InGaAs PIN四元探测器MPGD3540T
InGaAs PIN四元探测器MPGD3540T 1、说明基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm,φ75μm, φ300μm,φ500μm,φ800μm,φ1000μm,φ3000μm,φ5000μm等光敏面积直径的系列产品,可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。2、特点平面正照结构,低暗电流,高均匀性,高可靠性。3、应用激光导引头,激光经纬仪,光电跟踪、定位,光电准直仪器等。4、最大额定值最大额定值单位最大额定值单位工作电压5V功耗10mW正向电流10mA工作温度-40~100℃焊接条件260℃,10秒存储温度 -45~120℃5、参数性能(Ta=23℃)参数符号测试条件最小典型最大单位光敏面直径Φ4×1500μm光参数光谱响应范围λ900~1700nm响应度ReVR=10mV,λ=1.3μm,φe=100μw0.850.90A/WVR=10mV,λ=1.3μm,φe=100μw0.900.95响应线性饱和功率VR =10m V 3mW电参数暗电流IDVR=10mV0.21.0nA反向击穿电压VBRIR=10μA50V电容Cf=1MHz,VR=10mV300pF分流电阻Rsh30MΩ6、封装、管壳框图及管脚接法 (单位:mm) 管脚接法7、使用方法及注意事项器件在零偏下使用。使用中防止剧烈震动、冲击,以免器件损坏。在使用前请将光窗用酒精和脱脂棉清洗干净。在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施,以免器件失效。