微刻蚀仪

微波等离子体刻蚀机VP-Q5等离子激发频率2.45GHz，真空腔体石英玻璃材料，腔体容积5升，中英文操作系统，触摸屏控制，频率2.45GHz有强的化学作用，适用于芯片微波刻蚀、晶圆去胶、半导体光刻胶去除、金属油污去除、半导体、塑料、PP、高分子等材料清洗，活化，蚀刻和改性。

台式超二维材料等离子软刻蚀系统—nanoETCH用于超刻蚀二维材料与样品表面处理的等离子体刻蚀系统，诺奖团队都在用！石墨烯等二维材料的微纳加工与刻蚀需要很高的精度，而目前成熟的传统半导体刻蚀系统在面对单层材料的高精度刻蚀需求时显得力不从心。为了解决目前维纳加工中常用的蚀系统功率较大、难以精细控制的问题，Moorfield Nanotechnology 推出了台式超二维材料等离子软刻蚀系统 - nanoETCH。该系统对输出功率的分辨率可到达毫瓦量，对二维材料可实现超的逐层刻蚀，也可实现对二维材料进行层内缺陷制造，此外还可对石墨基材等进行表面处理。

量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800是可以对应单腔及多腔、重视性价比拥有扩展性的刻蚀设备。产品特性 / Product characteristics&bull 除单腔之外，另可搭载有磁场ICP（ISM）或NLD等离子源、去胶腔体、CCP腔体等对应多种刻蚀工艺。&bull 为实现制程再现性及安定性搭载了星型电及各种调温技能。&bull 拥有简便的维护构造，缩短了downtime，提供清洗、维护及人员训练服务等综合性的售后服务体制。&bull 门的半导体技术研究所会提供完备的工艺支持体制。产品应用 / Product application&bull 化合物（LED或LD、高频器件）或Power device（IGBT配線加工、SiC加工）。&bull 金属配线或层间绝缘膜（树脂类）、门电加工工艺&bull 强电介质材料或贵金属刻蚀。&bull 磁性体材料加工。产品参数 / Product parameters1、公司介绍深圳市矢量科学仪器有限公司成立于 2020年，由武汉大学团队孵化，致力泛半导体实验线、中试线、生产线装备及工艺和厂务技术服务于一体的国家高新技术企业、创新型中小企业、科技型中小企业。公司主要业务如下:装备销售:半导体道制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试装备、半导体光电测试仪表。设备服务:驻场或者 oncall，装备维护、保养、售后技术支持。厂务服务:驻场或者 oncall，人力服务及厂务二次配工程。经历五年高速发展，2023 年营业额达 3.2 亿，连年复合增长率达 300%，现处于稳定扩张期。2、成长历程&bull 2020年（公司成立年）&bull 2300万订单额2021年 7000万订单额2022年 2.5亿订单额2023年3.2亿订单额

This micro-cautery unit provides all the cautery power necessary for laboratory surgical procedures. This micro-cauterizing unit uses thermodynamic technology to perform microsurgical tasks with efficiency and cleanliness. The handpiece with its six-foot cord accepts an assortment of reusable autoclavable thermal cautery electrode platinum tips, allowing this cutting device complete flexibility to perform a wide variety of procedures.This micro-cautery unit can be used for teaching or research. The instrument is durable and easy to operate. The unit works by passing a current through a platinum cutting wire. The wire super heats at a preprogrammed rate for a few microseconds, and then abruptly stops. The heating process causes the formation of a thin gaseous layer in the solution surrounding the wire. A shock wave is created in the solution because the rate of heating is much faster than the velocity of motion of the solution molecules. This intense but finite shockwave expands from the wire inducing the cutting turbulence. The quick heating and cooling of the platinum wire causes a flushing effect as the cool water rushes in after the brief shockwave and turbulence subsides. Debris from the lysed cells directly adjacent to the wire is flushed away immediately. Cellular debris does not stick to the wire. Even at the highest power settings, only an extremely small quantity of heat is generated and then quickly cooled which does not increase the temperature of the surrounding environment. Tips sold separately. Features: Reusable autoclavable tips Tips are available with 13 & 18µ m diameter wire Tips are available with 1 & 1.5mm loops 15 power settings Light weight pencil handle Foot switch activated

总部位于德国柏林科技园区的SENTECH仪器公司，已成为光伏生产设备世界市场之 一.我们是一家快速发展的中型公司，拥有60多名员工，他们是我们有价值的资产我们団 队的每个成员都为公司的成功做出贡献，我们总是在寻找与我们志同道合的新工作伙伴，我 们诚挚期待您的加入。 等离子刻蚀设备ICP-RIE等离子刻蚀机SI500产品介绍高端等离子刻蚀设备SI 500使用低离子； 能量的电感耦合等离子体用于低损伤刻: 蚀和纳米结构刻蚀。通过在广泛的温度: 范围内的动态温度控制确保了可重复且稳定的等离子刻蚀条件。深反应等离子；刻蚀（硅，III-V族半导体，MEMS）可: 采用低温工艺和室温下的气体切换工艺: 来实现。 特点*低损伤刻蚀 ?高速刻蚀*自主研发的ICP等离子源*动态温度控制 RIE等离子刻蚀机Etchlab 200产品介绍：经济型等离子刻蚀设备EtchLab 200具备 低成本效益高的特点，并且支持揭盖直接 放置样片。EtchLab 200允许通过载片 器，实现多片工艺样品的快速装载，也可 以直接快速地把样品装载在电极上。RIE等离子体刻蚀设备具备占地面积小， 模块化和灵活性等设计特点. 特点*低成本效益高*升级扩展性*SENTECH控制软件RIE等离子刻蚀机SI 591产品介绍SI 591特别适用于采用氟基和氣基 :气体的工艺，可以通过预真空室和电 :脑控制的等离子工艺系统实现。SI 591的特点是占地空间小，高度灵活性，例如，SI 591可作为单一反应腔系统集成在多腔系统中。特点工艺灵活性*占地面积小且模块化程度高*SENTECH控制软件

Minilock-Phantom III具有预真空室的反应离子刻蚀机可适用于单个基片或带承片盘的基片(3”- 300mm尺寸)，为实验室和试制线生产环境提供最先进的刻蚀能力。它也具有多尺寸批处理功能(4x3” 3x4” 7x2”)。系统有多达七种工艺气体可以用于刻蚀各种薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、铝、砷化镓、铬、铜、磷化铟和钛。该反应室还可以用于去除光刻胶和有机材料。可选配静电吸盘(E-chuck)，以便更有效地在刻蚀工艺中让基片保持冷却。该E-chuck使用氦压力控制器，及在基片背面保持一个氦冷却层，从而达到控制基片温度的作用。该设备可选配一个电感耦合等离子(ICP)源，其使得用户可以创建高密度等离子，从而提高刻蚀速率和各向异性等刻蚀性能。基片通过预真空室装入。其避免与工艺室以及任意残余刻蚀副产品接触，从而提高了用户安全性。预真空室还使得工艺室始终保持在真空下，从而隔绝外部湿气，防止反应室内可能发生的腐蚀。

NMC 508系列 ICP刻蚀机1、独特的等离子体源设计，保证高刻蚀均匀性和高刻蚀速率 Unique plasma source design and vertical pump chamber design, fast etch rate and excellent etch uniformity 2、应用领域广泛，支持 Si Power、SiC Power 、GaN Power、MEMS Multiple applications, including Si Power, SiC Power, GaN Power, MEMS 3、工艺种类多样，包括 Poly 刻蚀、GaN 刻蚀、低损伤 GaN 刻蚀、金属刻蚀、深硅刻蚀 Variety process, including Poly Etching, GaN Etching, GaN low damage Etching, Metal Etching, Deep silicon Etching 4、灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用Flexible system configuration suitable for different applications such as R&D, pilot line and mass production 5、突出的量产稳定性，更高的 MTBC Outstanding mass production stability, longer MTBC技术参数 1、晶圆尺寸 6/8 英寸兼容2、适用材料 硅、氮化镓、铝镓铟磷、氧化硅、氧化钛、氮化硅、氮化钛、氧化铟锡、钨化钛、铝、钼、钨、有机物、光刻胶等3、适用工艺 硅刻蚀、多晶硅刻蚀、浅槽隔离刻蚀、深硅刻蚀、氮化镓低损伤刻蚀、金属刻蚀等工艺4、适用领域 新兴应用、集成电路、化合物半导体、科研

对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700是搭载了磁性中性线（NLD- neutral loop discharge）等离子源的量产用干法刻蚀装置。（可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子）产品特性 / Product characteristics&bull 在洁净房内作业可扩张为双腔。（可选配腔室：NLD、有磁场ICP、CCP或者去胶室）&bull NLD为时间空间可控的等离子，因此设备干法清洁容易。&bull 腔体维护简便。&bull 从掩模刻蚀到石英、玻璃刻蚀，可提供各类工艺解决方案。&bull 门的半导体技术研究所会提供完备的工艺支持体制。产品应用 / Product application&bull 光学器件（折射格子、光波导、光学开关等等）、凹凸型微透镜。&bull 流体路径作成或光子学结晶。产品参数 / Product parameters1、公司介绍深圳市矢量科学仪器有限公司成立于 2020年，由武汉大学团队孵化，致力泛半导体实验线、中试线、生产线装备及工艺和厂务技术服务于一体的国家高新技术企业、创新型中小企业、科技型中小企业。公司主要业务如下:装备销售:半导体道制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试装备、半导体光电测试仪表。设备服务:驻场或者 oncall，装备维护、保养、售后技术支持。厂务服务:驻场或者 oncall，人力服务及厂务二次配工程。经历五年高速发展，2023 年营业额达 3.2 亿，连年复合增长率达 300%，现处于稳定扩张期。2、成长历程&bull 2020年（公司成立年）&bull 2300万订单额2021年 7000万订单额2022年 2.5亿订单额2023年3.2亿订单额

干法刻蚀设备 APIOS NE-950EX对应LED量产用的干法刻蚀设备｢ NE-950EX｣ 相对我司以往设备实现了140%的生产力。是搭载了ICP高密度等离子源和爱发科自有的星型电的干法刻蚀设备。产品特性 / Product characteristics&bull 4inch晶圆可放置7片同时处理，6inch晶圆可实现3片同时处理，小尺寸晶圆方面，2inch晶圆可实现29片、3英寸可对应12片同时处理。&bull 搭载了在化合物半导体域拥有600台以上出货实绩的有磁场ICP（ISM）高密度等离子源。&bull 高生产性（比以提高140%）。※1 爱发科利第3188353号&bull 为防止RF投入窗的污染搭载了爱发科星型电。※2 爱发科利第3429391号&bull 贯彻Depo对策，实现了维护便利、长期稳定、高信赖性的硬件。&bull 拥有丰富的工艺应用的干法刻蚀技术（GaN蓝宝石、各种metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半导体）。&bull 丰富的可选机能。产品应用 / Product application&bull 对应LED的GaN、蓝宝石、各种金属、ITO等的干法刻蚀设备产品参数 / Product parameters1、公司介绍深圳市矢量科学仪器有限公司成立于 2020年，由武汉大学团队孵化，致力泛半导体实验线、中试线、生产线装备及工艺和厂务技术服务于一体的国家高新技术企业、创新型中小企业、科技型中小企业。公司主要业务如下:装备销售:半导体道制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试装备、半导体光电测试仪表。设备服务:驻场或者 oncall，装备维护、保养、售后技术支持。厂务服务:驻场或者 oncall，人力服务及厂务二次配工程。经历五年高速发展，2023 年营业额达 3.2 亿，连年复合增长率达 300%，现处于稳定扩张期。2、成长历程&bull 2020年（公司成立年）&bull 2300万订单额2021年 7000万订单额2022年 2.5亿订单额2023年3.2亿订单额

NMC 508系列 ICP刻蚀机1、独特的等离子体源设计，保证高刻蚀均匀性和高刻蚀速率 Unique plasma source design and vertical pump chamber design, fast etch rate and excellent etch uniformity 2、应用领域广泛，支持 Si Power、SiC Power 、GaN Power、MEMS Multiple applications, including Si Power， SiC Power， GaN Power， MEMS 3、工艺种类多样，包括 Poly 刻蚀、金属刻蚀、深硅刻蚀Variety process, including Poly Etch、 GaN low damage Etch、Metal Etch、Deep silicon Etch 4、灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用 Flexible system configuration suitable for different applications such as R&D， pilot line and mass production 5、突出的量产稳定性，更高的 MTBC Outstanding mass production stability, longer MTBC技术参数 Technical Parameters1、晶圆尺寸 6/8 英寸兼容2、适用材料 硅、氮化镓、铝镓铟磷、氧化硅 \ 氧化钛、氮化硅、氮化钛、氧化铟锡、钨化钛、铝、钼、钨、有机物、光刻胶等3、适用工艺 硅刻蚀、多晶硅刻蚀、浅槽隔离刻蚀、深硅刻蚀、氮化镓低损伤刻蚀、金属刻蚀等工艺4、适用领域 科研、集成电路、化合物半导体、新兴应用

有了在刻蚀工艺发展上无比广泛的经验和我们应用工程师的支持， 牛津仪器向世界范围内的生产商和研发者提供刻蚀工艺解决方案的经验向我们提供了强大的刻蚀工艺库和刻蚀工艺能力。请与我们联系，讨论您的特定需求，我们专业的销售和应用工作人员将很高兴帮助您选择合适的刻蚀工艺和工具，以满足您的需求。请点击以下产品名，查看产品详细信息，谢谢化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN&mdash 刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP&mdash 感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs&mdash 刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb&mdash 刻蚀锑化镓刻蚀GaN&mdash 刻蚀氮化镓刻蚀InSb&mdash 刻蚀锑化铟刻蚀InP/InGaAsP&mdash 刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀InGaAlP&mdash 刻蚀铝镓铟磷刻蚀InP&mdash 刻蚀磷化铟刻蚀InAlAs&mdash 刻蚀砷化铟铝刻蚀InP/InGaAsP&mdash 刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀ZnSe&mdash 反应离子刻蚀硒化锌电介质刻蚀(Ta2O5)&mdash 五氧化二钽刻蚀Al2O3&mdash 刻蚀氧化铝&mdash 感应耦合等离子体刻蚀蓝宝石GST刻蚀- 锗锑碲化物的ICP刻蚀技术感应耦合等离子体刻蚀Bi2Te3&mdash 刻蚀碲化铋反应离子刻蚀ITO&mdash 刻蚀铟锡氧化物干法刻蚀LiNbO3&mdash 刻蚀铌酸锂干法刻蚀LiTaO3&mdash 刻蚀钽酸锂刻蚀PZT&mdash 刻蚀锆钛酸铅刻蚀PbSe&mdash 刻蚀硒化铅刻蚀SiC&mdash 刻蚀碳化硅 金属刻蚀Al&mdash 感应耦合等离子体刻蚀铝溅射刻蚀Au&mdash 溅射刻蚀金刻蚀Cr&mdash 刻蚀铬Cu刻蚀（反应离子刻蚀）&mdash 刻蚀铜刻蚀Mo&mdash 刻蚀钼刻蚀Nb（反应离子刻蚀，感应耦合等离子体）&mdash 刻蚀铌刻蚀Ni&mdash 刻蚀镍离子束刻蚀Ni&mdash 刻蚀镍铬合金溅射刻蚀Pt&mdash 溅射刻蚀铂刻蚀Ti&mdash 超大刻蚀深度刻蚀Ta&mdash 刻蚀钽刻蚀W&mdash 刻蚀钨TiN的各向异性刻蚀&mdash 刻蚀氮化钛WSi刻蚀&mdash 硅化钨刻蚀有机物刻蚀PMMA&mdash 刻蚀聚甲基丙烯酸甲酯感应耦合等离子体刻蚀BCB&mdash 刻蚀苯并环丁烯刻蚀金刚石&mdash 金刚石的刻蚀刻蚀聚酰亚胺&mdash 聚酰亚胺的刻蚀聚二甲基硅氧烷(PDMS)刻蚀刻蚀PR&mdash 刻蚀光刻胶硅烷化光刻胶的干法显影（感应耦合等离子体-反应离子刻蚀）&mdash 硅烷化光刻胶硅博施刻蚀Si&mdash 博施刻蚀硅低温刻蚀Si&mdash 低温刻蚀硅混合刻蚀Si&mdash 八氟环丁烷-六氟化硫刻蚀硅HBr刻蚀Si&mdash 溴化氢刻蚀硅各向同性刻蚀Si&mdash 硅的各向同性刻蚀刻蚀SiGe&mdash &mdash 刻蚀锗硅绝缘层上的硅(SOI)的多层刻蚀

ELEDE 380系列 芯片刻蚀机1、先进的等离子体发生装置，适用多种材料刻蚀，工艺窗口宽 Wider RF work window, to achieve the etching process diversity and a variety of material etching 2、多片式托盘，实现高产能，同时确保优异的刻蚀均匀性 tray structure with multi-wafers，high capacity and excel lent etch uniformity 3、全路径全真空，全自动晶圆传输，颗粒控制优 High chamber vacuum, automatic wafer transfer, ad vanced particle control 4、独特工艺套件设计，更长的耗材寿命，更低的 Coo CoOUnique process assemblies design, longer consumable life, lower CoO技术参数 1、晶圆尺寸 4、6 英寸及特殊尺寸2、适用材料 蓝宝石、氮化镓、氧化硅 / 氧化钛、砷化镓、磷化镓、铝镓铟磷、氧化硅、氮化硅、钛钨、有机物3、适用工艺 PSS 刻蚀、电极刻蚀、深槽隔离刻蚀、介质反射层（DBR）刻蚀、红黄光刻蚀、钝化层刻蚀、金属阻挡层刻蚀4、适用领域 化合物半导体

刻蚀光栅一、标准的刻蚀光栅规格：刻线/mm闪耀波长nm闪耀角度色散nm/mr12.7x12.7x 625x25x 625x25x 9.530x30x 9.550x50x 9.512.5x25x 612.5x25x 9.525x50x 9.51201200046 3' 5.83-41123-81123-21123-31123-51123-61123-11123-71121505002 8' 6.663-41553-81553-21553-31553-51553-61553-11553-71553003002 34' 3.333-43303-83303-23303-33303-53303-63303-13303-73303005004 18' 3.323-43503-83503-23503-33503-53503-63503-13503-735030010008 36' 3.33-43103-83103-23103-33103-53103-63103-13103-7310300200017 27' 3.183-43203-83203-23203-33203-53203-63203-13203-7320300400036 52' 2.673-43403-83403-23403-33403-53403-63403-13403-73406003005 9' 1.663-46303-86303-26303-36303-56303-66303-16303-76306004006 53' 1.663-46403-86403-26403-36403-56403-66403-16403-76406005008 37' 1.653-46503-86503-26503-36503-56503-66503-16503-765060075013 0' 1.623-46753-86753-26753-36753-56753-66753-16753-7675600100017 27' 1.593-46103-86103-26103-36103-56103-66103-16103-7610600125022 1' 1.553-46123-86123-26123-36123-56123-66123-16123-7612600160028 41' 1.463-46163-86163-26163-36163-56163-66163-16163-761683080019 23' 1.143-48803-88803-28803-38803-58803-68803-18803-7880830120029 52' 1.053-48123-88123-28123-38123-58123-68123-18123-781290050013 0' 1.083-47123-87123-27123-37123-57123-67123-17123-771212002508 37' 0.823-41253-81253-21253-31253-51253-61253-11253-7125120030010 22' 0.823-41303-81303-21303-31303-51303-61303-11303-7130120040013 53' 0.813-41403-81403-21403-31403-51403-61403-11403-7140120050017 27' 0.83-41503-81503-21503-31503-51503-61503-11503-7150120075026 44' 0.743-41753-81753-21753-31753-51753-61753-11753-71751200100036 52' 0.673-41103-81103-21103-31103-51103-61103-11103-7110180024012 29' 0.543-41623-81623-21623-31623-51623-61623-11623-7162180050026 44' 0.53-41853-81853-21853-31853-51853-61853-11853-7185二、高分辨率的刻蚀光栅规格：刻线/mm闪耀波长nm闪耀角度色散mm/mr12.7x12.7x 625x25x 625x25x 9.530x30x 9.550x50x 9.512.5x25x 612.5x25x 9.525x50x 9.51201200046 3' 5.783-42193-82193-22193-32193-52193-62193-12193-72191505002 8' 6.663-45593-85593-25593-35593-55593-65593-15593-75593003002 34' 3.333-43393-83393-23393-33393-53393-63393-13393-73393005004 18' 3.323-43593-83593-23593-33593-53593-63593-13593-735930010008 36' 3.33-42293-82293-22293-32293-52293-62293-12293-7229300200017 27' 3.183-43293-83293-23293-33293-53293-63293-13293-7329300400036 52' 2.673-43493-83493-23493-33493-53493-63493-13493-73496003005 9' 1.663-46393-86393-26393-36393-56393-66393-16393-76396004006 53' 1.663-46493-86493-26493-36493-56493-66493-16493-76496005008 37' 1.653-46593-86593-26593-36593-56593-66593-16593-765960075013 0' 1.623-46793-86793-26793-36793-56793-66793-16793-7679600100017 27' 1.593-46193-86193-26193-36193-56193-66193-16193-7619600125022 1' 1.553-46093-86093-26093-36093-56093-66093-16093-7609600160028 41' 1.463-46693-86693-26693-36693-56693-66693-16693-766983080019 23' 1.143-48893-88893-28893-38893-58893-68893-18893-7889830120029 52' 1.053-48193-88193-28193-38193-58193-68193-18193-781990050013 0' 1.083-47193-87193-27193-37193-57193-67193-17193-771912002508 37' 0.823-41293-81293-21293-31293-51293-61293-11293-7129120030010 22' 0.823-41393-81393-21393-31393-51393-61393-11393-7139120040013 53' 0.813-41493-81493-21493-31493-51493-61493-11493-7149120050017 27' 0.83-41593-81593-21593-31593-51593-61593-11593-7159120075026 44' 0.743-41793-81793-21793-31793-51793-61793-11793-71791200100036 52' 0.673-41193-81193-21193-31193-51193-61193-11193-7119180024012 29' 0.543-41693-81693-21693-31693-51693-61693-11693-7169180050026 44' 0.53-41893-81893-21893-31893-51893-61893-11893-7189

技术/销售热线 吴先生 ICP-RIE SI 500 德国Sentech等离子刻蚀机 低损伤刻蚀由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。 高速刻蚀对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。 自主研发的ICP等离子源三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH高端等离子体工艺设备的独特属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。 动态温度控制在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的广泛温度范围内提供了优良的工艺条件。 SI 500为研发和生产提供先进的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的先进的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。 SI 500 ICP等离子刻蚀机，可以用于加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证稳定的工艺条件，并且切换工艺非常容易。 SI 500 ICP等离子刻蚀机，通过配置可用于刻蚀不同材料，包括但不仅限于例如三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。SENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。 SI 500 ICP等离子刻蚀机 带预真空室适用于200mm的晶片衬底温度从-20?°C到300?°C SI 500 C 等温ICP等离子刻蚀机带传送腔和预真空室衬底温度从-150?°C到400?°C SI 500 IRE RIE等离子刻蚀机背面氦气冷却刻蚀的智能解决方案电容耦合等离子体源，可升级成ICP等离子体源PTS SI 500-300ICP等离子刻蚀机带预真空室适用于300mm晶片 SI 500为研发和小批量生产应用提供先进的ICP刻蚀工艺，具备高度的灵活性和模块化设计特点,可实现范围广泛的刻蚀工艺。包括刻蚀III-V化合物、II-VI化合物、介质、石英、玻璃、硅和硅化合物等。 SI 500C低温ICP刻蚀机，可在-100℃左右的低温下实现深硅刻蚀。优点是刻蚀后形成非常光滑的侧壁，尤其在光学应用上非常重要。同时低温刻蚀工艺的高刻蚀速率可实现刻穿样片。 SI 591 采用模块化设计、具有高度灵活性，适用于III-V 化合物、聚合物、金属盒硅刻蚀工艺，可配置为单反反应腔系统、或带预真空室或片盒站的多腔系统。特别适用于采用氟基气体的工艺，具有很高的工艺稳定性和重复性。 型号SI 500ICP刻蚀机-30~+200℃SI 500C低温ICP刻蚀机-150~+400℃SI 500-30ICP刻蚀机带预真空室最大12寸晶圆SI 591反应离子刻蚀机带预真空室Etchlab200反应离子刻蚀机不带预真空室SI500-RIE反应离子刻蚀机带预真空室带氦气背冷却系统

GSE C200 多功能刻蚀机1、独特的等离子体源设计，保证良好的刻蚀均匀性 Unequal plasma Source Design ensures good Uniformity 2、 适用于滤波、光电、功率等多个应用领域的多种材料刻蚀与失效分析 Applicable for multiple materials etch in the fields of filtering, optoelectronics, Power and failure analysis 3、 刻蚀材料种类覆盖硅、氮化硅、氧化硅、锑化镓、聚酰亚胺、铌、金属、有机物等 Etched materials include Si, SiN, SiO2, GaSb, PI, Nb, Metal, Polymer, etc. 4、提供研发所需的丰富的工艺数据库支持 Provide comprehensive technical database support for R&D技术参数 Technical Parameters1、晶圆尺寸 8 英寸及以下2、适用材料 硅、氧化硅、氮化硅、氮化镓、金属、有机物等3、适用工艺 多种材料刻蚀工艺4、适用领域 科研

●本设备主要用于半导体刻蚀，能够兼容离子束刻蚀和反应离子刻蚀功能，使用气态化学刻蚀剂与材料产生反应来进行刻蚀，并形成可从衬底上移除的挥发性副产品，通过真空系统排出，特别适合刻蚀熔融石英、硅、光刻胶、聚酷亚胺( PI) 薄膜、金属等材料。

美国Trion Technology等离子刻蚀、等离子刻蚀机反应式离子刻蚀(RIE/ICP)系统及沉积(PECVD)系统Trion始于一九八九年的等离子刻蚀与沉积系统制造商，Trion为化合物半导体、MEMS(微机电系统)、光电器件以及其他半导体市场提供多种设备。我们的产品在业内以系统占地面积小、成本低而著称，且设备及工艺的可靠性和稳定性久经考验。从整套的批量生产用设备，到简单的实验室研发用系统，尽在Trion等离子刻蚀机、等离子去胶机、RIE等离子刻蚀机、微波等离子去胶机、plasma stripper 等离子刻蚀机- 低损伤去胶系统新式去胶系统的成本已攀升到不合理水平，但Trion已通过两套价格低廉、紧凑的多功能系统使这一关键问题得到解决：Gemini和Apollo。利用ICP(电感耦合等离子)、微波和射频偏置功率，可以在低温条件下将难于消除的光刻胶去除。根据应用要求，每套系统可以结合SST-Lightning 微波源(既可靠又没有任何常见的微波调谐问题) 或ICP 技术。等离子刻蚀机刻蚀速率高达6微米/分 高产量等离子损伤低 自动匹配单元适用于100mm 到300mm 基片 设备占地面积小价格具竞争性 等离子刻蚀刻蚀/沉积　Titan是一套用于半导体生产的十分紧凑、全自动化、带预真空室的等离子系统包含：等离子刻蚀机、等离子去胶机、RIE等离子刻蚀机、微波等离子去胶机、plasma stripper

全自动离子刻蚀机 MEL 3100伯东公司日本原装进口全自动离子刻蚀机 MEL 3100, 蚀刻速率 10(nm/min), 均匀性 ≤±5%, 全自动化系统减少人工操作, 保证产品高稳定性和高质量. 有效减少因人工操作带来的损失！全自动离子刻蚀机 MEL 3100 特性 全自动化系统 清洁: 钛用于经常暴露于离子束的零件, 以产生低粒子. 晶圆输送盒采用高效空气过滤器.占地面积小, 方便维护10.4英寸触摸屏 配置美国 KRI 考夫曼离子源和德国 Pfeiffer 分子泵.全自动离子刻蚀机 MEL 3100 技术规格.型号MEL 3100样品数量尺寸3”φ-6”φ,1片晶圆输送盒1个, 25 片晶圆极限真空8x10-5 Pa均匀性≤±5%蚀刻速率10(nm/min) @SiO2Hakuto 日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE, 提供微米级刻蚀, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料,黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子蚀刻机. 蚀刻机可配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵和美国 KRI 考夫曼离子源!伯东公司超过 50年的刻蚀 IBE 市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术! 若您需要进一步的了解离子蚀刻机详细信息, 请联络上海伯东叶女士

v 可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺v 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆，快速更换到不同尺寸的晶圆工艺v 电极的适用温度范围宽，-150°C至400°Cv 应用方向：Ø III-V族材料刻蚀工艺Ø 固体激光器 InP刻蚀Ø VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀Ø 射频器件低损伤 GaN刻蚀Ø 类金刚石 （DLC） 沉积Ø 二氧化硅和石英刻蚀用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀

RIE反应离子刻蚀 SI 591 反应离子刻蚀机SI 591采用模块化设计，可满足III/V半导体和Si加工工艺领域的的灵活应用。 SENTECH SI 591可应用于各种领域的蚀刻工艺中，能够完成多种刻蚀加工。主要特点: 高均匀性和优重复性的蚀刻工艺 预真空锁loadlock 电脑控制操作 SENTECH高级等离子设备操作软件 数据资料记录 穿墙式安装方式 刻蚀终点探测 系统配置:平行板式反应线圈，13.56 MHz (600 W) 喷淋头式进气 预真空锁loadlock， 带有取放机械手 绝缘、冷却和加热电极(-25℃至80℃)，基底4"-8"直径，基底托架可支持小片材料和多晶圆。 PLC控制, PC SENTECH高级等离子设备操作软件特性: 全自动/手动过程控制 Recipe控制刻蚀过程 智能过程控制，包括跳转、循环]调用recipe。 多用户权限设置 数据资料记录 LAN网络接口 Windows NT 操作软件选项: 增加气路 PE电极 外部反应腔加热 下电极温度控制(+20oC ... +80oC) 循环冷却器(5oC ... 40oC) CS化学尾气净化 Cassette到cassette操作方式 穿墙式安装 干涉式终点探测和刻蚀深度测量系统 在线椭偏测量(SE 401, SE 801)

RIE，全称是Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀，是一种微电子干法腐蚀工艺。RIE是干蚀刻的一种，这种蚀刻的原理是，当在平板电极之间施加10～100MHZ的高频电压（RF，radio frequency）时会产生数百微米厚的离子层（ion sheath），在其中放入试样，离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻，此即为RIE（Reactive Ion Etching）。因此为了得到高速而垂直的蚀刻面，经加速的多数离子不能与其他气体分子等碰撞，而直接向试样撞击。为达到此目的，必须对真空度，气体流量，离子加速电压等进行最佳调整，同时，为得到高密度的等离子体，需用磁控管施加磁场，以提高加工能力。我司提供多型号的RIE刻蚀系统，满足国内客户研究和生产的需要。 RIE 反应离子蚀刻设备参数: 1.铝材腔体或不锈钢腔体；2.不锈钢盒；3.可以刻蚀硅化物(~400 A/min)或金属； 典型硅刻蚀速率 400 A/min；4.射频源: 最大12”阳极化射频平板(RF)；5.真空度:大约20分钟内达到1E-6Torr,极限真空5E-7Torr；6.双刻蚀容量：RIE和等离子刻蚀；7.气动升降盖；8.手动/全自动装卸样品；9.预抽真空室；10.电脑控制11.选配ICP源和平台的低温冷却实现深硅刻蚀。 反应离子蚀刻系统可选配：1. 最高700W的高密度等离子源进行各向同性蚀刻(isotropic etching)；2. ICP等离子源，2KW射频电源及调谐器；3. 低温基底冷却(Cryogenic substrate cooling)；4. 终点探测(End point detection) ；5. 兰缪尔探针；6. 静电卡盘(Electrostatic chuck)；7. 附加MFC’s；8. 1KW射频电流源及调谐器；9. 低频电流源及调谐器； 深反应离子蚀刻系统(Deep Reactive Ion Etching System) RE系列反应离子蚀刻系统带有淋浴头式样的气体分配系统及水冷射频压盘，柜体为不锈钢材质。反应腔体为13英寸铝制、从顶端打开方便晶片装载取出，最大可进行8英寸直径样品实验，带有两个舱门：一个舱门带有2英寸视窗，另一个舱门用于终点探测及其他诊断。腔体可达到10-6 Torr压力或更高，自直流偏置连续监控、最大可达到500伏偏电压(各向异性蚀刻)。该反应离子蚀刻系统为完全由计算机控制的全自动设备。DRIE系列深反应离子蚀刻系统带有低温晶片冷却及偏置压盘，设备使用2kw 8英寸ICP源，使用500L/秒的涡轮泵，在10-3Torr压力范围运行。

GDE C200系列 高密度刻蚀机1、独特的等离子体源和频率设计，等离子体密度高，适用于强键合材料刻蚀 Unique plasma source and frequency design, high density plasma design for etching of strongly bonded materials 2、业界领先的刻蚀速率、刻蚀均匀性、PM 周期 High etch rate, better uniformity, longer MTBC 3、应用领域广泛，包括功率器件、滤波、射频和光电等领域的多种材料刻蚀 Multiple applications, including Power Device, Filter, RF and Photoelectric 4、工艺种类多样，包括碳化硅刻蚀、铝钪氮刻蚀、PZT 刻蚀、砷化镓刻蚀、铌酸锂刻蚀、氮化硅刻蚀、磷化铟刻蚀 Variety process, including SiC Etch, AlScN Etch, PZT Etch, GaAs Etch, VSCEL Etch, SiN Etch, InP Etch 5、灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用 Flexible system configuration, suitable for different applica tions such as R&D, pilot line and mass production 6、适配多种终点检测方法 Suitable for multiple OES技术参数 Technical Parameters1、晶圆尺寸 8 英寸及以下2、适用材料 碳化硅、氮化硅、铝钪氮、钼、铝氮、锆钛酸铅、砷化镓、磷化铟、铌酸锂、介质3、适用工艺 碳化硅通孔刻蚀、碳化硅栅槽刻蚀、钼-铝氮/铝钪氮刻蚀、砷化镓背孔工艺、 光波导工艺等多种材料刻蚀工艺4、适用领域 科研、集成电路、化合物半导体、新兴应用

GDE C200系列 高密度刻蚀机1、独特的等离子体源和频率设计，等离子体密度高，适用于强键合材料刻蚀 Unique plasma source and frequency design, high density plasma design for etching of strongly bonded materials 2、业界领先的刻蚀速率、刻蚀均匀性、PM 周期 High etch rate, better uniformity, longer MTBC 3、应用领域广泛，包括功率器件、滤波、射频和光电等领域的多种材料刻蚀 Multiple applications, including Power Device, Filter, RF and Photoelectric 4、工艺种类多样，包括碳化硅刻蚀、铝钪氮刻蚀、PZT 刻蚀、砷化镓刻蚀、铌酸锂刻蚀、氮化硅刻蚀、磷化铟刻蚀 Variety process, including SiC Etch, AlScN Etch, PZT Etch, GaAs Etch, VSCEL Etch, SiN Etch, InP Etch 5、灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用 Flexible system configuration, suitable for different applica tions such as R&D, pilot line and mass production 6、适配多种终点检测方法 Suitable for multiple OES技术参数 1、晶圆尺寸 8 英寸及以下2、适用材料 碳化硅、氮化硅、铝钪氮、钼、铝氮、锆钛酸铅、砷化镓、磷化铟、铌酸锂、介质3、适用工艺 碳化硅通孔刻蚀、碳化硅栅槽刻蚀、钼-铝氮/铝钪氮刻蚀、砷化镓背孔工艺、 光波导工艺等多种材料刻蚀工艺4、适用领域 新兴应用、集成电路、化合物半导体、科研

一、产品简介CIF推出RIE反应离子刻蚀机，采用RIE反应离子诱导激发方式，实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学，科研院所、微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低，性价比高，易维护，处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行RIE反应离子刻蚀。具体包括：(1) 介电材料（SiO2、SiNx等）(2) 硅基材料（Si，a-Si，poly Si）(3) III-V材料（GaAs、InP、GaN等）(4) 溅射金属（Au、Pt、Ti、Ta、W等(5) 类金刚石（DLC）二、产品特点1. 7寸彩色触摸屏互动操作界面，图形化用户操作界面显示，自动监测工艺参数状态，20个配方程序，可存储、输出、追溯工艺数据，机器运行、停止提示。2. PLC工控机控制整个清洗过程，手动、自动两种工作模式。3. 真空舱体、全真空管路系统采用316不锈钢材质，耐腐蚀无污染。4. 采用防腐数字流量计，实现对气体输入精准控制。标配双路气体输送系统，可选多气路气体输送系统，气体分配均匀。可输入氧气、氩气、氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。5. 采用花洒式多孔进气方式，改变传统等离子清洗机单孔进气不均匀问题。6. HEPA高效过滤，气体返填吹扫，防止二次污染。7. 符合人体功能学的60度倾角操作界面设计，操作方便，界面友好。8. 采用顶置真空仓，上开盖设计，下压式铰链开关方式。9. 上置式360度水平取放样品设计，符合人体功能学，操作更方便。10. 有效处理面积大，可处理最大直径200mm晶元硅片。11. 安全保护，仓门打开，自动关闭电源。三、技术参数型号RIE200RIE200plus舱体内尺寸H38xΦ260mmH38xΦ260mm舱体容积2L2L射频电源40KHz13.56MHz电极不锈钢气浴RIE电极，Φ200mm不锈钢气浴RIE电极，Φ200mm匹配器自动匹配自动匹配刻蚀方式RIERIE射频功率10-300W可调（可选10-1000W）10-300W可调（可选10-600W）气体控制质量流量计（MFC）（标配双路，可选多路）流量范围0-500SCCM（可调）工艺气体Ar、N₂ 、O₂ 、H₂ 、CF4、CF4+ H2、CHF3或其他混合气体等（可选）最大处理尺寸≤Φ200mm时间设定1-99分59秒真空泵抽速约8m3/h气体稳定时间1分钟极限真空≤1Pa电 源AC220V 50-60Hz，所有配线符合《低压配电设计规范 GB50054-95》、《低压配电装置及线路设计规范》等国标标准相关规定。

研究开发向NLD干法刻蚀设备NLD-570研究开发向NLD干法刻蚀设备NLD-570，是搭载了爱发科磁性中性线（NLD- neutral loop discharge）等离子源的装置，此NLD技术可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子。产品特性 / Product characteristics&bull NLD用于与ICP方式相比更低压、高密度、更低电子温度等离子体的石英、玻璃、水晶、LN/LT基板的加工。&bull 高硬玻璃、硼硅酸玻璃等不纯物的多种玻璃加工，在形状或表面平滑性方面有优异的刻蚀性能。&bull 石英及玻璃作为厚膜resist mask时的也可实现深度刻蚀（100μ m以上）。&bull 可实现高速刻蚀（石英＞1μ m/min、Pyrex＞0.8μ m/min）&bull 可追加cassette室。产品应用 / Product application&bull 光学器件（光衍射格子、変调器、光开关等等）、凹凸型微透镜。流体路径作成或光子学结晶。产品参数 / Product parameters1、公司介绍深圳市矢量科学仪器有限公司成立于 2020年，由武汉大学团队孵化，致力泛半导体实验线、中试线、生产线装备及工艺和厂务技术服务于一体的国家高新技术企业、创新型中小企业、科技型中小企业。公司主要业务如下:装备销售:半导体道制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试装备、半导体光电测试仪表。设备服务:驻场或者 oncall，装备维护、保养、售后技术支持。厂务服务:驻场或者 oncall，人力服务及厂务二次配工程。经历五年高速发展，2023 年营业额达 3.2 亿，连年复合增长率达 300%，现处于稳定扩张期。2、成长历程&bull 2020年（公司成立年）&bull 2300万订单额2021年 7000万订单额2022年 2.5亿订单额2023年3.2亿订单额

NMC 508系列 CCP介质刻蚀机1、独特的多频解耦设计，实现优异的均匀性及高深宽比介质刻蚀 Unique multi-frequency coupling design, excellent uniformity and high aspect ratio media etching 2、应用领域广泛，涵盖Si power、SiC Power、GaN Power、MEMS、硅光等 Multiple applications, including Si Power, SiC Power, GaN Power, MEMS, Silicon Photonics, etc. 3、工艺种类覆盖前道HM刻蚀、CT刻蚀、Spacer刻蚀，后道Via刻蚀、PAD刻蚀 Variety process, including HM Etch、 CT Etch、 Spacer Etch、Via Etch、PAD Etch 4、灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用 Flexible system configuration suitable for different applications such as R&D, pilot line and mass production 5、采用Clean Mode量产，前道、后道均可实现优异的量产稳定性及更高的MTBC Use clean mode for mass production, excellent production stability and longer MTBC can be achieved for both FEOL and BEOL process技术参数 Technical Parameters1、晶圆尺寸 6/8 英寸兼容2、适用材料 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅3、适用工艺 钝化层刻蚀、硬掩膜刻蚀、接触孔刻蚀、导线孔刻蚀、侧衬刻蚀、回刻、自对准刻蚀4、适用领域 科研、集成电路、化合物半导体

●Surpass系列 干法刻蚀机，特别适合于大口径、高均匀性和有特殊微纳结构的基片刻蚀，刻蚀尺寸可达φ2500mm，通过高密度等离子体及离子浓度修正系统，可达到基片有效刻蚀区域内均匀性较高的技术指标，满足大口径基片刻蚀的需求。

产品简介：PERI-RIE是韩国ULtech公司生产的一款基于反应离子刻蚀（RIE）技术的干法刻蚀系统。RIE是一项应用于精密加工的刻蚀技术，相比湿法刻蚀具有不同的优势。 主要参数：应用金属及介电材料刻蚀刻蚀材料SiO2, Si3N4, Si, Al, GaN, HfO2, Al2O3,石墨烯,…基底尺寸最大12英寸产能1 wafer/次源注入类型双离子束供电射频功率最大值2Kw@13.56MHz(带射频匹配网络)极限压力 5.0E-3 Torr压力控制自动压力控制(节流阀，气压计)气体输送SF6, CHF3, CF4, C4F8, BCl3,Cl2O2, Ar, He,…真空泵干泵或旋转泵控制器PC控制(UPRO软件)选项TMP,前置样品传送腔体（Loadlock chamber）系统尺寸(宽*深*高)800mm × 880mm × 1200mm 应用案例：Si3N4,Si,SiO2 etching Process data(RIE)

RIE反应离子刻蚀 SI 591 反应离子刻蚀机SI 591采用模块化设计，可满足III/V半导体和Si加工工艺领域的的灵活应用。 SENTECH SI 591可应用于各种领域的蚀刻工艺中，能够完成多种刻蚀加工。主要特点: 高均匀性和优重复性的蚀刻工艺 预真空锁loadlock 电脑控制操作 SENTECH高级等离子设备操作软件 数据资料记录 穿墙式安装方式 刻蚀终点探测 系统配置:平行板式反应线圈，13.56 MHz (600 W) 喷淋头式进气 预真空锁loadlock， 带有取放机械手 绝缘、冷却和加热电极(-25℃至80℃)，基底4"-8"直径，基底托架可支持小片材料和多晶圆。 PLC控制, PC

石墨烯等二维材料的微纳加工与刻蚀需要很高的精度，而目前成熟的传统半导体刻蚀系统在面对单层材料的高精度刻蚀需求时显得力不从心。为了解决目前微纳加工中常用的等离子刻蚀系统功率较大、难以精细控制的问题，Moorfield Nanotechnology与曼彻斯特大学诺奖得主Andre Geim课题组联合研发了台式超二维材料等离子软刻蚀系统- nanoETCH。与传统的刻蚀方案相比，nanoETCH在石墨烯和2D材料的关键加工中表现出了很高的性能。该系统对输出功率的分辨率可到达毫瓦量，对二维材料可实现超的逐层刻蚀，也可实现对二维材料进行层内缺陷制造，还可对石墨基材等进行表面处理。该系统性能已经在剑桥大学石墨烯中心、曼彻斯特大学、英国石墨烯中心、西班牙光子科学研究所等诸多用户实验室得到验证。该系统可刻蚀3英寸或更大尺寸的样品，样品放置在专门设计的样品台上，低功率毫瓦精细控制的射频单元提供高精度的刻蚀功率，分子泵高真空系统可确保样品免受污染。应用方向举例：石墨基材的处理：表面处理，更有利于剥离出大面积的石墨烯微纳刻蚀：去除石墨烯，对其他区域无损伤缺陷加工：在石墨烯层中制造点缺陷主要特点：◎ 软刻蚀功率：30W 高精度射频源◎ MFC-流量计控制◎ 3英寸、6英寸样品台◎ 全自动触屏操作系统◎ 设定、保存多个刻蚀程序◎ 可连接电脑记录数据◎ 本底真空5×10-7 mbar◎ 易于维护◎ 完备的安全性设计◎ 兼容超净室◎ 稳定的性能表现系统选件：◎ 机械泵类型可选◎ 腔体快速充气◎ 超高精度射频源控制◎ 高精度气压控制◎ 增加过程气体发表文章Detection of individual gas molecules adsorbed on grapheneSchedin, F., et al. Nature Materials 2007 DOI: 10.1038/nmat1967作者报到了由石墨烯制成的微米大小的传感器能够检测到单个气体分子附着在传感器表面的情况。Moorfield nanoETCH软刻蚀技术用于清洗放置石墨烯的衬底，并用于将石墨烯蚀刻到所需的(霍尔棒)器件结构。相关设备：Moorfield nanoETCH Chaotic dirac billiard in graphene quantum dotsPonomarenko, L. A., et al. Science 2008 DOI: 10.1126/science.1154663作者利用石墨烯雕刻出各种大小的量子点。大型量子点(100nm)表现为传统的单电子晶体管。另一方面，对于较小的量子点，量子限制效应显示出了作用。Moorfield“软蚀刻”技术用于制备石墨烯的石墨基材的处理，以及将石墨烯蚀刻成量子点结构。相关设备: Soft-Etching systems Vertical field-effect transistor based on graphene–WS2 heterostructures for flexible and transparent electronicsGeorgiou, T., et al. Nature Nanotechnology 2012 DOI: 10.1038/nnano.2012.224垂直场效应晶体管是由二维材料石墨烯和二硫化钨重叠而成。这种器件中特的传输机制允许前所未有的电流调制和高电流密度。Moorfield软蚀刻技术用于处理衬底表面，对器件的制备进行刻蚀。相关设备: Soft-Etching systems Graphene-based mid-infrared room-temperature pyroelectric bolometers with ultrahigh temperature coefficient of resistanceSassi, U., et al. Nature Communications 2017 DOI: 10.1038/ncomms14311作者报告了石墨烯作为非冷却式中红外光电探测器的一部分的使用，其中LiNbO3晶体的热释电响应以高增益(高达200)转换为石墨烯的电阻率调制。nanoETCH系统是这项工作的关键部分，它既可用于将石墨烯蚀刻成所需的图案，也可用于修改单片石墨烯以提供超低接触电阻。相关设备: nanoETCH用户单位：剑桥大学曼彻斯特大学西班牙光子科学研究所