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各位前辈,大家好。我这里有一个样品,前一段时间做了x射线镜面反射曲线,但是不知道该怎么解释,查了各种资料,关于x射线镜面反射方面的资料很少,希望在这里能够得到各位前辈的指点,不胜感激。 我的样品为在蓝宝石衬底上生长的GaN基LED外延片,首先是在蓝宝石衬底上生长GaN缓冲层,然后生长1个微米左右的n型GaN,然后在生长150nm厚的InGaN/GaN超晶格结构层,然后再生长550nm左右的p型GaN。下图是在bede D1设备上做的x射线镜面反射曲线,不知道该怎么分析,希望能够得到各位前辈的不吝赐教。谢谢。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2009/04/200904161111_144457_1874631_3.jpg[/img]
转录 请自己 google 搜索 便携全反射X射线荧光分析仪 全反射X射线荧光分析仪 等文章全反射X荧儿(TXRF)分析技术是十多年前才发展起来的多元素同时分析技术,它突出的优点是检出限低(pg、ng/mL 级以下)、用样量少(Μl、ng级)、准确高度(可用内标法)、简便、快速,而且要进行无损分析,成为一种不可替代的全亲的元素分析方法。国际上每两年召开一次TXRF分析技术国际讨论会。该技术被誉为在分析领域是最具有竞争力的分析手段,在原子谱仪领域内处于领先地位。从整个分析领域看,与质谱仪中的ICP-MS和GDMS、原子吸收谱仪中的ETAAS和EAAS以及中子活化分析NAA等方法相比较,TXRF分析在检出限低、定量性好、用样量少、快速、简便、经济、多元素同时分析等方面有着综合优势。在X荧光谱仪范围内,能谱仪(XRF)和波谱仪(WXRF)在最低检出限、定量性、简便性、准确性、经济性等方面,都明显比TXRF差。在表面分析领域内,尤其在微电子工业的大面积硅片表面质量控制中,TXRF已在国际上得到广泛应用。1. TXRF分析仪工作原理:TXRF利用全反射技术,会使样品荧光的杂散本底比XRF降低约四个量级,从而大大提高了能量分辨率和灵敏率,避免了XRF和WXRF测量中通常遇到的木底增强或减北效应,大大缩减了定量分析的工作量和工作时间,同时提高了测量的精确度。测量系统的最低探测限(MDL)可由公式计算: (2)这里, 是木底计数率,t为测量计数时间,M为被测量元素质量,l代表被测量元素产生的特征峰净计数率,S=I/M就是系统灵敏度,由公式可以看出,提高灵敏底、降低木底计数率、增加计数时间是降低MDL的有效办法。木氏低、灵敏度高正是TXRF方法的长处,因而MDL很低。
求助x射线反射率拟合软件,或者哪里可以下载?谢谢