刻蚀设备

光刻工艺光刻是用光刻胶、掩模和紫外光进行微制造 ,工艺如下 :(a)仔细地将基片洗净;(b)在干净的基片表面镀上一层阻挡层 ,例如铬、二氧化硅、氮化硅等;(c) 再用甩胶机在阻挡层上均匀地甩上一层几百 A厚的光敏材料——光刻胶。光刻胶的实际厚度与它的粘度有关 ,并与甩胶机的旋转速度的平方根成反比;(d) 在光掩模上制备所需的通道图案。将光掩模复盖在基片上,用紫外光照射涂有光刻胶的基片,光刻胶发生光化学反应;(e)用光刻胶配套显影液通过显影的化学方法除去经曝光的光刻胶。这样，可用制版的方法将底片上的二维几何图形精确地复制到光刻胶层上；(f) 烘干后 ,利用未曝光的光刻胶的保护作用 ,采用化学腐蚀的方法在阻挡层上精确腐蚀出底片上平面二维图形。掩模制备用光刻的方法加工微流控芯片时 ,必须首先制造光刻掩模。对掩模有如下要求：a.掩模的图形区和非图形区对光线的吸收或透射的反差要尽量大;b.掩模的缺陷如针孔、断条、桥连、脏点和线条的凹凸等要尽量少;c.掩模的图形精度要高。通常用于大规模集成电路的光刻掩模材料有涂有光胶的镀铬玻璃板或石英板。用计算机制图系统将掩模图形转化为数据文件，再通过专用接口电路控制图形发生器中的爆光光源、可变光阑、工作台和镜头，在掩模材料上刻出所需的图形。但由于设备昂贵，国内一般科研单位需通过外协解决，延迟了研究周期。由于微流控芯片的分辨率远低于大规模集成电路的要求，近来有报道使用简单的方法和设备制备掩模，用微机通过CAD软件将设计微通道的结构图转化为图象文件后，用高分辨率的打印机将图象打印到透明薄膜上，此透明薄膜可作为光刻用的掩模，基本能满足微流控分析芯片对掩模的要求。湿法刻蚀在光刻过的基片上可通过湿刻和干刻等方法将阻挡层上的平面二维图形加工成具有一定深度的立体结构。近年来，使用湿法刻蚀微细加工的报道较多，适用于硅、玻璃和石英等可被化学试剂腐蚀的基片。已广泛地用于电泳和色谱分离。湿法刻蚀的程序为 :(a) 利用阻挡层的保护作用，使用适当的蚀刻剂在基片上刻蚀所需的通道 ;(b) 刻蚀结束后 ,除去光胶和阻挡层，即可在基片上得到所需构型的微通道；(c)在基片的适当位置(一般为微通道的端头处)打孔，作为试剂、试样及缓冲液蓄池。刻有微通道的基片和相同材质的盖片清洗后，在适当的条件下键合在一起就得到微流控分析芯片。玻璃和石英湿法刻蚀时，只有含氢氟酸的蚀刻剂可用，如HF/HNO3，HF/ NH4。由于刻蚀发生在暴露的玻璃表面上，因此，通道刻的越深，通道二壁的不平行度越大 ,导至通道上宽下窄。这一现象限制了用湿法在玻璃上刻蚀高深宽比的通道。等离子体刻蚀等离子体刻蚀是一种以化学反应为主的干法刻蚀工艺，刻蚀气体分子在高频电场作用下，产生等离子体。等离子体中的游离基化学性质十分活泼，利用它和被刻蚀材料之间的化学反应，达到刻蚀微流控芯片的目的。等离子体刻蚀已应用于玻璃、石英和硅材料上加工微流控芯片 , 如石英毛细管电泳和色谱微芯片。先在石英基片上涂上一层正光胶 (爆光后脱落的光胶)，低温烘干后，放置好掩模，用紫外光照射后显影，在光胶上会产生微结构的图象。然后用活性CHF3等离子体刻蚀石英基片 ,基片上无光胶处会产生一定的深度通道或微结构。这样可产生高深宽比的微结构。近来，也有将等离子体刻蚀用于加工聚合物上的微通道的报道。http://www.whchip.com/upload/201610/1477271936108203.jpg

作者：泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Pradeep Nanja介绍半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀设备和技术来实现图形的微缩与先进技术的开发。随着半导体器件尺寸缩减、工艺复杂程度提升，制造工艺中刻蚀工艺波动的影响将变得明显。刻蚀终点探测用于确定刻蚀工艺是否完成、且没有剩余材料可供刻蚀。这类终点探测有助于最大限度地减少刻蚀速率波动的影响。刻蚀终点探测需要在刻蚀工艺中进行传感器和计量学测量。当出现特定的传感器测量结果或阈值时，可指示刻蚀设备停止刻蚀操作。如果已无材料可供刻蚀，底层材料（甚至整个器件或晶圆）就会遭受损坏，从而极大影响良率[1]，因此可靠的终点探测在刻蚀工艺中十分重要。半导体行业需要可以在刻蚀工艺中为工艺监测和控制提供关键信息的测量设备。目前，为了提升良率，晶圆刻蚀工艺使用独立测量设备和原位（内置）传感器测量。相比独立测量，原位测量可对刻蚀相关工艺（如刻蚀终点探测）进行实时监测和控制。使用 SEMulator3D工艺步骤进行刻蚀终点探测通过构建一系列包含虚拟刻蚀步骤、变量、流程和循环的“虚拟”工艺，可使用 SEMulator3D 模拟原位刻蚀终点探测。流程循环用于在固定时间内重复工艺步骤，加强工艺流程控制（如自动工艺控制）的灵活性[2]。为模拟控制流程，可使用 "For Loop" 或 "Until Loop"（就像计算机编程）设置一定数量的循环。在刻蚀终点探测中，可使用 "Until Loop"，因为它满足“已无材料可供刻蚀”的条件。在循环中，用户可以在循环索引的帮助下确认完成的循环数量。此外，SEMulator3D 能进行“虚拟测量”，帮助追踪并实时更新刻蚀工艺循环中的材料厚度。通过结合虚拟测量薄膜厚度估测和流程循环索引，用户可以在每个循环后准确获取原位材料刻蚀深度的测量结果。用 SEMulator3D 模拟刻蚀终点探测的示例初始设定在一个简单示例中，我们的布局图像显示处于密集区的四个鳍片和密集区右侧的隔离区（见图1）。我们想测量隔离区的材料完成刻蚀时密集区的刻蚀深度。我们将用于建模的区域用蓝框显示，其中有四个鳍片（红色显示）需要制造。此外，我们框出了黄色和绿色的测量区域，将在其中分别测量隔离区的薄膜厚度 (MEA_ISO_FT) 和沟槽区的刻蚀深度 (MEA_TRENCH_FT)。工艺流程的第一步是使用 20nm 厚的硅晶体层（红色）、30nm 的氧化物（浅蓝色）和 10nm 的光刻胶（紫色）进行晶圆设定（图2）。我们曝光鳍片图形，并对使用基本模型刻蚀对光刻胶进行刻蚀，使用特定等离子体角度分布的可视性刻蚀对氧化物材料进行刻蚀。氧化物对光刻胶的选择比是100比1。我们在 SEMulator3D 中使用可视性刻蚀模型来观察隔离区和有鳍片的密集区之间是否有厚度上的差异。[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/a41bec0f-535e-420a-8a19-ed4282cd5c66.jpg[/img]图1：模型边界区域（蓝色），其中包含四个鳍片（红色）和用于测量隔离区（黄色）和沟槽区（绿色）薄膜厚度的两个测量区域[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/630f2367-a619-4bc9-8608-09c532bef68f.jpg[/img]图2：SEMulator3D 模型，硅晶体（红色）、氧化物（浅蓝色）和在光刻胶中显影的四个鳍片（紫色）SEMulator3D 刻蚀终点探测循环SEMulator3D 的工艺流程使用 Until Loop 循环流程。我们将测量隔离区的材料厚度，并在隔离氧化物薄膜耗尽、即厚度为0时 (MEA_ISO_FT==0) 停止该工艺。在这个循环中，每个循环我们每隔 1nm 对氧化物材料进行1秒的刻蚀，并同时测量此时隔离区氧化物薄膜厚度。此外，我们将在每次循环后追踪两个鳍片间沟槽区的刻蚀深度。这个循环索引有助于追踪刻蚀循环的重复次数（图3）。[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/5041079a-7da3-459f-907c-f62f1b6ac8c1.jpg[/img]图3：SEMulator3D 刻蚀终点探测模拟中的循环流程结果对隔离薄膜进行刻蚀，直至其剩余 20nm、10nm 和 0nm 深度的模拟结果如图4所示。模型中计算出隔离薄膜厚度的测量结果，以及两个鳍片间沟槽区的刻蚀深度。[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/b5d9d13c-68e2-4389-80d1-b974c07afe99.jpg[/img]图4：隔离区薄膜厚度剩余 20nm、10nm 和 0nm 的工艺模拟流程，及相应从光刻胶底部开始的沟槽刻蚀深度我们对循环模型进行近30次重复后，观察到隔离区的薄膜厚度已经达到0，并能追踪到沟槽区氧化物的刻蚀深度（当隔离区被完全刻蚀时，密集区 30nm 的氧化物已被刻蚀 28.4nm）。结论SEMulator3D 可用来创建刻蚀终点探测工艺的虚拟模型。这项技术可用来确定哪些材料在刻蚀工艺中被完全去除，也可测量刻蚀后剩下的材料（取决于刻蚀类型）。使用这一方法可成功模拟原位刻蚀深度控制。使用类似方法，也可以进行其他类型的自动工艺控制，例如深度反应离子刻蚀 (DRIE) 或高密度等离子体化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp][color=#3333ff]气相[/color][/url]沉积 (HDP-CVD) 工艺控制。参考资料：[1] Derbyshire, Katherine. In Situ Metrology for Real-Time Process Control, Semiconductor Online, 10 July 1998, https://www.semiconductoronline.com/doc/in-situ-metrology-for-real-time-process-contr-0001.[2] SEMulator3D V10 Documentation: Sequences, Loops, Variables, etc.[来源：大半导体产业网][align=right][/align]

在用AFM进行电刻蚀时，用导电铂针进行刻蚀。但是每次刻蚀完之后用半接触模式很难扫描出清晰的图像。。。。。有没有什么方法能用铂针搜出清晰图像。

各位做过等离子刻蚀的同行们： 我是一个新手，在刻蚀聚苯乙烯小球的时候自己设置了几个参数，但是具体每个参数对实验结果的影响还不是很清楚，先列出来Icp（w）；RF（w）；Pressure（mT）等。希望大家给予指点，不胜感激

如何用SEM做电子束刻蚀？有什么特殊装备吗？

我想用XPS刻蚀的方法测量高效减水剂在粉体材料上的吸附层厚度，应该如何制样，请各位高手请点！非常感谢！

我用的是日本精工的SPM,在对样品进行刻蚀的时侯，本来是想刻蚀出一条直线，为什么只刻蚀出几个点来，所加的刻蚀电压已经是最高了

目前我做的两万倍好像看不清楚刻蚀作用。

我比较熟的产品有MBE，磁控溅射，电子束蒸发，PLD，PECVD，等离子刻蚀RIE,ICP.如果大家在这方面有什么问题，非常愿意与大家交流，如果想采购这类产品和组件，或这方面的任何需求，我都可以向你推荐，可以发mail给我，lhm115011@gmail.com

超牛的纳米刻蚀技术http://simg.instrument.com.cn/bbs/images/brow/em09507.gifhttp://202.118.73.154/gongkewuli/Reading/R_stm/Images/STM12.JPG

有谁用AFM做过纳米刻蚀？效果怎么样？http://simg.instrument.com.cn/bbs/images/brow/em09507.gif可否分享下图片，让我们瞧瞧

想用离子刻蚀制备EBSD样品，材料是碳含量为0.5%左右的珠光体钢。但是不知离子刻蚀的具体参数，所以想请了解这方面的给些建议。

雕花玻璃是用什么物质对玻璃进行刻蚀而制成的？

氩气注入的具体方法是什么，与氩离子刻蚀的区别是什么，求高手指教！

一般离子刻蚀样品（离子清洗样品）所用的枪为氩离子枪。主要清洗样品表面的粘污物和深度剖析时刻蚀样品。在电子能谱分析中常用离子刻蚀样品

同样的操作参数我做ZnO膜刻蚀大约2nm/min,但是一个据说是几十nm厚的氧化亚铜层刻了将近100min也没刻完,不知是不是这种材料比较难于刻蚀呀?多谢

制备了环氧树脂、聚己内酯及in situ生成的SiO2复合物，想通过SEM看清楚三者的分布情况，请问该如何使用化学刻蚀？需要指出的是，三者之间都有化学键作用。 或者介绍我其他表征方法也行。谢谢！

以往销售中总是遇到这样的事 仪器设备使用人员与我们联系，我们帮使用部门提供技术交流配置选型，可是到后来转到设备科去采购，他拿着我们提供的配置清单及价格去咨询其他销售供应商，而且以我们提供的价格甚至高出我们的价格采购。对此，他们的解释是*****************，是不是把产品的技术及货源全部控制好 然后高价牵着这些人的鼻子走他们才会满意呢？ 其实以前做一些科研单位及院校的时候，每个课题组的人都可以买自己需要的设备，自己就能按照自己所需要的技术指标去采购相应的仪器，自己也会寻几家公司对比价格，性能，售后等。 不知道供应处设备科真正意义上的用途到底是什么呢？

众寻“巡查使”智能巡查安全管理系统可将数据通过可视化大屏呈现出来：将复杂、抽象、专业的数据内容，通过直观、动态、通俗多样更加直观的方式展现出来，用更加易于理解的方式为用户做出更好的决策提供数据依据。一方面，它形象地表达数据内在的信息和规律，能简洁全面地推进数据的传播；另一方面，它能帮助企业发现数据中某种规律和特征，从而挖掘数据背后的价值。“巡查使”智能巡查安全管理系统不仅适合化工、石化行业，巡查使同样适用于电力、铁路、林业、景区、物业、生产设备、自然保护区等需要巡检的行业，相关巡检数据都可通过可视化大屏呈现，便于管理层提升决策效率和效果。

特殊行业应用实例： 全氟化表面活性剂在半导体酸蚀刻溶液中起润湿剂的作用。酸蚀刻剂能够在二氧化硅材质上雕刻出细的划痕。在半导体的制作中，如果酸蚀刻剂的润湿性不好可能有气泡生成，这些气泡会附着在刻蚀表面，影响信号。可以通过增加少量的表面活性剂减少气泡的形成，从而提高溶液的润湿性。下载链接：http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100244/paperDetail.asp?ID=12249

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求助 医院检验科除了“HIV”“PCR”“生化室”“免疫室”“抽血室”“血常规”“细菌室”“体液室”“标本处理室”“无菌室”“血库”还有哪些主要科室？各科室之间的先后关联关系？有哪些科室需要级别要求？需要缓冲才能进入？

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大家好，我有个问题想问问有些着急，就是做铅和铜测试时用的可是[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原子吸收[/color][/url]分光光度计可需要带石墨炉和阴及灯呢，这个仪器设备是否很大呢急！急！急！

‘有奖问答’对错题’实验室把[font=宋体]设备借给其他科室，归还后，管理员检查外观并开机显示正常，然后在归还记录上签字同意，之后用该设备进行测试[/font]（ ）

随着多款搭载800V平台的车型发布，以及头部材料厂商扩产计划超预期，碳化硅产业链迎来频繁催化。中金公司认为，需求端新能源车+光伏上量与供给端良率突破或于2024年迎来共振，碳化硅有望迎接大规模放量；国内厂商产能规划亦积极，提升了设备国产化需求。近几日，国内外多家SiC设备企业宣布斩获订单，获首季开门红。[list][*][b]48所40台SiC外延设备成功Move in [/b][/list]1月9日，中国电科48所宣布，随着某客户现场搬运通道的封闭，48所自主研发的40台SiC外延炉成功Move in。据了解，去年6月29日，中国电科48所宣布，他们自主研制的8吋SiC外延设备首次亮相，并且已经完成首轮工艺验证。48所研发团队在6吋SiC外延设备基础上，进一步优化水平进气装置设计、热壁式反应室构型等设计，克服了大尺寸外延生长反应源沿程损耗突出、温流场分布不均等问题，满足了大尺寸、高质量外延生长需求，实现了外延装备从6吋到8吋的技术迭代。而“第三代半导体核心装备国产化关键技术攻关”项目由中国电子科技集团公司第四十八研究所(以下简称中国电科48所)承担，项目突破了6英寸SiC外延生长、高温高能离子注入机工艺性能、产能、稳定性、可靠性提升等关键技术，实现了6英寸SiC外延生长设备、SiC高温高能离子注入机国产化与工程化，满足规模化量产工艺要求，并具备产业化应用能力，目前已在国内多家第三代半导体芯片制造企业上线应用。项目实施期内申请发明专利15项，发布规范标准等4项。[list][*][b]安森美韩国SiC工厂采用爱思强设备[/b][/list]据外媒报道，安森美位于韩国富川的SiC工厂采用了由爱思强提供的G10-SiC化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp][color=#3333ff]气相[/color][/url]沉积（CVD）设备，爱思强将支持该工厂年产超100万片8英寸SiC晶圆的产能，爱思强还获得了安森美颁发的供应商奖。在新工厂，安森美运营着多套新的G10-SiC系统，两家公司密切合作，不仅安装了新工具，还实现了现场生产力的重大提高。这些团队共同改进了设备操作，优化了维护程序，所有这些都大大增加了正常运行时间和晶圆产量。安森美的一位代表在一份新闻稿中表示，由于与爱思强的密切合作，该公司能够提高安装基地已经非常高的生产力水平。据介绍，安森美在新工厂运营着多个新的G10-SiC系统，并且实现了重大的生产力提高。[list][*][b]微芸半导体获得碳化硅刻蚀设备重复订单，设备性能满足客户量产要求[/b][/list]1月7日，据“诺延资本”消息，微芸科技于近日成功获得国内某碳化硅代工厂批量订单，标志着微芸科技研发生产的碳化硅刻蚀设备在均匀性和一致性方面已经基本满足客户量产的需求。据介绍，微芸科技于2021年成立，是一家专注于第三代化合物半导体的半导体设备制造商。据悉，微芸科技仅用两年时间就完成了ICP和CCP刻蚀设备的研发，并且获得了重复订单。目前公司在硅、碳化硅、二氧化硅、氮化硅、砷化镓、磷化铟等多种材料的刻蚀上都有比较成熟的整套工艺和设备方案。预计将在2024年第一季度完成针对氮化镓材料的原子层刻蚀设备研发。[list][*][b]清软微视国产 SiC 检测设备签约高校研究院[/b][/list]近日，清软微视（杭州）科技有限公司（以下简称”清软微视“）自主研发的 SiC 衬底和外延缺陷检测设备 Omega 9880 成功中标国内某知名 SiC 研究院相关设备招标项目，并已成功签订采购合同。该研究院主要聚焦 SiC 功率半导体材料缺陷表征、器件设计、器件制造工艺、封装工艺开发等主要方向，重点突破 SiC 材料与器件关键共性技术及先进制造工艺。清软微视作为清华大学知识产权转化的高新技术企业，布局了 SiC 从衬底、外延、芯片到器件模组的全产业链检测装备，打通了 SiC 全制程段缺陷数据，为 SiC 缺陷的转化、关联和器件的失效分析奠定了数据基础。结合清软微视与该研究院各自的科研优势，双方将在SiC外延和芯片的缺陷表征和分析方面展开深度合作。[来源：仪器信息网] 未经授权不得转载[align=right][/align]