二极管泵

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二极管泵相关的厂商

  • 日新基贸易(深圳)有限公司• 日本总公司 THINKY CORPORATION在1971年成立,成立初期由计量仪器开始, 研发了发光二极管使用的低价显示器,使公司在1991年的销售额达到8亿9千万日元的辉煌时期, 然不久日本经济走入泡沫崩溃阶段,产业用计量仪器开始走下滑路, 此时公司专务从齿科医生处得知齿科界正在攻克一个软膏混合的难题,公司以此为契机, 研究并开发了第一台齿科用混合软膏搅拌机(详情请阅读开发秘闻),之后依次在涂药,印膜材, 医疗各领域得到积极反响,公司的事业支柱由此转型为专业搅拌机的研究开发。
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  • 深圳易创电子科技有限公司,是一家专业研发、生产、销售光电传感器及其智能化产品的高新技术企业。同时,我们是滨松(HAMAMATSU)、欧司朗(OSRAM)、威世(VISHAY)、亿光 (EVERLIGHT)、夏普(SHARP)、OSI Optoelectronics、First Sensor等知名厂商长期信赖的合作伙伴。 我们的产品主要有硅光电二极管、微型光谱仪、颜色传感器、 Photo IC、APD雪崩光电二极管、PMT光电倍增管等,广泛应用于医疗仪器、自动化、消防、科研等领域。 我们凭借强大的技术研发实力,为客户提供定制化服务,并致力于开发新产品,发展新应用。 易创是您值得信赖的工业传感器和技术服务提供商,专业提供滨松光电传感器等,为中国工业测量传递价值!
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  • 武汉搏盛科技有限公司是以传感、测控、自动化技术为主要发展方向的高科技公司,是为OEM厂商和自动化领域经销商提供产品销售和技术支持的公司。产品涵盖了光学、电学、力学、热学、磁学、声学传感器领域里的元件、模块和变送器,以及二次仪表和自动化控制设备,广泛应用于机械制造、工业过程控制、汽车电子产品、通信电子产品、消费电子产品和专用设备等各领域。 本公司产品主要两大类: 一、应用于精密分析、环保监测、生物光子、生命科学、药物研究、临床应用诊断、工业测控、激光加工、高能物理、宇宙研究、地矿探测等诸多领域的光电半导体。产品包括光电池/硅光电二极管(紫外增强近红外型、蓝光增强近红外型、可见光红外抑制型、可见光抑制近红外型)、进口PIN光电二极管、进口APD雪崩光电二极管、四象限探测器、PSD位置传感器……特点:响应快,暗电流低。特殊规格、参数可接受订制。 二、应用于塑胶、轻工、鞋业、纺织、化工、石油、烟草、食品、治金、电力等各种工业机械设备及自动化流水线上,作限位、定位检测、自动计数、测速、自动保护、信号传送、保护、隔离等功能的传感器。产品包括红外光电传感器、光纤放大器、光纤管、接近开关、磁性开关、光幕传感器、激光传感器、压力传感器、电量隔离传感器、导轨开关电源…… 目前,为配合广大客户的货期需求,公司常规产品均备有库存,并配备专业的产品应用工程师配合销售工程师参与客户的项目现场为客户提供技术支持、产品安装及售后服务,将“快速、创新,服务、团队,分享、价值”的经营理念落实到实处,本公司依托中部掘起政策,已成为华中乃至西部地区自动化领域首选供货商,销售业绩蒸蒸日上,值此佳机,更坚定了我们实现“传感、测控、自动化专家”的使命。 武汉搏盛科技有限公司人本着诚信引领未来、拼搏造就昌盛的宗旨为实现客户的理想锲而不舍,不懈努力。 企业宗旨:诚信引领未来,拼搏造就昌盛 经营理念:快速 创新 服务 团队 分享 价值 服务优势:产品建议服务 产品配套服务 产品一站服务
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二极管泵相关的仪器

  • IMPATT雪崩二极管 400-860-5168转3512
    IMPATT雪崩二极管(IMPATT diodes)品牌: Terasense型号: IMPATT diodesIMPATT雪崩二极管 雪崩二极管是一类非常高效的微波和亚太赫兹波产生器件。其工作频率范围约为3-400GHz, 最主要的优点是它们具有很高的输出功率和紧凑小巧的外形封装。 雪崩二极管具有非常窄的工作频率带宽,所以二极管内部尺寸必须根据相应的频率来设计。 产品特点:l 80-120GHz 频率范围l 典型输出功率 10mWl 结构紧凑性价比高l 1年保修期 雪崩二极管技术参数:l 频率范围:80-140GHz l 可用的最低输出功率:10mWl 典型线宽:1MHz l 高输出功率选项(>50mW 射频功率输出)l 工作电压:15-16Vl 工作电流:110-120mAl 输入功率:2W可选项:l TTL 调制选项l 精确附加锥形角l 高输出功率选项(>50mW 射频功率输出) 性能更新后的典型IMPATT二极管参数规格: IMPATT diode@100GHzIMPATT diode @ 140 GHz操作频率≈100GHz≈140GHzTTL调制1us 上升或下降时间1us上升或下降时间高功率输出≈80mW≈30mW圆锥喇叭天线/法兰严格固定/WR-8 or WR-10严格固定/WR-6
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  • APD(雪崩二极管)是通过施加反向偏压,使其高速和高增益工作的高灵敏度光电二极管。它比PIN光电二极管相比,具有更高的信噪比,被广泛应用于光学测距仪、空间光传输、闪烁侦检器等等。滨松提供多类APD及其阵列产品,还可根据客户需求进行定制。请下载样本了解详细信息。
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  • 光电二极管 400-860-5168转3512
    光电二极管简介:GPD Optoelectronics提供Ge (p-n, p-i-n, APD),InGaAs探测器,双波长探测器,自由空间和光纤输入,波长覆盖可见光到近红外。GPD Optoelectronics提供Ge (p-n, p-i-n, APD),InGaAs探测器,双波长探测器,自由空间和光纤输入,波长覆盖可见光到近红外。 特点:低噪音近红外雪崩二极管覆盖波段900-1700nm有效面积20-350um最大带宽2Ghz自由空间和光纤输入 一、 Ge探测器二、 Ge 雪崩探测器 三、 高速InGaAs光电二极管 四、 InGaAs探测器 五、 扩展InGaAs光电二极管 六、 InGaAs雪崩光电二极管 七、 热电冷却的InGaAs光电二极管 八、InGaAs象限光电二极管 九、双波长探测器
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二极管泵相关的资讯

  • 有机光电二极管 - 超越硅光电二极管的新星
    【重点摘要】硅光电二极管的刚性结构给大面积低成本扩展带来困难,限制了它在一些新兴应用中的使用。通过详细的表征方法,揭示了基于聚合物体异质结的有机光电二极管中,收集电荷的电极对低频噪声的影响。经过优化的有机光电二极管在可见光范围内的各项指标(响应时间除外)可媲美低噪声硅光电二极管。溶液处理制备的有机光电二极管提供了一些设计机会,例如用于生物识别监测的大面积柔性环形有机光电二极管,其性能可达到硅器件的水平。【硅光电二极管的局限性】 数十年来,硅光电二极管一直是光检测技术的基石,但它们的结构刚性给大面积低成本扩展应用带来许多局限。这给新兴的光电检测应用带来挑战。为实现更大面积的光电检测以及柔性基片上低成本光电二极管的制作,我们需要寻找新的材料体系。【有机光电二极管的低频噪声特性】 有机光电二极管常基于聚合物制成,具有结构灵活性等优势。研究人员通过详细的表征方法学,考察了这类二极管低频电子噪声的来源,发现负责收集电荷的电极对低频噪声有重要影响。这为设计低噪声的有机光电二极管奠定了基础。【有机光电二极管的指标表现】 经过优化设计后,有机光电二极管的大多数指标已可达到商用硅光电二极管的水平,特别是在可见光范围内。例如响应度、灵敏度、线性度、功耗等。它们的响应时间仍比不上硅二极管,但对大多数视频速率的应用已经足够。【应用展望】 溶解性的有机光电二极管制造过程为它们带来了许多应用机会。例如,大面积柔性的环形有机光二极管可用于生物识别监测。此类二极管成本低,可在多种非平面基片上制作,性能已达商用硅器件的水平。它们有望在新兴的光电子学领域大放异彩。图1 硅光电二极管(SiPD)与有机光电二极管(OPD)性能比较(A) OPD 尺寸结构。(B)测量所得光谱响应度。EQE,外量子效率。(C) 测量所得光照度依赖的光电流和响应度。LDR,线性动态范围。(D) 测量所得均方根噪声电流、噪声当量功率 (NEP)和特定探测度统计框图(_N_代表数据点数量)。Max,最大值 Min,最小值。图2 SiPD 和 OPD 中的稳态暗电流密度和电子噪声特性(A) 电压依赖的暗电流密度。Exp.,实验值。(B) 反向偏置下,建模和测量所得均方根噪声电流比较。图3 SiPD 和 OPD 中的时域响应特性(A) 负载电阻依赖的 10-90% 上升和下降响应时间。(B) 525 nm处频率依赖的归一化响应度。图4 弯曲 OPD(Flex-OPD)及其在光电容积图(PPG)中的应用(A) Flex-OPD 器件几何结构。PES,聚醚砜。(B) 小面积、大面积 Flex-OPD 和大面积 OPD 中的均方根噪声电流、响应度、NEP 和特定探测度统计框图。(C) S1133 SiPD 和环形 Flex-OPD PPG 阵列原理图(上) 手指反射模式 PPG 信号的 SiPD 和不同功率红色 LED驱动的环形 Flex-OPD PPG 阵列比较(下)。
  • 光电二极管的量子效率:如何提高光电二极管的量子效率?
    提高光电二极管的量子效率 (QE) 可以通过多种方法实现:优化材料特性:选择吸收系数较高的材料可以增强光子吸收,从而提高QE。表面钝化:最大限度地减少表面缺陷和复合中心可以减少电子空穴对复合,从而提高 QE。抗反射涂层:应用减少反射的涂层可以增加进入光电二极管的光子数量,从而增强 QE。器件几何优化:设计具有最佳厚度和几何形状的光电二极管可以提高光吸收和载流子收集效率。增强光捕获:在光电二极管内采用捕获光的结构或技术可以增加与光子的相互作用长度,从而提高 QE。这些方法中的每一种都针对光电二极管操作的不同方面,以最大限度地提高其将光转换为电信号的效率。图 抗反射 (AR) 涂层对不同波长范围内光电二极管的量子效率 (QE) 的积极影响。QE 以百分比形式测量,表示光电二极管将入射光子转换为电流的效率。不同的曲线代表具有不同结构或材料的光电二极管,它们吸收不同波长范围的光。从图中可以明显看出,增透膜的应用增强了所有三种类型光电二极管的 QE。涂层减少了表面的光子反射,允许更多的光被吸收并转化为电信号,从而直接提高 QE。当具有增透膜的曲线与没有增透膜的曲线相比达到更高的百分比值时,这一点尤其明显。光伏检测请搜寻光焱科技
  • 全球最小二极管问世
    p style="line-height: 1.75em " 北京时间4月5日下午消息,佐治亚大学和以色列内盖夫本-古里安大学的研究人员利用DNA分子制造出了新型二极管。这被认为是全球尺寸最小的二极管。研究人员表示,这将促进DNA元件的开发,推动分子电子学的发展。二极管的功能是实现电流的单向流动。40多年前,科学家提出,可以将二极管和其他电子元器件小型化,缩小至单个分子大小。这促成了分子电子学的诞生,而分子电子学的研究成果有望推动计算机技术突破传统硅器件的限制。/pp style="text-align: center "img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/f32193bc-d6bc-4fd2-9f3a-69a9864d9f7a.jpg" title="3f07b4fef509cc1.jpg_600x600.jpg" width="400" height="400" border="0" hspace="0" vspace="0" style="width: 400px height: 400px "//pp style="line-height: 1.75em "  在这项研究中,科学家利用DNA分子去制造二极管。基因科学的突破使精确设计DNA成为了可能,并使DNA成为了分子电子学研究中的最佳原材料。/pp style="line-height: 1.75em "  DNA的双螺旋结构由被称作碱基对的分子构成。这一新型二极管的长度只有11个碱基对。通常情况下,每个DNA碱基对的长度约为0.34纳米。/pp style="line-height: 1.75em "  DNA本身并不能发挥二极管的功能。不过,当研究人员向DNA内部某个位置插入2个小的Coralyne分子,并向其施加1.1伏电压时,可以发现通过该DNA二极管的电流在某一方向上要比另一方向强15倍。/pp style="line-height: 1.75em "  科学家表示,这一DNA二极管可以进一步优化,从而开发出可提供实际功能的分子器件。这一研究成果发表在最近的《自然化学》期刊上。/ppbr//p

二极管泵相关的方案

  • 利用激光二极管进行光输出功率的建模方法
    本文提出了一种激光二极管光输出功率的建模方法,包括其对温度的依赖性。本研究使用的设备是一个40W的Monocrom二极管,发射波长为808nm的光,带有一个19个发射器的CS安装激光板条,使用Monocrom的夹紧方法安装。本研究的目的是提出激光二极管器件的Pspice模型,主要关注光学输出功率随温度的变化,并允许其计算机模拟。还要建立一个表征系统,以获得光学模型数学表达式所需的参数值。因此,本文解释了所提出的激光条形二极管光输出功率模型生成方法及其参数值的获取方法、光输出功率测量装置及其校准、所获得的Pspice模型及其仿真,以及能够获得具有短上升时间电流斜率的必要参数的表征系统。最后,给出了评价结果和相关结论。
  • 二极管阵列检测器在农药液相色谱分析中的应用
    二极管阵列检测器是一种基于光电二极管阵列技术的新型检测器。使用二极管阵列检测器,可以对色谱峰进行光谱扫描、峰纯度鉴定等定性分析,在方法研究中可以快速选择最佳检测波长,在多组分混合物分析中可以编辑波长程序。由于具有这些明显优势,二极管阵列检测器在农药分析中有着极佳的应用前景。
  • 硅光电二极管探测器EUV响应的温度依赖性
    使用同步加速器和实验室辐射源测量了硅光电二极管在3至250nm波长范围内从-100℃到+50℃的响应性。研究了两种类型的硅光电二极管,具有薄氮化二氧化硅表面层的AXUV系列和具有薄金属硅化物表面层的SXUV系列。根据波长的不同,响应率随着温度的升高而增加,AXUV光电二极管的速率为0.013%/C至0.053%/C,SXUV光电二极管为0.020%/C至0.084%/C。响应度的增加与硅带隙能量的减少相一致,这导致对产生能量的增加。这些结果对于极紫外(EUV)光刻步进器和光源中的剂量测量尤其重要,因为所涉及的高EUV强度通常会导致探测器温度增加。

二极管泵相关的资料

二极管泵相关的论坛

  • 【讨论】雪崩光电二极管与光电倍增管的放大倍数比较

    近晶参加了某仪器公司的培训,在比较不同公司粒度仪性能的时候,有一项是检测器的比较,某公司说其所用的检测器雪崩式光电二极管比光电倍增管的放大倍数更大,但从我现在的了解和原理上说,还应是光电倍增管的放大倍数要大,哪位帮我解释和比较一下.谢谢!

  • 【分享】光电二极管和硅光二极管的应用

    各位大虾: 我看见有些紫外可见分光光度计用的检测器是光电二极管或硅光二极管,它们之间各自的特点是什么,各有什么优点?谁更好一些?现在用得比较多的是哪一个检测器? 谢谢您的回答.请参照:http://www.instrument.com.cn/bbs/shtml/20071107/1050063/

  • 【分享】肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别

    快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(0.5-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100ns(纳秒)以下。   肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低(0.4--1.0V)、反向恢复时间很短(2-10ns纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。 肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒!  前者的优点还有低功耗,大电流,超高速!电特性当然都是二极管!快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.  肖特基二极管:反向耐压值较低(一般小于150V),通态压降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。   快恢复二极管:有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85nS的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.   快恢复二极管FRD(Fast Recovery Diode)是近年来问世的新型半导体器件,具有开关特性好,反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD(Superfast Recovery Diode),则是在快恢复二极管基础上发展而成的,其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=27][color=#0000ff]开关电源[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=32975][color=#0000ff]电源模块V-60[/color][/url] 、脉宽调制器(PWM)、不间断电源(UPS)、交流电动机变频调速(VVVF)、高频加热等装置中,作高频、大电流的续流二极管或整流管,是极有发展前途的电力、电子半导体器件。 1.性能特点 1)反向恢复时间 反向恢复时间tr的定义是:电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=38][color=#0000ff]整流器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=4862][color=#0000ff]硅整流[/color][/url] 件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流,IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流,通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时,正向电流I=IF。当t>t0时,由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压,因此正向电流迅速降低,在t=t1时刻,I=0。然后整流器件上流过反向电流IR,并且IR逐渐增大;在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用,反向电流逐渐减小,并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。2)快恢复、超快恢复二极管的结构特点 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受 很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。 20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看,可分成单管、对管(亦称双管)两种。对管内部包含两只快恢复二极管,根据两只二极管接法的不同,又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C 20-04型快恢复二极管(单管)的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型(共阴对管)、MUR1680A型(共阳对管)超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装,主要技术指标见表1。 几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量(几百安~几千安)的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。 2.检测方法 1)测量反向恢复时间 测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF,脉冲[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=456][color=#0000ff]发生器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=48158][color=#0000ff]SP1641B/1642B发生器[/color][/url] 经过隔直电容器C加脉冲信号,利用电子[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=293][color=#0000ff]示波器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=18771][color=#0000ff]示波表190[/color][/url] 观察到的trr值,即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。 设器件内部的反向恢电荷为Qrr,有关系式trr≈2Qrr/IRM由式(5.3.1)可知,当IRM 为一定时,反向恢复电荷愈小,反向恢复时间就愈短。 2)常规检测方法 在业余条件下,利用[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=277][color=#0000ff]万用表[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=17373][color=#0000ff]绝缘万用表UT531[/color][/url] 能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性,以及内部有无开路、短路故障,并能测出正向导通压降。若配以[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=283][color=#0000ff]兆欧表[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=14870][color=#0000ff]指针式兆欧表MIS-4A[/color][/url] ,还能测量反向击穿电压。实例:测量一只超快恢复二极管,其主要参数为:trr=35ns,IF=5A,IFSM=50A,VRM=700V。将万用表拨至R×1档,读出正向电阻为6.4Ω,n′=19.5格;反向电阻则为无穷大。进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证明管子是好的。 注意事项: 1)有些单管,共三个引脚,中间的为空脚,一般在出厂时剪掉,但也有不剪的。 2)若对管中有一只管子损坏,则可作为单管使用。 3)测正向导通压降时,必须使用R×1档。若用R×1k档,因测试电流太小,远低于管子的正常工作电流,故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中,如果选择R×1k档测量,正向电阻就等于2.2kΩ,此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V,远低于正常值(0.6V)。更多技术论文请详见:[url=http://www.midiqi.com/][color=#810081]买电器网[/color][/url](MIDIQI.COM) [url=http://www.midiqi.com/Knowledge/Index.asp][color=#810081]知识库[/color][/url]

二极管泵相关的耗材

  • 蒙福特激光(Montfort Laser)可定制 紧凑型 二极管泵浦固态(DPSS)激光器
    总览紧凑型可定制脉冲二极管泵浦固体激光器,我们可以根据您的需求提供研发服务。基于我们已有的经验和技术,我们根据您的应用需求提供激光装置的定制化服务。二极管泵浦脉冲激光源有尺寸限制,而且激光参数难度较大,我们将尽所能,为您提供解决方案,如有任何需求,请咨询我们。技术参数应用领域:具有空间限制的二极管泵浦调Q激光器。二极管泵浦的超快固态激光振荡器二极管泵浦的超快(飞秒或皮秒)固态再生激光器。频率转换。激光谐振器设计。
  • 奥谱天成ATT1100雪崩二极管(APD)
    ATT1000是专门为激光测距优化设计的雪崩二极管(APD),具有高速响应、高增益、低结电容、低噪声的特点,非常适合激光测距、雷达等应用。特征:高速响应、高增益、低结电容、低噪声正照平面型芯片结构230μm、500μm光敏面可选陶瓷贴片封装内置滤波片(635nm窄带)和白玻窗可选典型应用:激光测距激光告警激光雷达1.最大额定值参数名称符号最小值最大值单位工作温度TOP-2085℃储存温度Tstg-55125℃工作电压Vop0.9×VBRV焊接温度Stemp260℃耗散功率1mW正向电流1mA2.光电性能(@Tc=22±3℃)特性参数符号测试条件最小典型最大单位光谱响应范围λ—400~1100nm光敏面直径φ—200(1)、500(2)μm响应度Reλ=800nm,φe=1μW, M=10.5A/W响应时间tSf=1MHz,RL=50Ω,λ=800nm0.3ns暗电流IDM=1000.02(1)0.05(1)0.4(1)nA0.05(2)0.1(2)0.5(2)总电容CtotM=100,f=1MHz1.5(1)pF3(2)最适宜的放大倍数M100反向击穿电压VBRIR=10uA80200V工作电压温度系数δTc=-40℃~85℃0.5(1)V/℃0.5(2)注: (1)为光敏面φ230μm器件之参数 (2)为光敏面φ500μm器件之参数 图3 0V光谱响应曲线
  • 可见光皮秒脉冲二极管激光器 (皮秒激光二极管驱动器)
    提供标准波长:375、405、450、488、635、670、785、976、1030、1064、1300、1550nm以及许多其他定制特定波长!激光脉冲短于40 ps。特定波长的峰值功率高达3 W,可更换激光头。输出脉宽<40Ps技术参数 产品特点 短于40 ps的激光脉冲特定波长的峰值功率高达3 W专有高频设计,可提供市场上最短和最高峰值功率的激光二极管脉冲带空间滤波的准直输出不同波长的可更换激光头,实现最大的灵活性专有激光二极管驱动器,产生皮秒强电流脉冲内置直接数字合成(DDS)频率发生器,以0.1 Hz的步长进行重复频率调整,最高可达20MHz(可选40MHz&80 MHz)外部TTL触发能力和同步TTL输出可选光纤耦合 产品应用荧光寿命测量泵浦探针实验光电探测器和光电时间响应测量光通信测试光时域反射计(OTDR)光纤激光器种子光学断层成像 皮秒脉冲二极管激光器: PICOPOWER ™ -LD系列皮秒脉冲激光二极管性能标准波长(nm)脉冲宽度(ps)20 MHz / @ 40 MHz 1?时的平均功率(mW)峰值功率( mW )光束发散度(mrad)注375 600.2 / 0.42501.3405 400.5 / 1.07501.2峰值功率高达3 W适用的450 600.4 / 0.84501.2488 600.25 / 0.52501.4635 600.2 / 0.4200不适用的光纤耦合670 600.5 / 1.04501.3785 600.2 / 0.42000.5976 800.5 / 1.0500不适用的光纤耦合1030 600.5 / 1.02501.51064 500.5 / 1.03001.52)1300 400.5 / 1.0250不适用的光纤耦合1550 400.5 / 1.0250不适用的光纤耦合 注释:?更高的平均功率适用于更长的脉冲持续时间。?单频和光纤耦合种子放大器可用。波长容差通常为1%。束流剖面为TEM00,但略呈椭圆形。激光等级通常为1M,最大3B,取决于波长。 激光头机械规格尺寸( ?× D)25 × 125mm还提供定制保护壳工作温度15℃至35℃(59°F至95°F)重量120g 皮秒激光二极管驱动器:PLDD-100-40 参数规格注与机械相关尺寸(W × H × D) 235 × 110 × 280mm 提供OEM和定制选项工作温度15℃至35℃(59°F至95°F)重量2.6kg与电相关频率发生器直接数字合成(DDS)8位频率范围/步长0.2Hz- 20MHz/ 0.1Hz可选:最大。40 MHz或80 MHz或定制频率最大值外部触发输入最大值20MHz应用TTL信号,上升边常规电压/电流要求100VAC/ 0.2A230VAC/ 0.1A12 V DC电源输入可选功率消耗最大值30W 注:可根据客户要求提供特定参数。如需更多信息,请联系我们。规格如有变更,恕不另行通知测试数据
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