软管，一个气动排放和分离系统(04.23.SB型)，一个工具包，各种附件和铝质装运箱。采样原理在采样前，一个坚硬的切割头安装在采样管底部。一个垫圈安装在采样官顶部。切割头和垫圈用带子紧密连接，采样管被它们夹紧。这种构造可以用在不同长度的采样管上（最大1.5米）。一个橡胶隔膜装在切割头里，可以在一定压力下膨胀并完全关闭切割头，可以保证采样器提起时，样品完好保存。通过使用扩展连接杆和顶部的锤击头，可以将采样器插入到底泥中。通过使用活塞，Beeker采样器可以避免对样品产生压缩的问题。采样前，将活塞装在切割头里。当切割头位于沉积物上时，活塞通过绳子保持在一个固定高度（例如将绳子固定在船的栏杆上）。当采样管下降时，活塞保持静止状态。采样管被推入沉积物中，环绕着活塞。由于摩擦的作用而产生的压缩被部分真空产生反作用抵消。通过Beeker采样器采集的样品压缩率最大只有4-5%，其它的采样系统通常会压缩30%以上。采样管被密封以后，通过使用水-气动排放和分离系统，样品可以再细分成更小的、非破坏性的样品，用来深入研究。取样完成后，取样管密封，通过液压-气压排出和分离设备，样本可再分为更小的静态样本，以备相关的深度分析。全套装置包括：一套完整的沉积物取样工具，各种长度的取样管，活塞，顶杆和加长杆，一个真空/压力泵，真空/压力存储器，带软管的软管卷盘，一个排出/分离设备，一套工具，各种附件，以及一只铝制搬运箱。成都耀华科技有限公司 电话：，邮箱：地址：成都市高新区天益街38号理想中心4东907室优点装备完整，并带有详尽手册。土壤剖面和密度保存较好。由于样本的真实直径，周围很少有样本撒出。取样器重量轻，使用简便，所以一天之内可以采集多个样本。有了气压存储器和粗软管连接，取样器非常灵活，用途广泛。取样器可处理各种密度不同的沉积物，从含水很多、没有粘性到松散的沙土，不受土壤分层的影响。用液压-气压排出和分离设备，可轻松控制样本的排出以及/或者分离。标准装置可用于水中最深5米。在某些情况下，使用加长杆，还可在更深处采集样本。注意：随着取样深度的增加，流水中取样会越来越困难

仪器简介：基质辅助脉冲激光沉积系统（MAPLE）是海军研究实验室于1994年开发的，使用准分子激光器沉积聚合物薄膜。多年来，基质辅助脉冲激光沉积系统已经有了很大的发展。商用基质辅助脉冲激光沉积系统现在很容易配备红外激光器和多目标机械手。中科院宁波材料所于2014年1月向我司订购一台MAPLE系统，该系统为国内首台“基质辅助脉冲激光沉积系统”！系统技术指标：最大衬底尺寸One 2-inch diameter substrate or multiple small samples. Larger substrates and custom substrate holders are available on request.最大衬底温度：300°C typical, but other heaters are available.MAPLE靶材温度： -194°C (80 K)压力操作范围：Base pressure depends strongly on polymer/solvent mix and the solvent vapor pressureMAPLE靶材尺寸：Single 1.5” diameter target standard, larger targets available on request.靶材到衬底(Throw) 距离：Variable from 2.5 to 4 inches光栅路径长度：Across complete MAPLE target标准的激光束射向靶材入射角度：60°主腔体本底真空：P 5 x 10-7 Torr guaranteed with system at room temperature and no polymer/solvent mix.真空腔体：Box style chamber with easy substrate / target changes.激光波长：2.9 microns (Er:YAG laser), other lasers/wavelengths available on request.VIS/NIR Resonant PLD/MAPLE System可见/近红外共振PLD/MAPLE系统

多通道沉积物捕集器,沉积物采样器,沉积物取样器,沉积物活塞柱状取样器,丹麦KC-Denmark公司生产的多通道沉积物捕集器28.150 &ndash 双通道沉积物捕集器28.200 &ndash 四通道沉积物捕集器丹麦KC-Denmark公司生产的多通道沉积物捕集器阵列的结构可以确保它在工作时处于垂直状态。转向翼(选配)可以使得沉积物捕集器阵列跟水流方向处于正确的角度。整套沉积物捕集系统是可以随意配置的。所有的部件都可以拆卸。根据您的需要，主框架上面安装1，2，3或4个沉积物捕集管。多通道沉积物捕集器由可拆卸的圆柱形捕集管(底部带配重铅块)组成。带万向接头的固定器和转向翼由AISI316不锈钢制成。捕集管由透明聚丙烯酸组成，纵横比为6。标准配置：配备1, 2 或 4根 ø 80/ø 74 mm 和ø 110/ø 104 mm的捕集管其他尺寸的捕集管也可以根据客户要求订做。 万向接头 - 28.104 转向翼 - 28.105多通道沉积物捕集器订购信息ø 80 / ø 72 mm外径/内径长度重量订购货号多通道沉积物捕集器，1根捕集管，包括转向翼，采样量1.9升ø 80 / ø 72 mm450 mm4,5 kg28.050多通道沉积物捕集器，2根捕集管，包括转向翼，采样量3.8升ø 80 / ø 72 mm450 mm4,8 kg28.075多通道沉积物捕集器，2根捕集管，包括转向翼和平衡臂，采样量3.8升ø 80 / ø 72 mm450 mm6,6 kg28.100多通道沉积物捕集器，3根捕集管，包括转向翼，采样量5.7升ø 80 / ø 72 mm450 mm8,6 kg28.150多通道沉积物捕集器，4根捕集管，包括转向翼，采样量7.6升ø 80 / ø 72 mm450 mm8,8 kg28.200 多通道沉积物捕集器附件和备用配件 捕集管ø 80 / ø 72 mm450 mm1,5 kg28.101锌阳极ø 50 x 10 mm 28.102主支架 0,75 kg28.103万向接头臂和捕集管固定环 0,6 kg28.104转向翼，用于28.075, 28.100 和 28.150 1,9 kg28.105多通道沉积物捕集器固定器 28.106平衡臂，只用于28.100 28.107蝶型螺母，用于固定捕集管 28.108螺丝，M6 x 12,AISI 316不锈钢, 5个 28.109 ø 110 / ø 104 mm外径/内径长度重量订购货号多通道沉积物捕集器，1根捕集管，包括转向翼，采样量8.5升ø 110 / ø 104 mm1000 mm 28.290多通道沉积物捕集器，2根捕集管，不包括转向翼，采样量17升ø 110 / ø 104 mm1000 mm 28.295沉积物捕集器，2根捕集管，包括转向翼和平衡臂，采样量17,0升ø 110 / ø 104 mm1000 mm 28.300沉积物捕集器，3根捕集管，包括转向翼，采样量25,5升ø 110 / ø 104 mm1000 mm 28.350沉积物捕集器，4根捕集管，包括转向翼和平衡臂，采样量34升ø 110 / ø 104 mm1000 mm 28.400 多通道沉积物捕集器附件 捕集管ø 110 / ø 104 mm1000 mm 28.301 多通道沉积物捕集器备用部件 锌阳极ø 50 x 10 mm 28.102