封装测试仪

1. 研究背景及意义碳化硅(SiC)是一种宽带隙(WBG)的半导体材料，目前已经显示出有能力满足前述领域中不断发展的电力电子的更高性能要求。在过去，硅(Si)一直是最广泛使用的功率开关器件的半导体材料。然而，随着硅基功率器件已经接近其物理极限，进一步提高其性能正成为一个巨大的挑战。我们很难将它的阻断电压和工作温度分别限制在6.5kV和175℃，而且相对于碳化硅器件它的开关速度相对较慢。另一方面，由SiC制成的器件在过去几十年中已经从不成熟的实验室原型发展成为可行的商业产品，并且由于其高击穿电压、高工作电场、高工作温度、高开关频率和低损耗等优势被认为是Si基功率器件的替代品。除了这些性能上的改进，基于SiC器件的电力电子器件有望通过最大限度地减少冷却要求和无源元件要求来实现系统的体积缩小，有助于降低整个系统成本。SiC的这些优点与未来能源转换应用中的电力电子器件的要求和方向非常一致。尽管与硅基器件相比SiC器件的成本较高，但SiC器件能够带来的潜在系统优势足以抵消增加的器件成本。目前SiC器件和模块制造商的市场调查显示SiC器件的优势在最近的商业产品中很明显，例如SiC MOSFETs的导通电阻比Si IGBT的导通电阻小四倍，并且在每三年内呈现出-30%的下降趋势。与硅同类产品相比，SiC器件的开关能量小10-20倍，最大开关频率估计高20倍。由于这些优点，预计到2022年，SiC功率器件的总市场将增长到10亿美元，复合年增长率(CAGR)为28%，预计最大的创收应用是在混合动力和电动汽车、光伏逆变器和工业电机驱动中。然而，从器件的角度来看，挑战和问题仍然存在。随着SiC芯片有效面积的减少，短路耐久时间也趋于减少。这表明在稳定性、可靠性和芯片尺寸之间存在着冲突。而且SiC器件的现场可靠性并没有在各种应用领域得到证明，这些问题直接导致SiC器件在电力电子市场中的应用大打折扣。另一方面，生产高质量、低缺陷和较大的SiC晶圆是SiC器件制造的技术障碍。这种制造上的困难使得SiC MOSFET的每年平均销售价格比Si同类产品高4-5倍。尽管SiC材料的缺陷已经在很大程度上被克服，但制造工艺还需要改进，以使SiC器件的成本更加合理。最近几年大多数SiC器件制造大厂已经开始使用6英寸晶圆进行生产。硅代工公司X-fab已经升级了其制造资源去适应6英寸SiC晶圆，从而为诸如Monolith这类无晶圆厂的公司提供服务。这些积极的操作将导致SiC器件的整体成本降低。图1.1 SiC器件及其封装的发展图1.1展示了SiC功率器件及其封装的发展里程碑。第一个推向市场的SiC器件是英飞凌公司在2001年生产的肖特基二极管。此后，其他公司如Cree和Rohm继续发布各种额定值的SiC二极管。2008年，SemiSouth公司生产了第一个SiC结点栅场效应晶体管（JFET），在那个时间段左右，各公司开始将SiC肖特基二极管裸模集成到基于Si IGBT的功率模块中，生产混合SiC功率模块。从2010年到2011年，Rohm和Cree推出了第一个具有1200V额定值的分立封装的SiC MOSFET。随着SiC功率晶体管的商业化，Vincotech和Microsemi等公司在2011年开始使用SiC JFET和SiC二极管生产全SiC模块。2013年，Cree推出了使用SiC MOSFET和SiC二极管的全SiC模块。此后，其他器件供应商，包括三菱、赛米控、富士和英飞凌，自己也发布了全SiC模块。在大多数情况下，SiC器件最初是作为分立元件推出的，而将这些器件实现为模块封装是在最初发布的几年后开发的。这是因为到目前为止分立封装的制造过程比功率模块封装要简单得多。另一个原因也有可能是因为发布的模块已经通过了广泛的标准JEDEC可靠性测试资格认证，这代表器件可以通过2000万次循环而不发生故障，因此具有严格的功率循环功能。而且分离元件在设计系统时具有灵活性，成本较低，而模块的优势在于性能较高，一旦有了产品就容易集成。虽然SiC半导体技术一直在快速向前发展，但功率模块的封装技术似乎是在依赖过去的惯例，这是一个成熟的标准。然而，它并没有达到充分挖掘新器件的潜力的速度。SiC器件的封装大多是基于陶瓷基底上的线接合方法，这是形成多芯片模块（MCM）互连的标准方法，因为它易于使用且成本相对较低。然而，这种标准的封装方法由于其封装本身的局限性，已经被指出是向更高性能系统发展的技术障碍。首先，封装的电寄生效应太高，以至于在SiC器件的快速开关过程中会产生不必要的损失和噪音。第二，封装的热阻太高，而热容量太低，这限制了封装在稳态和瞬态的散热性能。第三，构成封装的材料和元件通常与高温操作（200℃）不兼容，在升高的操作温度下，热机械可靠性恶化。最后，对于即将到来的高压SiC器件，承受高电场的能力是不够的。这些挑战的细节将在第二节进一步阐述。总之，不是器件本身，而是功率模块的封装是主要的限制因素之一，它阻碍了封装充分发挥SiC元件的优势。因此，应尽最大努力了解未来SiC封装所需的特征，并相应地开发新型封装技术去解决其局限性。随着社会的发展，环保问题与能源问题愈发严重，为了提高电能的转化效率，人们对于用于电力变换和电力控制的功率器件需求强烈[1, 2]。碳化硅（SiC）材料作为第三代半导体材料，具有禁带宽度大，击穿场强高、电子饱和速度大、热导率高等优点[3]。与传统的Si器件相比，SiC器件的开关能耗要低十多倍[4]，开关频率最高提高20倍[5, 6]。SiC功率器件可以有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。但是由于SiC器件工作频率高，而且结电容较小，栅极电荷低，这就导致器件开关时，电压和电流变化很大，寄生电感就极易产生电压过冲和振荡现象，造成器件电压应力、损耗的增加和电磁干扰问题[7, 8]。还要考虑极端条件下的可靠性问题。为了解决这些问题，除了器件本身加以改进，在封装工艺上也需要满足不同工况的特性要求。起先，电力电子中的SiC器件是作为分立器件生产的，这意味着封装也是分立的。然而SiC器件中电压或电流的限制，通常工作在低功耗水平。当需求功率达到100 kW或更高时，设备往往无法满足功率容量要求[9]。因此，需要在设备中连接和封装多个SiC芯片以解决这些问题，并称为功率模块封装[10, 11]。到目前为止，功率半导体的封装工艺中，铝（Al）引线键合封装方案一直是最优的封装结构[12]。传统封装方案的功率模块采用陶瓷覆铜板，陶瓷覆铜板（Direct Bonding Copper，DBC）是一种具有两层铜的陶瓷基板，其中一层图案化以形成电路[13]。功率半导体器件底部一般直接使用焊料连接到DBC上，顶部则使用铝引线键合。底板（Baseplate）的主要功能是为DBC提供支撑以及提供传导散热的功能，并与外部散热器连接。传统封装提供电气互连（通过Al引线与DBC上部的Cu电路键合）、电绝缘（使用DBC陶瓷基板）、器件保护（通过封装材料）和热管理（通过底部）。这种典型的封装结构用于目前制造的绝大多数电源模块[14]。传统的封装方法已经通过了严格的功率循环测试（2000万次无故障循环），并通过了JEDEC标准认证[15]。传统的封装工艺可以使用现有的设备进行，不需要额外开发投资设备。传统的功率模块封装由七个基本元素组成，即功率半导体芯片、绝缘基板、底板、粘合材料、功率互连、封装剂和塑料外壳，如图1.2所示。模块中的这些元素由不同的材料组成，从绝缘体、导体、半导体到有机物和无机物。由于这些不同的材料牢固地结合在一起，为每个元素选择适当的材料以形成一个坚固的封装是至关重要的。在本节中，将讨论七个基本元素中每个元素的作用和流行的选择以及它们的组装过程。图1.2标准功率模块结构的横截面功率半导体是功率模块中的重要元素，通过执行电气开/关开关将功率从源头转换到负载。标准功率模块中最常用的器件类型是MOSFETs、IGBTs、二极管和晶闸管。绝缘衬底在半导体元件和终端之间提供电气传导，与其他金属部件（如底板和散热器）进行电气隔离，并对元件产生的热量进行散热。直接键合铜（DBC）基材在传统的电源模块中被用作绝缘基材，因为它们具有优良的性能，不仅能满足电气和热的要求，而且还具有机械可靠性。在各种候选材料中，夹在两层铜之间的陶瓷层的流行材料是Al2O3，AlN，Si2N4和BeO。接合材料的主要功能是通过连接每个部件，在半导体、导体导线、端子、基材和电源模块的底板之间提供机械、热和电的联系。由于其与电子组装环境的兼容性，SnPb和SnAgCu作为焊料合金是最常用的芯片和基片连接材料。在选择用于功率模块的焊料合金时，需要注意的重要特征是：与使用温度有关的熔化温度，与功率芯片的金属化、绝缘衬底和底板的兼容性，高机械强度，低弹性模量，高抗蠕变性和高抗疲劳性，高导热性，匹配的热膨胀系数（CTE），成本和环境影响。底板的主要作用是为绝缘基板提供机械支持。它还从绝缘基板上吸收热量并将其传递给冷却系统。高导热性和低CTE（与绝缘基板相匹配）是对底板的重要特性要求。广泛使用的底板材料是Cu，AlSiC，CuMoCu和CuW。导线键合的主要作用是在模块的功率半导体、导体线路和输入/输出终端之间进行电气连接。器件的顶面连接最常用的材料是铝线。对于额定功率较高的功率模块，重铝线键合或带状键合用于连接功率器件的顶面和陶瓷基板的金属化，这样可以降低电阻和增强热能力。封装剂的主要目的是保护半导体设备和电线组装的组件免受恶劣环境条件的影响，如潮湿、化学品和气体。此外，封装剂不仅在电线和元件之间提供电绝缘，以抵御电压水平的提高，而且还可以作为一种热传播媒介。在电源模块中作为封装剂使用的材料有硅凝胶、硅胶、聚腊烯、丙烯酸、聚氨酯和环氧树脂。塑料外壳（包括盖子）可以保护模块免受机械冲击和环境影响。因为即使电源芯片和电线被嵌入到封装材料中，它们仍然可能因处理不当而被打破或损坏。同时外壳还能机械地支撑端子，并在端子之间提供隔离距离。热固性烯烃（DAP）、热固性环氧树脂和含有玻璃填料的热塑性聚酯（PBT）是塑料外壳的最佳选择。传统电源模块的制造过程开始于使用回流炉在准备好的DBC基片上焊接电源芯片。然后，许多这些附有模具的DBC基板也使用回流焊工艺焊接到一个底板上。在同一块底板上，用胶水或螺丝钉把装有端子的塑料外壳连接起来。然后，正如前面所讨论的那样，通过使用铝线进行电线连接，实现电源芯片的顶部、DBC的金属化和端子之间的连接。最后，用分配器将封装材料沉积在元件的顶部，并在高温下固化。前面所描述的结构、材料和一系列工艺被认为是功率模块封装技术的标准，在目前的实践中仍被广泛使用。尽管对新型封装方法的需求一直在持续，但技术变革或采用是渐进的。这种对新技术的缓慢接受可以用以下原因来解释。首先，人们对与新技术的制造有关的可靠性和可重复性与新制造工艺的结合表示担忧，这需要时间来解决。因此，考虑到及时的市场供应，模块制造商选择继续使用成熟的、广为人知的传统功率模块封装技术。第二个原因是传统电源模块的成本效益。由于传统电源模块的制造基础设施与其他电子器件封装环境兼容，因此不需要与开发新材料和设备有关的额外成本，这就大大降低了工艺成本。尽管有这些理由坚持使用标准的封装方法，但随着半导体趋势从硅基器件向碳化硅基器件的转变，它正显示出局限性并面临着根本性的挑战。使用SiC器件的最重要的优势之一是能够在高开关频率下工作。在功率转换器中推动更高的频率背后的主要机制是最大限度地减少整个系统的尺寸，并通过更高的开关频率带来的显著的无源尺寸减少来提高功率密度。然而，由于与高开关频率相关的损耗，大功率电子设备中基于硅的器件的开关频率通常被限制在几千赫兹。图1.3中给出的一个例子显示，随着频率的增加，使用Si-IGBT的功率转换器的效率下降，在20kHz时已经下降到73%。另一方面，在相同的频率下，SiC MOSFET的效率保持高达92%。从这个例子中可以看出，硅基器件在高频运行中显示出局限性，而SiC元件能够在更高频率下运行时处理高能量水平。尽管SiC器件在开关性能上优于Si器件对应产品，但如果要充分利用其快速开关的优势，还需要考虑到一些特殊的因素。快速开关的瞬态效应会导致器件和封装内部的电磁寄生效应，这正成为SiC功率模块作为高性能开关应用的最大障碍。图1.3 Si和SiC转换器在全额定功率和不同开关频率下的效率图1.4给出了一个半桥功率模块的电路原理图，该模块由高低两侧的开关和二极管对组成，如图1.4所示，其中有一组最关键的寄生电感，即主开关回路杂散电感(Lswitch)、栅极回路电感(Lgate)和公共源电感(Lsource)。主开关回路杂散电感同时存在于外部电源电路和内部封装互连中，而外部杂散电感对开关性能的影响可以通过去耦电容来消除。主开关回路杂散电感(Lswitch)是由直流+总线、续流二极管、MOSFET(或IGBT)和直流总线终端之间的等效串联电感构成的。它负责电压过冲，在关断期间由于电流下降而对器件造成严重的压力，负反馈干扰充电和向栅极源放电的电流而造成较慢的di/dt的开关损失，杂散电感和半导体器件的输出电容的共振而造成开关波形的振荡增加，从而导致EMI发射增加。栅极环路电感(Lgate)由栅极电流路径形成，即从驱动板到器件的栅极接触垫，以及器件的源极到驱动板的连接。它通过造成栅极-源极电压积累的延迟而降低了可实现的最大开关频率。它还与器件的栅极-源极电容发生共振，导致栅极信号的震荡。结果就是当我们并联多个功率芯片模块时，如果每个栅极环路的寄生电感不相同或者对称，那么在开关瞬间将产生电流失衡。共源电感(Lsource)来自主开关回路和栅极回路电感之间的耦合。当打开和关闭功率器件时，di/dt和这个电感上的电压在栅极电路中作为额外的（通常是相反的）电压源，导致di/dt的斜率下降，扭曲了栅极信号，并限制了开关速度。此外，共源电感可能会导致错误的触发事件，这可能会通过在错误的时间打开器件而损坏器件。这些寄生电感的影响在快速开关SiC器件中变得更加严重。在SiC器件的开关瞬态过程中会产生非常高的漏极电流斜率di/dt，而前面讨论的寄生电感的电压尖峰和下降也明显大于Si器件的。寄生电感的这些不良影响导致了开关能量损失的增加和可达到的最大开关频率的降低。开关瞬态的问题不仅来自于电流斜率di/dt，也来自于电压斜率dv/dt。这个dv/dt导致位移电流通过封装的寄生电容，也就是芯片和冷却系统之间的电容。图1.5显示了半桥模块和散热器之间存在的寄生电容的简化图。这种不需要的电流会导致对变频器供电的电机的可靠性产生不利影响。例如，汽车应用中由放电加工(EDM)引起的电机轴承缺陷会产生很大的噪声电流。在传统的硅基器件中，由于dv/dt较低，约为3 kV/µs，因此流经寄生电容的电流通常忽略不记。然而，SiC器件的dv/dt比Si器件的dv/dt高一个数量级，最高可达50 kV/µs，使通过封装电容的电流不再可以忽略。对Si和SiC器件产生的电磁干扰(EMI)的比较研究表明，由于SiC器件的快速开关速度，传导和辐射的EMI随着SiC器件的使用而增加。除了通过封装进入冷却系统的电流外，电容寄也会减缓电压瞬变，在开关期间产生过电流尖峰，并通过与寄生电感形成谐振电路而增加EMI发射，这是我们不希望看到的。未来的功率模块封装应考虑到SiC封装中的寄生和高频瞬变所带来的所有复杂问题和挑战。解决这些问题的主要封装级需要做到以下几点。第一，主开关回路的电感需要通过新的互连技术来最小化，以取代冗长的线束，并通过优化布局设计，使功率器件接近。第二，由于制造上的不兼容性和安全问题，栅极驱动电路通常被组装在与功率模块分开的基板上。应通过将栅极驱动电路与功率模块尽可能地接近使栅极环路电感最小化。另外，在平行芯片的情况下，布局应该是对称的，以避免电流不平衡。第三，需要通过将栅极环路电流与主开关环路电流分开来避免共源电感带来的问题。这可以通过提供一个额外的引脚来实现，例如开尔文源连接。第四，应通过减少输出端和接地散热器的电容耦合来减轻寄生电容中流动的电流，比如避免交流电位的金属痕迹的几何重叠。图1.4半桥模块的电路原理图。三个主要的寄生电感表示为Lswitch、Lgate和Lsource。图1.5半桥模块的电路原理图。封装和散热器之间有寄生电容。尽管目前的功率器件具有优良的功率转换效率，但在运行的功率模块中，这些器件产生的热量是不可避免的。功率器件的开关和传导损失在器件周围以及从芯片到冷却剂的整个热路径上产生高度集中的热通量密度。这种热通量导致功率器件的性能下降，以及器件和封装的热诱导可靠性问题。在这个从Si基器件向SiC基器件过渡的时期，功率模块封装面临着前所未有的散热挑战。图1.6根据额定电压和热阻计算出所需的总芯片面积在相同的电压和电流等级下，SiC器件的尺寸可以比Si器件小得多，这为更紧凑的功率模块设计提供了机会。根据芯片的热阻表达式，芯片尺寸的缩小，例如芯片边缘的长度，会导致热阻的二次方增加。这意味着SiC功率器件的模块化封装需要特别注意散热和冷却。图1.6展示了计算出所需的总芯片面积减少，这与芯片到冷却剂的热阻减少有关。换句话说，随着芯片面积的减少，SiC器件所需的热阻需要提高。然而，即使结合最先进的冷却策略，如直接冷却的冷板与针状翅片结构，假设应用一个70kVA的逆变器，基于DBC和线束的标准功率模块封装的单位面积热阻值通常在0.3至0.4 Kcm2/W之间。为了满足研究中预测的未来功率模块的性能和成本目标，该值需要低于0.2 Kcm2/W，这只能通过创新方法实现，比如双面冷却法。同时，小的芯片面积也使其难以放置足够数量的线束，这不仅限制了电流处理能力，也限制了热电容。以前对标准功率模块封装的热改进大多集中在稳态热阻上，这可能不能很好地代表开关功率模块的瞬态热行为。由于预计SiC器件具有快速功率脉冲的极其集中的热通量密度，因此不仅需要降低热阻，还需要改善热容量，以尽量减少这些快速脉冲导致的峰值温度上升。在未来的功率模块封装中，应解决因采用SiC器件而产生的热挑战。以下是未来SiC封装在散热方面应考虑的一些要求。第一，为了降低热阻，需要减少或消除热路中的一些封装层；第二，散热也需要从芯片的顶部完成以使模块的热阻达到极低水平，这可能需要改变互连方法，比如采用更大面积的接头；第三，封装层接口处的先进材料将有助于降低封装的热阻。例如，用于芯片连接和热扩散器的材料可以分别用更高的导热性接头和碳基复合材料代替。第四，喷射撞击、喷雾和微通道等先进的冷却方法可以用来提高散热能力。SiC器件有可能被用于预期温度范围极广的航空航天应用中。例如用于月球或火星任务的电子器件需要分别在-180℃至125℃和-120℃至85℃的广泛环境温度循环中生存。由于这些空间探索中的大多数电子器件都是基于类似地球的环境进行封装的，因此它们被保存在暖箱中，以保持它们在极低温度下的运行。由于SiC器件正在评估这些条件，因此需要开发与这些恶劣环境兼容的封装技术，而无需使用暖箱。与低温有关的最大挑战之一是热循环引起的大的CTE失配对芯片连接界面造成的巨大压力。另外，在室温下具有柔性和顺应性的材料，如硅凝胶，在-180℃时可能变得僵硬，在封装内产生巨大的应力水平。因此，SiC封装在航空应用中的未来方向首先是开发和评估与芯片的CTE密切匹配的基材，以尽量减少应力。其次，另一个方向应该是开发在极低温度下保持可塑性的芯片连接材料。在最近的研究活动中，在-180℃-125℃的极端温度范围内，对分别作为基材和芯片附件的SiN和Indium焊料的性能进行了评估和表征。为进一步推动我国能源战略的实施，提高我国在新能源领域技术、装备的国际竞争力，实现高可靠性碳化硅 MOSFET 器件中试生产技术研究，研制出满足移动储能变流器应用的多芯片并联大功率MOSFET 器件。本研究将通过寄生参数提取、建模、仿真及测试方式研究 DBC 布局、多栅极电阻等方式对芯片寄生电感与均流特性的影响，进一步提高我国碳化硅器件封装及测试能力。2. SiC MOSFET功率模块设计技术2.1 模块设计技术介绍在MOSFET模块设计中引入软件仿真环节，利用三维电磁仿真软件、三维温度场仿真软件、三维应力场仿真软件、寄生参数提取软件和变流系统仿真软件，对MOSFET模块设计中关注的电磁场分布、热分布、应力分布、均流特性、开关特性、引线寄生参数对模块电特性影响等问题进行仿真，减小研发周期、降低设计研发成本，保证设计的产品具备优良性能。在仿真基础上，结合项目团队多年从事电力电子器件设计所积累的经验，解决高压大功率MOSFET模块设计中存在的多片MOSFET芯片和FRD芯片的匹配与均流、DBC版图的设计与芯片排布设计、电极结构设计、MOSFET模块结构设计等一系列难题，最终完成模块产品的设计。高压大功率MOSFET模块设计流程如下：图2.1高压大功率MOSFET模块设计流程在MOSFET模块设计中，需要综合考虑很多问题，例如：散热问题、均流问题、场耦合问题、MOSFET模块结构优化设计问题等等。MOSFET芯片体积小，热流密度可以达到100W/cm2~250W/cm2。同时，基于硅基的MOSFET芯片最高工作温度为175℃左右。据统计，由于高温导致的失效占电力电子芯片所有失效类型的50%以上。随电力电子器件设备集成度和环境集成度的逐渐增加，MOSFET模块的最高温升限值急剧下降。因此，MOSFET模块的三维温度场仿真技术是高效率高功率密度MOSFET模块设计开发的首要问题。模块散热能力与众多因素有关：MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差，有效散热面积小，芯片与DBC之间的热阻大，在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。另外，芯片的排布对热分布影响也很大。下图4.2是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果：图2.2 MOSFET模块散热分布分析在完成结构设计和材料选取后，采用ANSYS软件的热分析模块ICEPAK，建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件，施加相应的载荷，得到MOSFET的温度场分布，根据温度场分布再对MOSFET内部结构和材料进行调整，直至达到设计要求范围内的最优。2.2 材料数据库对一个完整的焊接式MOSFET模块而言，从上往下为一个 8层结构：绝缘盖板、密封胶、键合、半导体芯片层、焊接层 1、DBC、焊接层 2、金属底板。MOSFET模块所涉及的主要材料可分为以下几种类型：导体、绝缘体、半导体、有机物和无机物。MOSFET模块的电、热、机械等性能与材料本身的电导率、热导率、热膨胀系数、介电常数、机械强度等密切相关。材料的选型非常重要，为此有必要建立起常用的材料库。2.3 芯片的仿真模型库所涉及的MOSFET芯片有多种规格，包括：1700V 75A/100A/125A；2500V/50A；3300V/50A/62.5A；600V/100A；1200V/100A；4500V/42A；6500V/32A。为便于合理地进行芯片选型（确定芯片规格及其数量），精确分析多芯片并联时的均流性能，首先为上述芯片建立等效电路模型。在此基础上，针对实际电力电子系统中的滤波器、电缆和电机负载模型，搭建一个系统及的仿真平台，从而对整个系统的电气性能进行分析预估。2.4 MOSFET模块的热管理MOSFET模块是一个含不同材料的密集封装的多层结构，其热流密度达到100W/cm2--250W/cm2，模块能长期安全可靠运行的首要因素是良好的散热能力。散热能力与众多因素有关：MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差，有效散热面积小，芯片与DBC之间的热阻大，在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。芯片可靠散热的另一重要因素是键合的长度和位置。假设散热底板的温度分布均匀，而每个MOSFET芯片对底板的热阻有差异，导致在相同工况时，每个MOSFET芯片的结温不同。下图是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果。图2.3MOSFET模块热分布在模块完成封装后，采用FLOTHERM软件的热分析模块，建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件，施加相应的载荷，得到MOSFET的温度场分布的数值解，为MOSFET温度场分布的测试提供一定的依据。2.5. 芯片布局与杂散参数提取根据MOSFET模块不同的电压和电流等级，MOSFET模块所使用芯片的规格不同，芯片之间的连接方式也不同。因此，详细的布局设计放在项目实施阶段去完成。对中低压MOSFET模块和高压MOSFET模块，布局阶段考虑的因素会有所不同，具体体现在DBC与散热底板之间的绝缘、DBC上铜线迹之间的绝缘以及键合之间的绝缘等。2.6 芯片互联的杂散参数提取MOSFET芯片并联应用时的电流分配不均衡主要有两种：静态电流不均衡和动态电流不均衡。静态电流不均衡主要由器件的饱和压降VCE（sat）不一致所引起；而动态电流不均衡则是由于器件的开关时间不同步引起的。此外，栅极驱动、电路的布局以及并联模块的温度等因素也会影响开关时刻的动态均流。回路寄生电感特别是射极引线电感的不同将会使器件开关时刻不同步；驱动电路输出阻抗的不一致将引起充放电时间不同；驱动电路的回路引线电感可能引起寄生振荡；以及温度不平衡会影响到并联器件动态均流。2.7 模块设计专家知识库通过不同规格MOSFET模块的设计－生产－测试－改进设计等一系列过程，可以获得丰富的设计经验，并对其进行归纳总结，提出任意一种电压电流等级的MOSFET模块的设计思路，形成具有自主知识产权的高压大功率MOSFET模块的系统化设计知识库。3. SiCMOSFET封装工艺3.1 封装常见工艺MOSFET模块封装工艺主要包括焊接工艺、键合工艺、外壳安装工艺、灌封工艺及测试等。3.1.1 焊接工艺焊接工艺在特定的环境下，使用焊料，通过加热和加压，使芯片与DBC基板、DBC基板与底板、DBC基板与电极达到结合的方法。目前国际上采用的是真空焊接技术，保证了芯片焊接的低空洞率。焊接要求焊接面沾润好，空洞率小，焊层均匀，焊接牢固。通常情况下．影响焊接质量的最主要因素是焊接“空洞”，产生焊接空洞的原因，一是焊接过程中，铅锡焊膏中助焊剂因升温蒸发或铅锡焊片熔化过程中包裹的气泡所造成的焊接空洞，真空环境可使空洞内部和焊接面外部形成高压差，压差能够克服焊料粘度，释放空洞。二是焊接面的不良加湿所造成的焊接空洞，一般情况下是由于被焊接面有轻微的氧化造成的，这包括了由于材料保管的不当造成的部件氧化和焊接过程中高温造成的氧化，即使真空技术也不能完全消除其影响。在焊接过程中适量的加人氨气或富含氢气的助焊气体可有效地去除氧化层，使被焊接面有良好的浸润性．加湿良好。“真空+气体保护”焊接工艺就是基于上述原理研究出来的，经过多年的研究改进，已成为高功率，大电流，多芯片的功率模块封装的最佳焊接工艺。虽然干式焊接工艺的焊接质量较高，但其对工艺条件的要求也较高，例如工艺设备条件，工艺环境的洁净程度，工艺气体的纯度．芯片，DBC基片等焊接表面的应无沾污和氧化情况．焊接过程中的压力大小及均匀性等。要根据实际需要和现场条件来选择合适的焊接工艺。3.1.2 键合工艺引线键合是当前最重要的微电子封装技术之一，目前90％以上的芯片均采用这种技术进行封装。超声键合原理是在超声能控制下，将芯片金属镀层和焊线表面的原子激活，同时产生塑性变形，芯片的金属镀层与焊线表面达到原子间的引力范围而形成焊接点，使得焊线与芯片金属镀层表面紧密接触。按照原理的不同，引线键合可以分为热压键合、超声键合和热压超声键合3种方式。根据键合点形状，又可分为球形键合和楔形键合。在功率器件及模块中，最常见的功率互连方法是引线键合法，大功率MOSFET模块采用了超声引线键合法对MOSFET芯片及FRD芯片进行互连。由于需要承载大电流，故采用楔形劈刀将粗铝线键合到芯片表面或DBC铜层表面，这种方法也称超声楔键合。外壳安装工艺：功率模块的封装外壳是根据其所用的不同材料和品种结构形式来研发的，常用散热性好的金属封装外壳、塑料封装外壳，按最终产品的电性能、热性能、应用场合、成本，设计选定其总体布局、封装形式、结构尺寸、材料及生产工艺。功率模块内部结构设计、布局与布线、热设计、分布电感量的控制、装配模具、可靠性试验工程、质量保证体系等的彼此和谐发展，促进封装技术更好地满足功率半导体器件的模块化和系统集成化的需求。外壳安装是通过特定的工艺过程完成外壳、顶盖与底板结构的固定连接，形成密闭空间。作用是提供模块机械支撑，保护模块内部组件，防止灌封材料外溢，保证绝缘能力。外壳、顶盖要求机械强度和绝缘强度高，耐高温，不易变形，防潮湿、防腐蚀等。3.1.3 灌封工艺灌封工艺用特定的灌封材料填充模块，将模块内组件与外部环境进行隔离保护。其作用是避免模块内部组件直接暴露于环境中，提高组件间的绝缘，提升抗冲击、振动能力。灌封材料要求化学特性稳定，无腐蚀，具有绝缘和散热能力，膨胀系数和收缩率小，粘度低，流动性好，灌封时容易达到模块内的各个缝隙，可将模块内部元件严密地封装起来，固化后能吸收震动和抗冲击。3.1.4 模块测试MOSFET模块测试包括过程测试及产品测试。其中过程测试通过平面度测试仪、推拉力测试仪、硬度测试仪、X射线测试仪、超声波扫描测试仪等，对产品的入厂和过程质量进行控制。产品测试通过平面度测试仪、动静态测试仪、绝缘/局部放电测试仪、高温阻断试验、栅极偏置试验、高低温循环试验、湿热试验，栅极电荷试验等进行例行和型式试验，确保模块的高可靠性。3.2 封装要求本项目的SiC MOSFET功率模块封装材料要求如下：（1）焊料选用需要可靠性要求和热阻要求。（2）外壳采用PBT材料，端子裸露部分表面镀镍或镀金。（3）内引线采用超声压接或铝丝键合（具体视装配图设计而定），功率芯片采用铝线键合。（4）灌封料满足可靠性要求，Tg150℃，能满足高低温存贮和温度循环等试验要求。（5）底板采用铜材料。（6）陶瓷覆铜板采用Si3N4材质。（7）镀层要求：需保证温度循环、盐雾、高压蒸煮等试验后满足外观要求。3.3 封装流程本模块采用既有模块进行封装，不对DBC结构进行调整。模块封装工艺流程如下图3.1所示。图3.1模块封装工艺流程（1）芯片CP测试：对芯片进行ICES、BVCES、IGES、VGETH等静态参数进行测试，将失效的芯片筛选出来，避免因芯片原因造成的封装浪费。（2）划片&划片清洗：将整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片，划片后可从晶圆上将芯片取下进行封装；划片后对金属颗粒进行清洗，保证芯片表面无污染，便于后续工艺操作。（3）丝网印刷：将焊接用的焊锡膏按照设计的图形涂敷在DBC基板上，使用丝网印刷机完成，通过工装钢网控制锡膏涂敷的图形。锡膏图形设计要充分考虑焊层厚度、焊接面积、焊接效果，经过验证后最终确定合适的图形。（4）芯片焊接：该步骤主要是完成芯片与 DBC 基板的焊接，采用相应的焊接工装，实现芯片、焊料和 DBC 基板的装配。使用真空焊接炉，采用真空焊接工艺，严格控制焊接炉的炉温、焊接气体环境、焊接时间、升降温速度等工艺技术参数，专用焊接工装完成焊接工艺，实现芯片、DBC 基板的无空洞焊接，要求芯片的焊接空洞率和焊接倾角在工艺标准内，芯片周围无焊球或堆焊，焊接质量稳定，一致性好。（5）助焊剂清洗：通过超声波清洗去除掉助焊剂。焊锡膏中一般加入助焊剂成分，在焊接过程中挥发并残留在焊层周围，因助焊剂表现为酸性，长期使用对焊层具有腐蚀性，影响焊接可靠性，因此需要将其清洗干净，保证产品焊接汉城自动气相清洗机采用全自动浸入式喷淋和汽相清洗相结合的方式进行子单元键合前清洗，去除芯片、DBC 表面的尘埃粒子、金属粒子、油渍、氧化物等有害杂质和污染物，保证子单元表面清洁。（6） X-RAY检测：芯片的焊接质量作为产品工艺控制的主要环节，直接影响着芯片的散热能力、功率损耗的大小以及键合的合格率。因此，使用 X-RAY 检测机对芯片焊接质量进行检查，通过调整产生 X 射线的电压值和电流值，对不同的焊接产品进行检查。要求 X 光检查后的芯片焊接空洞率工艺要求范围内。（7）芯片键合：通过键合铝线工艺，完成 DBC 和芯片的电气连接。使用铝线键合机完成芯片与 DBC 基板对应敷铜层之间的连接，从而实现芯片之间的并联和反并联。要求该工序结合芯片的厚度参数和表面金属层参数，通过调整键合压力，键合功率，键合时间等参数，并根据产品的绝缘要求和通流大小，设置合适的键合线弧高和间距，打线数量满足通流要求，保证子单元的键合质量。要求键合工艺参数设定合理、铝线键合质量牢固，键合弧度满足绝缘要求、键合点无脱落，满足键合铝线推拉力测试标准。（8）模块焊接：该工序实现子单元与电极、底板的二次焊接。首先进行子单元与电极、底板的焊接装配，使用真空焊接炉实现焊接，焊接过程中要求要求精确控制焊接设备的温度、真空度、气体浓度。焊接完成后要求子单元 DBC 基板和芯片无损伤、无焊料堆焊、电极焊脚之间无连焊虚焊、键合线无脱落或断裂等现象。（9）超声波检测：该工序通过超声波设备对模块 DBC 基板与底板之间的焊接质量进行检查，模块扫描后要求芯片、DBC 无损伤，焊接空洞率低于 5%。（10）外壳安装：使用涂胶设备进行模块外壳的涂胶，保证模块安装后的密封性，完成模块外壳的安装和紧固。安装后要求外壳安装方向正确，外壳与底板粘连处在灌封时不会出现硅凝胶渗漏现象。（11）端子键合&端子超声焊接：该工序通过键合铝线工艺，实现子单元与电极端子的电气连接，形成模块整体的电气拓扑结构；可以通过超声波焊接实现子单元与电极端子的连接，超声波焊接是利用高频振动波传递到两个需焊接的物体表面，在加压的情况下，使两个物体表面相互摩擦而形成分子层之间的熔合。超声波焊接具有高机械强度，较低的热应力、焊接质量高等优点，使得焊接具有更好的可靠性，在功率模块产品中应用越来越广泛。（12）硅凝胶灌封&固化：使用自动注胶机进行硅凝胶的灌封，实现模块的绝缘耐压能力。胶体填充到指定位置，完成硅凝胶的固化。要求胶体固化充分，胶体配比准确，胶体内不含气泡、无分层或断裂纹。4. 极端条件下的可靠性测试4.1 单脉冲雪崩能量试验目的：考察的是器件在使用过程中被关断时承受负载电感能量的能力。试验原理：器件在使用时经常连接的负载是感性的，或者电路中不可避免的也会存在寄生电感。当器件关断时，电路中电流会突然下降，变化的电流会在感性负载上产生一个应变电压，这部分电压会叠加电源电压一起加载在器件上，使器件在瞬间承受一个陡增的电压，这个过程伴随着电流的下降。图4.1 a）的雪崩能量测试电路就是测试这种工况的，被测器件上的电流电压变化情况如图4.1 b）。图4.1 a)雪崩能量测试电路图；b)雪崩能量被测器件的电流电压特性示意图这个过程中，电感上储存的能量瞬时全部转移到器件上，可知电流刚开始下降时，电感储存的能量为1/2*ID2*L，所以器件承受的雪崩能量也就是电感包含的所有能量，为1/2*ID2*L。试验目标：在正向电流ID = 20A下，器件单脉冲雪崩能量EAS1J试验步骤：将器件放入测试台，给器件施加导通电流为20A。设置测试台电感参数使其不断增加，直至器件的单脉冲雪崩能量超过1J。通过/失效标准：可靠性试验完成后，按照下表所列的顺序测试（有些测试会对后续测试有影响），符合下表要求的可认为通过。测试项目通过条件IGSS USLIDSS or IDSX USLVGS(off) or VGS(th)LSL USLVDS(on) USLrDS(on) USL (仅针对MOSFET)USL: upper specification limit, 最高上限值LSL: lower specification limit, 最低下限值4.2 抗短路能力试验目的：把样品暴露在空气干燥的恒温环境中，突然使器件通过大电流，观测元器件在大电流大电压下于给定时间长度内承受大电流的能力。试验原理：当器件工作于实际高压电路中时，电路会出现误导通现象，导致在短时间内有高于额定电流数倍的电流通过器件，器件承受这种大电流的能力称为器件的抗短路能力。为了保护整个系统不受误导通情况的损坏，系统中会设置保护电路，在出现短路情况时迅速切断电路。但是保护电路的反应需要一定的时长，需要器件能够在该段时间内不发生损坏，因此器件的抗短路能力对整个系统的可靠性尤为重要。器件的抗短路能力测试有三种方式，分别对应的是器件在不同的初始条件下因为电路突发短路（比如负载失效）而接受大电流大电压时的反应。抗短路测试方式一，也称为“硬短路”，是指IGBT从关断状态（栅压为负）直接开启进入到抗短路测试中；抗短路测试方式二，是指器件在已经导通有正常电流通过的状态下（此时栅压为正，漏源电压为正但较低），进入到抗短路测试中；抗短路测试方式三是指器件处于栅电压已经开启但漏源电压为负（与器件反并联的二极管处于续流状态，所以此时器件的漏源电压由于续流二极管的钳位在-0.7eV左右，，栅压为正），进入到抗短路测试中。可知，器件的抗短路测试都是对应于器件因为电路的突发短路而要承受电路中的大电流和大电压，只是因为器件的初始状态不同而会有不同的反应。抗短路测试方法一电路如图4.2，将器件直接加载在电源两端，器件初始状态为关断，此时器件承受耐压。当给器件栅电极施加一个脉冲，器件开启，从耐压状态直接开始承受一个大电流及大电压，考量器件的“硬”耐短路能力。图4.2 抗短路测试方法一的测试电路图抗短路测试方法二及三的测试电路图如图4.2，图中L_load为实际电路中的负载电感，L_par为电路寄生电感，L_sc为开关S1配套的寄生电感。当进行第二种抗短路方法测试时，将L_load下端连接到上母线（Vdc正极），这样就使L_sc支路与L_load支路并联。初态时，S1断开，DUT开通，电流从L_load和DUT器件上通过，开始测试时，S1闭合，L_load瞬时被短路，电流沿着L_sc和DUT路线中流动，此时电流通路中仅包含L_sc和L_par杂散电感，因此会有大电流会通过DUT，考察DUT在导通状态时承受大电流的能力。当进行第三种抗短路方法测试时，维持图4.2结构不变，先开通IGBT2并保持DUT关断，此时电流从Vdc+沿着IGBT2、L_load、Vdc-回路流通，接着关断IGBT2，那么D1会自动给L_load续流，在此状态下开启DUT栅压，DUT器件处于栅压开启，但漏源电压被截止状态，然后再闭合S1，大电流会通过L_sc支路涌向DUT。在此电路中IGBT2支路的存在主要是给D1提供续流的电流。图4.3 抗短路测试方法二和方法三的测试电路图1） 抗短路测试方法一：图4.2中Vdc及C1大电容提供持续稳定的大电压，给测试器件DUT栅极施加一定时间长度的脉冲，在被试器件被开启的时间内，器件开通期间处于短路状态，且承受了较高的耐压。器件在不损坏的情况下能够承受的最长开启时间定义为器件的短路时长（Tsc），Tsc越大，抗短路能力越强。在整个短路时长器件，器件所承受的能量，为器件的短路能量（Esc）。器件的抗短路测试考察了器件瞬时同时承受高压、高电流的能力，也是一种器件的复合应力测试方式。图4.2测试电路中的Vdc=600V，C1、C2、C3根据器件的抗短路性能能力决定，C1的要求是维持Vdc的稳定，C1的要求是测试过程中释放给被测器件的电能不能使C1两端的电压下降过大（5%之内可接受）。C2，C3主要用于给器件提供高频、中频电流，不要求储存能量过大。对C2、C3的要求是能够降低被测器件开通关断时造成的漏源电压振幅即可。图4.4 抗短路能力测试方法一的测试结果波形图4.4给出了某款SiC平面MOSFET在290K下，逐渐增大栅极脉冲宽度（PW）的抗短路能力测试结果。首先需要注意的是在测试过程中，每测量一个脉冲宽度的短路波形，需要间隔足够长的时间，以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响，保证每次测试初始温度的准确。从图中可以看出，Id峰值出现在1 μs和2 μs之间，随着开通时间的增加，Id呈现出先增加后减小的时间变化趋势。Id的上升阶段，是因为器件开启时有大电流经过器件，在高压的共同作用下，器件温度迅速上升，因为此时MOSFET的沟道电阻是一个负温度系数，所以MOSFET沟道电阻减小，Id则上升，在该过程中电流上升的速度由漏极电压、寄生电感以及栅漏电容的充电速度所决定；随着大电流的持续作用，器件整体温度进一步上升，器件此时的导通电阻变成正温度系数，器件的整体电阻将随温度增加逐渐增大，这时器件Id将逐渐减小。所以，整个抗短路能力测试期间，Id先增加后下降。此外，测试发现，当脉冲宽度增加到一定程度，Id在关断下降沿出现拖尾，即器件关断后漏极电流仍需要一定的时间才能恢复到0A。在研究中发现当Id拖尾到达约12A左右之后，进一步增大脉冲宽度，器件将损坏，并伴随器件封装爆裂。所以针对这款器件的抗短路测试，定义Tsc为器件关断时漏极电流下降沿拖尾到达10A时的脉冲时间长度。Tsc越长，代表器件的抗短路能力越强。测试发现，低温有助于器件抗短路能力的提升，原因是因为，低的初始温度意味着需要更多的时间才能使器件达到Id峰值。仿真发现，器件抗短路测试失效模式主要有两种：1、器件承受高压大电流的过程中，局部高温引起漏电流增加，触发了器件内部寄生BJT闩锁效应，栅极失去对沟道电流的控制能力，器件内部电流局部集中发生热失效，此时的表现主要是器件的Id电流突然上升，器件失效；2、器件温度缓慢上升时，导致器件内部材料性能恶化，比如栅极电极或者SiO2/Si界面处性能失效，主要表现为器件测试过程中Vgs陡降，此时，器件的Vds若未发生进一步损坏仍能承受耐压，只是器件Vgs耐压能力丧失。上述两种失效模式都是由于温度上升引起，所以要提升器件的抗短路能力就是要控制器件内部温度上升。仿真发现导通时最高温区域主要集中于高电流密度区域（沟道部分）及高电场区域（栅氧底部漂移区）。因此，要提升器件的抗短路能力，要着重从器件的沟道及栅氧下方漂移区的优化入手，降低电场峰值及电流密度，此外改善栅氧的质量将起到决定性的作用。2） 抗短路测试方法二：图4.5 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.5，抗短路测试方法二的测试过程中DUT器件会经历三个阶段：（1）漏源电压Vds低，Id电流上升：当负载被短路时，大电流涌向DUT器件，此时电路中仅包含L_sc和L_par杂散电感，DUT漏源电压较低，Vdc电压主要分布在杂散电感上，所以Id电流以di/dt=Vdc/（L_sc+L_par）的斜率开始上升。随着Id增加，因为DUT器件的漏源之间的寄生电容Cgd，会带动栅压上升，此时更加促进Id电流的增加，形成一个正循环，Id急剧上升。（2）Id上升变缓然后开始降低，漏源电压Vds上升：Id上升过程中，Vds漏源电压开始增加，导致Vdc分压到杂散电感上的电压降低，导致电流上升率di/dt减小，Id上升变缓，当越过Id峰值后，Id开始下降，-di/dt使杂散电感产生一个感应电压叠加在Vds上导致Vds出现一个峰值。Vds峰值在Id峰值之后。（3）Id、Vds下降并恢复：Id，Vds均下降恢复到抗短路测试一的高压高电流应力状态。综上所述，抗短路测试方法一的条件比方法一的更为严厉和苛刻。3） 抗短路测试方法三：图4.6 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.6，抗短路测试方法三的波形与方法二的波形几乎一致，仅仅是在Vds电压上升初期有一个小的电压峰（如图4.6中红圈），这是与器件发生抗短路时的初始状态相关的。因为方法三中器件初始状态出于栅压开启，Vds为反偏的状态，所以器件内部载流子是耗尽的。此时若器件Vds转为正向开通则必然发生一个载流子充入的过程，引发一个小小的电压峰，这个电压峰值是远小于后面的短路电压峰值的。除此以外，器件的后续状态与抗短路测试方法二的一致。一般来说，在电机驱动应用中，开关管的占空比一般比续流二极管高，所以是二极管续流结束后才会开启开关管的栅压，这种情况下，只需要考虑仅开关管开通时的抗短路模式，则第二种抗短路模式的可能性更大。然而，当一辆机车从山上开车下来，电动机被用作发电机，能量从车送到电网。续流二极管的占空比比开关管会更高一点，这种操作模式下，如果负载在二极管续流且开关管栅压开启时发生短路，则会进行抗短路测试模式三的情况。改进抗短路失效模式二及三的方法，是通过给开关器件增加一个栅极前钳位电路，在Id上升通过Cgd带动栅极电位上升时，钳位电路钳住栅极电压，就不会使器件的Id上升陷入正反馈而避免电流的进一步上升。试验目标：常温下，令Vdc=600V，通过控制Vgs控制SiC MOSFET的开通时间，从2μs开通时间开始以1μs为间隔不断增加器件的开通时间，直至器件损坏，测试过程中保留测试曲线。需要注意的是，在测试过程中，每测量一个脉冲宽度的短路波形，需要间隔足够长的时间，以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响，保证每次测试初始温度的准确。试验步骤：搭建抗短路能力测试电路。将器件安装与测试电路中，保持栅压为0。通过驱动电路设置器件的开通时间，给器件一个t0=2μs时间的栅源脉冲电压，使器件开通t0时间，观察器件上的电流电压曲线，判断器件是否能够承受2μs的短路开通并不损坏；如未损坏，等待足够长时间以确保器件降温至常温状态，设置驱动电路使器件栅源电压单脉冲时间增加1us，再次开通，观察器件是否能够承受3μs的短路开通并不损坏。循环反复直至器件发生损坏。试验标准：器件被打坏前最后一次脉冲时间长度即为器件的短路时长Tsc。整个短路时长期间，器件所承受的能量为器件的短路能量Esc。4.3 浪涌试验目的：把样品暴露在空气干燥的恒温环境中，对器件施加半正弦正向高电流脉冲，使器件在瞬间发生损坏，观测元器件在高电流密度下的耐受能力。试验原理：下面以SiC二极管为例，给出了器件承受浪涌电流测试时的器件内部机理。器件在浪涌应力下的瞬态功率由流过器件的电流和器件两端的电压降的乘积所决定，电流和压降越高，器件功率耗散就越高。已知浪涌应力对器件施加的电流信号是固定的，因此导通压降越小的器件瞬态功率越低，器件承受浪涌的能力越强。当器件处于浪涌电流应力下，电压降主要由器件内部寄生的串联电阻承担，因此我们可以通过降低器件在施加浪涌电流瞬间的导通电阻，减小器件功率、提升抗浪涌能力。a）给出了4H-SiC二极管实际浪涌电流测试的曲线，图4.7 a）曲线中显示器件的导通电压随着浪涌电流的上升和下降呈现出“回滞”的现象。图4.7 a）二极管浪涌电流的实测曲线； b）浪涌时温度仿真曲线浪涌过程中，器件的瞬态 I-V 曲线在回扫过程中出现了电压回滞，且浪涌电流越高，器件在电流下降和上升过程中的压降差越大，该电压回滞越明显。当浪涌电流增加到某一临界值时，I-V 曲线在最高压降处出现了一个尖峰，曲线斜率突变，器件发生了失效和损坏。器件失效后，瞬态 I-V 曲线在最高电流处出现突然增加的毛刺现象，电压回滞也减小。引起SiC JBS二极管瞬态 I-V 曲线回滞的原因是，在施加浪涌电流的过程中，SiC JBS 二极管的瞬态功率增加，但散热能力有限，所以浪涌过程中器件结温增加，SiC JBS 二极管压降也发生了变化，产生了回滞现象。在每次对器件施加浪涌电流过程中，随着电流的增加，器件的肖特基界面的结温会增加，当电流降低接近于0时结温才逐渐回落。在浪涌电流导通的过程中，结温是在积累的。由于电流上升和下降过程中的结温的差异，导致了器件在电流下降过程的导通电阻高于电流在上升过程中导通电阻。这使得电流下降过程 I-V 曲线压降更大，从而产生了在瞬态 I-V 特性曲线电压回滞现象。浪涌电流越高，器件的肖特基界面处的结温越高，因此导通电阻就越大，而回滞现象也就越明显。为了分析器件在 40 A 以上浪涌电流下的瞬态 I-V 特性变化剧烈的原因，使用仿真软件模拟了肖特基界面处温度随电流大小的变化曲线，如图4.7 b)所示，在 40 A 以上浪涌电流下，结温随浪涌电流变化非常剧烈。器件在 40 A 浪涌电流下，最高结温只有 358 K。但是当浪涌电流增加到60 A 时，最高结温已达1119 K，这个温度足以对器件破坏表面的肖特基金属，引起器件失效。图4.7 b)中还可以得出，浪涌电流越高，结温升高的变化程度就越大，56 A 和 60 A 浪涌电流仅相差 4 A，最高结温就相差 543 K，最高结温的升高速度远比浪涌电流的增加速度快。结温的快速升高导致了器件的导通电阻迅速增大，正向压降快速增加。因此，电流上升和下降过程中，器件的导通压降会更快速地升高和下降，使曲线斜率发生了突变。器件结温随着浪涌电流的增大而急剧增大，是因为它们之间围绕着器件导通电阻形成了正反馈。在浪涌过程中，随着浪涌电流的升高，二极管的功率增加，产生的焦耳热增加，导致了结温上升；另一方面，结温上升，导致器件的导通电阻增大，压降进一步升高。导通电压升高，导致功率进一步增加，使得结温进一步升高。因此器件的结温和电压形成了正反馈，致使结温和压降的增加速度远比浪涌电流的增加速度快。当浪涌电流增加到某一临界值时，触发这个正反馈，器件就会发生失效和损坏。长时间的重复浪涌电流会在外延层中引起堆垛层错生长，浪涌电流导致的自热效应会引起顶层金属熔融，使得电极和芯片之间短路，还会导致导通压降退化和峰值电流退化，并破坏器件的反向阻断能力。金属Al失效是大多数情况下浪涌失效的主要原因，应该使用鲁棒性更高的材料替代金属Al，以改善SiC器件的高温特性。目前MOS器件中，都没有给出浪涌电流的指标。而二极管、晶闸管器件中有这项指标。如果需要了解本项目研发的MOSFET器件的浪涌能力，也可以搭建电路实现。但是存在的问题是，MOS器件的导通压降跟它被施加的栅压是相关的，栅压越大，导通电阻越低，耐浪涌能力越强。如何确定浪涌测试时应该给MOSFET施加的栅压，是一个需要仔细探讨的问题。试验目标：我们已知浪涌耐受能力与器件的导通压降有关，但目前无法得到明确的定量关系。考虑到目标器件也没有这类指标的参考，建议测试时，在给定栅压下（必须确保器件能导通），对器件从低到高依次施加脉冲宽度为10ms或8.3ms半正弦电流波，直到器件发生损坏。试验步骤：器件安装在测试台上后，器件栅极在给定栅压下保持开启状态。通过测试台将导通电流设置成10ms或8.3ms半正弦电流波，施加在器件漏源极间。逐次增加正弦波的上限值，直至器件被打坏。试验标准：器件被打坏前的最后一次通过的浪涌值即为本器件在特定栅压下的浪涌指标值。以上内容给出了本项目研发器件在复合应力及极端条件下的可靠性测试方法，通过这些方法都是来自于以往国际工程经验和鉴定意见，可以对被测器件的可靠性有一个恰当的评估。但是，上述方法都是对测试条件和测试原理的阐述，如何通过测试结果来评估器件的使用寿命，并搭建可靠性测试条件与可靠性寿命之间的桥梁，就得通过可靠性寿命评估模型来实现。

医用注射器滑动性能测试仪的应用与重要性在制药包装行业中，医用注射器作为一种不可或缺的医疗器械，扮演着至关重要的角色。它们被广泛用于临床医学中，通过吸入并注射药品至患者体内，以实现治疗目的。医用注射器的使用不仅需要确保药品的精确剂量，还需保证其在使用过程中的安全性和可靠性。因此，对医用注射器进行严格的性能测试，特别是滑动性能测试，显得尤为重要。医用注射器的应用与用途医用注射器通常由针管、活塞（芯杆）、针座、活塞柄、护帽和胶塞等部分组成，其设计精巧，操作简便。在制药包装行业中，医用注射器被用于封装各种药品，如注射液、疫苗等，以便安全、有效地传输给患者。其精确的剂量控制和密封性能，使得医用注射器成为临床治疗中不可或缺的工具。滑动性能测试的必要性为了确保医用注射器的使用质量，国家标准《GB15810-2001使用注射器》对其活塞滑动性能做出了严格规定。滑动性能是指活塞在注射器内移动时的顺畅程度，直接关系到注射过程中药品的推送效果和患者的感受。如果注射器的滑动性能不佳，可能会导致药品推注不畅、注射阻力过大或泄漏等问题，进而影响治疗效果和患者安全。因此，进行医用注射器滑动性能测试，是保障其使用质量、确保患者安全的重要措施。通过测试，可以评估注射器的滑动性能是否符合标准要求，及时发现并解决潜在问题。医用注射器滑动性能测试仪及其测试方法医用注射器滑动性能测试仪是一种专门用于检测注射器滑动性能的仪器。该仪器通过模拟实际使用过程中的推拉动作，对注射器的芯杆施加一定的力，并在一定速度下测量其试验拉力和试验推力。具体测试方法如下：固定器身：首先，将注射器的器身固定在测试仪上，确保其在测试过程中不会移动。施加力并测量：然后，给芯杆一端施加一个力，并设定测试仪的速度（通常为100mm/min±5mm/min）。在此速度下，测试仪将记录芯杆与注射器身之间的试验拉力和试验推力。数据记录与分析：测试仪将自动记录施加的力、芯杆的运动情况以及相应的拉力和推力数据。通过这些数据，可以分析注射器的滑动性能是否符合标准要求。值得注意的是，济南三泉中石实验仪器生产的注射器滑动性测试仪还配备了定制注射管夹具，可以精确测定注射时的初始力、滑动力以及保持力等参数。在拉伸和压缩技术试验模式下，控制横梁的上下移动模拟液体的注入和射出过程，生成相关数据，并计算分析报告初始、平均、最大和最小力等关键指标。综上所述，医用注射器滑动性能测试仪在制药包装行业中具有广泛的应用和重要的意义。通过严格的性能测试和评估，可以确保医用注射器的使用质量符合标准要求，保障患者的安全和治疗效果。

table border="1" cellspacing="0" cellpadding="0"tbodytrtd width="83" style="word-break: break-all "p style="line-height: 1.75em "成果名称/p/tdtd width="538" colspan="3" style="word-break: break-all "p style="text-align: center line-height: 1.75em "strongTTE/strongstrong系列半导体器件瞬态温升热阻测试仪 /strong/p/td/trtrtd width="91"p style="line-height: 1.75em "单位名称/p/tdtd width="538" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "北京工业大学新型半导体器件可靠性物理实验室/p/td/trtrtd width="91"p style="line-height: 1.75em "联系人/p/tdtd width="167"p style="line-height: 1.75em "冯士维/p/tdtd width="161"p style="line-height: 1.75em "联系邮箱/p/tdtd width="187"p style="line-height: 1.75em "shwfeng@bjut.edu.cn/p/td/trtrtd width="91"p style="line-height: 1.75em "成果成熟度/p/tdtd width="535" colspan="3" style="word-break: break-all "p style="line-height: 1.75em "□正在研发 □已有样机 □通过小试 □通过中试 √可以量产/p/td/trtrtd width="91"p style="line-height: 1.75em "合作方式/p/tdtd width="535" colspan="3" style="word-break: break-all "p style="line-height: 1.75em "□技术转让 √技术入股 √合作开发 √其他/p/td/trtrtd width="648" colspan="4" style="word-break: break-all " align="center" valign="top"p style="line-height: 1.75em "strong成果简介： /strong/pp style="text-align:center"strongimg src="http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/017b0e04-691a-4c5a-826e-5879aa1d7a7a.jpg" title="1.jpg.png"//strong/pp style="line-height: 1.75em "TTE-400 LED灯具模组热阻测试仪 br//pp style="text-align:center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201607/insimg/1a6e4129-15a9-479d-84c9-cb11df28231c.jpg" title="54c453eb-3470-4a19-9f93-e8a1b5170517.jpg" width="400" height="203" border="0" hspace="0" vspace="0" style="width: 400px height: 203px "//pp TTE-500 多通道瞬态热阻分析仪/pp style="text-align:center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/06a37914-c0ba-48cf-9bb6-d25fdea82661.jpg" title="3.png" width="400" height="146" border="0" hspace="0" vspace="0" style="width: 400px height: 146px "//pp TTE-LD100 激光器用瞬态热阻分析仪/pp style="text-align:center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/887237ea-942e-46c5-8591-1dea99e6c712.jpg" title="4.png" width="400" height="143" border="0" hspace="0" vspace="0" style="width: 400px height: 143px "//ppTTE-M100 功率器件用瞬态热阻分析仪/pp style="text-align:center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/aded4b1e-7f39-41c2-9e79-8177484f76d7.jpg" title="5.png" width="400" height="185" border="0" hspace="0" vspace="0" style="width: 400px height: 185px "//pp TTE-H100 HEMT用瞬态热阻分析仪/pp style="text-align:center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/d45a2e5c-776e-4e71-9412-67d87c17f875.jpg" title="6.png"//ppTTE-S200 LED热特性快速筛选仪/pp style="line-height: 1.75em text-indent: 0em " TTE系列半导体器件瞬态温升热阻测试仪是用于半导体器件（LED、MOSFET、HEMT、IC、激光器、散热器、热管等）的先进热特性分析仪，依据国际JEDEC51的瞬态热测试方法，能够实时采集器件瞬态温度响应曲线（包括升温曲线与降温曲线），采样间隔高达1微秒，结温分辨率高达0.01℃。利用结构函数算法能方便快捷地测得器件热传导路径上每层结构的热学性能，构建等效热学模型，是器件封装工艺、可靠性研究和测试的强大支持工具，具有精确、无损伤、测试便捷、测试成本低等优点。该成果已在公司和科研院所等20多家单位应用，并可定制化生产。/p/td/trtrtd width="648" colspan="4" style="word-break: break-all "p style="line-height: 1.75em "strong应用前景： /strongbr/ 本产品已投入市场应用五年时间，产品型号在不断丰富以适应庞大的市场需求，技术指标国内领先地位，可替代国外同类产品，拥有独立的自主知识产权。 br/ 应用范围：功率半导体器件（LED、MOSFET、HEMT、IC、激光器、散热系统、热管等）结温热阻无损测量和流水线快速筛选。 br/ 应用情况：国内已有20多家客户的生产线或实验室使用本产品，包括军工单位、芯片厂商、封装厂商、高等院校、高科技制造企业。成果适用于开展半导体晶圆及芯片设计、生产的高校、科研院所及企业。 br/ 预计国内市场年需求量在500台，市场规模约5亿元。/p/td/trtrtd width="648" colspan="4" style="word-break: break-all "p style="line-height: 1.75em "strong知识产权及项目获奖情况： /strongbr/ 拥有核心技术，国家发明专利24项，获中国发明博览会金奖1项。 br/ （1）专利名称：一种快速测量半导体器件电学参数温度变化系数的方法和装置（申请号：201410266126.3）； br/ （2）专利名称：一种LED灯具热阻构成测试装置和方法（申请号：201310000861.5）； br/ （3）专利名称：功率半导体LED热阻快速批量筛选装置（申请号：201120249012.X）。/p/td/tr/tbody/tablepbr//p

p style="text-indent:2em"8月4日，国务院印发了《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。《若干政策》表现出国务院对半导体产业的密切关注和重视。集成电路主要由设计、制造以及封测三大板块组成。2017年，中国集成电路这三块的营收占比分别为38.3%、26.8%、34.9%。相比世界IC产业三业合理占比3:4:3,我国封测行业占比偏高，表明我国封测产业相对先进。/pp style="text-indent:2em"未来随着物联网、智能终端等新兴领域的迅猛发展，先进封装产品的市场需求将会获得明显增强。据统计，我国封测产业规模从2004年的282.60亿元快速增长至2018年的2193.90亿元。2019年，我国封装测试行业市场规模将近2500亿元，预计2020年将超过2800亿元。随着半导体行业进入成熟期，我国晶圆厂的建设迎来高峰，将带动下游封测市场的发展。为规范半导体的封装测试，我国出台了大量的相关标准。/ph3一、封装材料标准/h3p style="text-indent:2em"绝大多数封装采用塑料封装，原材料主要是树脂，其他还会用到金属引线和金属引脚。高端的封装如陶瓷封装，原材料主要是陶瓷，包括基板和管壳，内部也会有金属引线和填充物。对于半导体封装材料，我国制定了相应的国家标准对其进行测定。/ppimg style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202008/uepic/7fccdbc5-a8f9-4615-9dab-084fc3927b6d.jpg" title="表1.png" alt="表1.png"//ppbr//ph3二、封装外形标准/h3p style="text-indent:2em"半导体器件有许多封装形式，按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装三类。从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP，技术指标一代比一代先进，对于半导体封装的机械外形，我国也有相应的标准规范。/ppimg style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202008/uepic/39c737df-076d-484b-846d-bfd9c29c5588.jpg" title="表2.png" alt="表2.png"//ph3三、封装后性能测试标准/h3p style="text-indent:2em"封装结束后，还需要对半导体器件的各方面性能进行测试。为了规范半导体的封装后的测试，我国推出了一系列的相关标准。如下表所示/ppimg style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202008/uepic/4f6a6b6d-8588-4798-b9e5-9e2fcfd00f21.jpg" title="表3.png" alt="表3.png"//ph3四、其他封装测试相关标准等/h3p style="text-indent:2em"此外，为了方便半导体集成电路封装相关的生产、科研、教学和贸易等，对于封装测试中的各种名称术语，甚至厂房建设等也都有相关联的标准，/ppimg style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202008/uepic/d026d0c2-0bbb-4a11-9e8b-30bbb832401c.jpg" title="表4.png" alt="表4.png"//pp style="text-indent: 2em "相关国家标准的发布实施，对半导体封装行业有重要的引导作用，规范了相关行业，也提升了我国封测行业的竞争力。/p

新华网成都3月26日电 26日,英特尔成都芯片封装测试厂第4.8亿颗芯片下线,最先进的2010全新酷睿移动处理器正式投产。至此,成都成为英特尔全球最大芯片封装测试中心之一。　　作为中国唯一的英特尔芯片封装测试中心,成都厂已封装测试4.8亿颗芯片,确立了其在英特尔全球布局中的重要地位。2010年下半年,成都工厂还将建设成为英特尔全球集中进行晶圆预处理的三大工厂之一,成为全球封装测试来料的重要供应基地。　　2009年,英特尔成都封装测试工厂年出口额约占成都出口加工区总额的80%,占四川省加工贸易出口的约30%。成都市委副书记唐川平表示,英特尔落户成都后,对成都加快信息产业集群发展,吸引更多世界知名企业入驻起到积极作用,并助推成都及西部实现经济结构调整和产业升级,迈向世界高新技术产业行列。　　2003年8月,英特尔宣布投资建设英特尔成都芯片封装测试中心。截至目前,英特尔不断扩大成都厂的生产能力,在成都的总投资额已达到6亿美元。

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Dansensor LeakPointer 3 和LeakPointer 3 + 专为气调包装质量把关的离线检漏设备没有人想要在生产线上出现什么意外，更没有人希望发生召回、延期、又或者是包装错误等情况。而目前，我们有了一种简易的方法来避免这些意外发生。Dansensor LeakPointer 3可以非常有效的检测包装过程中存在的问题，快速的检测时间可以帮助您在发生泄漏的时候及早发现，减少损失。专为食品行业而设计，作为一种高精度的设备，可以检测非常小的泄漏。特别是对于产品的保质期及零售期。操作简易：测试设置简单方便，当不同人员及时间操作设备时，可以采用预设值的方式来保证检测的参数的一致。只需要根据设置说明，选择相应产品进行测试，关闭上盖，就可以开始测试。速度更快捷：Dansensor LeakPointer 3可以一分钟内检测6个包装（10秒钟一个循环）。Dansensor LeakPointer 3+ 有更大的腔室适合多种包装测试或非常大的包装测试，而实际测试时间只是需要增加一点点而已。可以检测低至50微米的微小泄漏孔径，所以可以根据测量数据来设置保质期，避免产品浪费。 优点：l 无损测试减少了成本l 确保产品质量l 检测低至50微米的包装泄漏l 用户使用界面与Dansensor其他品牌一致l 具有数据收集及数据共享的功能。l 操作简单Dansensor LeakPointer 3的独特优势l 快速计算出泄漏孔经的大小l 测试时间减少至每循环10秒l 额外选配：Dansensor PackBaseDansensor LeakPointer 3+的独特优势l 可以同时测试多种包装产品特点：l 专为食品行业设计l 触摸屏操作，操作简单l 可选择扫描仪或使用设定程序来操作l 高级用户可设置更多测试参数l 精度达微米级l 快速抽取真空并吸住上盖l 全自动存储数据l 可通过网线实现每次循环的数据导出l 可连接打印设备（USB）l 对周围环境内的CO2敏感度低 如何工作：l 每一个独特的产品测试程序应当在测试之前便被提前设定完成。选择正确测试程序可使用触屏选择或者扫描选择。l 当测试程序选择完成后，将待测产品放入腔室内并关闭上盖，此时测试将会自动开始l 在测试过程中，用户自定义的真空被测试出来，在封装产品及腔室内产生一个压力差。Dansensor LeakPointer 3将全程感应其中的压力差是否保持一致。如果存在泄漏，压力差将会导致包装内的CO2泄漏至腔室内，整个测试过程将持续10-35秒钟，根据用户自定义设置l 当自动检测完成后，屏幕上将会显示OK 或者leak，清除相应指示如果泄漏或者没有泄漏。对于单个包装检测来说，测试结果将会显示出更多数据，像孔经直径的微米大小等，对于多个包装同时检测模式来说，测试结果将会显示腔室内CO2的ppm值的增加值 参数配置Dansensor LeakPointer 3Dansensor LeakPointer 3+包装类型软性或硬质包装，单独包装软性或硬质包装，多种类型的包装可测量的最大尺寸（见上图）有Dansensor Packfix 的：W1=325, W2=295H1=40, H2-86没有Dansensor Packfix的W1=325, W2=268H1=40, H2=110W1=465, W2=363H1=40, H2=155电源100-260VAC, 50/60Hz115VAC, 60Hz /230VAC, 50Hz大小及重量盖子打开：543mm X 400mm X 617mm (HxWxD)20kg盖子打开：751mm X 555mm X 812mm (HxWxD)50kg气源5.5±0,5bar (venturi 真空系统)真空泵集成腔室真空低至-750mbar低至-800mbar技术参数传感器类型NDIR CO2传感器，单独电缆产品内包含CO2浓度低至10%环境温度使用温度：+5℃-+35℃存储温度：-20℃-+60℃环境湿度使用环境湿度：10-90%RH，无冷凝水存储环境湿度：低于95%RH，无冷凝水环境CO2浓度最大不高于4500ppm，建议低于1500ppm最小测量精度50微米产品数量（测试程序）100存储数据容量高于1000000次测试数据连接2XUSB,1XLAN RJ45，气管接口为6mm（仅Dansensor LeakPointer 3）执行CE可选校准每12个月 创新点：专为食品行业而设计，作为一种高精度的设备，可以检测非常小的泄漏。特别是对于产品的保质期及零售期。操作简易：测试设置简单方便，当不同人员及时间操作设备时，可以采用预设值的方式来保证检测的参数的一致。只需要根据设置说明，选择相应产品进行测试，关闭上盖，就可以开始测试。速度更快捷：Dansensor LeakPointer 3可以一分钟内检测6个包装（10秒钟一个循环）。Dansensor LeakPointer 3+ 有更大的腔室适合多种包装测试或非常大的包装测试，而实际测试时间只是需要增加一点点而已。可以检测低至50微米的微小泄漏孔径，所以可以根据测量数据来设置保质期，避免产品浪费。Dansensor 密封测试仪 LeakPointer 3

175家中国先进封装测试厂2023年度营收排行，以下数据随着完善和修订，以下数据不代表最终的样本。

世界计量领域的领导者雷尼绍公司，将在2012年8月15-17日举行的国际质量检测分析技术及测量测试仪器仪表展览会(Control China 2012)上推出一系列新型产品，包括Equator&trade 多功能比对仪、PH20全自动五轴旋转测座、XL-80激光干涉仪、XR20-W无线型回转轴校准装置以及QC20-W无线球杆仪等，并将展出一系列快速成型制造技术和新型车床工件检测头。欢迎您莅临我们的展位,为您介绍最新测量技术与应用。（展位号：W5-B16）展品介绍Equator&trade &mdash 多功能比对仪全新的专利Equator&trade 比对仪能够国际质量检测分析技术及测量测试仪器仪表展览会降低购买、维护和夹具成本，可对多种工件预编程，而且可在几分钟之内对设计变更进行重新编程。Equator是传统专用比对测量的全新替代方案，它前所未有地填补了市场空白。它不仅是一款新型比对仪，还标志着雷尼绍首个比对仪产品线的问世。 快速成型制造AM250激光熔融快速成型机雷尼绍的激光熔融工艺是一种新兴的制造技术，主要用于医疗（整形外科）行业和航空航天、高科技工程以及电子领域。激光熔融是全数字快速成型制造工艺，利用激光聚焦能量将金属粉末熔化制成三维实体。 激光熔融技术是全数字化快速成型制造工艺，直接根据三维CAD分层的各界面数据生产全高密度金属零件，熔化制造成金属层厚度从20微米到100微米的2D截面，从而构成三维模型。制造零件时，首先使用刮板将金属层分布均匀，然后在在严格控制的空气环境中分别熔化各金属层。制造完成后，将零件从铺粉台面上取下，根据具体应用对其进行热处理和抛光。 AM250激光熔融快速成型机 激光干涉仪及球杆仪XR20-W无线型回转轴校准装置XR20-W无线型回转轴校准装置集雷尼绍独有的先进轴承和光栅技术以及蓝牙（Bluetooth）无线技术等特点于一体。与现有的RX10相比，雷尼绍XR20-W更为小巧轻便。它的重量仅约1公斤，在使用便利性和灵活性方面具有极大的优势。XR20-W回转轴校准装置包括&ldquo 内置&rdquo 反射镜，反射镜壳体的背面另带有准直光靶。这些特性确保设定速度更快，并大大降低准直误差和由此导致的测量误差。 QC20-W新型无线球杆仪采用全新设计开发的直线位移传感器和蓝牙 (Bluetooth&trade ) 无线技术。一次安装设定即可测量XY、YZ、ZX三个正交平面内的空间精度。具有使用方便和耐用性强的优点。Ballbar20系统软件功能大幅增强，测试和报告的灵活性更强。 XL-80全新轻型激光干涉仪测量系统采用稳定可靠的激光波长进行测量，可溯源至国家标准和国际标准。提供4 m/s最大的测量速度和50 kHz记录速率。即使在最高的数据记录速率下，系统准确性可达到± 0.5 ppm（线性模式）和1纳米的分辨率. 机床测头RMP600 新型紧凑型触发式测头雷尼绍RMP600是一种紧凑型高精度触发式测头，采用无线电信号传输，不仅具有自动工件找正测头的所有优点，还能够在各种加工中心上测量复杂的三维工件几何特征。RMP600触发式测头结构坚固，采用成熟的半导体电子元件和抗干扰信号传输方式，能够适应极恶劣的机床环境。RMP600采用独创的RENGAGE&trade 应变片技术，能够比标准机械式测头实现更高的精度水平，因而适用于各种要求高精度测量的应用场合。NC4 紧凑型固定式系列测头NC4 系统能够在间隔长达 5 米的情况下实现高重复精度的对刀操作。根据间隔不同，在激光光束所及的任何选定点，可测量直径小如 0.2 mm 的刀具，并可对小如 0.1 mm 的刀具进行破损检测。NC4 激光对刀测头的外壳为坚固的不锈钢，按 IPX8 标准封装，能适应极恶劣的机床环境。MicroHole&trade 保护系统利用连续的压缩气流对系统提供不间断的保护，使其免受金属碎屑、冷却液和石墨等的污染，即使在测量过程中也不例外。 位置编码器RESOLUTE&trade 绝对式直线光栅及圆光栅系统世界上第一款能够在36 000转/分转速下达到27位分辨率的绝对式直线光栅。真正的绝对式精细栅距光栅系统，具有优异的抗污能力和超凡的技术指标。 TONiC&trade 超小型直线光栅和圆光栅TONiC&trade 是Renishaw推出的新款超小型非接触式光栅，在线性和旋转应用中均可达到10 m/s的速度和高至5 nm的分辨率。TONiC&trade 显著提高了Renishaw现有高速非接触式光栅的性能，同时进一步改善了信号稳定性和长期可靠性，产品拥有成本低，简便性无与伦比。 坐标测量机用测头PH20坐标测量机用新型全自动五轴测座运用独特的&ldquo 测座碰触&rdquo 方法进行快速触发测量和快速五轴无级定位，确保实现最佳工件测量。简洁小巧的设计既适用于新购的坐标测量机，也适用于大多数现有的用于触发测量的坐标测量机改造。可搭配各式TP20模块，自定旋转角度，精度好，效率高。

据国家知识产权局信息显示，江苏长电科技股份有限公司申请一项名为“一种电感封装结构、相应的制备方法及封装板结构”，公开号CN202410209578.1，申请日期为2024年2月。专利摘要显示，本发明涉及电感封装技术领域，公开了一种电感封装结构、相应的制备方法及封装板结构，通过提供基础结构，基础结构表面设有凹槽和连接凹槽且朝向基础结构的边缘延伸的引流槽，设置电感结构的一侧表面具有和凹槽相对应的支撑块，在将电感结构贴装于基础结构上时，支撑块位于凹槽中且支撑块和凹槽之间具有间隔，之后就可以将粘贴剂通过引流槽引流至支撑块和凹槽之间的间隔形成粘接层，使得基础结构和电感结构可以通过粘接层进一步实现固定，降低电感封装结构的上板二次回流造成的掉件风险。

前言： 粉体综合特性测试仪，作为粉体研究领域的得力助手，以其全面、准确的测试功能，为科研工作者提供了深入了解和掌握粉体特性的重要工具。下面，我们将从多个方面详细阐述粉体综合特性测试仪的作用。 产品链接https://www.instrument.com.cn/netshow/SH104275/C550224.htm 一、全面检测粉体特性 粉体综合特性测试仪能够全面检测粉体的各项特性，包括粒度分布、比表面积、堆积密度等关键参数。这些特性是粉体性能和应用效果的重要影响因素，通过全面检测，科研人员可以深入了解粉体的物理和化学性质，为材料研究和应用提供有力支持。 二、优化粉体加工过程 粉体综合特性测试仪能够准确评估粉体在加工过程中的性能表现，如流动性、分散性、压缩性等。这些数据可以帮助科研人员优化粉体的生产工艺，提高生产效率，同时保证产品质量。此外，测试仪还可以用于评估不同粉体之间的相容性，为混合和配方设计提供指导。 三、保障粉体应用安全 粉体综合特性测试仪在粉体应用安全方面发挥着重要作用。通过对粉体的毒性、易燃性、易爆性等安全性能的测试，可以确保粉体在储存、运输和使用过程中的安全。同时，测试仪还可以帮助科研人员及时发现潜在的安全风险，为预防和控制安全事故提供有力支持。 四、推动粉体领域发展 粉体综合特性测试仪的广泛应用，不仅提高了粉体研究和应用的水平，还推动了整个粉体领域的发展。通过不断深入研究粉体的特性和行为，科研人员可以开发出更多具有优异性能的新材料，拓展粉体在各个领域的应用范围。 总结： 粉体综合特性测试仪在粉体研究领域具有不可替代的作用。它能够全面检测粉体特性、优化加工过程、保障应用安全，并推动粉体领域的发展。随着科技的不断进步和应用的不断拓展，粉体综合特性测试仪将为粉体研究和应用带来更多的可能性。

纽扣撞击强度测试仪︳纽扣撞击强力测试仪︳标准集团品质供应︳咨询电话：13671843966纽扣撞击强度测试仪，又称纽扣撞击强力测试仪，是通过检测塑钮、胶钮的抗撞击阻力从而检测所有类型纽扣（直径10mm或以上）在服装制造或日常使用过程中对强拉或撞击的承载能力的仪器。标准集团（香港）有限公司自主研发的Gellwoen G289 纽扣撞击强度测试仪是严格符合ASTM D5171标准的纽扣测试仪器。测试时，将质量为0.84kg（29.5oz）重物从67mm（2.625英寸）或其他规定高度（至多200mm（8英寸））落下，以纽扣的破裂程度作为考核。该仪器包括一个轴承套，其内配合一个标准质量的冲击头，用于从指定高度下落以冲击纽扣试样。纽扣依据其莱尼尺寸放置于底座金属平台的中心位置，并用定位夹具夹持，冲击强度由重物的质量和下落的高度来评估。详情请访问：http://www.lalianniukou.com/product/2015/98.html 标准集团（香港）有限公司是一家提供材料测试仪器设备的综合供应商，成立于2003年，公司总部在中国香港，在上海设有分公司，在长沙、武汉、济南、沈阳、成都、杭州等地设有办事处及售后维修中心。上海泛标纺织品检测技术有限公司为标准集团上海分公司，全面负责中国大陆地区的销售和售后服务。一直以来，公司始终坚持引进国际最先进的产品，依赖专业高效的服务团队，整合技术和资源优势，为客户解决科研生产中遇到问题提供支持，从而带动国内科研及相关行业水平的提高。通过个性化的售前产品咨询，高效率的售后安装、维护和维修，专业级的技术支持及应用支持，标准集团正赢得越来越多制造商和客户的双重信赖。24小时服务热线：021-64208466、13671843966或登录：http://www.standard-groups.com/

9月22日，佛山市联动科技股份有限公司（简称：联动科技）成功登陆创业板。公司本次公开发行股票1160.0045万股，占发行后总股本的比例为25.00%。本次募集资金项目包括半导体封装测试设备产业化扩产建设项目、半导体封装测试设备研发中心建设项目、营销服务网络建设项目、补充营运资金。其中半导体封装测试设备产业化扩产建设项目达产后将具备年产1180台/套半导体自动化测试系统和 340 台/套激光打标及其他机电一体化设备的生产能力。联动科技成立于1998年，专注于半导体行业后道封装测试领域专用设备的研发、生产和销售，主要产品包括半导体自动化测试系统、激光打标设备及其他机电一体化设备。据招股书披露，半导体自动化测试系统主要用于检测晶圆以及芯片的功能和性能参数，包括半导体分立器件（功率半导体分立器件和小信号分立器件）的测试、模拟类及数模混合信号类集成电路的测试，广泛应用于半导体产业链从设计到封测的主要环节，包括芯片设计验证、晶圆制造中的晶圆检测和封装完成后的成品测试；激光打标设备主要用于半导体芯片的打标，应用于半导体后道封装环节。招股书显示，联动科技自成立以来，一直坚持自主创新，旗下产品填补国内技术空白。在集成电路测试领域，公司 QT-8200 系列产品是国内少数能满足Wafer level CSP（晶圆级封装）芯片量产测试要求的数模混合信号测试系统之一，能提供高质量的系统对接和测试信号，具备256工位以上的并行测试能力和高达 100MHz 的数字测试能力，产品性能和指标与同类进口设备相当。在功率半导体分立器件测试领域，公司近年来推出的 QT-4000 系列功率器件综合测试平台，能满足高压源、超大电流源等级的功率器件测试要求，测试功能涵盖直流及交流测试并能够进行多工位测试的数据合并，包括但不限于直流参数测试（DC）、热阻（TR）、雪崩（EAS）、RG/CG（LCR）、开关时间（SW）、 二极管反向恢复时间（TRR）、栅极电荷测试（Qg）以及浪涌测试等，是目前国内功率器件测试能力和功能模块覆盖面最广的供应商之一。在小信号分立器件测试领域，公司旗下 QT-6000 系列产品是国内较早实现自主研发、生产的高速分立器件测试系统之一，能够满足小信号器件多工位并行测试要求，具有较高的测试效率。QT-6000 系列产品的测试的 UPH 值可达 60k，达到国际先进水平。联动科技深耕半导体后道封装测试专用设备领域 20 余年，目前在国内半导体分立器件测试系统市场占有率在20%以上。在模拟及数模混合集成电路测试领域的市场开拓情况良好，2019年-2021年营业收入分别为1.48亿元、2.02亿元、3.44亿元，实现净利润分别为3174.01万、6076.28万、1.28亿，保持较快增长。近年来随着摩尔定律逐渐逼近物理极限，先进封装技术越来越受到半导体行业的关注，成为行业的研究热点，基于此，仪器信息网联合电子工业出版社特在“半导体工艺与检测技术”主题网络研讨会上设置了“封装及其检测技术”，众多行业大咖将详谈封装工艺与技术。主办单位：仪器信息网电子工业出版社直播平台：仪器信息网网络讲堂平台会议官网：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/semiconductor20220920/会议形式：线上直播，免费报名参会（报名入口见会议官网或点击上方图片）点击图片免费报名抢位

2016年8月16-19日，由中国电子学会、国际电气电子工程师联合会电子元件封装和生产技术学会主办，中国电子学会电子制造与封装技术分会、武汉大学承办的第十七届电子封装技术国际会议(ICEPT)在武汉光谷金盾大酒店召开。德祥公司携手美国海思创(Hysitron)成功参展此次盛会。 　　美国海思创(Hysitron)是全球领先的纳米力学检测仪器制造商，成立于1992年，致力于研发、设计及生产*水平的纳米力学测试仪器。其仪器产品不仅可以用于金属材料、聚合物材料以及无机非金属材料的纳米压痕、纳米划痕、摩擦磨损和原位扫描成像等纳米特性测试，还可以广泛应用于电子产业，所涉及到的研究领域有： 沉积及平板印刷 包含LED, OLED等显示技术的显示屏 电池、太阳能及能源 数据存储　　会议现场，相关技术人员与众多电子产业领域的专家进行了深入交流，并为广大客户详细介绍了电子产业所涉及到的纳米力学行为表征方法，如薄膜硬度与弹性模量表征、薄膜界面附着力与摩擦系数表征、高温条件下的模量成像以及其他先进纳米力学行为表征及其主要应用范例，并现场解答了电子封装应用领域会遇到的一些实际问题。　　德祥，作为美国海思创(Hysitron)在国内的*代理商，将一如既往为广大新老客户提供*的产品和完善的服务，欢迎来电咨询，了解更多资讯和产品详情！

4月7日，2022年第二批安徽省重大项目集中开工动员会马鞍山分会场活动举行。图片来源：见马鞍山“见马鞍山”消息显示，马鞍山市第二批集中开工项目56个，总投资397.8亿元。其中包括德胜芯片封装及光学摄像头生产项目、智能超声波计量传感器研发制造项目、半导体封装测试项目等。以下是部分项目介绍：德胜芯片封装及光学摄像头生产项目该项目由安徽省中科达智能科技有限公司投资建设，总投资1.5亿元，租赁7500平方米厂房，建设芯片封装及光学摄像头生产线，年产芯片封装300万个，摄像头模组400万个。智能超声波计量传感器研发制造项目该项目由迈拓科技（安徽）有限公司投资建设，总投资10.6亿元，总建筑面积7.38万平方米，建设智能超声波水表生产线3条和智能超声波气表生产线1条，年产148万套仪表设备。半导体封装测试项目该项目总投资5.0亿元，租赁3万平方米厂房，建设半导体封测生产线8条，年产1.9亿个半导体元器件。

在双面胶的初粘性测试中，滚球法初粘性测试仪和环形初粘性测试仪是两种常用的测试工具。尽管它们的最终目标都是为了评估双面胶的初粘性，但在测试原理、方法以及结果解读上却存在显著的区别。滚球法初粘性测试仪测试原理：滚球法初粘性测试仪通过在一定角度的斜面上滚动标准尺寸的钢球，以测量钢球在胶粘剂表面滚动时的粘附能力。测试时，钢球从斜面顶部释放，滚过涂有胶粘剂的测试表面，根据钢球滚动的距离来评估初粘性。特点：操作简单，测试速度快。测试结果受环境因素（如温度、湿度）影响较小。适用于各种类型的胶粘剂，包括双面胶。适用场景：适用于需要快速评估初粘性的生产环境。适用于胶粘剂的初步筛选和质量控制。环形初粘性测试仪测试原理：环形初粘性测试仪通过将一定直径的环形试样放置在胶粘剂表面，然后以一定速度提起试样，测量胶粘剂粘附环形试样所需的力。测试时，环形试样与胶粘剂接触，然后以恒定速度提起，直至环形试样脱离胶粘剂表面。特点：测试结果更精确，可以量化粘附力。适用于测量特定类型的胶粘剂，尤其是双面胶。测试过程可能受环境因素影响较大。适用场景：适用于需要精确测量粘附力的实验室环境。适用于双面胶的详细性能评估和研究。区别总结测试原理：滚球法侧重于通过钢球滚动的距离来评估初粘性，而环形法则通过测量提起环形试样所需的力来评估。操作复杂度：滚球法操作简单，环形法则可能需要更精确的操作和设备设置。测试速度：滚球法测试速度快，环形法可能需要更多时间来准备和执行测试。环境影响：滚球法结果受环境影响较小，环形法则可能更敏感于温度和湿度变化。结果精确度：环形法可以提供更精确的粘附力数值，而滚球法则提供相对的粘附性评估。适用性：滚球法适用于快速筛选和质量控制，环形法则适用于详细的性能评估和研究。测试成本：滚球法设备通常成本较低，环形法则可能需要更高级的设备。在选择测试双面胶初粘性的设备时，需要根据具体的测试需求、预算和测试环境来决定使用哪种测试仪。每种测试仪都有其优势和局限性，理解这些区别有助于选择最适合的测试方法。

近日，池州华宇电子科技股份有限公司（以下简称“池州华宇电子”）宣布三期工程暨华宇电子集成电路先进封装测试基地项目，实现主体结构封顶。项目建成后，池州华宇电子主要封装产品将从现有QFN、DFN、SOP、TO、SOT产品，升级到最为先进高端的SIP、LGA、BGA封装产品。图片来源：池州华宇电子科技股份有限公司据介绍，池州华宇电子集成电路先进封装测试基地，位于安徽省池州市经济技术开发区凤凰大道106号华宇二期东面，项目总投资10亿元，于2021年12月15日正式开工建设，总建筑面积45000平米，为地上三层建筑结构。华宇电子表示，下一步，项目管理团队将科学安排工期，加强安全、质量、文明施工管控，确保安全质量的同时如期完成剩余施工任务。确保整体项目交付，实现2022年上半年顺利投产目标。华宇四期建设也即将提上日程。

近日，工信部公开征求对《国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业条件》的意见。如有意见或建议，请于2021年3月5日前，填写《反馈意见表》，以电子邮件或传真形式反馈至工业和信息化部电子信息司。联系电话：010-68208270传真：010-68271654电子邮件：guolili@miit.gov.cn反馈意见表.doc工业和信息化部电子信息司2021年2月4日征求意见稿全文如下：根据《国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》（国发〔2020〕8 号，以下简称《若干政策》）及其配套税收政策有关规定，现将国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业条件通知如下：一、《若干政策》所称国家鼓励的集成电路设计企业，必须同时满足以下条件：（一）在中国境内（不包括港、澳、台地区）依法注册，从事集成电路或电子自动化设计工具（EDA）研发、设计并具有独立法人资格的企业；（二）汇算清缴年度具有劳动合同关系或劳务派遣、聘用关系的月平均职工人数不少于20 人，且具有本科及以上学历的职工人数占企业月平均职工总人数的比例不低于50%，其中研究开发人员占企业月平均职工总数的比例不低于50%；（三）汇算清缴年度研究开发费用总额占企业销售（营业）收入（主营业务收入与其他业务收入之和，下同）总额的比例不低于6%；（四）汇算清缴年度集成电路设计或EDA 工具销售（营业）收入占企业收入总额的比例不低于60%，其中自主设计销售（营业）收入占企业收入总额的比例不低于50%，且企业收入总额不低于（含）1500 万元；（五）拥有核心关键技术和自主知识产权，企业拥有与集成电路产品设计相关的已授权发明专利、布图设计登记、软件著作权合计不少于8 个；（六）具有与集成电路设计相适应的规范软硬件设施等开发环境和经营场所，且必须使用正版的EDA 等软硬件工具；（七）汇算清缴年度未发生严重失信行为、重大安全、重大质量事故或严重环境违法行为。二、《若干政策》所称国家鼓励的集成电路装备企业，必须同时满足以下条件：（一）在中国境内（不包括港、澳、台地区）依法注册，从事集成电路专用装备（含关键部件，下同）研发、制造并具有独立法人资格的企业；（二）汇算清缴年度具有劳动合同关系或劳务派遣、聘用关系且具有大学专科及以上学历职工人数占企业当年月平均职工总人数的比例不低于40%，其中研究开发人员占企业当年月平均职工总数的比例不低于20%；（三）汇算清缴年度用于集成电路装备研究开发费用总额占企业销售（营业）收入总额的比例不低于5%；（四）汇算清缴年度集成电路装备销售收入占企业销售（营业）收入总额的比例不低于30%，且企业销售（营业）收入总额不低于（含）2000 万元；（五）拥有核心关键技术和自主知识产权，企业拥有与集成电路装备研发、制造相关的已授权发明专利数量不少于10 个；（六）具有与集成电路装备生产相适应的经营场所、软硬件设施等基本条件；（七）汇算清缴年度未发生严重失信行为、重大安全、重大质量事故或严重环境违法行为。三、《若干政策》所称国家鼓励的集成电路材料企业，必须同时满足以下条件：（一）在中国境内（不包括港、澳、台地区）依法注册，从事集成电路专用材料研发、生产并具有独立法人资格的企业；（二）符合国家产业政策；（三）汇算清缴年度具有劳动合同关系或劳务派遣、聘用关系且具有大学专科及以上学历职工人数占企业当年月平均职工总人数的比例不低于40%，其中研究开发人员占企业当年月平均职工总数的比例不低于20%；（四）汇算清缴年度用于集成电路材料研究开发费用总额占企业销售（营业）收入总额的比例不低于5%；（五）汇算清缴年度集成电路材料销售收入占企业销售（营业）收入总额的比例不低于30%，且企业销售（营业）收入总额不低于（含）1000 万元；（六）拥有核心关键技术和自主知识产权，且企业拥有与集成电路材料研发、生产相关的已授权发明专利数量不少于5 个；（七）具有与集成电路材料生产相适应的经营场所、软硬件设施等基本条件；（八）汇算清缴年度未发生严重失信行为、重大安全、重大质量事故或严重环境违法行为。四、《若干政策》所称国家鼓励的集成电路封装、测试企业，必须同时满足以下条件：（一）在中国境内（不包括港、澳、台地区）依法注册，从事集成电路封装、测试并具有独立法人资格的企业；（二）符合国家产业政策；（三）汇算清缴年度具有劳动合同关系或劳务派遣、聘用关系且具有大学专科以上学历职工人数占企业当年月平均职工总人数的比例不低于40%，其中研究开发人员占企业当年月平均职工总数的比例不低于20%；（四）汇算清缴年度研究开发费用总额占企业销售（营业）收入总额的比例不低于3.5%；（五）汇算清缴年度集成电路封装、测试销售（营收）收入占企业收入总额的比例不低于80%，且企业收入总额不低于（含）2000 万元；（六）拥有核心关键技术和自主知识产权，且企业拥有与集成电路封装、测试相关的已授权发明专利数量不少于5个；（七）具有与集成电路芯片封装、测试相适应的经营场所、软硬件设施等基本条件；（八）汇算清缴年度未发生严重失信行为、重大安全、重大质量事故或严重环境违法行为。五、本条件中所称研究开发费用政策口径，按照《财政部国家税务总局科技部关于完善研究开发费用税前加计扣除政策的通知》（财税〔2015〕119 号）和《国家税务总局关于研发费用税前加计扣除归集范围有关问题的公告》（2017 年第40 号）的规定执行。

KRÜ SS于1796年诞生于德国汉堡，是表面科学仪器领域的全球领导品牌。先后研发了世界上第一台商用全自动表面张力仪和第一台全自动接触角测量仪，荣获多次国际工业设计大奖和德国中小企业最具创新能力TOP100荣誉。其它产品还包括各类动态表面张力仪、泡沫分析仪、界面流变仪和墨滴形状分析仪等。KRÜ SS会议信息2023 年是“十四五”发展转折之年，集成电路产业作为作为国民经济的战略性、基础性和支柱性产业，其核心技术、生态构建、行业应用等深刻影响着国家经济发展步伐，而集成电路封装测试是产业链的重要环节，坚持推动创新驱动发展、全面塑造发展新优势是重点方向。KRÜ SS诚邀您参加2023年中国半导体封装测试技术与市场年会会议时间：2023.10.25 - 27展位号：C1会议地址：皇冠国际会展酒店（昆山市前进西路1277号）会议议程典型应用1.晶圆的质量控制半导体生产的质量控制要求非常高，用于制造芯片的晶圆具有非常均匀的表面，因此表面上的任何疵点都能引起高成本损失。检查晶圆表面的质量时，必须不能改变材料的性质。接触角测量可对晶圆进行非破坏性测试，检测晶圆表面的清洁度和监控质量的均匀性。即使表面结构发生了微小的变化，接触角也会灵敏的反映出来。KRÜ SS的DSA100W液滴形状分析仪是为全自动对晶圆表面质量进行标准化控制设计的，基于接触角测量来监测晶圆表面清洁度和均一性。全自动测量模块中有一个特殊的晶圆定位样品台，在定义的测量位置（“绘图”）基础上，进行一系列全自动测量。不同位置接触角的测量结果可反映样品的均一性或不同区域之间的差异。2.光刻胶在晶圆表面的润湿光刻胶必须旋涂在晶圆上。因此，晶圆表面和光刻胶之间的接触特性尤为重要。如果接触角过大，光刻胶在晶圆表面呈液滴状分布，工艺失败；如果接触角太小，光刻胶很容易分布在晶圆表面，薄膜厚度很难保证，特别是对于需要厚光刻胶的层。KRÜ SS的DSA系列液滴形状分析仪可以系统的分析光刻胶在晶圆表面的静态接触角，或者使用倾斜台的方法，测试光刻胶在晶圆表面旋涂过程中的动态接触角。3.金手指的亲疏水性KRÜ SS的DSAM系列液滴形状分析仪可以滴定皮升级的液滴，非常适合测试金手指等微小样品表面的接触角。4.电子元器件和密封剂间的润湿和粘附为了保护成品印刷电路板免受环境影响（如振动、冲击或水分），从而保证其长期正常运行，必须用密封剂（圆顶封装体）对组件进行封装。除了良好的润湿性，组件和密封剂高强度的粘结和低界面张力也是保证封装稳定性的必要条件。通过KRÜ SS的接触角测量仪测量组件和密封剂的表面能和极性来判断两者之间的润湿和粘附。例如有两种不同的组件，已知其表面自由能和分量，而密封剂的表面张力为40.5mN/m（极性部分7.5 mN/m，色散部分33 mN/m）。则可通过上图润湿谱图预判密封剂对不同组件的润湿和粘附效果。5.用于全贴合的表面处理的表征全贴合是晶圆表面彼此粘合，以形成多层结构，可用于高频技术。在高温900℃以上可产生强粘合力，然而，对于带有功能层的晶圆来说，粘合力又太高了。通过适当的晶圆预处理，如利用氧等离子体，可在低温下实现良好的粘合性。可通过测定晶圆表面能来检测预处理的质量。便携式液滴形状分析仪 – MSA可在现场进行非破坏性检测，甚至也可在竖直表面进行。6.表征评价清洁液的质量监控清洁电路板的清洗剂中表面活性剂浓度。为确保表面活性剂添加的有效性和经济性，可测量与浓度相关的表面张力值来检测清洗剂中表面活性剂的含量。绘制不同浓度动态表面张力曲线，通过BPT便携式动态表面张力仪在现场直接进行快速测试。

p style="text-indent: 2em text-align: justify line-height: 1.5em "9月17日，上海金山区人民政府、金山工业区分别与融信产业联盟、智路资本、广大汇通等签署了战略合作协议、封测项目投资服务协议、汇通科创基金合伙协议以及其他相关协议，同时举行了第三代化合物半导体项目运营公司“华通芯电（上海）集成电路公司”的揭牌仪式。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify line-height: 1.5em "据悉，此次智路封测项目和华通芯电项目在金山工业区同步上马。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify line-height: 1.5em "其中智路封测项目的投资主体联合科技（UTAC），在汽车电子半导体封装测试细分领域排名全球第三。项目将以UTAC为主体在金山投资建设封装测试制造基地，完成海外并购返投，在金山新建高可靠性QFN及SiP等特色封装工艺以及晶圆级封装研发中心，预计2024年全部达产。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify line-height: 1.5em "华通芯电项目则为GaN产业链项目总投资29亿元，投资建设4、6英寸化合物半导体生产线项目，项目预计2024年全部达产。根据此前的资料，华通芯电项目将分为两阶段实施。第一阶段计划投资6.5亿元，建设月产7000片GaAs（砷化镓）芯片生产项目；第二阶段计划投资22.5亿人民币，建设月产3000片GaN（氮化镓）射频芯片和20000片功率半导体芯片生产项目，其产品将广泛用于5G基站、雷达、微波等工业领域。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify line-height: 1.5em "上观新闻指出，此番，晶圆制造和封装测试两大硬核项目在金山工业区同步上马，在国内集成电路产业领域尚属首例，体现了以产业联盟牵头开展产业链整合和产业生态建设的新理念。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify line-height: 1.5em "值得一提的是，在合作过程中，金山区还与中关村融信产业联盟共同组建了超过25亿元的集成电路产业发展基金，形成了集成电路产业“项目－基金－政策”的发展格局，通过“基地+基金+基建”的创新模式吸引更多优质的集成电路企业落户，打造“有芯有面”的集成电路产业。/p

前言芯片封装的主要目的是为了保护芯片，使芯片免受苛刻环境和机械的影响，并让芯片电极和外界电路实现连通，如此才能实现其预先设计的功能。常用的一种封装技术是包封或密封，通常采用低温的聚合物来实现。例如，导电环氧银胶用于芯片和基板的粘接，环氧塑封料用于芯片的模塑封，以及底部填充胶用于倒装焊芯片与基板间的填充等。主要的封装材料、工艺方法及特性如图1所示。包封必须满足一定的机械、热以及化学特性要求，不然直接影响封装效果以及整个器件的可靠性。流动和粘附性是任何包封材料都必须优化实现的两个主要物理特性。在特定温度范围内的热膨胀系数（CTE）、超出可靠性测试范围（-65℃至150℃）的玻璃化转变温度（Tg）对封装的牢固性至关重要。对于包封，以下要求都是必须的：包封材料的CTE和焊料的CTE比较接近以确保两者之间的低应力；在可靠性测试中，玻璃转化温度（Tg）能保证尺寸的稳定性；在热循环中，弹性模量不会导致大的应力；断裂伸长率大于1%；封装材料必须有低的吸湿性。但是，这些特性在某种类型的环氧树脂里并不同时具备。因此，包封用的环氧树脂是多种环氧的混合物。表1列出了倒装焊底部填充胶的一些重要的特性。随着对半导体器件的性能要求越来越高，对封装材料的要求同步提高，尤其是在湿气的环境下，性能评估和热失效分析更是至关重要，而这些都可以通过热分析技术给予准确测量，并可进一步用于工艺的CAE模拟仿真，帮助准确评估封装质量的优劣与否。表1 倒装焊中底部填充胶的性能要求[1]图1. 主要封装材料、工艺方法及特性[2]热性能检测梅特勒托利多全套热分析技术为半导体封装材料的性能评估和热失效分析提供全面、创新的解决方案。差示扫描量热仪DSC可以精准评估封装材料的Tg、固化度、熔点和Cp，并且结合行业内具有优势的动力学模块（非模型动力学MFK）可以高精准评估环氧胶的固化反应速率，从而为Moldex 3D模拟环氧塑封料、底部填充胶的流动特性提供可靠的数据。如图2所示，在非模型动力学的应用下，环氧胶在180℃下所预测的固化速率与实际测试曲线所表现出的固化行为具有非常高的一致性。热重TGA或同步热分析仪TGA/DSC可以准确测量封装材料的热分解温度，如失重1%时的温度，以及应用热分解动力学可以评估焊料在一定温度下的焊接时间。热机械分析仪TMA可以精准测量封装材料的热膨胀、固化时的热收缩、以及CTE和Tg，动态机械分析仪DMA提供封装材料准确的弹性模量、剪切模量、泊松比、断裂伸长率等力学数据，进一步可为Moldex 3D模拟芯片封装材料的翘曲和收缩提供可靠数据来源。图2. DSC结合非模型动力学评估环氧胶的固化反应速率检测难点1、 凝胶时间凝胶时间是Moldex 3D模拟环氧塑封料、底部填充胶流动特性的非常重要的数据来源之一。目前，行业内有多种测试凝胶时间的方法和设备。比如利用拉丝原理的凝胶时间测试仪，另有国家标准GB 12007.7-89环氧树脂凝胶时间测定方法[3]，即利用标准柱塞在环氧树脂固化体系中往复运动受阻达到一个值而指示凝胶时间。但是，其对柱塞的形状和浮力要求较高，测试样品量也很大，仅适用于在试验温度下凝胶时间不小于5 min的环氧树脂固化体系，并且不适用于低于室温的树脂、高粘度树脂和有填料的体系。由此可见，现有测试方法都存在测试误差、硬件缺陷和测试范围有限等问题。梅特勒托利多创新性TMA/SDTA2+的DLTMA（动态载荷TMA）模式结合独家的负力技术可以准确测定凝胶时间。在常规TMA测试中，探针上施加的是恒定力，而在DLTMA模式中，探针上施加的是周期性力。如图3右上角插图所示，探针上施加的力随时间的变化关系，力在0.05N与-0.05N之间周期性变化，这里尤为关键的一点是，测试凝胶时间必须要使用负力，即不仅需要探针往下压，还需要探针能够自动向上抬起。图3所示案例为测试导电环氧银胶的凝胶时间，样品置于40μl铝坩埚内并事先固定在TMA石英支架平台上，采用直径为1.1 mm的平探针在恒定160℃条件下施加正负力交替变换测试。在未发生凝胶固化之前，探针不会被样品粘住，负力技术可使探针自由下压和抬起，测试的位移曲线表现出较大的位移变化。当发生交联固化，所施加的负力不足以将探针从样品中抬起，位移振幅突然减小为0，曲线成为一条直线。通过分析位移突变过程中的外推起始点即可得到凝胶时间。此外，固化后的环氧银胶片，可通过常规的TMA测试获得Tg以及玻璃化转变前后的CTE，如图3下方曲线所示。图3. 上图：TMA/SDTA2+的DLTMA模式结合负力技术准确测定凝胶时间. 下图：固化导电环氧银胶片的CTE和Tg测试.2、 弯曲弹性模量在热循环过程中，弹性模量不会导致过大的应力。封装材料在不同温度下的弹性模量可通过DMA直接测得。日本工业标准JIS C6481 5.17.2里要求使用弯曲模式对厚度小于0.5mm、跨距小于4mm、宽度为10mm的封装基板进行弯曲弹性模量测试。从DMA测试技巧角度来讲，如此小尺寸的样品应首选拉伸模式测试。弯曲模式在DMA中一共有三种，即三点弯曲、单悬臂和双悬臂，从样品的刚度及夹具的刚度和尺寸考虑，三点弯曲和双悬臂并不适合此类样品的测试。因此，单悬臂成为唯一的可能性，但考虑到单悬臂夹具尺寸和跨距小于4mm的要求，市面上大部分DMA难以满足此类测试。梅特勒托利多创新性DMA1另标配了单悬臂扩展夹具，可方便夹持小尺寸样品并能实现最小跨距为1mm的测试。图4为对厚度为40μm的基板分别进行x轴和y轴方向上的单悬臂测试，在跨距3.5mm、20Hz的频率下以10K/min的升温速率从25℃加热至350℃。从tan delta的出峰情况可以判断基板的Tg在241℃左右，以及在室温下的弯曲弹性模量高达12-13GPa。图4. DMA1单悬臂扩展夹具测试封装基板的弯曲弹性模量.3、 湿气对封装材料的影响湿气腐蚀是IC封装失效的主要原因，其降低了器件的性能和可靠性。保存在干燥环境下的封装环氧胶，完全固化后在高温和高湿气环境下也会吸湿发生水解，降低封装体的机械性能，无法有效保护内部的芯片。此外，焊球和底部填充环氧胶之间的粘附强度在湿气环境中放置一段时间后也会遭受破坏。水汽的吸收导致环氧胶的膨胀，并引起湿应力，这是引线连接失效的主要因素。通过湿热试验可以对封装材料的抗湿热老化性能进行系统的评估，进而对其进行改善，提升整体性能。通常是采用湿热老化箱进行处理，然后实施各项性能的评估。因此，亟需提供一种能够提高封装材料湿热老化测试效率的方法。梅特勒托利多TMA/SDTA2+和湿度发生器的联用方案，以及DMA1和湿度发生器的联用方案可以实现双85（85℃、85%RH）和60℃、90%RH的技术参数，这也是行业内此类湿度联用很难达到的技术指标。因此，可以原位在线环测封装材料在湿热条件下的尺寸稳定性和力学性能。图5. TMA/SDTA2+-湿度联用方案测试高填充环氧的尺寸变化.图5显示了TMA-湿度联用方案在不同湿热程序下高填充环氧的尺寸变化。湿热程序分别为20℃、60%RH、约350min，23℃、50%RH、约350min，30℃、30%RH、约350min，40℃、20%RH、约350min，60℃、10%RH、约350min，80℃、5%RH、约350min。可以看出，在60%的高湿环境下高填充环氧在350min内膨胀约0.016%，后续再降低湿度并升高温度，样品主要在温度的作用下发生较大的热膨胀。图6为DMA-湿度联用方案在双85的条件下评估PCB的机械性能的稳定性，测试时间为7天。可以看出，PCB在高湿热的环境下弹性模量有近似6%的变化，这与PCB的树脂材料发生吸湿后膨胀并引起湿应力是密不可分的，并且存在导致器件失效的风险。图6. DMA1-湿度联用方案测试PCB的弹性模量.4、 化学品质量对于封装结果的影响封装过程中会使用到各类的湿电子化学品，尤其是晶圆级封装等先进封装的工艺流程，对于清洗液、蚀刻液等材料的质量管控可以类比晶圆制造过程中的要求，同时针对不同工艺段的化学品浓度等配比都有所不同，因此如何控制使用的电子化学品质量对于封装工艺的效能有着重要的意义。下表展示了部分涉及到的化学品浓度检测的滴定检测方案，常规的酸碱滴定、氧化还原滴定可以基本满足对于单一品类化学品浓度的检测需求。指标电极滴定剂样品量85%H3PO4酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.5~1g96%H2SO4酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.5~1g70%HNO3酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.5~1g36%HCl酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.5~1g49%HF特殊耐HF酸碱电极1mol/L NaOH0.3~0.4gDHF（100：1）特殊耐HF酸碱电极1mol/L NaOH20-30g29%氨水酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.9~1.2gECP（acidity）酸碱玻璃电极1mol/L NaOH≈8g29%NH4OH酸碱玻璃电极1mol/L HCl0.5~1gCTS-100清洗液酸碱玻璃电极1mol/L NaOH≈1g表1. 部分化学品检测方法列表另一方面，对于刻蚀液等品类，常常会用到混酸等多种物质混配而成的化学品，以起到综合的反应效果，如何对于此类复杂的体系浓度进行检测，成为实际生产过程中比较大的挑战。梅特勒托利多自动电位滴定仪，针对不同的混合液制订不同的检测方案，如铝刻蚀液的硝酸/磷酸/醋酸混合液，在乙醇和丙二醇混合溶剂的作用下，采用非水酸碱电极针对不同酸液pKa的不同进行检测，得到以下图谱，一次滴定即可测定三种组分的含量。图7. 一种铝刻蚀液滴定曲线结论梅特勒托利多一直致力于帮助用户提高研发效率和质量控制，我们为半导体封装整个产业链提供完整专业的产品、应用解决方案和可靠服务。梅特勒托利多在半导体封装行业积累了大量经验和数据，希望我们的解决方案给半导体封装材料性能评估的工作者带来帮助。参考文献[1] Rao R. Tummala. 微系统封装基础. 15. 密封与包封基础 page 544-545.[2] Rao R. Tummala. 微系统封装基础. 18. 封装材料与工艺基础 page 641.[3] GB12007.7-89：环氧树脂凝胶时间测定方法.（梅特勒-托利多 供稿）

在探讨滚球法初粘性测试仪与环形初粘力测试仪是否检测同一种性能之前，我们首先需要深入理解这两种测试仪器的工作原理、应用场景以及它们各自所侧重测量的物理属性。通过对比分析，我们可以更清晰地认识到两者之间的异同点。一、测试原理与机制滚球法初粘性测试仪工作原理：滚球法初粘性测试仪，顾名思义，是通过观察特定重量的钢球在倾斜的试样表面滚落的最远距离，来评估材料的初粘性。测试时，将试样水平固定在测试台上，上方放置一定质量的钢球，并逐渐调整测试台的倾斜角度，直至钢球开始滚动并记录下滚动的最远距离。这个距离反映了材料表面对钢球的初始粘附能力，即初粘性。机制解析：此方法的核心在于模拟了材料在实际应用中，与轻小物体接触时产生的瞬间粘附效果。它侧重于测量材料表面的动态粘附特性，即在一定条件下，材料表面能够短暂保持接触物体不立即脱落的能力。环形初粘力测试仪工作原理：环形初粘力测试仪则采用了不同的测试原理。它利用一个特定形状和尺寸的环形压头，以恒定的速度或压力压在试样上，随后将环形压头与试样分离，通过测量分离过程中所需的最大力或能量，来量化材料的初粘力。这个过程模拟了材料在受到外力作用时，抵抗分离所需的力学性能。机制解析：环形初粘力测试仪更多地关注于材料表面在静态或准静态条件下的粘附强度，即材料表面与另一物体接触并尝试分离时，所展现出的抵抗分离的能力。这种测试方法对于评估材料的密封性、粘接强度等方面具有重要意义。二、检测性能的差异动态与静态的区分从上述原理可以看出，滚球法初粘性测试仪侧重于测量材料表面的动态粘附特性，即材料在受到外力作用（如倾斜角度变化导致的重力作用）时，表面能够短暂保持接触物体不脱落的能力。而环形初粘力测试仪则更侧重于评估材料在静态或准静态条件下的粘附强度，即抵抗分离所需的最大力或能量。应用场景的不同这两种测试方法的应用场景也因此而有所差异。滚球法初粘性测试仪因其简单快捷、易于操作的特点，广泛应用于胶带、不干胶、保护膜等材料的初粘性评估。它能够有效反映材料在实际使用过程中的粘附表现，为产品质量的控制提供重要依据。而环形初粘力测试仪则更适用于需要精确测量材料粘附强度的场合，如密封材料、粘合剂等领域的研发与质量控制。三、综合分析与结论综上所述，滚球法初粘性测试仪与环形初粘力测试仪虽然都涉及对材料初粘性能的测试，但它们所检测的具体性能并不完全相同。滚球法侧重于材料表面的动态粘附特性，而环形初粘力测试仪则更关注于静态或准静态条件下的粘附强度。因此，在选择测试方法时，应根据具体的应用场景和测试需求来确定使用哪种仪器，以确保测试结果的准确性和可靠性。此外，值得注意的是，随着科技的进步和测试技术的发展，新的测试方法和仪器不断涌现。在实际应用中，我们还可以结合多种测试手段，对材料的粘附性能进行全面、深入的评估，以更好地满足产品研发、质量控制以及市场应用的需求。总之，滚球法初粘性测试仪与环形初粘力测试仪各有其独特的测试原理和应用场景，它们共同构成了材料粘附性能测试领域的重要工具。通过科学合理地选择和使用这些工具，我们可以更加准确地了解材料的粘附性能，为相关领域的研发和创新提供有力支持。

纺织仪器是专门用于检测纺织品的性能的仪器。中国纺织测试仪器的发展历史离不开几家国内早期建立的大公司：温州大荣、宁波纺仪、上海千实。　　1965年，宁波纺织仪器厂成立于宁波，经过50年的发展历史，宁波纺仪成为生产销售纺织检测仪器、纺织实验室、恒温恒湿实验室、高温老化室(房)、洁净室、无菌室、计算机通讯机房等特殊环境工程的规划设计、施工、安装的综合厂家。　　1988年，温州大荣成立，大荣纺仪是一家座落于中国浙江温州的纺织检测仪器生产厂家，主要制造物理性能的纺织品检测仪器。　　温州大荣是GB标准起草单位、AATCC、ASTM等会员单位、中纺机械器材工业协会“常务理事单位”、浙江省“高新技术企业”、并被温州政府授予“科技创新示范单位”、“重点企业”、“先进单位”等。　　大荣仪器以价格合理取得重要的市场占有量，公司经过20多年的发展历史，在仪器的品种、生产、售后各方面拥有强大的综合实力。　　2009年，上海千实精密机电科技有限公司成立于上海，隶属于标准集团(香港)有限公司的子公司，千实专注于纺织检测仪器的研发生产。目前，上海千实在中国地区的总代理为标准集团(香港)有限公司，由其全面负责Qinsun旗下仪器在中国地区的销售业务。　　2009 成立上海千实精密机电科技有限公司，确定进入纺织测试仪器领域并提供相关解决方案。在标准集团的资金和资源支持下迅速崛起。上海千实，不仅可以独立研发生产色牢度、缩水率、耐静水压、纽扣强度、拉链测试、撕破强力、透气性、水平垂直燃烧、起毛起球、摩擦色牢度、耐褶皱、防钻绒、皮革弯曲性等产品，不断适用并跟进最新的标准，广泛适用于GB、ISO、 ASTM、AATCC、BS、EN、DIN、JIS等标准。　　2010 – 2011，招聘技术研发工程师硕士以上学历者达到10人以上，行业资深专家5人以上， 成功研发第一条完整的纺织品检测仪器产品线。　　2012 推出热阻湿阻测试仪和MMT液态水分管理性测试仪。　　2013年，上海千实的产品遍布国内纺织、质检、纤检、出入境检验检疫、第三方检测公司、大专院校等企事业单位、国内外大型的上市公司。　　2014年，逐步将Qinsun品牌推向国际市场。上海千实纺织品检测技术公司产品广泛畅销于越南、印度尼西亚、印度、美国、英国等40多个国家。　　2015年，上海千实纺织品检测技术有限公司重新整合资源，致力于提供材料测试方面的实验室整体解决方案，包括实验室设计、仪器配置、标准培训、实验室认证及售后服务。并为质量检测机构、企业及科研单位提供一流的测试仪器设备。　　综上所述：在中国纺织检测仪器的发展历史进程中，我国国产仪器从无到有，从有到全面，从产品模仿到独立创新，尽管2000年以后国内存在不少企业盲目的粗放性生产，但是我国纺织检测仪器设备的科技含量和检测标准的国际化已经取得了重大的进步。然而，在历史的长河中，宁波纺仪、温州大荣、上海千实qinsun发挥了重要的影响力和价值。　　更多纺织仪器行业新闻：http://www.standard-groups.com

国内标准针对起毛起球测试分类过细, 容易产生混淆 。如 GB/T 4802 . 3 —1997 适用于大多数织物, 仅注明毛针织最适宜 而 GB/ T 4802 . 2 —1997 和 GB/T4802 . 1 —1997 又适用各类纺织物 , 以致于企业在测试时无从选择哪个标准。　　测试原理及条件可以得知 , 翻箱式测试( 包括Orbitor 仪器) 可以在无压力条件下测试 ,而另外两种方法实际在轻微压力下测试, 显然结果是有差异的。　　对于纺织出口企业 , 面临贸易国的标准不同 , 对纺织品起毛起球问题测试实际困难更大 。从多数纺织品进口国的测试方法来看, 一般限于翻箱法和马丁代尔法 ,对于起毛起球性能要求高的纺织品采用后者测试为主,因为此法更接近于人们服用过程。　　国内的纺织品起毛起球测试仪器主要分为: 起球箱起球仪 、马丁代尔起球仪 、圆轨迹起球仪、乱翻式起毛球测试仪、圆轨迹法起毛起球仪、ICI钉锤式勾丝性测试仪6种。现以上海千实的几种起球仪作为参考：　　　　1.起球箱起球仪　　符合标准：BS 5811/8479，IWSTM 152，NEXT 19，M&S P18/P18A/P18B/P21A，GB/T 4802.3，BS EN ISO 12945.1　　适用范围：用于正常磨损而产生的起球或勾丝现象，配有独特的控制器，可选标准及其它多种测试转速进行测试，同时配有可编程的30rpm反转系统。　　技术参数：　　1.可配有4个起球箱；　　2.具有正反转功能；　　3.转速：20, 30, 40, 45, 50, 60, 65, 70 rpm可任意选择；　　4.液晶屏显示所有测试参数；　　5.配有实验结束报警功能；　　6.密封性好；　　7.马达保护功能：如有外力阻挡，能自动停机，并报警。　　　　2.马丁代尔起球仪　　符合标准：ASTM D4970，ISO 12945.2，GB/T 4802.2/13775/21196.1/21196.2，ASTM D4966，ISO 12947，FZ/T 20020，BS 3424-24/5690，ISO 12947.1/12947.2，M&S P17/P19/P19C，NEXT 18/18a/18b，ISO 5470-2，IWTO 40，JIS L1096 8.17.5 Method E，Woolmark TM 112/196，BS EN 388/530/13770，ISO 20344　　适用范围：　　可检测各种植物的耐磨性及起球性能。在一定的压力下，试样和指定的磨料进行持续换向摩擦，和标准参数对比进行磨损和起球程度评价。触摸屏控制，配备功能全面的编程器，可预编程批次及总计数，单独设置每个测试头的计数 可选择包括标准速度在内的4个速度。　　技术参数：　　1.工位数：9工位 　　2.计数范围：0～999999次　　3.最大动程：横向 60.5±0.5mm，纵向24±0.5mm　　4.加压物质量：　　a.夹持器：200±1g　　b.衣料试样重锤：395±2g　　c.家具装饰品试样重锤：594±2g　　d.不锈钢蝶片：260±1g　　5.磨块有效摩擦直径：　　A型 200g(1.96N)摩擦头(9kPa)￠28.8 -0.084mm　　B型 155g(1.52N)摩擦头(12kPa)￠90 -0.10mm　　6.夹持器与磨台相对运动速度：20-70r/min(可调)　　7.装样压锤质量：2385±10g　　　　3.圆轨迹起球仪　　符合标准：GB/T 4802.1 JIG 040　　适用标准：本仪器用于测试毛织物、化纤纯棉、混纺、针织、机织物的起毛气球状况，以鉴别产品质量和工艺效果。测试时织物与尼龙刷及磨料摩擦，或者仅在调湿状态下和磨料摩擦。　　技术特点：　　1.磨头与磨台平面接触间隙 ≤0.2mm　　2.磨头与磨台平行度 ≤0.3mm　　3.磨头与磨台相对运动轨迹 40±1mm　　4.尼龙刷面平齐，其高度差0.5mm　　5.磨台往复速度 60±1次/min　　6.磨头重量 490cN±1%　　7.大重锤重量 290cN±1%　　8.小重锤重量 100cN±1%　　9.次数选择 1～9999　　10.满足标准测试要求　　　　4、乱翻式起毛球测试仪：　　符合标准：　　ASTM D3512，GB/T 4802.4，ISO 12945.3，JIS L1076-D　　适用范围：　　用于检测织物的起毛起球性能。将105mm×105mm的样品分别放入测试箱中，在叶轮的旋转作用下，置物盒软木衬壁持续随机摩擦，将定时器设置到规定时间，到达设定时间后声响报警，提示试验结束。测试时测试室内会注入压缩空气，以增强翻转，气压可调。　　技术参数：　　1.样品测试室：4个 　　2.每个测试室配有旋转的不锈钢叶片 　　3.配备测试室要求密封性好 　　4.配备数字式电子计数器 　　5.配有实验终了报警装置 　　6.配有压力表及记时器。　　7.滚筒规格：146×152mm　　8.软木衬规格：452×146×1.5mm(L×W×H)　　9.搅棒规格：L=121mm　　10.转速：1200r/min　　11.压缩空气：0.014-0.021MPa　　　　5、圆轨迹法起毛起球仪　　符合标准：　　GB/T 4802.1 JIG 040　　适用标准：　　本仪器用于测试毛织物、化纤纯棉、混纺、针织、机织物的起毛气球状况，以鉴别产品质量和工艺效果。测试时织物与尼龙刷及磨料摩擦，或者仅在调湿状态下和磨料摩擦。　　技术特点：　　1.磨头与磨台平面接触间隙 ≤0.2mm　　2.磨头与磨台平行度 ≤0.3mm　　3.磨头与磨台相对运动轨迹 40±1mm　　4.尼龙刷面平齐，其高度差0.5mm　　5.磨台往复速度 60±1次/min　　6.磨头重量 490cN±1%　　7.大重锤重量 290cN±1%　　8.小重锤重量 100cN±1%　　9.次数选择 1～9999　　10.满足标准测试要求　　　　6、ICI钉锤式勾丝性测试仪　　符合标准：　　ASTM D3939，GB/T 11047，JIS L1058　　适用范围：　　ICI钉锤式勾丝性测试仪适用于检测外衣类针织物和机织物及其它易勾丝的织物，特别适用于化纤长丝及其变形纱织物的勾丝性能。可快速检测织物在正常穿着条件下产生勾丝现象的难易程度(即将纱线从织物中钩出)。　　产品详细：　　本仪器配有观测箱及不同织物结构的对比图样卡。配有4个测试辊(套上待测织物)，钉锤球为碳化钨头，并由预定的电子计数器控制。　　技术参数：　　1. 试验片尺寸：220mm×330mm 　　2. 转筒直径：82mm 　　3. 转筒长度：210mm 　　4. 钉锤球：碳化钨头 　　5. 钉锤直径：31.8 mm 　　6. 钉锤重量：135g 　　7. 钉锤突出长度：9.5 mm 　　8. 钉锤植针数：11根钨针 　　9. 钉针外露：10mm 　　10. 尖端半径：R0.13mm 　　11. 导杆工作宽度：125mm 　　12. 钉锤与导杆间距离：45mm 　　13. 测试工位：4工位 　　14. 测试速度：60rpm 　　15. 外形尺寸：1007×508×405mm(40×20×16英寸)(L×W×H) 　　16. 重量：约90kg 　　17. 电源：1∮，AC220V，50Hz，3A。 更多关于 起毛起球测试仪：http://www.qmqqy.com/productlist/list-5-1.html

药用PVC硬片的耐冲击性能检测是一个关键的质量控制步骤，以确保药品包装的完整性和保护药品免受运输和处理过程中的冲击。落镖冲击测试仪和落球冲击测试仪都是用于评估材料耐冲击性能的设备，但它们在设计和应用方面存在差异。落镖冲击测试仪落镖冲击测试仪通常用于评估软包装材料如薄膜、复合膜等的抗冲击穿透能力。它使用一个或多个特定重量和形状的落镖，从一定高度落下冲击试样。这种测试方法更多地侧重于材料的抗穿透性能，适用于检测软包装材料在实际使用中抵抗尖锐物体冲击的能力。落球冲击测试仪落球冲击测试仪则通常用于测试硬质塑料材料如药用PVC硬片的冲击强度。它使用一定质量的球体从预设高度自由落体，冲击试样，以此来模拟实际使用中可能遇到的冲击情况。落球冲击试验可以检测药用PVC硬片的耐用性、硬度、强度和韧性等性能。比较与选择在选择落镖冲击测试仪还是落球冲击测试仪时，需要考虑以下因素：材料特性：药用PVC硬片作为一种硬质塑料材料，更适合使用落球冲击测试仪进行测试。测试目的：如果测试目的是评估材料的耐冲击能力以及硬度和强度，落球冲击测试仪可能更为合适。标准遵循：应参考相关的医药包装材料测试标准或国际标准，如YBB00212005-2015等，这些标准可能指定了特定的测试方法。设备能力：确保所选设备能够满足药用PVC硬片的测试要求，包括试样尺寸、冲击高度和能量等。结论根据上述信息，对于药用PVC硬片的耐冲击性能检测，落球冲击测试仪 更为适合，因为它专门设计用于评估硬质塑料材料的冲击强度，并且符合药用PVC硬片的测试标准和要求。

随着医药行业对包装材料性能要求的不断提升，薄膜拉力测试仪在评估和确保包装质量中的作用显得尤为重要。本文将探讨薄膜拉力测试仪如何满足医药包装性能的测试需求。1. 医药包装的特殊要求医药包装不仅需要保护药品免受外界因素的影响，还需符合安全、有效、便捷等多重要求。因而，包装材料的机械性能，特别是拉力强度、耐撕裂性和耐穿刺性等，成为了检测的重点。2. 薄膜拉力测试仪的基本原理薄膜拉力测试仪通过施加均匀的拉力，测量材料在受力下的变形及断裂情况。它能够提供精确的数据，帮助研发和生产团队分析包装材料的性能。3. 应对医药包装性能需求的优势3.1 精确测试薄膜拉力测试仪具备高精度测量功能，可以准确评估医药包装材料在不同环境条件下的拉伸性能，从而确保药品在运输和储存过程中的安全性。3.2 多功能性除了拉力测试，许多现代薄膜拉力测试仪还配备了其他功能模块，如撕裂强度、穿刺强度等测试。这使得其能够全面评估包装材料的性能。3.3 兼容性强薄膜拉力测试仪适用于多种材料，包括塑料薄膜、复合材料等，符合当今医药包装日益多样化的趋势。4. 数据分析与质量控制4.1 结果的可视化薄膜拉力测试仪常配备数据分析软件，能够将测试结果以图表形式展示，便于研发团队直观分析。这有助于发现潜在问题，并及时进行改进。4.2 质量管理体系的支持测试数据可以作为品质保证的依据，帮助企业建立和完善质量管理体系，符合国际标准和法规要求。5. 展望未来随着科技的不断进步和医药行业需求的变化，薄膜拉力测试仪也在不断发展。未来，智能化、自动化的测试设备将更好地服务于医药包装行业，提升包装材料的质量和安全性。结语薄膜拉力测试仪在医药包装性能测试中扮演着不可或缺的角色。不仅能提供精准的测试数据，还能通过多功能性和数据分析，提高包装材料的质量与安全性。随着行业的发展，薄膜拉力测试仪的应用前景将更加广阔。

1)目前的现状：　　中国测试仪器的普遍水平还停留在20世纪80年代初国际水平上 大型和高档仪器设备几乎全部依赖进口 许多急需的专用仪器还是空白 中低档产品保证质量上还有许多难关需要攻克。　　据海关统计，中国每年进口各类测试仪器总额接近中国测试仪器产业总产值50%。此外，在6000多家企业中，年销售收入超过1000万元的不足1000家，全行业经济效益低下。　　高档、大型仪器设备几乎全部依赖进口，同时国外公司还占有国内中档产品以及许多关键零部件市场60%以上的份额。科技创新及其产业化进展滞缓，是制约中国测试仪器产业发展的一个&ldquo 瓶颈&rdquo 。　　2) 差距存在的原因　　1、从业人员素质较低：　　仪器虽小，但是反映出从业人员素质，中国仪器行业绝多多数为私营企业，而此类私营业主，大多数文化水平较低，仪器有个最大的特点，在于标准的吻合度，而标准的解读，往往需要从业人员具备一定的文化素质，就和文章的读后感相似，不同的知识背景的人读一篇相同的文章，会得出截然不同的感受和理解，换而言之，不同的人去读标准，就会出现完全不同的理解，也就会制造出完全不同的测试仪器，以及得出不同的测试结果。　　2)工业化水平：　　就目前中国工业发展而言，我们的大工业，如高铁、军事等，绝对不输给大多数工业化国家，比如法国和英国等，但是在我们日常生活中所遇到的工业化程度就完全不同，这受国家的政策有着非常大的影响，因为国家政策本身就不惠及那些中小型的企业，这就造成了在我国去生产一台精密仪器的困难。作为生产企业，如果去买个温控器、买支热电偶等非常简易的产品，其实遍寻市场，你无法找到一个真正的国内的品牌，或是一个真正高质量的配件 再比如加工行业，国内手工加工作坊式企业非常多，那你拿着这些土枪土炮，又怎么能和人家那些武装到牙齿的生产装备去抗衡呢?　　3)国内市场因素：　　价格!价格!价格! 这个是买国产仪器的客户所最关心的问题，一般购买国产仪器的用户，主要是因为价格原因去购买国产仪器，极少是因为品牌导向或是自身的专业背景去做出采购决策的。其实用户本身也造成了国产仪器商之间进行了恶性的价格竞争，在恶性价格竞争的状态下，你又怎么能去要求你的供应商去保证他的产品质量呢? 现在的国产仪器，价格只有更低、没有最低，大家都为了生计去奔波，又有谁可以沉下心去搞研发工作和进行科技发展的投入呢? 而对比于进口仪器，价格竞争也是存在的，但是国内用户在价格方面对于进口仪器的宽容度是远远大于国产仪器的。一方面用户在抱怨国产仪器品质的低劣，另一方面，又不断成为打压国产仪器价格的推手。　　4)市场的诚信度以及浮躁情绪　　对于诚信度，比如技术指标，极少有供应商会因为撒谎而付出代价，这就造成了，说假话比说真话，有着更大的盈利，这在投标中是比比皆是的 供应商的短期思维，总想做下这个客户，赚到这笔钱为眼前最大事宜，而不顾及后期产品的使用结果 也就是说，没有人会因为自己制造了一台低劣的仪器而付出代价，也没有人为自己的谎言产生损失，其代价在短期是无法体现的，长远来看，如果市场中没有追求高品质的竞争对手出现的时候，那么他所有的谎言和浮躁，都是有利可图的。　　5)知识产权的保护　　对于大多数客户而言，购买了进口仪器后，其实极其不愿意国产仪器上去考察和抄袭，非常忌讳国内生产商去考察，你有这么好的意识，为啥不去打击国内的盗版呢?国外仪器行业毕竟发展多年，通过模仿和抄袭，可以极大的缩短研发的周期和投入，然后在国外同行业对手的基础上，再去改进他的某些缺点，慢慢去形成自我的风格和自己的技术，&ldquo 师夷长技以制夷&rdquo ，为何不将这些高端的进口仪器向你的同胞们去大胆的开放呢?　　另外，国内制造厂商之间的知识保护确又极差，大家互相抄袭成风，最终的结果，是谁也不敢去做技术上的革新以及创新。　　就笔者多年的经验而言，如欲打败国外同行，个人体会如下：　　1、多练习内功：　　在自己所从事的行业，多了解国外同行的产品特性、技术特点、操作的合理化等详细信息，必须知道对方的优点，以及自身的缺点，&ldquo 不以物喜，不以己悲&rdquo ，在充分了解竞争对手的情况下，找出自己的长处不断发扬，找到自己的缺点不断的修正，必须以十年磨一剑的心态去做产品，在自己产品的使用中，不断询问用户，让他们提出宝贵意见。　　2、专注于自己的行业：　　专注于自身所处的行业，不要这山看着那山高，只有专业才是长久之计，不要把自己变为一个杂货铺，什么都能干，什么都做不精。国外仪器制造商，比如安捷伦、瓦里安、英斯特朗，人家往往都是一招吃遍天下，而不是像我们这样，面面俱到的经营。　　3、价格的控制　　低价客户，其实就是低质量客户，当你将每天的精力放在那些低质量的客户身上，你不如多关注那些有着高品质追求的客户，他们才是你利润的来源，同时也是你提高产品质量和性能的最好的伙伴。当你在不断降价的同时，也是你不断降低质量，以及降低自我要求的开始。　　4、竞争对手的定位　　不要轻易降价，也不要去和你的同行打价格战，你的同行是激励你进步的动力，不是你的敌人，打败你的竞争对手最好的方式，就是制造出他不可以逾越的产品，试问，在中国，你见过几家仪器商是因为被竞争对手的低价给打垮的呢? 当你使用价格战术去打击对手的时候，其实伤害的是你们双方，当你用高性能的产品去攻击你的对手的时候，那么你才可以掌握住战斗的主动权。市场上最大的份额占有者是进口仪器及其代理商，他们才是真正的敌人。　　5、不要欺骗你的用户　　你可以选择不说，但是不可以选择欺骗，没有人愿意上当受骗，包括你自己在内。　　以上所述，为笔者从事仪器行业多年的体会，可能有所偏颇，但是借网站一发，供大家参考!欢迎就此话题进行探讨。　　莫帝斯燃烧技术(中国)有限公司全资子公司，成立于2008年，是一家年轻并极富创新性的国际化科技公司。　　已经为众多阻燃测试机构提供优质的燃烧测试仪器，如中国铁道科学研究院、公安部四川消防研究所、中国船级社远东防火检测中心、中国科学研究院力学研究所、桂林电器科学研究院、中国标准化研究院、中国纺织科学研究院、SGS 通标标准技术服务有限公司、INTERTEK 天祥质量技术服务有限公司、TUV 南德意志集团、TUV 莱茵、北京理工大学等国内知名检测机构及科研院所。　　更加详细信息可浏览网站：www.firetester.cn www.motis-tech.cm

肉类水分快速测试仪需要用检测试剂吗，肉类水分快速测试仪一般不需要使用检测试剂。这种仪器通常采用物理方法，如烘干法或电阻法等，来直接测量肉类的水分含量。在使用肉类水分快速测试仪时，用户需要将仪器的检测探头针状电极插入被测样品的肌肉中（避免插入脂肪、筋腱、骨头和空气中），然后按照仪器的操作步骤进行测量。测量过程中，仪器会自动计算出基准值并显示结果。然而，需要注意的是，不同的肉类水分快速测试仪可能具有不同的操作方法和测量原理，因此在使用前建议仔细阅读仪器的说明书，并遵循正确的操作步骤和注意事项。此外，还有一种肉类水分检测试纸盒的方法，这种方法需要使用检测试纸来间接判断肉类是否注水。这种方法虽然简便快速，但并不能直接测量肉类的水分含量。因此，如果需要准确测量肉类的水分含量，建议使用肉类水分快速测试仪。

据统计，测试仪器产业所占电子工业的产值大约只有不足2%，而电子工业的产值不过占世界总产值的2%左右，但依靠测试仪器拉动的新技术带来的附加价值却可以占全世界每年新增价值的70%～75%。作为一种应用遍及基础研究到生产线的基础性产品和技术，电子测试仪器行业的强大，完全可以拉动一个国家创新带动的新增价值。　　只是，在这样一个看似微小却影响巨大的行业里，中国一直充当着舞台上的配角。无论从国防还是民用需求，我们接触到的测试系统以及测试仪器，在高性能应用上无一例外都是进口品牌。　　在刚刚闭幕的第八届国防电子展会上，来自航天系统、军事院校和军方的一线测试系统研发、应用及计量研究的专家学者认为，作为一个高技术、资本密集、横跨多个学科并且强调多年技术积累的行业，我国在测试仪器方面与国外企业的差距是多方面的，不仅仅是技术、经验和资金不足，更重要的是在概念、标准和理念等方向的差距和在决策方面的不够重视。　　技术差距　　业内专家认为，对国产测试仪器而言，我们始终是跟着别人的脚步在学习，在追赶，这是技术方面存在的最大问题。例如近几年在军用测试方面，是各种总线技术的盛行，然而这些总线技术，都是外国定义研发的，这也就意味着，中国要应用这些总线技术，就逃不开他们定义的测试系统架构及测试方法，多数情况下我们不得不去购买他们的产品来满足国内的测试系统要求。　　如果说在这些系统级测试仪器方面，因为开放的总线，技术差距相对比较小，那么在台式仪器方面，国内外的差距几乎很难去估量。业内人士认为，对于基础的测试仪器而言，其架构和概念并不难理解，但到了具体的功能定义和产品的功能实现方面，我们就存在着较大的差距，这让中国的测试仪器开发和应用陷入的是一个尴尬的循环：我们无法跟踪先进的电子技术发展的前沿科技，就没有办法了解其测试需求，就自然无法去为此开发适合最新技术的测试仪器，那么更谈不上把握最新的测试市场脉搏和赚取最丰厚的那部分利润 而你做不来先进新技术的测试，新技术出现的时候你就抓不住，人家也不可能交给你去满足最初的测试需求，这样就无法了解最新的技术动向，也就无法将新技术应用到你的测试仪器中。　　据了解，在应用测试中，制约本土测试仪器应用一个更重要的问题来自于核心半导体器件的缺失：国内的测试仪器企业，无论是老牌国有研究所还是新兴的私有测试仪器企业，自身具备的芯片研发能力相比国际巨头有较大的差距。可以说，测试用的芯片因为其特殊的一些要求，在市场上是很难找到相关合适的产品，特别是在信号分析和信号采集方面，模拟前端技术和信号采集技术的不足，直接体现在国产的测试仪器无法捕获需要的一些特征信号，比如雷达和微波技术的绝大部分需求，商用芯片是无法满足其测试需求的，这样的结果是，国产的测试仪器厂商不是不知道怎么去满足，而是没有相关的半导体器件能够做出满足这些采样率、带宽需求的产品，而这两点，恰恰是实际应用中许多信号分析和信号处理的前提。　　观念差距　　“抹平技术上的差距，不是一蹴而就的事情。但比起技术上的差距，我们在测试仪器上存在的观念和思维的差距更大。”一位来自计量研究领域的专家说。　　据介绍，测试仪器是个资本密集型企业，企业的生产规模很重要，测试仪器又是一个市场比较小的行业，因为仪器种类繁多，所以单个仪器种类的市场注定不可能很大。这给中国企业迎头赶上增加了更大的难度，一方面，作为技术密集型和积累型行业，面对这么多已经领先很多的国外竞争对手，要把测试仪器做大做强，就要有足够多的投入，并且短期内不要指望回报，这一点无疑仅靠一些私企是很难有这么强大的财力去做支撑的。因此，必须要有国家战略高度的规划和相关资源的大力支撑，才有机会去不断缩小差距。　　另一方面，因为市场不大，所以就更要强调企业研发的连续性和专注性，而对于国内的私企来说，他们面临着生存的压力，而对于很多国有科研院所而言，他们也面临创收指标以及各种前沿课题的研究，无法专注于对一两类的产品进行精耕细作。　　再者，因为市场细分复杂，因此对测试仪器的架构和理念研究的短期意义很难体现，这就让一些原本从战略上国家支持其研究测试仪器架构和概念的研究机构不再愿意将精力集中于此，而是去追求短期利益更好的其他工作，从而造成只有各个仪器厂商去自己研发这些通用的基础理念，造成很多研发资源的重复浪费。　　一些来自航天领域的专家认为，国产仪器产业另一个欠缺是服务。可以说，作为一个毛利率超过50%的行业，很大部分的企业销售利润是用以提供优质的市场培育、售后服务和技术支持的。特别是在用户的测试体验和测试习惯培养方面，国内企业在意识上的差距与国际企业相比差得实在太远。　　某国内测试仪器生产企业表示，他们和国外竞争对手的产品性能类似，但用户界面和操作的通用性方面相差太远，而在用户中的宣传更是几乎为零。当用户有相应的测试需求时，即使两个产品的性价比等指标完全不同，用户也很难去选择他们的产品而放弃国外产品，原因只有一个：用户会用。　　“测试测量和仪器产业，是国内一些重要领域必须的保障，也是研发前沿科技的利器，同时更是任何电子技术都避不开的一个重要环节。”业内专家呼吁，测试仪器的问题虽然基础，但不是小问题，是国家在软件和硬件方面不足的集中体现，解决测试仪器的落后问题，需要的是国有科研机构和企业，以及民营和私营企业共同努力，需要从标准到架构到概念的一系列测试体系的逐步建立。《中国质量报》

1、前言从1876年贝尔发明电话机，到今天人手一部手机，实现随时随地视频通话。短短一百年来，通信产业呈指数性增长。测试技术与仪器仪表自通信产品的诞生起就成为通信产业中不可或缺的部分，与通信技术同步甚至超前发展。伟大的科学家门德列耶夫说过：“科学是从测量开始的，没有测量就没有科学”。钱学森同志说过：“新技术革命的关键是信息技术。信息技术由测量技术、计算技术、通信技术三部分组成。测量技术是关键和基础。”数据通信测试仪器主要泛指通信传输与网络测试仪器，是对通信终端设备和通信网络设备的科研、生产、试验和运营管理全寿命周期的各种定量、定性参数进行分析评定的手段和方法的总称，涉及语音、报文、数据、图像、视频的采集、信元和信道编码、传输媒质、信令与协议等设备和产品的测试与分析评估。本文简要介绍国内数据通信测试仪表的发展历程，展望面临的挑战。2、数字测试--数据通信测试仪器的昨天上世纪八十年代，从中国引进数字程控交换机进入数字化时代起，测试技术与产品得到发展。这一阶段通信主要以语音传输为主，涉及的测试技术主要有语音测试、传输测试和信令规程测试。相关的测试仪器主要有话路特性测试仪、传输分析仪、信令测试仪和规程测试仪等产品。语音测试主要测试话路语音质量测试，主要参数包括频率、电平、失真度等。话路特性测试仪是对语音模拟信号的较为全面测试，PCM测试仪则对话音通道的语音/数字编码转换和数字编码/语音转换进行测试，二者互为补充。传输测试是当时通信测试最重要的一项测试技术，主要对通信传输质量进行测量和评估，除最重要的误码率这个参数外，还有抖动、漂移等测试评估参数。这类仪器根据通信传输的线路不同可分为高速比特误码测试仪、PCM综合测试仪（2Mb/s）、PDH数字传输分析仪、PDH/SDH数字传输分析仪和电信/数据传输分析仪。高速比特误码测试仪速率一般在140Mb/s～15Gb/s连续可调，PDH数字传输分析仪用于PDH 1～４次群通信设备的研制、生产、通信建设和维修，主要测量误码和抖动。PDH/SDH数字传输分析仪用于STM-1/4/16/64/256等速率的SDH通信设备的测试，兼顾PDH测试。信令测试仪则用于程控交换机的控制平面测试，全面测试用户线信令和局间信令，可接入SS7、GSM、CDMA、V5、ISDN及中国一号信令等各级接口，完成协议的有效性与兼容性测试。测试分为信令监测与仿真测试二种。规程测试仪则主要完成相关数据通信接口测试，常见有V.11、V.24、V.35、X.21等，具备DTE与DCE测试能力，支持同步与异步测试，主要进行误码测量和误码性能分析。这一时期，网络产品稀少且较为初级，各生产厂家确保产品可用即可，主要进行功能测试。网络测试仪器较为简单，只是进行发送和接收测试。3、网络测试--数据通信测试仪器的今天随着集线器、交换机、路由器等产品的广泛运用，网络测试技术得到重视。网络测试技术包含内容有测试对象、测试方法、测试工具及测试经验等方面内容，逐渐形成以RFC相关规范为基础的测试方法标准化，如RFC1242规范了网络互联设备的基本术语，RFC2544规定了互联设备的基准测试方法，RFC2889规定了交换设备的测试方法等。测试内容覆盖了ISO二至七层。测试方法有主动测试与被动测试（监测）。在测试功能上除网络性能测试外，还具备网络业务测试，可对业务支持能力、业务性能、业务可靠性与安全性进行测试评估。在云网融合、算网一体等信息技术快速发展的大环境下，面向高速以太网、物联网、5G承载网、5G核心网等核心技术领域的需求，作为网际互联中的核心骨干组成部分，路由交换设备的发展在很大程度上决定了整个网络的性能瓶颈。网络接口复杂多样、电信级业务流量、接入用户指数级增长对于高速数据通信下的网络承载能力提出了进一步挑战。与此同时，我国新一代路由交换设备的迭代发展速度，迫切需要与之相匹配的数据通信测试仪器发展水平，这对数据通信测试仪器的发展提供了千载难逢的发展机遇，也对数据通信测试仪器的发展提出了更加严峻的挑战。经过20多年的艰苦努力，我国数据通信测试仪表取得了重要进展，基本解决了测试功能和速率覆盖的问题。在产品形态上，有手持式、便携式与机架式；在速率上，最高测试达到400Gbps；端口密度达到整机80个100Gbps端口，单板20个80个100Gbps端口；在协议方面，支持路由、接入、组播、数据中心等协议仿真，以及VxLAN、EVPN、SRv6等新协议测试；支持RFC2544等多种套件；同时支持自动化测试，可适配TCL、Python等自动化接口，满足网络设备从研发到生产各个环节的测试需求。4、面向下一代网络测试---数据通信测试仪器的明天随着5G/6G时期的到来，网络设备的不断革新、新兴协议的不断提出以及电信级网络应用业务升级，现有的仪器不论是测试端口密度、时延测量精度以及协议仿真覆盖率等核心指标，难以满足测试需求，必须跟踪最新网络技术发展。高速率、IPv6+、确定性网络、超融合等网络技术应用场景给数据通信网络测试仪器提出了新需求：1）高速率测试随着互联网和5G用户的增加以及来自人工智能、机器学习、物联网和虚拟现实流量的延迟敏感性流量激增，数据中心的带宽要求与日俱增，并且对低延迟有极高的要求，可以预见，在未来的人工智能应用中，800GE技术将发挥越来越重要的作用。测试仪器必须具备多达几十个端口的800GE测试能力。2）高精度测试现有的毫秒级的流量调度及采样结果统计不能满足TSN/TTE、无损以太网等高性能网络测试要求，网络测试仪必须实现微秒级的流量调试和纳秒级时钟同步精度。3）灵活智能的高性能软件架构平台随着新兴的数据网络架构及新协议、新业务的持续不断的出现，要求测试仪器能够快速满足新协议与新业务测试需求。这就要求测试仪器具备灵活、智能、弹性的高性能软件架构平台，解耦软件平台与硬件平台，集中主控运维管理，统一硬件驱动层，屏蔽硬件差异，支持多种速率与多种测试端口，支持快速迭代、增加新协议测试功能，满足车载网络、云网融合、算网一体等下一代数据网络测试需求。结束语当前，网络技术的迅速发展和市场需求是网络测试技术发展的驱动力，网络测试仪器前景看好。新技术的发展快于相关标准制定的速度，各国都在结合自身的具体情况制定适合本国发展需求的新网络架构与新协议。这对国内测试厂商是一次机遇，也是挑战。测试仪器厂家应积极参与未来网络技术研究，参与到相关标准制定工作中，将标准与产品体系进一步融合，提升产品的竞争力，为通信行业的发展提供保障。