微刻蚀仪

3月31日消息，昨日中微公司发布其2020年年报，报告期内，中微公司实现营业收入22.73亿元，较上年增长16.76%。归属于上市公司股东的净利润4.92亿元，同比增长161.02%。扣非净利润2331.94万元，同比减少84.19%。中微公司在年报中表示，2020年归母净利润实现翻倍增长主要源于：（1）中芯国际科创板股票投资公允价值变动收益约2.62亿元；（2）公司2020年计入非经常性损益的政府补助较2019 年增加约2.26亿元。而该年扣非净利润较上年同期减少84.19%，则是由于实施股权激励产生的股份支付费用约1.24亿元（属于经常性损益）。图片来源：中微公司年报截图从营收构成来看，中微公司来自半导体设备产品销售的收入达到17.99亿元，来源于设备相关配件的营收为4.42亿元，而设备支持服务的收入则为0.33亿元。产品销售中源于刻蚀设备的收入为12.89亿元，同比增长约58.49%；源于MOCVD设备的收入为4.96亿元，同比下降约34.47%。图片来源：中微公司年报截图在年报中，中微公司就刻蚀技术的未来发展作出了分析。分析指出随着芯片制程向5纳米及更先进制程发展，当前浸没式光刻机受光波长的限制，需要结合刻蚀和薄膜设备，采用多重模板工艺，利用刻蚀工艺实现更小的尺寸。刻蚀技术及相关设备的重要性因此进一步提升。而在2D存储器件的线宽接近物理极限后，NAND闪存已进入3D时代，在其制造工艺中，增加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽而是增加堆叠层数。3D NAND层数增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比。中微公司指出，为应对上述趋势，自身在刻蚀设备技术上的研发进展包括：（1）在逻辑集成电路制造环节，其开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户65 纳米到5纳米的芯片生产线上；同时，其根据厂商的需求，已开发出小于5纳米刻蚀设备，用于若干关键步骤的加工，并已获得批量订单。目前正在配合客户需求，开发新一代刻蚀设备和包括更先进大马士革在内的刻蚀工艺，能够涵盖5纳米以下更多刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。（2）在3D NAND芯片制造环节，其电容性等离子体刻蚀设备可应用于64层和128层的量产，同时根据存储器厂商的需求正在开发新一代能够涵盖128层及以上刻蚀应用及相对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺。此外，电感性等离子刻蚀设备已经在多个逻辑芯片和存储芯片厂商的生产线上量产，正在进行新技术研发，以满足5纳米以下的逻辑芯片、1X纳米的DRAM芯片和128层以上的3D NAND芯片等产品的ICP刻蚀需求，并进行高产出的ICP刻蚀设备研发。在用于制造LED外延片的MOCVD设备技术上，中微公司表示，其用于Mini LED生产的MOCVD设备的研发工作进展顺利，已有设备在领先客户端开始进行生产验证；此外，制造Micro LED等应用的新型MOCVD设备也正在开发中。中微公司在年报中称，去年全年其研发投入总额为6.40亿元，其中包含股份支付费用0.49亿元。若剔除股份支付费用则全年研发投入为5.91亿元，较2019年增长39.16%，主要由于新工艺的研发，包括存储器刻蚀的CCP和ICP刻蚀设备、Mini-LED大规模生产的高输出量MOCVD设备、Micro-LED应用的新型MOCVD设备等。

p style="text-indent: 2em text-align: justify "半导体产业三大生产工艺环节分为：IC设计（电路与逻辑设计）、IC制造（前道工序）和IC封装与测试环节（后道工序）。IC制造环节又分为晶圆制造和晶圆加工两部分。晶圆加工则是指在制备晶圆材料上构建完整的集成电路芯片的过程，包含镀氧化、扩散、退火、离子注入、薄膜沉积、光刻、刻蚀、化学机械平坦化（CMP）等十余道工艺，其中最关键的三类主设备是光刻机、刻蚀机和薄膜沉积设备，价值占前道设备的近70%。光刻机已经成为最具关注的话题，其实刻蚀机同为其中重要的一环。刻蚀是在衬底上留下需要的图形电路。刻蚀分为干法刻蚀和湿法刻蚀，当前干法刻蚀是主流工艺；在干法刻蚀中，反应离子刻蚀应用最广泛。按照被刻蚀材料划分，等离子体刻蚀机分为硅刻蚀机、介质刻蚀机和金属刻蚀机；其中，介质刻蚀与硅刻蚀机分别占比49%以及48%，金属刻蚀仅占3%（数据来源：《半导体系列深度报告：刻蚀设备：最优质半导体设备赛道，技术政策需求多栖驱动》）。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "从公开信息可以看到，中国刻蚀设备的工艺节点已经达到5nm，并得到台积电的验证，追赶上主流半导体的步伐；在市场表现上看，国际大厂在中国市场的份额从最初几乎垄断到2019年下降至77%；北方华创的硅刻蚀机、金属刻蚀机，中微公司的介质刻蚀机在国内均已牢牢占据一席之地，并成功进军国际市场。/pp style="text-align: center text-indent: 2em "img style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202009/uepic/aa32673b-c238-4268-8a38-1f3be32fbaa5.jpg" title="1.png" alt="1.png"//pp style="text-indent: 0em text-align: center "span style="text-indent: 2em "5nm的刻蚀机照片（中微官网）/span/ph3 style="text-indent: 0em text-align: center "曾经让人“绝望”的国际巨头/h3p style="text-indent: 2em text-align: justify "2019年全球刻蚀机市场份额由三家国际厂商瓜分，来自美国硅谷的泛林半导体（Lam Research）占53%，位于日本的东京电子东京电子（Tokyo Electron）占19%，同样是美国硅谷的应用材料（Applied Materials）占18%。尽管近年来刻蚀行业的后起之秀如雨后春笋，但这三家国际巨头仍共占全球九成以上的市场份额。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "上世纪70年代，半导体产业大发展，伴随着半导体产业的快速起步发展，相应的半导体设备公司也纷纷成立。1980年泛林半导体公司成立，凭借着对先进技术和产品的单纯追求，第二年便推出了第一款刻蚀机产品—AutoEtch，并于第四年在纳斯达克上市。90年代，泛林将业务拓展到CVD和显示面板领域，反而分散了公司的业务焦点，最终却适得其反市值暴跌。痛定思痛，泛林半导体将研发重心放在刻蚀设备领域，2007年后在刻蚀设备领域终于无可撼动。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "应用材料公司成立于1967年，是全球最大的半导体设备公司。公司位于美国硅谷，拥有极强的研发能力，官方资料显示，应用材料每年在研发上投入20亿美元，团队成员中30%为专业研发人员，平均每天（包括星期六和星期日）要申请四个以上的新专利。1981年应用材料克服了超大规模集成电路离子刻蚀的技术难题，进入刻蚀设备领域，开启了现代刻蚀时代。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "1963年，久保德雄和小高敏夫在东京创立了东京电子研究所，注册资本500万日元，员工6人。1968年，东京电子与Thermco Products Corp.合并，成为日本第一家半导体制造设备厂商。1975年，东京电子决定专注于半导体制造设备。1981年，东京电子成为了最顶级半导体制造设备厂商。1989年，半导体制造设备营收额全球第一，并连续三年蝉联冠军，至1991年。虽然东京电子的成长路径远不如前两家波澜壮阔，但它们对于研发的投入绝不缩水。2018财年东京电子研发费用约1200亿日元（约合80亿人民币）。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "这些巨头都成立于上世纪60-80年代，伴随着半导体产业起步和发展而壮大，积累了强大的技术研发团队和专利壁垒，成为了刻蚀设备领域让人“绝望”的国际巨头。/ph3 style="text-indent: 0em text-align: center "美国禁运下的“成功突围”/h3p style="text-indent: 2em text-align: justify "为了阻挠中国半导体产业发展，美国对半导体关键设备实施了禁运，其中包括了等离子体刻蚀机的禁运。从此中国刻蚀机领域开始了漫漫“突围”路。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "2004年，尹志尧和16位同仁一起，从美国回到中国，在上海浦东创建了中微。尹志尧曾在硅谷Intel公司、LAM研究所、应用材料公司等电浆蚀刻供职16年。尹志尧曾发起硅谷中国工程师协会并担任主席。尹志尧在硅谷工作的时候，其团队让公司占据全球将近一半的市场，并且在半导体行业拥有多项专利。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "为追赶国际先进水平，中微公司成立后采用了全员持股的激励制度，吸引了来自世界各地具有丰富经验的半导体设备专家，形成了技术精湛、勇于创新、专业互补的国际化人才研发队伍，并始终保持大额的研发投入和较高的研发投入占比，2019年净利润同比增长108% 研发投入占营收比为21.81%。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "2007年，中微公司首台甚高频去耦合等离子体刻蚀设备Primo D-RIE研制成功。作为中微第一代电介质刻蚀产品，在同年的日本半导体博览会上发布，是12英寸双反应台多反应腔主机系统，用于65nm到16nm技术节点，可以灵活配置多大三个双反应台反应腔。每个反应腔都可以在单晶圆反应环境下，同时加工两片晶圆。刻蚀设备采用了双反应台技术增加了产能输出，可以有效降低客户的成本，相较于同类产品具有很高的性价比优势。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "2011年，中微第二代电介质刻蚀产品Primo AD-RIE刻蚀设备研制成功，可用于45nm到14nm后段制程以及10nm前段应用的开发。同时，中微通过建立全球化的采购体系，与供应商密切合作，制造出模块化、易维护、具有成本竞争优势的产品；其通过科学的方法管理库存，有效地降低了公司的运营成本。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "2013年，CCP刻蚀设备产品Primo SSC AD-RIE刻蚀设备研制成功，可用于40-7nm工艺。三代刻蚀设备，不断迭代，产品线覆盖了多个制程的微观器件的众多刻蚀应用。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "半导体设备产业的波动要大于半导体芯片产业的波动，更大于 GDP 的波动。仅靠单一的设备产品来发展的企业无法抵御市场波动带来的不确定性。为此，中微公司的半导体设备实现了多产品覆盖，2010年，首台深硅刻蚀设备产品研制成功；2012年首台MOCVD设备产品研制成功，产品覆盖集成电路、MEMS、LED 等不同的下游半导体应用市场。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "在中微的主要产品线刻蚀设备方面，国际巨头泛林科技、东京电子和应用材料均实现了硅刻蚀、介质刻蚀、金属刻蚀的全覆盖，他们占据了全球干法刻蚀机市场的90%以上份额。即便如此，中微还是在介质刻蚀领域实现了突围，将产品打入台积电、联电、中芯国际等芯片生产商的40多条生产线，并实现了量产。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "不同于中微公司从介质刻蚀机入手，北方华创选择从硅刻蚀机入手。在国家02专项的支持下，北方华创在硅刻蚀机领域不断实现突破，先进制程工艺一路上扬，28nm，22nm都实现了突破。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "国产刻蚀机的不断突破，最终使得美国在2015年解除了对中国的刻蚀机禁运。国产刻蚀设备的不断进步终于突破了美国的封锁。/ph3 style="text-align: center text-indent: 0em "“与狼共舞”勇夺“世界三强”一席/h3p style="text-indent: 2em text-align: justify "伴随着美国解除对中国的刻蚀机禁运，国产刻蚀设备也开始进入国际市场并与世界刻蚀机巨头展开了激烈的竞争。而国内市场也迎来了激烈的角逐。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "面对来势汹汹的国际半导体设备巨头，中微公司进一步加大研发投入，提前布局。在2016年成功研制出首台ICP刻蚀设备产品Primo nanova，这是中微基于ICP开发的第一代产品，适用于14-7nm工艺技术节点。可以配置多达6个刻蚀反应腔和两个可选的去胶腔。之后不断改进设备，2018年改进Primo AD-RIE并进入5nm生产线，至今仍不断引领国内半导体设备和技术的发展。目前中微公司在介质刻蚀领域在世界上已获得一席之地，成为介质刻蚀领域的世界三强企业。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "于此同时，北方华创也在刻蚀机领域实现了节节突破，2016年研发出了14nm工艺的硅刻蚀机。虽然金属刻蚀市场很小，但在2017年11月，北方华创研发的中国首台适用于8英寸晶圆的金属刻蚀机，也成功搬入中芯国际的产线，这个也是有重大突破意义的。/pp style="text-indent: 2em "br//pp style="text-indent: 2em text-align: justify "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/833.html" target="_self"电子束刻蚀系统专场：https://www.instrument.com.cn/zc/833.html/a/p

作者：泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Pradeep Nanja介绍半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀设备和技术来实现图形的微缩与先进技术的开发。随着半导体器件尺寸缩减、工艺复杂程度提升，制造工艺中刻蚀工艺波动的影响将变得明显。刻蚀终点探测用于确定刻蚀工艺是否完成、且没有剩余材料可供刻蚀。这类终点探测有助于最大限度地减少刻蚀速率波动的影响。刻蚀终点探测需要在刻蚀工艺中进行传感器和计量学测量。当出现特定的传感器测量结果或阈值时，可指示刻蚀设备停止刻蚀操作。如果已无材料可供刻蚀，底层材料（甚至整个器件或晶圆）就会遭受损坏，从而极大影响良率[1]，因此可靠的终点探测在刻蚀工艺中十分重要。半导体行业需要可以在刻蚀工艺中为工艺监测和控制提供关键信息的测量设备。目前，为了提升良率，晶圆刻蚀工艺使用独立测量设备和原位（内置）传感器测量。相比独立测量，原位测量可对刻蚀相关工艺（如刻蚀终点探测）进行实时监测和控制。使用 SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀终点探测通过构建一系列包含虚拟刻蚀步骤、变量、流程和循环的“虚拟”工艺，可使用 SEMulator3D 模拟原位刻蚀终点探测。流程循环用于在固定时间内重复工艺步骤，加强工艺流程控制（如自动工艺控制）的灵活性[2]。为模拟控制流程，可使用 "For Loop" 或 "Until Loop"（就像计算机编程）设置一定数量的循环。在刻蚀终点探测中，可使用 "Until Loop"，因为它满足“已无材料可供刻蚀”的条件。在循环中，用户可以在循环索引的帮助下确认完成的循环数量。此外，SEMulator3D 能进行“虚拟测量”，帮助追踪并实时更新刻蚀工艺循环中的材料厚度。通过结合虚拟测量薄膜厚度估测和流程循环索引，用户可以在每个循环后准确获取原位材料刻蚀深度的测量结果。用 SEMulator3D 模拟刻蚀终点探测的示例初始设定在一个简单示例中，我们的布局图像显示处于密集区的四个鳍片和密集区右侧的隔离区（见图1）。我们想测量隔离区的材料完成刻蚀时密集区的刻蚀深度。我们将用于建模的区域用蓝框显示，其中有四个鳍片（红色显示）需要制造。此外，我们框出了黄色和绿色的测量区域，将在其中分别测量隔离区的薄膜厚度 (MEA_ISO_FT) 和沟槽区的刻蚀深度 (MEA_TRENCH_FT)。工艺流程的第一步是使用 20nm 厚的硅晶体层（红色）、30nm 的氧化物（浅蓝色）和 10nm 的光刻胶（紫色）进行晶圆设定（图2）。我们曝光鳍片图形，并对使用基本模型刻蚀对光刻胶进行刻蚀，使用特定等离子体角度分布的可视性刻蚀对氧化物材料进行刻蚀。氧化物对光刻胶的选择比是100比1。我们在 SEMulator3D 中使用可视性刻蚀模型来观察隔离区和有鳍片的密集区之间是否有厚度上的差异。图1：模型边界区域（蓝色），其中包含四个鳍片（红色）和用于测量隔离区（黄色）和沟槽区（绿色）薄膜厚度的两个测量区域图2：SEMulator3D 模型，硅晶体（红色）、氧化物（浅蓝色）和在光刻胶中显影的四个鳍片（紫色）SEMulator3D 刻蚀终点探测循环SEMulator3D 的工艺流程使用 Until Loop 循环流程。我们将测量隔离区的材料厚度，并在隔离氧化物薄膜耗尽、即厚度为0时 (MEA_ISO_FT==0) 停止该工艺。在这个循环中，每个循环我们每隔 1nm 对氧化物材料进行1秒的刻蚀，并同时测量此时隔离区氧化物薄膜厚度。此外，我们将在每次循环后追踪两个鳍片间沟槽区的刻蚀深度。这个循环索引有助于追踪刻蚀循环的重复次数（图3）。图3：SEMulator3D 刻蚀终点探测模拟中的循环流程结果对隔离薄膜进行刻蚀，直至其剩余 20nm、10nm 和 0nm 深度的模拟结果如图4所示。模型中计算出隔离薄膜厚度的测量结果，以及两个鳍片间沟槽区的刻蚀深度。图4：隔离区薄膜厚度剩余 20nm、10nm 和 0nm 的工艺模拟流程，及相应从光刻胶底部开始的沟槽刻蚀深度我们对循环模型进行近30次重复后，观察到隔离区的薄膜厚度已经达到0，并能追踪到沟槽区氧化物的刻蚀深度（当隔离区被完全刻蚀时，密集区 30nm 的氧化物已被刻蚀 28.4nm）。结论SEMulator3D 可用来创建刻蚀终点探测工艺的虚拟模型。这项技术可用来确定哪些材料在刻蚀工艺中被完全去除，也可测量刻蚀后剩下的材料（取决于刻蚀类型）。使用这一方法可成功模拟原位刻蚀深度控制。使用类似方法，也可以进行其他类型的自动工艺控制，例如深度反应离子刻蚀 (DRIE) 或高密度等离子体化学气相沉积 (HDP-CVD) 工艺控制。参考资料：[1] Derbyshire, Katherine. In Situ Metrology for Real-Time Process Control, Semiconductor Online, 10 July 1998, https://www.semiconductoronline.com/doc/in-situ-metrology-for-real-time-process-contr-0001.[2] SEMulator3D V10 Documentation: Sequences, Loops, Variables, etc.

p style="text-align: justify text-indent: 2em "10月15日-16日，中国科学院半导体研究所、仪器信息网联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)，22位业内知名的国内外专家学者聚焦半导体材料与器件的产业热点方向，进行为期两日的学术交流。会议期间，中科院半导体所、集成电路工程研究中心的王晓东研究员做了题为《半导体微纳加工中的硅干法刻蚀技术》的报告。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "硅干法刻蚀即等离子体刻蚀技术，相对于湿法刻蚀，具有更好的各向异性，工艺重复性，且能降低晶圆污染几率，因此成为了亚微米下制备半导体器件最主要的刻蚀方法。在此次报告中，王晓东研究员介绍了三种不同的硅干法刻蚀技术。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "据介绍，硅干法刻蚀的物理机制，主要包括物理溅射刻蚀、纯化学刻蚀、化学离子增强刻蚀和侧壁抑制刻蚀等。影响硅干法刻蚀效果的因素主要有三类：一是等离子体密度和能量，通过配备两套射频源，ICP和RF射频源来分别控制；二是腔室气压，由于鞘层的存在，一般需要气压小于100 mtorr使得离子平均自由程大于鞘层宽度；三是刻蚀气体选择，气体需要根据反应生成物是否容易去掉来选择，首选挥发性产物。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "王晓东研究员重点介绍了三种硅干法刻蚀技术，即Bosch、Cryo、Mixed。Bosch通常刻蚀特征尺寸＞1 μm，刻蚀深度＞10 μm，刻蚀结果深且宽，即深硅刻蚀；Cryo即所谓的低温工艺，可以得到平滑侧壁以及纳米尺寸结果；Mixed刻蚀深度＜10 μm，具有低的深宽比，也即浅硅刻蚀。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "深硅刻蚀（Bosch）是目前应用最广泛，发展最成熟的硅刻蚀工艺。Bosch最初的基本工艺过程（Basic Bosch Process）就是钝化和刻蚀交替进行。此后，在其中加入轰击过程，发展出先进工艺（Advanced Bosch Process），即钝化、轰击和刻蚀三个过程不断循环，以此达到深硅刻蚀目的。Bosch工艺的优势是高速率、高各向异性和高选择比。其劣势为工艺复杂，晶片状况影响工艺过程，存在侧壁scallop等。同时，深硅刻蚀也存在一些典型的刻蚀问题：一是刻蚀剖面控制，如Undercut、Bowing、Bottling、Trenching、Footing等问题；二是负载效应，随硅暴露面积的增加，刻蚀速率和刻蚀均匀性都会降低，通常减少腔体气压可解决此问题；三是ARDE问题，即随着刻蚀深宽比的增加，刻蚀速率会下降，一般可通过增加沉积保护气体气压，增宽离子的角分布和加入刻蚀截止层等解决；四是Notching问题，即由于电荷积累造成钻蚀，可采用低频脉冲模式LF Pulse Mode来解决。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "除深硅刻蚀外，下电极温度在液氮-100 ℃下，可以进行比较精细的刻蚀—低温刻蚀（Cryo）。与深硅刻蚀相比，其工艺气体不同，一般为SFsub6/sub和Osub2/sub，生成物SiOsubx/subFsuby/sub在-85 ℃时很容易形成，在室温下即可挥发，腔室环境非常干净。因此低温刻蚀可以得到侧壁光滑，undercut很小，选择比高的结果。但此时光刻胶会受影响，所以胶的厚度不能太厚，通常小于1.2 μm，且需要进行合适的烘烤，防止胶裂。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "最后一种就是浅硅刻蚀（Mixed），即在相对较浅的刻蚀中（＜10 μm），多采用同步刻蚀方法，钝化和刻蚀同步进行，所以也称同步工艺。与深硅刻蚀不同，浅硅刻蚀的刻蚀性气体与聚合物生成气体同时输入腔室，刻蚀和钝化同步进行，导致钝化和刻蚀的作用会在很大程度上抵消一部分，所以实现了光滑的侧壁（＜100 nm）。但这使得刻蚀环境十分复杂，工艺窗口相对较窄，工艺重复性控制难度较大。与多步刻蚀相比，采用同步刻蚀方法进行刻蚀时，为获得较高的刻蚀速率和各向异性，刻蚀中所用射频功率和偏压较高，导致刻蚀材料和掩模之间的选择比低，刻蚀结果对掩模质量依赖性较强，对掩模材料和质量要求高。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "在报告最后，王晓东研究员还介绍了半导体所在微纳器件制备中如MEMS、纳米波导、纳米线器件等方面的大量工作。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "随着亚微米下制备半导体器件需求的增加，硅干法刻蚀技术也显得越来越重要，而半导体所所级公共技术服务中心具备上述技术能力。同时这是一个开放的平台，如果有相应的需求也可以进行合作参与。/p

2021年11月2日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，股票代码：688012）迎来了一个重要的里程碑：中微公司的电容耦合高能等离子体（CCP）刻蚀设备第1500个反应台顺利付运国内一家领先的半导体制造商。本次交付的Primo D-RIE刻蚀设备反应台来自该客户的重复订单。 据了解，Primo D-RIE刻蚀设备被全球领先的芯片制造商用于制造存储和逻辑器件。为优化产量而设计，Primo D-RIE可以配置多达三个双反应台反应腔，每个反应腔既可以独立操作，又可以同时加工两片晶圆。此外，该设备的突出特点还包括：中微公司具有独立自主知识产权的甚高频和低频混合射频去耦合反应等离子体源、等离子体隔离环、用于控制腔体内反应环境的先进工艺组件。 自2007年Primo D-RIE发布以来，中微公司陆续拓展了CCP刻蚀设备产品线，以满足客户日益严苛的技术需求。除Primo D-RIE双反应台刻蚀设备以外，CCP刻蚀设备系列还包括双反应台刻蚀设备Primo AD-RIE、单反应台刻蚀设备Primo SSC AD-RIE、Primo HD-RIE和刻蚀及除胶一体化的 Primo iDEA。这些产品为客户提供了全面综合的设备解决方案，用于5纳米及以下工艺的多种应用。中微公司的刻蚀设备产品线还包括其他两款电感耦合低能等离子体（ICP）刻蚀设备和硅通孔（TSV）刻蚀设备。中微公司等离子体刻蚀设备独特的创新技术和不断快速增长的市场占有率巩固了在国内外半导体前道设备行业的领先地位，并推动公司持续发展。今年到目前为止，用于3D NAND应用的Primo HD-RIE和用于7纳米及以下节点逻辑应用的Primo AD-RIE-e占设备总出货量的50%。其中，中国大陆和台湾地区占比最高。中微公司今年前三个季度的销售收入比去年同期增长了40.4%，其中刻蚀设备的销售增长率约100%。

刻蚀技术，是在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀，相对应的设备分别为干法刻蚀设备和湿法刻蚀设备，其中干法刻蚀设备绝大部分为等离子体刻蚀。仪器信息网近期特对一年内的刻蚀设备的中标讯息整理分析，供广大仪器用户参考。（注：本文搜集信息全部来源于网络公开招投标平台，不完全统计分析仅供读者参考。）各月中标量占比2019年10月至2020年9月，根据统计数据，刻蚀设备的总中标数量为208台，涉及金额上亿元。2019年10月至2019年12月，平均中标量约22台每月。2020年3月份，刻蚀设备采购量降至低谷，1-3月份平均采购量只有11台，3月份只有6台，这可能是受到了疫情的影响。值得注意的是，这些刻蚀设备的采购主要来源于半导体代工企业大量集中的产线建设采购，这也造成了周期性的采购波动。主要的采购单位包括了上海华力集成电路制造有限公司、华虹半导体（无锡）有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司等集成电路代工企业，与此同时一些3月份以前招标的设备由于疫情也推迟到3月份之后公布中标。招标单位地区分布本次盘点，招标单位地区分布共涉及19个省份、自治区及直辖市。上海、北京、浙江、江苏和广东为刻蚀设备采购排名前5的地区，其中上海的中标量最多，达49台。在这些地区中，上海、浙江和江苏以企业采购为主，这主要由于这些地区是我国集成电路产业发达地区；北京和广东以高校和科研院所采购为主，主要用于科研领域。采购单位性质分布从刻蚀设备的招标采购单位来看，企业是采购的主力军，采购量占比高达59%，高校和科研院所的采购量分别占比20%和21%。值得注意的是，Lam Research International Sarl的设备更受企业青睐，中标数量高达35台，远超其他设备商。不同类型刻蚀设备占比刻蚀设备大致包括了干法刻蚀和湿法刻蚀两类，根据搜集到的中标数据可知，干法刻蚀设备在半导体刻蚀设备中占据主流、占比高达95%。硅干法刻蚀即等离子体刻蚀技术，相对于湿法刻蚀，具有更好的各向异性，工艺重复性，且能降低晶圆污染几率，因此成为了亚微米下制备半导体器件最主要的刻蚀方法。随着亚微米下制备半导体器件需求的增加，硅干法刻蚀技术也显得越来越重要。【参考文献：王晓东：干法刻蚀引领半导体微纳加工】本次光刻设备中标盘点，涉及品牌有SPTS、SCREEN.、AMAT、Oxford、北方华创、Lam Research、WONIK IPS、Tokyo Electron Limited、中微半导体、卡尔蔡司等。其中，各品牌比较受欢迎的产品型号有：牛津仪器PlasmaPro 100 Polaris单晶圆刻蚀系统PlasmaPro 100 Polaris单晶圆刻蚀系统为得到更为精湛的刻蚀效果提供了智能解决方案，在行业中能保持竞争优势。同时，这款仪器具有高效的刻蚀速率、低购置成本、专为腐蚀性的化学成分而设计、出色的刻蚀均匀性、适用于蓝宝石的静电压盘技术、蓝宝石和硅上的GaN、高导通抽气系统、可与其它PlasmaPro系统集成等优点。SPTS深硅刻蚀设备SPTS作为世界顶尖的深硅刻蚀和牺牲层刻蚀设备的供应商，SPTS能够提供一系列的解决方案来满足客户的生产和开发要求。通过一系列的技术的开发，SPTS能为客户提供一系列的先进的工艺，比如功率MOSFET和200mm和300mm晶圆上的高端封装（3D封装和芯片级封装）。这款深硅刻蚀设备的主要应用包括: MEMS，先进封装（TSV）,功率器件等等。等离子刻蚀机经济型等离子刻蚀设备EtchLab 200具备 低成本效益高的特点，并且支持揭盖直接 放置样片。EtchLab 200允许通过载片器，实现多片工艺样品的快速装载，也可以直接快速地把样品装载在电极上。RIE等离子体刻蚀设备具备占地面积小， 模块化和灵活性等设计特点。点击此处进入【等离子体/化学刻蚀设备】专场，获取更多产品信息。更多市场信息，查看专题【半导体材料、器件与设备_专题报道】更多资讯请扫描下方二维码，关注【材料说】

4月6日，中微公司董事长、总经理尹志尧透露，公司研发的等离子刻蚀设备已经进入客户的5nm生产线。尹志尧表示，公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线和先进封装生产线。其中，公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进的生产线上并用于5纳米、5纳米以下器件中若干关键步骤的加工。此外，公司MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产。中微公司也在互动平台上证实了这一说法，称公司刻蚀设备确实进入了5纳米生产线。中微公司瞄准世界科技前沿，主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司的刻蚀设备已应用于全球先进的7纳米和5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。中微公司作为设备公司，向客户提供可加工先进器件的设备，协助、配合客户实现先进器件的开发和生产。据介绍，等离子体刻蚀机是芯片制造中的一种关键设备，用来在芯片上进行微观雕刻，每个线条和深孔的加工精度都是头发丝直径的几千分之一到上万分之一，精度控制要求非常高。

2021年6月15日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，股票代码：688012）首台8英寸甚高频去耦合反应离子（CCP）刻蚀设备Primo AD-RIE 200™ 顺利付运客户生产线。（图为中微CCP刻蚀设备研发团队部分主要成员）Primo AD-RIE 200™ 是中微公司自主研发的新一代8英寸甚高频去耦合反应离子（CCP）刻蚀设备。基于已被业界广泛认可的12英寸CCP刻蚀设备的成熟工艺与特性，Primo AD-RIE 200™ 在技术创新和生产效率方面都有了进一步提升，能够满足不同客户8英寸晶圆的加工需求。为了提高生产效率，Primo AD-RIE 200™ 刻蚀设备可灵活配置多达三个双反应台反应腔（即六个反应台）。此外，Primo AD-RIE 200™ 提供了可升级至12英寸刻蚀设备系统的灵活解决方案，以满足客户生产线未来可能扩产的需求。 “Primo AD-RIE 200™ 是中微公司推出的用于8英寸晶圆加工的CCP刻蚀设备，丰富了中微公司现有的刻蚀设备产品线，是中微公司发展历程中又一重要里程碑。中微公司不但聚焦于高端半导体设备领域，同时也提供其他多种设备以满足集成电路和泛半导体领域多样化的市场需求。”中微公司副总裁兼CCP等离子体刻蚀产品部总经理苏兴才博士说道，“我们希望坚持致力于产品创新和技术提升，不断满足客户的多样化需求，助力客户应对行业挑战。”

2021年6月9日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，股票代码：688012）在上海总部举办电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备Primo nanova第100台反应腔交付客户庆祝仪式。中微公司执行副总裁兼首席运营官杜志游博士、集团副总裁兼等离子刻蚀产品事业总部总经理倪图强博士、副总裁兼ICP刻蚀产品部总经理刘身健博士和其他核心团队成员出席了庆祝仪式。Primo nanova是中微公司于2018年正式发布的第一代电感耦合等离子体刻蚀设备。该设备采用了中微公司具有自主知识产权的电感耦合等离子体刻蚀技术，具有对称的反应腔、超高分子泵抽速、独特的低电容耦合线圈设计和多区细分温控静电吸盘等创新特性，帮助客户在存储芯片和逻辑芯片的批量生产中获得更好的工艺加工能力和更低的生产成本。图源 中微官网目前，中微公司Primo nanova产品已成功进入海内外十余家客户的晶圆生产线，在领先的逻辑芯片、DRAM 和3D NAND厂商的生产线上实现大规模量产。在全球客户的信任和支持下，中微公司第100腔Primo nanova刻蚀设备的顺利交付，是公司ICP刻蚀产品业务发展新的里程碑，标志着产品发展迈入新的阶段。当前集成电路科技发展日新月异，中微公司将继续在全球客户和产业链合作伙伴的支持下，持续开发极具竞争优势的技术和产品，助力行业实现跨越式发展。关于中微半导体设备（上海）股份有限公司中微半导体设备（上海）股份有限公司（证券简称：中微公司，证券代码：688012）致力于为全球集成电路和LED芯片制造商提供领先的加工设备和工艺技术解决方案。中微公司开发的等离子体刻蚀设备和化学薄膜设备是制造各种微观器件的关键设备，可加工微米级和纳米级的各种器件。这些微观器件是现代数码产业的基础，它们正在改变人类的生产方式和生活方式。中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户从65纳米到5纳米工艺的众多刻蚀应用，中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备已在客户生产线上投入量产，目前已在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据领先地位。

自美国提出终断该国企业与华为多年的芯片供应以来，研制中国自己的国产芯片提上了我国的发展日程，也是当前中国市场最为紧迫的一项技术，关于芯片技术发展的讨论不仅在专业领域盛行，也成为了普通民众议论的焦点所在。而芯片的制造离不开半导体设备，其中刻蚀设备是其中的重中之重。据了解，目前我国已经突破了刻蚀设备的技术难关，其中中微公司的5nm刻蚀设备已成功销往海外，更是进入台积电的生产线。如今最先进的芯片制造主要使用干法刻蚀技术，干法刻蚀相对于湿法刻蚀，具有更好的各向异性，工艺重复性，且能降低晶圆污染几率，因此成为了亚微米下制备半导体器件最主要的刻蚀方法。干法刻蚀的物理机制，主要包括物理溅射刻蚀、纯化学刻蚀、化学离子增强刻蚀和侧壁抑制刻蚀等。目前我国在生产用刻蚀设备领域已经逐渐实现市场上的突破，但一直以来，对科研用刻蚀设备情况缺乏调查。1月22日，科技部和财政部联合发布《科技部 财政部关于开展2021年度国家科技基础条件资源调查工作的通知（国科发基〔2020〕342号）》，全国众多高校和科研院所将各种科学仪器上传共享，对其中干法刻蚀设备的统计分析或可一定程度反映科研用刻蚀设备的市场信息。小编特对其进行分类统计，供读者一阅。各省（直辖市/自治区）干法设备分布各省（直辖市/自治区）干法刻蚀设备分布图根据统计数据，共享干法刻蚀设备的总数量为276台，涉及25省（直辖市/自治区）。北京、江苏、上海、广东为共享干法刻蚀设备最多的地区，其中北京的数量最多，达81台。北京共享科研用干法刻蚀设备数量较多，主要是由于其实力强劲的高等院校较多，其科研经费充足，可以购买更多的设备。以上四个地区的经济发展水平在全国名列前茅，而且半导体产业发达，对干法刻蚀设备的需求也更高。进一步统计发现，刻蚀设备主要分布于清华大学和中国科学院上海微系统与信息技术研究所。刻蚀设备品牌分布从刻蚀设备的整体品牌分布图可以看到，英国Oxford的刻蚀设备占比最多达22%，其次为德国SENTECH占比为7%，远低于Oxford的市场份额。需要注意的是，北方华创科技集团股份有限公司（简称“北方华创”）是由北京七星华创电子股份有限公司（简称“七星电子”）和北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司（简称“北方微电子”）战略重组而成，是目前国内集成电路高端工艺装备的先进企业，因此在统计中将北方微电子和北方华创归为一家企业。从统计结果来看，国内科研用刻蚀设备中，全球刻蚀设备巨头Lam、AMAT等占比很低，这表明工业用刻蚀设备和科研用刻蚀设备的需求不同，厂商也有所不同。刻蚀设备产地分布从刻蚀设备的产地分布可以看出，进口设备中英国设备最受国内科研用户青睐，占比达30%，但国产设备占比31%（含台湾），高于英国进口数量。统计结果表明，中国品牌包括了北方华创、中国科学院微电子研究所等约20家厂商，呈现出多强局面。本次刻蚀设备盘点中，涉及品牌有Oxford、SENTECH、北京创世维纳科技有限公司、Samco、北方华创 、北京金盛微纳科技公司、北京埃德万斯离子束技术研究所有限公司、SPTS、Gatan、北京泰龙电子技术有限公司、STS、Lam等。其中，各品牌比较受欢迎的产品型号有：等离子刻蚀机高端等离子刻蚀设备SI 500使用低离子； 能量的电感耦合等离子体用于低损伤刻: 蚀和纳米结构刻蚀。通过在广泛的温度: 范围内的动态温度控制确保了可重复且稳定的等离子刻蚀条件。深反应等离子；刻蚀（硅，III-V族半导体，MEMS）可: 采用低温工艺和室温下的气体切换工艺: 来实现。经济型等离子刻蚀设备EtchLab 200具备 低成本效益高的特点，并且支持揭盖直接 放置样片。EtchLab 200允许通过载片 器，实现多片工艺样品的快速装载，也可 以直接快速地把样品装载在电极上。RIE等离子体刻蚀设备具备占地面积小， 模块化和灵活性等设计特点.牛津Oxford等离子体刻蚀机PlasmaPro 80 RIEPlasmaPro 80是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺。这款设备具有直开式设计允许快速装卸晶圆、出色的刻蚀控制和速率测定、出色的晶圆温度均匀性，可应用于 III-V族材料刻蚀工艺、硅 Bosch和超低温刻蚀工艺、类金刚石（DLC）沉积、二氧化硅和石英刻蚀、用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆、用于高亮度LED生产的硬掩模的刻蚀。

一、项目基本情况1、项目编号：招案2023-36992、采购计划备案号：420000-2023-133093、项目名称：原位刻蚀与纳微分析测试系统采购4、采购方式：公开招标5、预算金额：960(万元)6、最高限价：960(万元)7、采购需求：武汉科技大学拟采购一套原位刻蚀与纳微分析测试系统（详见招标文件第三部分 采购需求）；8、合同履行期限：供货期：合同生效后12个月内到货并完成安装、调试及验收；质保期：双束电镜主机质保期3年,其余配套设备及附件质保期1年9、本项目（是/否）接受联合体投标：否10、是否可采购进口产品：是11、本项目（是/否）接受合同分包：否12、本项目（是/否）专门面向中小微企业：否13、符合条件的小微企业价格扣除优惠为：10%二、获取招标文件1、时间：2023年09月22日至2023年09月28日，每天上午09:00至11:00，下午13:00至16:00（北京时间，法定节假日除外）2、地点：线上方式获取，无须现场领购3、方式：投标人需先在微信上关注“中世建咨”微信公众号，在主界面右下角点击“投标报名 - 购买标书”填写好相关信息后完成微信报名登记。报名时需要提供的资料：法定代表人身份证明书或授权委托书（含被授权人身份证），资料中需写明投标人名称、项目名称、项目编号、法人姓名、授权人姓名、授权有效期限。4、售价：0(元)三、对本次招标提出询问，请按以下方式联系1、采购人信息名 称：武汉科技大学地 址：湖北省武汉市青山区和平大道947号联系方式：027-688623852、采购代理机构信息名 称：上海中世建设咨询有限公司地 址：武汉市洪山区欢乐大道1号德成国贸中心（岳家嘴地铁站D出口）A座709室会议室联系方式：027-86602235-806、027-86602235-8043、项目联系方式项目联系人：张旭东、王帆、秦贝电 话：027-86602235-806、027-86602235-804

9月15日，中微半导体设备（上海）有限公司创始人、董事长、总经理尹志尧在公开演讲中探讨如何打造高质量、有竞争力的半导体设备公司时，表示目前半导体公司的设备主要可以分为四大类，光刻机、等离子体刻蚀机、薄膜设备、测试设备。以刻蚀机设备为例，等离子体刻蚀设备市场成长迅速，目前年市场规模超过120亿美元。并且等离子体刻蚀设备已经工厂中投入最大的部分，已经占到工厂设备成本的30%以上。尹志尧提到一定要将更大力度推动和发展半导体微观加工设备产业提到日程上来，半导体设备公司不仅是集成电路制造的供应商和产业链，也是集成电路制造的最核心部分。而大国博弈在经高科技战线上，集中在半导体设备和关键零部件的限制上。当前中微半导体开发的四类设备均达到了国际领先水平，如CCP电容性刻蚀机、ICP电感型刻蚀机、深硅刻蚀机、MOCVCD。其中，中微开发的第三代CCP高能等离子体刻蚀机，已经从过去的20:1发展到如今的60:1极高深宽比细孔。并且中微CCP刻蚀机在台湾领先的晶圆厂和存储厂，已经占据三成市场份额。中微的MOCVD设备在国际氮化镓基MOCVD市场占有率已在2018年第四季度已经达到了70%以上。尹志尧表示，十年来中国有54个公司和研究所曾宣布开发MOCVD设备，但目前只有中微一家成功，并且已经实现稳定的量产。多年来中微的MOCVD设备不断提高蓝绿光LED波长均匀性，目前LED波长片内均匀性已经做到0.71nm。如何将中微半导体做大做强，尹志尧表示中微以“四个十大”为中心，总结17年的经验与教训，继续发展科创企业的管理章法，其中包括：中微产品开发的十大原则；中微战略和商务的十大原则；中微运营管理的十大原则；中微精神文化的十大原则。在开发产品上，尹志尧表示不要老跟着外国人的设计，这样很难做出自己独有的产品，因此中微提出了甚高频去耦合反应离子体刻蚀，让高频、低频都在下电极，当前该技术已经具备一定优势。此外，中微公司还开发了CCP单台机和双台机，ICP单台机和双台机，可以覆盖90%的刻蚀应用，不仅在成本上降低30%，效率上也提升了50%。战略上，中微将通过三维成长（集成电路设备、泛半导体设备、非半导体设备），计划在未来10到15年成为国际一流的微观加工设备公司。公司运营管理上，中微通过运营KPI管理不断提升质量管理水平。截至2021年6月份，中微已经申请了1883个专利，并已获得1115个专利。尹志尧表示，尽管中微在知识产权上已经做得很全面，但也受到多次美国公司对中微发起的专利诉讼，有三次是美国公司对中微提起诉讼，一次是中微对美国公司发起的诉讼。值得注意的是，在专利诉讼中，两次获得了完全胜利，另外两次也在较大优势下达成和解。中微公司在等离子体刻蚀机的技术优势，也让美国在2015年取消了对中国的出口控制，而中微的相关产品出口环境也变得极为宽松。值得注意的是，中微实施了员工期权激励和全员持股的模式，认为这是高科技公司发展的生命线，也是社会主义集体所有制的核心。尹志尧认为，企业价格由投入的股本金带来和劳动创造的价值两部分组成，但公司80%的市值由劳动力创造。不忘初心，就是回到“资本论”，就是要解决剩余价格的合理分配问题。通过期权和股权将员工长期利益和企业绑定，使更多员工参加公司，使员工积极为公司工作，全员持股是中微赖以生存和发展的生命线。尹志尧提到，自己仅占公司1%的股份，但这并不意味着就无法将公司做好。让公司做大做强，要做到强群的总能量最大化和净能量最大化，总能量最大化即使所有阶层和所有部门人们的积极性群都发挥出来，净能量最大化即怎样使各个阶层和各个部门的能量不会在内耗中消失。最后，尹志尧表示，一家公司从初创公司做到成功，公司的文化和作风是主要应随，要建立一直领先的百年老店，初创时期，首先要有过硬的技术产品，到了大公司时期要有足够的运营能力，做到领头公司，则需要看公司的文化作风。

仪器信息网讯 半导体产业作为现代信息技术产业的基础，已成为社会发展和国民经济的基础性、战略性和先导性产业，是现代日常生活和未来科技进步必不可少的重要组成部分。当前，全球半导体科技和产业的竞争愈演愈烈，各国围绕提升半导体领域竞争力，相继出台了一系列政策举措。半导体行业归根结底属于设备类行业，行业内素有“一代设备，一代工艺，一代产品”的说法。SEMI在SEMICON Japan 2022上发布了《2022年度总半导体设备预测报告》。报告指出，原设备制造商的半导体制造设备全球总销售额预计将在2022年创下1085亿美元的新高，连续三年创纪录，较2021创下的1025亿美元行业纪录增长5.9％。在整个制造工艺流程中，光刻和刻蚀工艺的投资最大、研发难度和技术水平最高，对应的光刻机和蚀刻机也是半导体制造中最重要的关键设备之一。针对于此，仪器信息网与电子工业出版社联合组织于5月10日-11日召开的第二届“半导体工艺与检测技术”主题网络研讨会设置了“光刻与刻蚀及其检测技术”专场，依托成熟的网络会议平台，为半导体产业从事研发、教学、生产的工作人员提供一个突破时间地域限制的免费学习、交流平台，让大家足不出户便能聆听到精彩的报告。本次会议免费参会，报名链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/Semicon2023/ 或扫描二维码报名光刻与刻蚀及其检测技术专场会议日程：时间报告题目演讲嘉宾专场：光刻与刻蚀及其检测技术（5月10日下午）14:00--14:30广义芯片特种紫外光刻设备研发胡松（中国科学院光电技术研究所 研究室主任/研究员）14:30--15:00海洋光学微型光谱仪在半导体领域的应用卢坤俊（海洋光学 资深技术&应用专家）15:00--15:30光刻照明系统关键技术刘俊伯（中国科学院光电技术研究所 副研究员）15:30--16:00微纳加工的干法刻蚀技术（拟）张忠山（中国科学院物理研究所 副主任工程师）嘉宾介绍:中国科学院光电技术研究所 研究室主任/研究员 胡松胡松，博士，研究员，四川省有突出贡献优秀专家，四川省学术技术带头人后备人选，博士导师，2000—2016年光电技术研究所微电子装备及生物芯片仪器研究室主任，国家专家库专家、国家02专项调研组和指南编写组专家、集成电路测试仪器与装备产业技术创新联盟专家咨询委专家，四川省重大仪器设备专家组专家，全国半导体设备和材料标准化技术委员会微光刻分会副主任，全国光电测量标委会委员，中国仪器仪表学会精密机械分会理事,中国电子工业专用设备行业协会理事。 一直从事微细光学技术与专用设备研制工作。先后承担并完成三十多项国家科技攻关、中科院重大项目、国家“863”项目、国家重大科技专项、国家重大仪器装备专项、国家自然科学基金、四川省科技攻关等。获国家科技进步三等奖两项，中科院科技进步二等奖、三等奖各一项，四川省科技进步二等奖一项、三等奖二项。近年来以副总师完成国家重大仪器装备专项项目—超分辨光刻装置研制、以项目技术首席和课题负责人完成国家02专项课题—EUV极紫外光刻真空及机械系统、以项目副总师完成国家02专项项目—NA0.75ArF曝光光学系统α样机研制。主持研发单面和双面深度曝光机、无掩模光刻机、投影光刻机、纳米压印光刻机、精密工件台、生物芯片仪器等，销售超1000台（出口50多台），为我国微细加工行业的技术进步发挥了较大作用，结束芯片设备与仪器完全依赖进口且受制于人的历史。发表科技论文150余篇，作为副主编出版专著一本，授权专利50余项，指导并毕业博士生20余名、硕士生10余名。2015年被评为四川省劳动模范，或国务院政府津贴，多次被评为中科院院、分院及研究所先进工作者、优秀导师和标兵。【摘要】广义芯片包括集成电路在内所有由光刻技术制造具体一定功能和集成度的系统，如第二代第三代化合半导体，传感器（应变，光栅，光电探测器，气体传感器等），显示器件，生物芯片，发光器件，MEMS，微光学元件，分立电子器件，通迅器件等。这些广义芯片基底种类有金属、玻璃、化合物、高分子薄膜、陶瓷等，基底尺寸变化很大，光刻工艺持殊（有的要求深曝光，有的要求3D光刻，有的要求双面套刻，有的要求边缘套刻等等）。报告重点介绍针对特种广义芯片的解决方案。海洋光学 资深技术&应用专家 卢坤俊现任海洋光学亚洲公司应用工程师主管，南京农业大学生物工程本科专业，应用化学硕士学位。主要负责光谱仪相关产品的技术支持与光谱解决方案的应用开发工作，有着10年以上的环境、智能农业、化工、消费电子、半导体及生命科学领域的光谱应用背景。【摘要】 介绍海洋光学公司及工业客户合作模式，并分享海洋光学微型光谱仪在半导体膜厚测量，CMP过程膜厚测量， PECVD过程监控，Plasma Etching终点指示以及 Plasma Cleaning过程监控中的原理及应用。中国科学院光电技术研究所 副研究员 刘俊伯刘俊伯，博士，中科院光电技术研究所微电子装备总体实验室，副研究员，硕士生导师，主要从事投影光刻装备相关核心技术研究。2017 年入选西部之光人才计划，2020 年入选中国科学院青年创新促进会，获创新基金计划资助。 承担或参与国家重大科研仪器装备项目、02专项、国家重点研发计划、国家自然科学基金、四川省应用基础研究、四川省融合类研究项目等项目，重点开展光刻机投影光刻曝光系统、综合像质原位测试、全链路逆优化仿真模型等核心技术研究，在OPT EXPRESS、OPT LASER ENG 等SCI 期刊上发表论文20余篇，获发明专利授20余项。 组织团队成功研制UVSTEP系列化投影光刻装备，在军民领域实现多台套上线应用，获首届中国光学工程学会“金燧奖”。特别在压力敏传感器领域，该型投影光刻设备打破国外光刻装备“卡脖子”现状，产生较好的社会、经济效益。中国科学院物理研究所 副主任工程师 张忠山2016于苏州大学获博士学位，2016年-2018年中国科学院声学研究所博士后，现任中国科学院物理研究所副主任工程师，负责综合极端条件实验装置微纳加工平台运行 。发表文章14篇，授权专利15项。2018年入选中国科学院物理研究所“引进国外杰出人才”计划中的“关键技术人才”。正在主持国家自然科学基金项目一项，负责科学院仪器设备功能开发技术创新项目一项；除此之外，参与多项国家重大项目。

p 刻蚀是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是半导体制造中重要的一环，其中尤以等离子体刻蚀重要。/pp 根据Gartner 估算，刻蚀设备占整体建厂设备投资的 15%左右，其中介质刻蚀和硅刻蚀设备分别能占到其中的45%以上，金属刻蚀大概占到3-4%。2018-2020年国内晶圆厂建设对应的刻蚀设备市场空间分别为150、150、160 亿元，而其中介质刻蚀设备市场需求分别为74、76、80 亿元，硅刻蚀设备市场需求分别为71、73、77 亿元，金属刻蚀设备需求分别为4.5、5、5 亿元。/pp 随着近些年半导体行业的火热，对刻蚀的研究更是成为了各大相关科研院所的一个研究热点，带动了相关刻蚀设备的采购，近日国内科研院更是接连发布数条刻蚀设备的招标公告。/pp其中，40%招标公告明确要求采购国产等离子体刻蚀机。/pp以下为本周以来的相关招标公告，/ph3一、《中国科学院微电子研究所感应耦合等离子体刻蚀机采购项目公开招标公告》/h3p 项目概况：/pp 中国科学院微电子研究所感应耦合等离子体刻蚀机采购项目 招标项目的潜在投标人应在www.o-science.com获取招标文件，并于2020年09月01日 14点30分（北京时间）/pp前递交投标文件。/pp 项目编号：OITC-G200290831/pp 项目名称：中国科学院微电子研究所感应耦合等离子体刻蚀机采购项目/pp 预算金额：200.0 万元（人民币）/pp 最高限价（如有）：200.0 万元（人民币）/pp 采购需求：/ppbr//ppimg style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202008/uepic/d5d2bebd-0c45-4353-81be-b55bfb616c41.jpg" title="1.png" alt="1.png"/ br//ppbr//ph3二、《南开大学材料科学与工程学院介质和磁性材料感应耦合等离子体刻蚀机采购项目公开招标公告》/h3p 项目概况：/pp 南开大学材料科学与工程学院介质和磁性材料感应耦合等离子体刻蚀机采购项目 招标项目的潜在投标人应在公允（天津）招标代理有限公司天津市南开区红旗南路仁爱濠景国际大厦A座6层601室）获取招标文件，并于2020年08月27日 09点30分（北京时间）前递交投标文件。/pp 项目编号：NK2020S040N/pp 项目名称：南开大学材料科学与工程学院介质和磁性材料感应耦合等离子体刻蚀机采购项目/pp 预算金额：250.79 万元（人民币）/pp 采购需求：详情请见项目需求书附件/ph3三、《山东大学激光离子束光刻刻蚀系统采购公开招标公告》/h3p 项目概况：/pp 山东大学激光离子束光刻刻蚀系统采购 招标项目的潜在投标人应在济南市高新区舜华路2000号舜泰广场6号楼2101室获取招标文件，并于2020年09月08日 14点30分（北京时间）前递交投标文件。/pp 项目编号：SDSS20200639-F014/pp 项目名称：山东大学激光离子束光刻刻蚀系统采购/pp 预算金额：500.0 万元（人民币）/pp 最高限价（如有）：500.0 万元（人民币）/pp 采购需求：山东大学采购激光离子束光刻刻蚀系统一套，用于研究开发相关科研工作。故拟采购一套激光离子束光刻刻蚀系统。（详见公告附件）/ph3四、《西北师范大学物理与电子工程学院基础与应用研究平台建设项目公开招标公告》/h3p 西北师范大学招标项目的潜在投标人应在甘肃省公共资源交易网（http://ggzyjy.gansu.gov.cn/）获取招标文件，并于2020-09-04 11:00:00（北京时间）前递交投标文件。/pp 项目编号：GSJY-ZC2020141/pp 项目名称：西北师范大学物理与电子工程学院基础与应用研究平台建设项目/pp 预算金额：194.23(万元)/pp 最高限价：194.23(万元)/pp 采购需求：双通道系统数字源表(进口产品已论证) 1套、加热型磁力搅拌器 1台、手套箱 1台、压力可控型电动纽扣电池封装机 1台、控温磁力搅拌器 1台、span style="color: rgb(255, 0, 0) "strong等离子刻蚀机(进口产品已论证) 1套/strong/span、电子防潮箱 1台、等离子体清洗机 1套、视频接触角张力测量仪 1套、实验室纯水机 1 台、鼓风干燥箱 1台、手套箱配套机械泵 1套、正入射软X射线谱仪 1套、激光诱导击穿光谱-拉曼联用谱仪 1套、双模式双恒电位仪(进口产品已论证) 1套、高精度分析天平 1台、旋转环盘电极(进口产品已论证) 1套、金属空气电池测试系统(进口产品已论证) 1套/ph3五、《北京工业大学20内涵发展定额-教育部B类重点实验室建设经费项目（第2包）招标公告》/h3p 项目概况：/pp 北京工业大学20内涵发展定额-教育部B类重点实验室建设经费项目（第2包）招标项目的潜在投标人应在北京市东城区朝内大街南竹杆胡同6号北京INN3号楼9层获取招标文件，并于2020年09月02日09点30分（北京时间）前递交投标文件。/pp 项目编号：BJJQ-2020-712-01、02、03/pp 项目名称：北京工业大学20内涵发展定额-教育部B类重点实验室建设经费项目（第2包）/pp 预算金额：人民币325万元/pp 第2包分包预算金额：人民币111.00万元/pp 采购需求：等离子体化学气相沉积台1套、strongspan style="color: rgb(255, 0, 0) "高密度等离子刻蚀系统1套/span/strong，不允许采购进口产品/pp 随着我国对半导体行业的大力支持，大量科研院所开始采购相关设备，半导体行业的生产检测等仪器设备前景广阔。/p

1月28日，泛林集团 发布了专为其最智能化的刻蚀平台Sense.i™ 所设计的最新介电质刻蚀技术Vantex™ 。基于泛林集团在刻蚀领域的领导地位，这一开创性的设计将为目前和下一代NAND和DRAM存储设备提供更高的性能和更大的可延展性。3D存储设备通常被应用于例如智能手机、显卡和固态存储驱动等。芯片制造商们一直以来都在通过纵向增加设备尺寸和横向减少关键尺寸(CD)持续降低先进技术产品的位成本，将3D NAND和DRAM中的刻蚀深宽比提升至更高水平。Vantex的全新腔室设计能够以更高的射频(RF)功率刻蚀更高深宽比的器件，提升产能，降低成本。更高的功率和射频脉冲技术的结合可以实现严苛的CD控制，从而改进器件功能。根据3D NAND设备的技术路线图，每一代刻蚀都需要实现更大的深度，这也推动了提升刻蚀轮廓均匀性的需求。Vantex技术控制了刻蚀的垂直角度，以满足这些3D器件结构设计密度要求，并在整个300mm晶圆上实现高良率。“10多年来，泛林集团一直在高深宽比刻蚀领域保持行业领先，我们所独有的经验使Vantex的腔室设计从一开始就能够为未来的许多技术节点提供可延展性和创新性。” 泛林集团高级副总裁、刻蚀产品事业部总经理Vahid Vahedi表示，“Vantex重新定义了刻蚀平台性能和生产效率的行业标杆，这一突破性的刻蚀技术对于客户来说非常有吸引力。”泛林集团Sense.i刻蚀平台具有Equipment Intelligence（设备智能）功能，可以从数百个传感器收集数据，监测系统和工艺性能。借助Sense.i系统的高带宽通信，Vantex刻蚀腔室在每个晶圆中采集的数据多于市场上其他任何设备——它能够更有效地分析和利用数据，以提高晶圆上和晶圆间的性能。泛林集团将持续向存储器行业的领军客户提供Sense.i平台上的Vantex以期获得客户认可和重复订单，助力客户在2021年实现高量产。

近日，北京经开区企业北方华创科技集团股份有限公司（以下简称“北方华创”）正式发布应用于晶边刻蚀（Bevel Etch）工艺的12英寸等离子体刻蚀机Accura BE，实现国产晶边干法刻蚀设备“零”的突破，为我国先进芯片制造量身打造良率提升高效解决方案。　　何谓晶边刻蚀机？在器件制造过程中，由于薄膜沉积、光刻、刻蚀和化学机械抛光等工艺步骤的大幅增长，在晶圆的边缘造成了不可避免的副产物及残留物堆积，这些晶边沉积的副产物及残留物骤增导致的缺陷风险成为产品良率的严重威胁，因此，越来越多逻辑及存储芯片等领域制造商开始重点关注12英寸晶圆的边缘1mm区域，从晶圆的边缘位置着手提高芯片良率。晶边刻蚀机作为业界提升良率的有力保障，其重要性日益凸显。　　“Accura BE作为首台国产12英寸晶边刻蚀设备，其技术性能已达业界主流水平。”北方华创相关负责人表示，Accura BE通过软件系统调度优化与特有传输平台的结合，可助力客户实现较高的产能；通过选择搭配多种刻蚀气体，实现对PR（光刻胶），OX（氧化物），SiN（氮化硅），Carbon（碳），Metal（金属）等多类膜层材料的晶边刻蚀工艺全覆盖；可定制多种尺寸的聚焦环设计组合，实现对等离子体刻蚀区域的精准位置控制，从而为客户提供灵活、全面的良率提升方案；具备软件智能算法，可实施可视化的量化调节，简化维护流程，提高设备生产效率。　　首台！首套！首次！北方华创自2001年创立起就开始组建团队钻研刻蚀技术，从2005年第一台8英寸ICP刻蚀机在客户端上线，到带领国产刻蚀机从零到交付破千，北方华创历经了二十余载自主创新，不断为集成电路装备国产化进程贡献“亦庄智慧”。据了解，基于20余年在刻蚀工艺技术、等离子体控制及多材料刻蚀能力等方面的积累与创新，Accura BE刚发布上市，就已斩获逻辑及存储器领域头部客户多个订单，通过工艺调试，进入量产阶段，其优秀的工艺均匀性、传输稳定性及快速维护的能力赢得行业高度评价。

据德州天衢新区官微消息，近日，山东有研刻蚀设备用硅材料及硅片扩产项目开工仪式正式举行，总投资7.41亿元。据悉，本次开工的刻蚀设备用硅材料及硅片扩产项目是有研半导体硅材料股份公司的上市募投项目。其中，刻蚀设备用硅材料项目总投资3.57亿元，主要生产大尺寸单晶硅部件加工品，为集成电路刻蚀设备所用的硅部件，项目达产后年新增硅材料204吨，年实现营业收入3.9亿元；8英寸硅片扩产项目总投资3.84亿元，产品为集成电路用直径8英寸硅抛光片，全部达产后新增8英寸硅片产品120万片/年的生产能力，年均营业收入2.4亿元。资料显示，山东有研是半导体材料生产龙头企业，目前生产的产品广泛应用于集成电路、功率器件等多个领域，重点满足我国物联网、汽车电子、工业制造、手机摄像头等领域需求。

最近，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室(筹)张广宇研究组与高鸿钧研究组、王恩哥研究组合作，利用自制的远程电感耦合等离子体系统，首次成功实现了石墨烯的可控各向异性刻蚀。这种基于石墨烯的各向异性刻蚀技术是我国科学家在该研究领域中独具特色的工作，相关结果发表在【Advanced Materials (2010)】，并得到了审稿人的高度评价。　　石墨烯(graphene)，是继富勒烯、碳纳米管之后被科学家们发现的又一种新的碳元素结构形态。作为一种室温下稳定存在的二维量子体系，石墨烯打破了凝聚态物理的理论，推翻了人们以前普遍接受的严格的二维晶体无法在有限的温度下存在的科学预言，对凝聚态物理的发展产生了重大的影响。不仅如此，石墨烯表现出来的一系列独特的电学输运特性、光学耦合和其他新奇的物理特性，以及利于剪裁加工的二维特性，使其在分子电子学、微纳米器件、超高速计算机芯片、高转换效率电池、固态气敏传感器、太赫兹学等领域可能有重要的应用前景。　　然而，由于石墨烯的导带与价带之间没有能隙，做成晶体管器件时，很难实现开关特性，而且若要运用于现在普遍使用的逻辑电路，其金属性也是一个巨大的难题。如何在石墨烯中引入能隙，成为人们关注的热点问题，这也为石墨烯的制备提出了新的挑战。一般引入能隙的手段主要有：(1) 利用对称性破缺场或相互作用等使朗道能级发生劈裂，在导带与价带之间引入能隙。这主要通过掺杂、外加电场、化学势场等方式在双层石墨烯中引入对称破缺，实现人工调制能隙。(2) 利用量子限域效应和边缘效应，通过形成石墨烯纳米结构(如 nanoribbons纳米带)引入能隙，通过调节带宽，可以实现对带隙宽度的调节。(3) 利用化学气相沉积法掺杂(如B、N等)产生能隙，通过调节掺杂程度可实现对能隙的调节。(4)利用基底作用诱导(如SiC基底上的外延石墨烯)产生能隙，通过调节基底的作用程度可实现对能隙的调节。此前，张广宇研究组与高鸿钧研究组和陈小龙研究组合作，利用拉曼光谱学的手段，系统地研究了外延石墨烯与碳化硅基底之间的电荷转移机制，为未来这类样品制作电子学器件提供了技术参考依据。相关结果发表在【J. Appl. Phys. 107, 034305, (2010)】。　　基于已有的实验结果，大家一致认为这四种方法中最可行、最具应用价值的当属石墨烯的纳米结构。目前，石墨烯纳米结构的制备技术和电学性能的研究都有飞速的发展，但要实现大规模集成石墨烯纳米结构器件的应用，如何利用现有的微纳加工技术获得边缘可控的石墨烯纳米结构是亟待解决的难题。虽然国际上已有少数研究组利用金属粒子催化加氢反应或利用SiO2衬底与石墨烯的选择性反应来实现石墨烯选择性的各向异性刻蚀，但这些方法的刻蚀速率不可控，刻蚀取向不确定，且无法与传统的微纳加工技术兼容，从而无法实现石墨烯纳米结构器件的集成加工。　　张广宇等人此次实现的这种基于氢等离子体的干法刻蚀技术受等离子体强度和样品温度的调控，刻蚀速率可以精确控制在几个nm/min，且不会引入新的缺陷。由于石墨烯特殊的六角对称性，这种方法可以得到近原子级规则的Zigzag边缘结构。他们还利用这种干法刻蚀技术结合电子束光刻技术首次实现了对石墨烯纳米结构的精确加工和剪裁。这种技术的优势在于可以对石墨烯结构进行原子级尺度加工和对于石墨烯质量的保持性。这种可以沿固定晶向，得到固定的边缘结构的加工剪裁石墨烯的技术是传统技术所无法实现的，为未来大规模精确控制、加工具有确定晶向和边缘结构的石墨烯纳米结构奠定了技术基础。　　这项工作得到了中科院“百人计划”、国家自然科学基金和“973”项目的支持。　　 　　图1新鲜解理的石墨(a)表面光滑台阶清晰可见，不同功率。(b)50W和(c)100W氢等离子体刻蚀过的石墨表面，显示出了形状规则的正六边形孔。(d)刻蚀速率随温度的变化关系。(e)刻蚀速率随时间的变化关系，证明刻蚀速率可精确稳定的控制在几纳米/分钟。　　 　　图2 同样的各向异性刻蚀效应在机械剥离的石墨烯中也如此。氢等离子体刻蚀过的单层(a)、两层(b)及多层(c)石墨烯，正六边形孔洞清晰的形成于缺陷处。(d)单层及两层石墨烯刻蚀速率随温度的变化关系。(e)拉曼光谱表征，几乎看不到代表缺陷态的拉曼D峰，证明石墨烯的晶体质量并没有被温和的氢等离子体破坏。　　 　　图3 氢等离子体刻蚀出的单层正六边形孔洞边缘的扫描隧道显微镜成像(a)恒流模式高度像，(b)原子分辨像，(c)二维傅里叶变换图，显示出刻蚀得到的近原子级规则的边缘与zigzag取向2-1-10平行，且在边缘处观察到了驻波。(d)对应的结构示意图。　　 　　图4 利用电子束曝光与各向异性刻蚀方法相结合制备具有特定取向的sub-20nm石墨烯纳米带的流程图(a)。具体过程如图(b)电子束曝光和氧等离子体刻蚀得到的起始宽度为120nm的石墨烯条带，经过氢等离子体各向异性刻蚀之后细化到sub-20nm的石墨烯纳米带如图(c)。(d)石墨烯纳米带场效应晶体管器件的结构示意图，石墨烯为接触电极，(e)不同宽度的石墨烯纳米带的器件，(f)对应的转移特性曲线，证明8nm宽的石墨烯纳米带能在室温下实现2个数量级的开关比。

p近期，国产刻蚀机取得新的突破。北方华创近日宣布，公司ICP刻蚀机1000腔已经顺利交付。/pp北方华创自2001年成立后便开始组建团队研发刻蚀技术，并于2004年第一台设备成功起辉，2005年第一台8英寸ICP刻蚀机在客户端上线，并于2007年获得国家科学技术进步二等奖。/pp目前，北方华创的刻蚀设备已覆盖集成电路、LED、先进封装、功率半导体、MEMS、化合物半导体、硅基微显等多个领域。/pp其中，12英寸ICP刻蚀机在实现客户端28nm国产化替代的同时，在14/7nm SADP/SAQP、先进存储器、3D TSV等工艺应用中也发挥着重要作用。/pp北方华创表示，lCP刻蚀机交付突破1000腔，不仅是公司发展征程中的重要里程碑，更是国产刻蚀机在历经了二十载自主创新，得到客户广泛认可的重要标志。/p

据微讯广丰消息，6月19日，半导体刻蚀设备生产项目签约仪式举行。半导体刻蚀设备生产项目由昆山基侑电子科技有限公司（以下简称“基侑电子”）投资，总投资10亿元，位于上饶高新区霞峰电子信息产业园，用地面积约30亩，主要生产晶圆刻蚀机、清洗机等设备。项目达产达标后，预计年产值可达15亿元人民币。资料显示，基侑电子成立于2011年，是一家以生产半导体湿法蚀刻清洗相关设备的企业。

近日，光驰半导体技术（上海）有限公司投资建设的原子层镀膜与刻蚀设备项目顺利完成竣工验收。宝山高新区消息显示，原子层镀膜与刻蚀设备项目位于宝山高新区07-17地块，总投资5.48亿元，占地面积50亩，总建筑面积6.44万㎡，其中一期建筑面积约3.8万㎡，涵盖标准厂房、研发办公楼等。项目主要致力新型电子元器件及设备制造，利用全球泛半导体产业链的调整与相关前沿研发的投入与技术整合，实现电子专用设备制造产业化、规模化。光驰半导体技术（上海）有限公司，作为光驰科技（上海）有限公司全资子公司。光驰科技自2000年入驻宝山高新区南部园区。2022年，光驰科技将传统光学与半导体技术融合，于北部园区投资设立光驰半导体，进一步提升制造空间与产能，开辟光学元器件向半导体集成光学转变的新市场。项目预计达产后年产能将达到高精度原子层镀膜机120台和5台刻蚀机。2023年4月10日，光驰半导体技术（上海）有限公司半导体原子层镀膜与刻蚀镀膜项目一期正式封顶。

据“诺延资本 NY Capital”公众号报道，近日，上海微芸半导体科技有限公司（下称：微芸半导体）完成数千万元A轮融资，由诺延资本领投，临芯资本跟投。本轮融资将用于技术研发、设备及原材料采购、核心团队的搭建等。据公开资料显示，微芸半导体成立于2021年7月，是一家半导体设备制造商，专注于6寸、8寸的半导体刻蚀设备制造，应用于化合物半导体、mems、功率器件等领域，主营业务为半导体等离子设备的研发、生产及销售。

自美国提出终断该国企业与华为多年的芯片供应以来，研制中国自己的国产芯片提上了我国的发展日程，也是当前中国市场最为紧迫的一项技术，关于芯片技术发展的讨论不仅在专业领域盛行，也成为了普通民众议论的焦点所在。而芯片的制造离不开刻蚀设备，其中等离子体刻蚀机更是先进制程中必不可少的设备，是重中之重。2021年是“十四五”开局之年，中国政府也推出了一系列激励政策来鼓励半导体产业发展，明确了半导体产业在产业升级中的重要地位，同时全球自2020年爆发的“芯片荒”在全球范围内愈演愈烈，却迟迟得不到缓解，各行各业都受到了一定的影响，受此影响包括仪器产业、新能源产业等在内的诸多产业都面临产品涨价、缺货的危机。危中有机，全球半导体行业的巨震却是中国半导体产业的发展契机。通过分析海关等离子体刻蚀机的进口情况，可以从一个侧面反映出中国等离子体刻蚀机市场的一些情况，进而了解到中国半导体产业的一些情况。为了解过去2021年中等离子体刻蚀机的进出口情况，仪器信息网特别对2021年1-10月，等离子体干法刻蚀机（商品编码84862041）进口数据进行了分析汇总，为大家了解中国目前等离子体刻蚀机市场做一个参考。2021年1-10月进口等离子体刻蚀机贸易伙伴变化（人民币/万元）贸易伙伴进口额（元）进口数量（台）均价（元/台）美国777014343651615058418日本621252727637416611035韩国328231684432710037666中国台湾18771365038921091421新加坡181269896211316041584马来西亚17790801177723104937英国544211135786977066德国203676120414967710中国1296367043240918荷兰632916423164582法国415082322075412波兰643071643072021年1-10月各贸易伙伴进口总额（人民币/元）2021年1-10月，中国进口等离子体干法刻蚀机总额约235亿元，总台数达1624台，其中美国进口金额最多约78亿元，台数达516台，占比高达33%，日本进口金额紧随其后约62亿元，374台，占比达26%。可以看出，目前等离子体刻蚀机主要来自于美国和日本，进口均价都超1500万元/台，此类等离子体刻蚀机以高端产品为主，主要用于生产。值得注意的是，波兰进口的一台等离子体刻蚀机仅6万多元，此设备可能是用于科研领域的低端产品或配件。从此前统计的【2020年等离子体刻蚀机海关进出口数据盘点】可以看出，2020年1-12月，我国共进口等离子体刻蚀机1276台，进口额约为170亿元，而今年仅前十个月就已超去年全年的进口额。这表明，今年我国晶圆代工厂的建设热度不减，这也和如今的半导体投资热、芯片荒有关。2021年1-10月等离子体干法刻蚀机进口数据（人民币/万元）从进口额的时间变化趋势可以看出，等离子体刻蚀机进口额在4-6月出现了一个高峰，进口额连续大幅度增长，而在七月份却断崖式下跌，直到回归正常水平。这一变化可能和疫情有关，在夏季全球疫情由于气温上升得到缓解，海关进口更畅通，而春秋季节气温较低，全球疫情出现反复。另一个可能的原因是海运费用暴涨导致六月以后进口额降低。2021年1-10月等离子体刻蚀机各注册地进口数据变化（单位/万元）2021年1-10月等离子体干法刻蚀机注册地进口额分布那么这些等离子体刻蚀机主要销往何处？通过对进口数据的注册地进行分析发现，陕西省、上海市和湖北省的进口额最多，分别为54亿元、43亿元和41亿元。等离子体刻蚀机主要应用于集成电路生产中，这表明这些地区在新建或改造集成电路生产线上投入较大，对等离子体刻蚀机的需求也在激增。我国在1-10月从韩国进口等离子体刻蚀机总额约33亿元，其中注册地为陕西省的进口额约19亿元，占比约59%。这表明，陕西省等离子体刻蚀机的进口可能和三星等韩国企业在西安的半导体生产线有关。

通过激光刻蚀去除所需位点外围的大部分材料，再通过FIB切割和抛光得到横截面，两种技术相结合最终实现了超大尺寸样品处理所需的速度和精度。而这种组合方式的最新阶段是采用激光刻蚀和PFIB刻蚀实现协同处理，进一步提高分析通量、效率和灵活性。激光集成到FIB室中 VS 独立的激光刻蚀和PFIB协同处理 效率提高至少2,000倍 激光刻蚀提供的最大铣削速率比镓源FIB快约100,000倍，比PFIB快约2,000倍，同时仍保持针对特定位点的足够铣削精度。将激光刻蚀（初始切削材料）与PFIB（最终切割和抛光）相结合可以将制备大尺寸横截面所需的总时间减少95%，在某些情况下甚至更多。如图1显示了镓源FIB、PFIB和激光刻蚀的光斑大小与材料去除率之间的关系。相邻表格提供了这3种技术在最大铣削和最终抛光束流条件下材料去除率的数值比较。如图1：（左）所示，镓源FIB、PFIB和激光刻蚀占据不同的区域，其特点是光斑尺寸（光束直径）和材料去除率之间的制衡。一般来说，较高的束流或束流强度会更快地去除材料，但精度较低。表格(右)比较了材料在三种技术下最大束流和典型抛光条件下的束流(或激光的离子束等效电流)和材料去除率关系。此外，还显示了镓源FIB与激光刻蚀、PFIB与激光刻蚀的去除率之比。将激光集成到FIB室中后，系统一次只能使用一个功能，而其他功能处于空闲状态。TESCANT提供一种最新方式来实施集成显微镜技术，通过独立的激光刻蚀（microPrep PRO、3D-Micromac AG）和PFIB(TESCAN Solaris X)系统提供并行处理。两个系统都不会因为另一个系统的运行而空闲。激光刻蚀系统可以为多个联用工具准备样品，无论联用是多个FIB 还是各种其他故障分析仪器，最终结果都是增加了分析通量和产率，并降低了每次分析的成本。激光刻蚀系统提供约10微米的铣削精度(束斑尺寸)和约3微米的光束定位精度（以厘米为移动范围），使其快速准确地去除立方毫米的材料。基于电路设计的CAD数据或各种FA工具的2D图像叠加的相关对准技术有助于在两个系统中以高精度找到感兴趣区。● 独立系统中的协同处理优点 ●1, 超短激光脉冲最大限度地减少了激光引起热影响区，从而减少了必须通过PFIB中的最终抛光去除的材料量。2. 单独在激光刻蚀系统中切削材料可避免PFIB仓内污染的风险，其中污染物会干扰仪器本身和分析结果。3. 样品同时可以在各种气体环境中通过激光进行处理，并且可以使用解决方案来允许系统之间的转移，而不会暴露在周围环境中。4. 激光刻蚀工具上的平台提供具有六个自由度的精确自动化运动，使其能够在需要时铣削复杂的图案。5. 在激光刻蚀过程中倾斜样品的能力对于补偿由光束能量的高斯强度分布引起的锥度特别有益。尽管它可以使用FIB抛光消除，但在激光刻蚀操作期间避免它可以大大减少FIB抛光所需的时间。6. 消除锥度对于半导体样品中准确对齐堆叠重复结构的横截面（例如TSV、锡焊球等）工艺至关重要。PFIB系统针对高深度大尺寸铣削进行了优化，它提供高达3µA的束流，每秒可去除多达1,400µm3的材料。用于最终抛光的较低离子束电流(300nA)仍可去除高达141µm3/s，即使在具有挑战性的样品上也能提供原始横截面。最具挑战性的样品是那些需要不同切削速率的硬质和软质复合材料的样品。容易产生独特的垂直形貌，描述性地称为“窗帘”。从而引起的窗帘伪影可能会掩盖后续成像中的关键细节。在切削操作过程中，我们可以通过小角度反复摇摆样品减少窗帘伪影。角度的轻微变化使离子束能够更好地进入材料下方较硬的屏蔽区域，并平滑铣削过程。对于束流/铣削速率较高的FIB，窗帘效应可能是一个挑战，就像大通量工作流程中高速铣削所需的那些一样。对于该问题，PFIB系统配置的摆动台提供了一种自动摆动模式，可以予以解决在某些材料中，包括碳化硅、聚酰亚胺、玻璃等，产生的另一种伪影-呈阶梯式。阶梯一旦出现，就会自我强化，很难移除。我们用一种创新的解决方案(True x-section，用户指导程序)来消除了阶梯效应，比大面积FIB沉积速度快得多：允许操作人员在要切片的区域放置一个小的保护硬面罩。案例图2至图6显示了使用激光刻蚀和PFIB来曝光电路元件以进行成像和分析的示例。每个示例都包括每次操作所花费的时间以及相对于单独使用PFIB制备样品所节省的总时间。图2：先进芯片集成中间的图像显示了一个超大的横截面，宽几百微米，深几百微米，穿过集成电路和连接到插入器的焊锡球和触点。左边和右边的图像显示了该截面的细节，左边是IC的放大倍数更高的图像，右边是锡球和接触垫之间的空隙。横切过程在激光刻蚀仪器中耗时10分钟，在PFIB中耗时90分钟，与单独使用PFIB相比节省了70%的时间。图3：锥度校正（右）显示了在高带宽存储器(HBM)器件中硅穿孔(TSV)堆栈的数百微米深和宽的横截面，它说明了系统切割贯通每个TSV中心的精确垂直横截面的能力。在激光刻蚀过程中倾斜样品以补偿锥角对于减少最终PFIB铣削操作要去除的材料量至关重要，从而减少横截面所需的总时间。横截面在激光刻蚀仪器中耗时10分钟，在PFIB中耗时120分钟，与单独的PFIB相比，节省了80%的时间。图4：FIB层析成像的激光刻蚀准备FIB的层析成像通过FIB逐层切片的方式，从捕获的一系列图像中重建了样本体积的3D模型。准备工作首先使用激光刻蚀从一个立方体/矩形体的三面去除材料，如“俯视图”(左)所示。在此视图中，最终将与FIB连续剖切的面位于立方体形状的底部。在“正视图”（中间）中，样品已旋转90°以显示横截面。插图（右）放大了横截面的一个区域以显示其切削质量。使用激光烧蚀制备样品需要10分钟，与PFIB 相比节省了70%的时间。图5: 有机发光二极管面板手机和其他移动设备的显示器含有关键的微结构，在样品制备过程中容易被机械应力损坏。这种精致的样品需要一种特殊的处理方法:在PFIB进行最后切削和抛光之前，在边缘的一个几毫米长的区域被有意地用激光削尖。左上方的第3张图像显示了激光刻蚀切口。下图显示了经过PFIB切削和抛光后长约0.5mm截面(PFIB可以切割和抛光长达1mm的截面)。最右边的顶部图像显示了最终横截面的更高倍放大图。横切面在激光刻蚀中花费了74分钟，在PFIB中花费了165分钟，与单独PFIB相比节省了95%的时间。图6： 微机电系统MEMS设备对样品制备过程中的机械损伤特别敏感。在这个例子中，激光刻蚀被用来打开一个窗口，进入封装的 MEMS 设备进行检查和分析。 节省的时间从70%到95%以上 激光刻蚀功能嵌入FIB系统的系统本质上是低效的，因为一次只能使用一种功能。该技术的最新迭代在独立的激光刻蚀和PFIB中实现并行处理，通过允许同时在两种工具中进行处理来提高通量和产率。这些工具通过相关的图像对齐程序和CAD叠加导航进行集成。在并行配置中，单个激光刻蚀系统可以供给多个FIB和其它FA工具。这种方法具有消除污染FIB系统的风险的优势，其中污染物会干扰成像和分析或损坏系统。我们展示了几个大的、高质量的横截面示例，并计算出与单独使用PFIB制备相比节省的时间，所示示例中节省的时间从70%到95%以上。

p style="box-sizing: inherit margin-top: 34px margin-bottom: 34px padding: 0px text-align: justify color: rgb(64, 64, 64) font-family: Arial, " Hiragino Sans GB" , STHeiti, " Helvetica Neue" , Helvetica, " Microsoft Yahei" , " WenQuanYi Micro Hei" , sans-serif font-size: 18px white-space: normal text-indent: 2em "近年来，随着国内芯片制造行业的兴起，中国大陆半导体设备需求市场快速增加。由于美国对中国半导体企业的进一步封锁，国内企业如中芯国际、长江存储等在今年加大了对半导体设备（尤其是海外厂商）的采购，亚化咨询预计，2020年中国大陆半导体设备市场将突破160亿美元，刻蚀设备市场将达到25亿美元。/pp style="box-sizing: inherit margin-top: 34px margin-bottom: 34px padding: 0px text-align: justify color: rgb(64, 64, 64) font-family: Arial, " Hiragino Sans GB" , STHeiti, " Helvetica Neue" , Helvetica, " Microsoft Yahei" , " WenQuanYi Micro Hei" , sans-serif font-size: 18px white-space: normal text-indent: 2em "在中国大陆刻蚀设备市场不断扩大的同时，另外一个数字也在悄悄地提升——那就是刻蚀机的国产化率。/pp style="box-sizing: inherit margin-top: 34px margin-bottom: 34px padding: 0px text-align: justify color: rgb(64, 64, 64) font-family: Arial, " Hiragino Sans GB" , STHeiti, " Helvetica Neue" , Helvetica, " Microsoft Yahei" , " WenQuanYi Micro Hei" , sans-serif font-size: 18px white-space: normal text-indent: 2em "以长江存储设备招中标情况，截至2020年12月16日，长江存储共累计招标348台刻蚀设备，其中美国厂商Lam Research占据超过一半的采购量，达187台。而国内厂商中微半导体、北方华创、屹唐半导体分别中标50台、18台、13台，国产化率高达23.85%。/pp class="f_center" style="box-sizing: inherit margin-top: 34px margin-bottom: 0px padding: 0px text-align: center line-height: 20px color: rgb(102, 102, 102) font-family: Arial, " Hiragino Sans GB" , STHeiti, " Helvetica Neue" , Helvetica, " Microsoft Yahei" , " WenQuanYi Micro Hei" , sans-serif white-space: normal "　　img src="https://nimg.ws.126.net/?url=http%3A%2F%2Fdingyue.ws.126.net%2F2020%2F1217%2F5237abc5p00qlgx1c000nd200fg00ctg00fd00cq.png&thumbnail=650x2147483647&quality=80&type=jpg" style="box-sizing: inherit border: 0px max-width: 100% margin-bottom: 10px "/br style="box-sizing: inherit "//pp style="box-sizing: inherit margin-top: 34px margin-bottom: 34px padding: 0px text-align: justify color: rgb(64, 64, 64) font-family: Arial, " Hiragino Sans GB" , STHeiti, " Helvetica Neue" , Helvetica, " Microsoft Yahei" , " WenQuanYi Micro Hei" , sans-serif font-size: 18px white-space: normal text-indent: 2em "以华虹六厂设备招中标情况为例，截至2020年12月16日，华虹六厂共累计招标81台刻蚀设备，其中Lam Research依旧占据超过一半的采购量，达45台。国内厂商中微半导体、北方华创分别中标15台、1台，国产化率约为19.75%/pp class="f_center" style="box-sizing: inherit margin-top: 34px margin-bottom: 0px padding: 0px text-align: center line-height: 20px color: rgb(102, 102, 102) font-family: Arial, " Hiragino Sans GB" , STHeiti, " Helvetica Neue" , Helvetica, " Microsoft Yahei" , " WenQuanYi Micro Hei" , sans-serif white-space: normal "　　img src="https://nimg.ws.126.net/?url=http%3A%2F%2Fdingyue.ws.126.net%2F2020%2F1217%2Fef06efdap00qlgx1d000kd200fg00ctg00fd00cq.png&thumbnail=650x2147483647&quality=80&type=jpg" style="box-sizing: inherit border: 0px max-width: 100% margin-bottom: 10px "/br style="box-sizing: inherit "//pp style="box-sizing: inherit margin-top: 34px margin-bottom: 34px padding: 0px text-align: justify color: rgb(64, 64, 64) font-family: Arial, " Hiragino Sans GB" , STHeiti, " Helvetica Neue" , Helvetica, " Microsoft Yahei" , " WenQuanYi Micro Hei" , sans-serif font-size: 18px white-space: normal text-indent: 2em "由于存储芯片的生产需求的设备量较大，亚化咨询还研究了长江存储单年的国产刻蚀机采购占比变化趋势。亚化咨询研究数据显示，2018、2019年长江存储采购的国产刻蚀机占比迅速提升，预计2020年约为30%左右，2023年将突破40%。/pp class="f_center" style="box-sizing: inherit margin-top: 34px margin-bottom: 0px padding: 0px text-align: center line-height: 20px color: rgb(102, 102, 102) font-family: Arial, " Hiragino Sans GB" , STHeiti, " Helvetica Neue" , Helvetica, " Microsoft Yahei" , " WenQuanYi Micro Hei" , sans-serif white-space: normal "　　img src="https://nimg.ws.126.net/?url=http%3A%2F%2Fdingyue.ws.126.net%2F2020%2F1217%2Fa04f0f4ep00qlgx1d000hd200fg009hg00fd009f.png&thumbnail=650x2147483647&quality=80&type=jpg" style="box-sizing: inherit border: 0px max-width: 100% margin-bottom: 10px "//p

6月8日，上交所正式受理了江苏先锋精密科技股份有限公司（公司简称：先锋精科）科创板上市申请。国产刻蚀设备关键零部件供应商据招股书披露，先锋精科是国内半导体刻蚀和薄膜沉积设备细分领域关键零部件的精密制造专家，尤其在国际公认的技术难度仅次于光刻设备的刻蚀设备领域，公司是国内少数已量产供应7nm及以下国产刻蚀设备关键零部件的供应商，直接与国际厂商竞争。在聚焦半导体领域的同时，公司充分发挥精密零部件技术的扎实基础及创新能力优势，积极在光伏、医疗等其他领域探索和开发新产品。经过逾15年的技术积累和产品工艺自主研发，公司建立了精密机械制造技术、表面处理技术、焊接技术、高端器件的设计及开发技术和定制化工装开发技术等五大核心技术平台，在日趋严苛的应用条件下，通过生产实践不断实现工艺能力的迭代进化，持续满足先进装备更新迭代的工艺需求，致力于成为全球有竞争力的精密制造企业。在掌握的核心技术平台基础上，公司紧贴客户需求，将跨学科知识、多实验工艺方法、多方产业链资源加以整合，形成了关键工艺部件、工艺部件和结构部件三大类主要产品，重点应用于刻蚀设备和薄膜沉积设备等半导体核心设备中。在刻蚀领域，公司主要提供以反应腔室、内衬为主的系列核心配套件；在薄膜沉积领域，公司主要提供加热器、匀气盘等核心零部件及配套产品。零部件是半导体设备国产化的重要载体，公司凭借产品专精的特点在国内本土半导体设备厂商国产化浪潮中占据重要地位，并在刻蚀和薄膜沉积设备的关键零部件上实现了国产化的自主可控。公司自设立时起即与中国装备龙头企业北方华创和中微公司开展密切合作，作为核心零部件的重要供应商协助客户诸多设备经历了研发、定型、量产和迭代至先进制程的完整历程。除北方华创和中微公司外，公司还与拓荆科技、华海清科、中芯国际、屹唐股份等其他行业头部设备客户和终端晶圆制造客户建立了长期稳定的战略合作关系。未来，公司将充分利用国产化浪潮机会，继续坚持面向经济主战场、面向国家重大需求、优先服务国内本土半导体设备企业的战略方针，深耕半导体产业链“卡脖子”领域，筑牢国产半导体设备供应链安全基础，积极推动国内大循环。拟募资7亿元加码主业2020年至2022年，先锋精科的营业收入分别为20,154.52万元、42,364.79万元和46,971.82万元；同期净利润分别为-3,844.93万元、10,518.74万元和10,479.03万元；扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润分别为2,574.00万元、8,362.26万元和9,895.25万元。先锋精科表示，公司收入、利润快速增长主要受到国内半导体行业景气度上升、公司产品竞争力的持续提升以及市场开拓不断取得成效的影响。先锋精科本次IPO拟募资7亿元，投向靖江精密装配零部件制造基地扩容升级项目、无锡先研设备模组生产与装配基地项目、无锡先研精密制造技术研发中心项目及补充流动资金。先锋精科表示，本次发行募集资金拟投资的“靖江精密装配零部件制造基地扩容升级项目”“无锡先研设备模组生产与装配基地项目”“无锡先研精密制造技术研发中心项目”均围绕公司主营业务开展。公司已经建立较完整的工艺研发体系和生产制度，掌握了精密机械制造技术、表面处理技术、焊接技术、高端器件的设计及开发技术和定制化工装开发技术等半导体设备精密零部件的关键制造工艺和装备自主研制能力。本次募集资金投资项目通过扩大现有产品产能、探索新业务领域和加强研发投入，将进一步提高产品科技含量，提升柔性化生产能力，满足下游市场需求，提高公司盈利能力。关于未来的发展战略，先锋精科指出，作为全球为数不多产品已经通过直接客户进入到先进制程晶圆制造产线的中国半导体设备精密零部件制造商，公司未来将继续坚持面向经济主战场、面向国家重大需求，优先服务国内本土半导体设备企业的战略方针，持续加大技术研发投入，提升工艺水平和产品性能，在深耕成熟制程半导体设备精密零部件业务的同时，扩大先进制程的半导体设备精密零部件品类；同时，在现有产品种类的基础上，进一步向模组装配产品、医疗装备、光伏装备零部件等领域拓展，促进公司向复杂模块供应商和零部件综合供应商转变，为公司未来发展创造更大空间和新的利润增长点。

自美国提出终断该国企业与华为多年的芯片供应以来，研制中国自己的国产芯片提上了我国的发展日程，也是当前中国市场最为紧迫的一项技术，关于芯片技术发展的讨论不仅在专业领域盛行，也成为了普通民众议论的焦点所在。而芯片的制造离不开半导体设备，其中刻蚀设备是其中的重中之重。据了解，目前我国已经突破了刻蚀设备的技术难关，其中中微公司的5nm刻蚀设备已成功销往海外，更是进入台积电的生产线。如今最先进的芯片制造主要使用干法刻蚀技术即等离子体刻蚀技术，相对于湿法刻蚀，具有更好的各向异性，工艺重复性，且能降低晶圆污染几率，因此成为了亚微米下制备半导体器件最主要的刻蚀方法。伴随着国际半导体行业的产能危机，国内等离子体刻蚀机需求或将爆发。通过分析海关等离子体刻蚀机的进口情况，可以从一个侧面反映出中国等离子体刻蚀机市场的一些情况。2020年是特殊的一年，新冠肺炎疫情在全球爆发，各行各业都受到了一定的影响，包括半导体产业。为了解过去近两年中等离子体刻蚀机的进出口情况，仪器信息网特别对2019、2020年1-12月，等离子体刻蚀机（商品编码84862041）进出口数据进行了分析汇总，为大家了解中国目前等离子体刻蚀机市场做一个参考。2019、2020年1-12月海关等离子体刻蚀机进出口数据统计统计年月进口量（台）进口金额（人民币：元）出口量（台）出口金额（人民币：元）2019年1-12月109712,685,798,98279353,896,8762020年1-12月127616,949,614,747122577,419,680从上表可以看到，2020年1-12月，我国共进口等离子体刻蚀机1276台，进口额约为170亿元，进口单价约为1328万元。而2019年同期，等离子体刻蚀机进口1097台，进口额约为127亿元，进口单价约为1156.4万元。与去年同期相比，2020年1-12月我国等离子体刻蚀机进口台数增加约16.3%，进口额增加约33.6%，进口单价提高约15%。从整体来看，2020年进口等离子体刻蚀机市场增长非常明显，同时进口单价也略有提高。而从出口情况来看，2020年1-12月，我国共出口等离子体刻蚀机122台，出口额约为5.8亿元，出口单价约为473万元。而2019年同期，等离子体刻蚀机出口79台，出口额约为3.54亿元，出口单价约为448万元。总体而言，我国等离子体刻蚀机出口量仍然很少，但2020年比上年同期出口金额明显增加约63%，出口数量增加约54%，出口单价也略有提高。2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机进口量逐月数据图（单位：台）对2020年1-12月等离子体刻蚀机进口量逐月数据分析发现，并对比2019年同期数据可以明显看出，2020年等离子体刻蚀机进口数量明显有所增加，且逐月变化较为明显，其中2020年1月受国内新冠肺炎疫情影响，等离子体刻蚀机进口数量较去年有所下降，而则2~4月份迎来“报复性”增长，等离子体刻蚀机进口台数比去年同期多大约一半，5~7月每月进口数量与去年有所增长，但增幅有所下降，8月进口数量较去年同期有所下降，可能受国外新冠疫情影响，而9月进口量的大爆发可能是为了弥补8月份进口量不足的部分。10-11月平稳增加，但12月进口量再次下降，这可能来自于特朗普政府将中芯国际列入“实体清单”和冬季疫情反扑的多重影响。2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机进口金额逐月数据图（单位：人民币/亿元）对2020年1-12月等离子体刻蚀机进口金额逐月数据分析发现，并对比2019年同期数据可以明显看出，除12月较去年进口金额有所下降以外，等离子体刻蚀机每月进口金额都较去年同期有所增加，其中，6、7、11月较去年增长幅度较小之外，但其他月份增幅明显。值得注意的是，9月进口额更是达到了去年同期的两倍以上，一个可能的原因是9月份台积电停止为华为代工芯片，华为大量订单转向国内代工厂生产，国内代工厂的扩大产能所导致。2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机主要海关进口贸易伙伴数量（单位：台）2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机主要海关进口贸易伙伴金额（单位：人民币/亿元）2020年1-12月等离子体刻蚀机海关进口贸易伙伴金额分布图根据海关数据，近两年我国主要从美国、日本、新加坡、韩国、中国台湾、马来西亚、英国以及德国等贸易伙伴进口等离子体刻蚀机。其中进口金额最高的前5个贸易伙伴分别是美国、日本、新加坡、韩国和中国台湾。从数据中可以看出，我国等离子体刻蚀机对美日依赖严重。2020年1-12月等离子体刻蚀机进口企业注册地数量分布（单位：台）2020年1-12月等离子体刻蚀机进口企业注册地金额分布（单位：人民币/亿元）通过海关进口等离子体刻蚀机的企业注册地数据，可以大致了解到进口等离子体刻蚀机在国内的“落脚地”。可以看出 ，2020年，江苏、上海、湖北、陕西等省市进口等离子体刻蚀机数量较多，而这些地区也是我国经济较发达，半导体相关行业比较发达的省份和地区。就海关进出口数据来看，等离子体刻蚀机在国内的市场潜力非常巨大，2020年尽管新冠疫情爆发给各行各业造成一定影响，但我国等离子体刻蚀机市场增长依然明显，但由于进口等离子体刻蚀机美日产品占据主流，受到美国贸易战影响较大，国内产线等离子体刻蚀机的“去美化”迫在眉睫。另一方面，由于国内掌握等离子体刻蚀机所涉及的核心零部件、研发人才等仍然相对较少，虽然在介质刻蚀机上的研究已逐渐达到国际先进水平，但难度较大的深硅等离子体刻蚀机的发展距美、日还有一定差距。同时，由于半导体设备企业与晶圆代工厂的工艺深度绑定，也使得等离子体刻蚀机为代表的半导体设备仍依赖进口，受制于人。不过，近年来随着以中微半导体、北方华创等国内等离子体刻蚀机厂商的崛起，国产刻蚀机在一定程度上也能满足部分企业的要求。未来，伴随着中美半导体产业的争夺和全面“去美化”的浪潮，等离子体刻蚀机的国内市场占有率将有望进一步提升。

p9月16日，北京邮电大学发布招标公告，采购国产RIE刻蚀设备。/pblockquote style="border: 0px font-variant-numeric: inherit font-variant-east-asian: inherit font-stretch: inherit line-height: inherit font-family: " Microsoft YaHei" , 微软雅黑, 黑体 vertical-align: baseline margin: 0px padding: 0px quotes: none color: rgb(56, 56, 56) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) "h3 style="border: 0px font: inherit vertical-align: baseline margin: 0px padding: 0px "项目概况/h3北京邮电大学RIE刻蚀设备 招标项目的潜在投标人应在北京市朝阳区东三环南路甲52号顺迈金钻国际商务中心9层9C获取招标文件，并于2020年10月10日 14点00分（北京时间）前递交投标文件。p style="border: 0px font: inherit vertical-align: baseline margin-bottom: 22px padding: 0px "span style="font-family: inherit font-size: inherit font-style: inherit font-variant-ligatures: inherit font-variant-caps: inherit font-weight: bolder "一、项目基本情况/spanbr//p/blockquotep style="border: 0px font-variant-numeric: inherit font-variant-east-asian: inherit font-stretch: inherit line-height: inherit font-family: " Microsoft YaHei" , 微软雅黑, 黑体 vertical-align: baseline margin-bottom: 22px padding: 0px color: rgb(56, 56, 56) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) "项目编号：CFTC-BJ01-2008015/pp style="border: 0px font-variant-numeric: inherit font-variant-east-asian: inherit font-stretch: inherit line-height: inherit font-family: " Microsoft YaHei" , 微软雅黑, 黑体 vertical-align: baseline margin-bottom: 22px padding: 0px color: rgb(56, 56, 56) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) "项目名称：北京邮电大学RIE刻蚀设备/pp style="border: 0px font-variant-numeric: inherit font-variant-east-asian: inherit font-stretch: inherit line-height: inherit font-family: " Microsoft YaHei" , 微软雅黑, 黑体 vertical-align: baseline margin-bottom: 22px padding: 0px color: rgb(56, 56, 56) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) "预算金额：106.6500000 万元（人民币）/pp style="border: 0px font-variant-numeric: inherit font-variant-east-asian: inherit font-stretch: inherit line-height: inherit font-family: " Microsoft YaHei" , 微软雅黑, 黑体 vertical-align: baseline margin-bottom: 22px padding: 0px color: rgb(56, 56, 56) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) "最高限价（如有）：106.6500000 万元（人民币）/pp style="border: 0px font-variant-numeric: inherit font-variant-east-asian: inherit font-stretch: inherit line-height: inherit font-family: " Microsoft YaHei" , 微软雅黑, 黑体 vertical-align: baseline margin-bottom: 22px padding: 0px color: rgb(56, 56, 56) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) "采购需求：/ptable border="1" cellspacing="0" style="border: none font-variant-numeric: inherit font-variant-east-asian: inherit font-stretch: inherit line-height: inherit font-family: " Microsoft YaHei" , 微软雅黑, 黑体 vertical-align: baseline margin: 0px auto padding: 0px border-spacing: 0px color: rgb(56, 56, 56) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) "tbody style="border: 0px font: inherit vertical-align: baseline margin: 0px padding: 0px "tr style="border: 0px font: inherit vertical-align: baseline margin: 0px padding: 0px height: 63px " class="firstRow"td style="font: inherit vertical-align: baseline margin: 0px border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " width="72"p style="text-align:center border: 0px font: inherit vertical-align: baseline margin-top: 5px margin-bottom: 22px "项目名称/p/tdtd style="font: inherit vertical-align: baseline margin: 0px border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " width="122"p style="text-align:center border: 0px font: inherit vertical-align: baseline margin-top: 5px margin-bottom: 22px "用途/p/tdtd style="font: inherit vertical-align: baseline margin: 0px border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " width="53"p style="text-align:center border: 0px font: inherit vertical-align: baseline margin-top: 5px margin-bottom: 22px "数量/p/tdtd style="font: inherit vertical-align: baseline margin: 0px border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " width="201"p style="text-align:center border: 0px font: inherit vertical-align: baseline margin-top: 5px margin-bottom: 22px "简要技术参数或要求span style="font-family: inherit font-size: inherit font-style: inherit font-variant-ligatures: inherit font-variant-caps: inherit font-weight: inherit "描述/span/p/tdtd style="font: inherit vertical-align: baseline margin: 0px border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " width="111"p style="text-align: center border: 0px font: inherit vertical-align: baseline margin-bottom: 22px margin-top: 5px "是否接受span style="font-family: inherit font-size: inherit font-style: inherit font-variant-ligatures: inherit font-variant-caps: inherit font-weight: inherit "进口/span/p/td/trtr style="border: 0px font: inherit vertical-align: baseline margin: 0px padding: 0px height: 189px "td style="font: inherit vertical-align: baseline margin: 0px border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " width="72" height="143"p style="text-align:center border: 0px font-style: inherit font-variant: inherit font-weight: inherit font-stretch: inherit font-size: inherit line-height: 24px font-family: inherit vertical-align: baseline margin-top: 5px margin-bottom: 22px "北京邮电大学RIE刻蚀设备/p/tdtd style="font: inherit vertical-align: baseline margin: 0px border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " width="122" height="143"p style="text-align:center border: 0px font-style: inherit font-variant: inherit font-weight: inherit font-stretch: inherit font-size: inherit line-height: 24px font-family: inherit vertical-align: baseline margin-top: 5px margin-bottom: 22px "对硅材料，氮化硅等介质膜材料，光刻胶等有机材料进行刻蚀/p/tdtd style="font: inherit vertical-align: baseline margin: 0px border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " width="53" height="143"p style="text-align:center border: 0px font-style: inherit font-variant: inherit font-weight: inherit font-stretch: inherit font-size: inherit line-height: 24px font-family: inherit vertical-align: baseline margin-top: 5px margin-bottom: 22px "一批，详见招标文件第四章/p/tdtd style="font: inherit vertical-align: baseline margin: 0px border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " width="201" height="143"p style="border: 0px font-style: inherit font-variant: inherit font-weight: inherit font-stretch: inherit font-size: inherit line-height: 24px font-family: inherit vertical-align: baseline margin-top: 6pt margin-bottom: 6pt "本项目采购的RIE刻蚀设备用于对半导体光电子材料及器件如激光器、垂直腔面发射激光器和超辐射管等芯片的工艺制作以及相关材料的制备、研究与分析，详见招标文件第四章。/p/tdtd style="font: inherit vertical-align: baseline margin: 0px border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " width="111" height="143"p style="text-align:center border: 0px font-style: inherit font-variant: inherit font-weight: inherit font-stretch: inherit font-size: inherit line-height: 24px font-family: inherit vertical-align: baseline margin-top: 6pt margin-bottom: 6pt "否/p/td/tr/tbody/tablepbr//p

作者：朱汉斌 来源：中国科学报华南师范大学物理与电信工程学院研究员徐小志与上海科技大学教授Zhu-Jun Wang、北京大学教授刘开辉、韩国蔚山科学技术学院教授丁峰合作，在低维材料的限域催化研究方面取得重要进展，原位发现了石墨烯在限域空间里的反常刻蚀、再生长行为。相关研究近日发表于Nano Letters。二维限域空间具有原子尺度的间隙、强的物质相互作用和独特的纳米微环境。这种限域空间里往往可以允许常规条件下不能发生的反应，因此，在材料科学和催化等领域具有巨大的潜力。为了进一步探索其在催化领域中的应用，研究和理解二维限域系统中的真实催化行为是极其必要的。然而，到目前为止，对受限催化过程的理解仍然是基于结果反馈的后期分析，缺乏原位可视化研究技术及体系。研究人员采用双层石墨烯与铜基底构成的二维限域系统作为研究模型，原位可视化地研究了其反常的刻蚀与生长行为：一是，被铜和上层石墨烯限制的下层石墨烯出现了有趣的反常刻蚀行为（比上层石墨烯的蚀刻速度快十倍以上）；二是，在较低的温度下（~530 ℃），下层被蚀刻的碳可以在受限的界面内传输，并以非常高的效率（约12%）转移到上层石墨烯晶格，实现了在无碳源供给情况下的石墨烯生长。该研究工作揭示了二维限域空间中反常催化的动态过程，为受限体系下的催化研究提供了直接证据，从而为未来高效催化剂的设计铺平了道路。Zhu-Jun Wang教授、华南师范大学硕博连读研究生梁智华、韩国基础科学研究院孔潇为该论文共同第一作者，徐小志研究员、刘开辉教授、丁峰教授为共同通讯作者，华南师范大学为第一单位。据悉，徐小志是华南师范大学物理与电信工程学院2019年引进青年拔尖人才，主要从事低维材料与表面物理研究。相关论文信息：https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.2c00549

2022年8月12日，以“Reliable可靠Innovative创新Excellent卓越”为主题，北方华创NMC508RIE介质刻蚀机新产品发布会在北京亦庄总部顺利举行。这是北方华创首次以8吋设备整体解决方案的视角，全方位、多维度地展现NAURA在CCP介质刻蚀领域实现的创新突破。新品发布会首先由北方华创副总裁李东三做了开场致辞，“NMC508RIE产品的诞生，既表明了北方华创现已实现8吋刻蚀工艺的全覆盖，也彰显了拥有二十多年技术积累的北方华创持续创新的精神力量”。在发布会的现场，第一刻蚀事业单元副总经理陈庆以《8&6吋兼容介质刻蚀的新机遇与挑战》为主题做了分享报告。他表示：“目前，国内的8吋、6吋生产线正在经历一个‘老瓶装新酒’的发展时机，汽车电子、物联网等高速增长的芯片需求正在驱动市场进行渐进式的器件与工艺的更新。”NMC508RIE正是采用了最新的装备技术应用到8吋设备上，专为新工艺需求定制，开发出同时兼容到6吋的全新多频解耦CCP介质刻蚀设备，不仅具备刻蚀速率高、均一性好、工艺窗口大等特点，能更好地满足新型器件高深宽比结构的发展趋势，且系统稳定性高、维护成本低。创新求变是北方华创的持久驱动力。发布会的最后，北方华创集团董事长赵晋荣做了总结讲话，“应时而生，北方华创推出全新CCP介质刻蚀机，致力于通过开放的生态合作、持续的创新投入、丰富的工艺解决方案经验，帮助客户加速实现量产升级”。未来，为应对当下前所未有的挑战，北方华创将坚定创新理念不动摇，始终坚持以客户为中心，精研市场需求，推出更多新产品与工艺解决方案，致力于持续推动产业进步，创造无限可能。