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微刻蚀仪

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  • 光刻工艺与刻蚀技术的研究

    光刻工艺光刻是用光刻胶、掩模和紫外光进行微制造 ,工艺如下 :(a)仔细地将基片洗净;(b)在干净的基片表面镀上一层阻挡层 ,例如铬、二氧化硅、氮化硅等;(c) 再用甩胶机在阻挡层上均匀地甩上一层几百 A厚的光敏材料——光刻胶。光刻胶的实际厚度与它的粘度有关 ,并与甩胶机的旋转速度的平方根成反比;(d) 在光掩模上制备所需的通道图案。将光掩模复盖在基片上,用紫外光照射涂有光刻胶的基片,光刻胶发生光化学反应;(e)用光刻胶配套显影液通过显影的化学方法除去经曝光的光刻胶。这样,可用制版的方法将底片上的二维几何图形精确地复制到光刻胶层上;(f) 烘干后 ,利用未曝光的光刻胶的保护作用 ,采用化学腐蚀的方法在阻挡层上精确腐蚀出底片上平面二维图形。掩模制备用光刻的方法加工微流控芯片时 ,必须首先制造光刻掩模。对掩模有如下要求:a.掩模的图形区和非图形区对光线的吸收或透射的反差要尽量大;b.掩模的缺陷如针孔、断条、桥连、脏点和线条的凹凸等要尽量少;c.掩模的图形精度要高。通常用于大规模集成电路的光刻掩模材料有涂有光胶的镀铬玻璃板或石英板。用计算机制图系统将掩模图形转化为数据文件,再通过专用接口电路控制图形发生器中的爆光光源、可变光阑、工作台和镜头,在掩模材料上刻出所需的图形。但由于设备昂贵,国内一般科研单位需通过外协解决,延迟了研究周期。由于微流控芯片的分辨率远低于大规模集成电路的要求,近来有报道使用简单的方法和设备制备掩模,用微机通过CAD软件将设计微通道的结构图转化为图象文件后,用高分辨率的打印机将图象打印到透明薄膜上,此透明薄膜可作为光刻用的掩模,基本能满足微流控分析芯片对掩模的要求。湿法刻蚀在光刻过的基片上可通过湿刻和干刻等方法将阻挡层上的平面二维图形加工成具有一定深度的立体结构。近年来,使用湿法刻蚀微细加工的报道较多,适用于硅、玻璃和石英等可被化学试剂腐蚀的基片。已广泛地用于电泳和色谱分离。湿法刻蚀的程序为 :(a) 利用阻挡层的保护作用,使用适当的蚀刻剂在基片上刻蚀所需的通道 ;(b) 刻蚀结束后 ,除去光胶和阻挡层,即可在基片上得到所需构型的微通道;(c)在基片的适当位置(一般为微通道的端头处)打孔,作为试剂、试样及缓冲液蓄池。刻有微通道的基片和相同材质的盖片清洗后,在适当的条件下键合在一起就得到微流控分析芯片。玻璃和石英湿法刻蚀时,只有含氢氟酸的蚀刻剂可用,如HF/HNO3,HF/ NH4。由于刻蚀发生在暴露的玻璃表面上,因此,通道刻的越深,通道二壁的不平行度越大 ,导至通道上宽下窄。这一现象限制了用湿法在玻璃上刻蚀高深宽比的通道。等离子体刻蚀等离子体刻蚀是一种以化学反应为主的干法刻蚀工艺,刻蚀气体分子在高频电场作用下,产生等离子体。等离子体中的游离基化学性质十分活泼,利用它和被刻蚀材料之间的化学反应,达到刻蚀微流控芯片的目的。等离子体刻蚀已应用于玻璃、石英和硅材料上加工微流控芯片 , 如石英毛细管电泳和色谱微芯片。先在石英基片上涂上一层正光胶 (爆光后脱落的光胶),低温烘干后,放置好掩模,用紫外光照射后显影,在光胶上会产生微结构的图象。然后用活性CHF3等离子体刻蚀石英基片 ,基片上无光胶处会产生一定的深度通道或微结构。这样可产生高深宽比的微结构。近来,也有将等离子体刻蚀用于加工聚合物上的微通道的报道。http://www.whchip.com/upload/201610/1477271936108203.jpg

  • MEMS湿法刻蚀和干法刻蚀的比较

    MEMS湿法刻蚀和干法刻蚀的比较

    湿法腐蚀是使用液态腐蚀剂系统化的有目的性的移除材料,在光刻掩膜涂覆后(一个曝光和显影过的光刻胶)或者一个硬掩膜(一个光刻过的抗腐蚀材料)后紧接该步腐蚀。这个腐蚀步骤之后,通常采用去离子水漂洗和随后的掩膜材料的移除工艺。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/12/201612130959_01_3091062_3.jpg干法刻蚀的刻蚀剂是等离子体,是利用等离子体和表面薄膜反应,形成挥发性物质,或直接轰击薄膜表面使之被腐蚀的工艺。http://www.whchip.com/upload/201612/1481592347583553.jpg湿法腐蚀可替换工艺包括干法刻蚀,即使用一种或多种低压力的反应气体,采用RF感应激励后进行反应,然后再将反应生成的气态物质抽出;非等离子干法刻蚀,例如双氟化疝或氢氟酸的酸性蒸气腐蚀,拥有各向同性湿法腐蚀的诸多特性,该腐蚀通常在一个有限的腔室内完成。很少有微机械化或集成化的器件是在没有进行一些湿法化学处理的情况下开发或制造的。不管器件是否是电气的,机械的,电子的,集成的,光学的,光电子学的,生物的,聚合的,微流控的传感器或执行器,有关这些器件的制造工艺或过程的替换决定将对最终的技术和商业成功有重要影响。这些器件通常在硅衬底、化合物半导体、玻璃、石英、陶瓷或塑性材料上制造,可能涉及在这些材料上淀积一层或多层薄膜并光刻和腐蚀。这些层和淀积顺序受工艺和用于开发和制造该器件的工艺单元限制,随着层数的增长变的越来越复杂和相互影响。 近乎所有IC,MEMS,MOEMS,MST和NEMS类的器件的产生都很可能与一些湿法腐蚀工艺有关。整个工艺流程可被描述为一系列步骤或者序列,这些湿法腐蚀常用于选择性的去除淀积薄膜的一部分,剥去诸如硬掩膜和光刻胶等特定的材料,为以后的加工清洗和准备衬底,去除牺牲层和部分衬底,以及形成三维结构。一个湿法腐蚀工序需要考虑如下一些因素,包括有效的腐蚀剂,腐蚀选择性,腐蚀速率,各向同性腐蚀,材料的兼容性,工艺的兼容性,花费,设备的可用性,操作人员的安全,技术支持和适当的废物处理。干法刻蚀能实现各向异性刻蚀,保证细小图形转移后的高保真性。器件设计者,工艺设计师,或者制造商在工艺允许的情况下可能偏向使用一个完整的干法处理流程,但是许多标准的处理步骤例如光刻胶的显影和圆片清洗仍然湿法的。与干法刻蚀相比,湿法腐蚀工序在成本,速度,性能发面更有优势。干法刻蚀的仿真还不可用,如常用的微结构的选择性钻蚀或与晶向相关的腐蚀仿真等。考虑到干法刻蚀要求在一个昂贵的等离子区或者RIE腐蚀系统里有长的腐蚀时间,湿法腐蚀变得特别有吸引力,需要同时处理整盒圆片(25片装圆片盒)或更多的圆片时,湿法腐蚀在成本和时间上的效益更突出。 不管选择干法还是湿法加工工艺,总是强烈受到在特定的加工环境下设备的可用性及对开发者有用的工艺限制。成功的设计者,开发者和制造商几乎总是使用或修改趁手的工艺。除非是必须开发新工艺,安装新设备,或者取得新的工艺技能,一般总是避免额外的需求。理解什么时候要应用干法和湿法这两个工艺并且在可能的情况下使用标准工艺是很重要的。下表总结比较湿法和干法刻蚀之间的一般注意事项。 http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/12/201612130959_02_3091062_3.jpg

  • 【原创大赛】【微观看世界】轻松一刻----纳米刻蚀技术展示

    【原创大赛】【微观看世界】轻松一刻----纳米刻蚀技术展示

    纳米刻蚀技术展示⑴仪器与实验材料:Instruments:布鲁克公司的扫描探针显微镜型号Nanoman VSsample:CD一张⑵实验过程:第一步,先剪下一小块光盘下来,将它放入小烧杯,倒入一定量的乙醇,然后将烧杯放到超声波仪器中超声清洗,大概超声清洗二十分钟。清洗后取出光盘进行晾干,或借助烘干设备进行快速干燥处理,待晾干后就可以拿到显微镜下观察了。第二步,清洗后的光盘置于扫描探针显微镜下,找到一块合适区域,就可以进行复杂的NanoMan模式操作了(纳米刻蚀)第三步,仪器状态检测,目的是为了选择出适宜这种材料的刻蚀条件。第四步,完成刻蚀过程1.在画图上制作模板如下图http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2014/10/201410241548_519809_2224533_3.jpg2.依样画葫芦将模板导入操作界面http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2014/10/201410241606_519830_2224533_3.bmp3.刻蚀结果如下http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2014/10/201410241551_519813_2224533_3.jpghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2014/10/201410241554_519816_2224533_3.jpg

  • 为刻蚀终点探测进行原位测量

    作者:泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Pradeep Nanja介绍半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀设备和技术来实现图形的微缩与先进技术的开发。随着半导体器件尺寸缩减、工艺复杂程度提升,制造工艺中刻蚀工艺波动的影响将变得明显。刻蚀终点探测用于确定刻蚀工艺是否完成、且没有剩余材料可供刻蚀。这类终点探测有助于最大限度地减少刻蚀速率波动的影响。刻蚀终点探测需要在刻蚀工艺中进行传感器和计量学测量。当出现特定的传感器测量结果或阈值时,可指示刻蚀设备停止刻蚀操作。如果已无材料可供刻蚀,底层材料(甚至整个器件或晶圆)就会遭受损坏,从而极大影响良率[1],因此可靠的终点探测在刻蚀工艺中十分重要。半导体行业需要可以在刻蚀工艺中为工艺监测和控制提供关键信息的测量设备。目前,为了提升良率,晶圆刻蚀工艺使用独立测量设备和原位(内置)传感器测量。相比独立测量,原位测量可对刻蚀相关工艺(如刻蚀终点探测)进行实时监测和控制。使用 SEMulator3D工艺步骤进行刻蚀终点探测通过构建一系列包含虚拟刻蚀步骤、变量、流程和循环的“虚拟”工艺,可使用 SEMulator3D 模拟原位刻蚀终点探测。流程循环用于在固定时间内重复工艺步骤,加强工艺流程控制(如自动工艺控制)的灵活性[2]。为模拟控制流程,可使用 "For Loop" 或 "Until Loop"(就像计算机编程)设置一定数量的循环。在刻蚀终点探测中,可使用 "Until Loop",因为它满足“已无材料可供刻蚀”的条件。在循环中,用户可以在循环索引的帮助下确认完成的循环数量。此外,SEMulator3D 能进行“虚拟测量”,帮助追踪并实时更新刻蚀工艺循环中的材料厚度。通过结合虚拟测量薄膜厚度估测和流程循环索引,用户可以在每个循环后准确获取原位材料刻蚀深度的测量结果。用 SEMulator3D 模拟刻蚀终点探测的示例初始设定在一个简单示例中,我们的布局图像显示处于密集区的四个鳍片和密集区右侧的隔离区(见图1)。我们想测量隔离区的材料完成刻蚀时密集区的刻蚀深度。我们将用于建模的区域用蓝框显示,其中有四个鳍片(红色显示)需要制造。此外,我们框出了黄色和绿色的测量区域,将在其中分别测量隔离区的薄膜厚度 (MEA_ISO_FT) 和沟槽区的刻蚀深度 (MEA_TRENCH_FT)。工艺流程的第一步是使用 20nm 厚的硅晶体层(红色)、30nm 的氧化物(浅蓝色)和 10nm 的光刻胶(紫色)进行晶圆设定(图2)。我们曝光鳍片图形,并对使用基本模型刻蚀对光刻胶进行刻蚀,使用特定等离子体角度分布的可视性刻蚀对氧化物材料进行刻蚀。氧化物对光刻胶的选择比是100比1。我们在 SEMulator3D 中使用可视性刻蚀模型来观察隔离区和有鳍片的密集区之间是否有厚度上的差异。[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/a41bec0f-535e-420a-8a19-ed4282cd5c66.jpg[/img]图1:模型边界区域(蓝色),其中包含四个鳍片(红色)和用于测量隔离区(黄色)和沟槽区(绿色)薄膜厚度的两个测量区域[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/630f2367-a619-4bc9-8608-09c532bef68f.jpg[/img]图2:SEMulator3D 模型,硅晶体(红色)、氧化物(浅蓝色)和在光刻胶中显影的四个鳍片(紫色)SEMulator3D 刻蚀终点探测循环SEMulator3D 的工艺流程使用 Until Loop 循环流程。我们将测量隔离区的材料厚度,并在隔离氧化物薄膜耗尽、即厚度为0时 (MEA_ISO_FT==0) 停止该工艺。在这个循环中,每个循环我们每隔 1nm 对氧化物材料进行1秒的刻蚀,并同时测量此时隔离区氧化物薄膜厚度。此外,我们将在每次循环后追踪两个鳍片间沟槽区的刻蚀深度。这个循环索引有助于追踪刻蚀循环的重复次数(图3)。[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/5041079a-7da3-459f-907c-f62f1b6ac8c1.jpg[/img]图3:SEMulator3D 刻蚀终点探测模拟中的循环流程结果对隔离薄膜进行刻蚀,直至其剩余 20nm、10nm 和 0nm 深度的模拟结果如图4所示。模型中计算出隔离薄膜厚度的测量结果,以及两个鳍片间沟槽区的刻蚀深度。[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/b5d9d13c-68e2-4389-80d1-b974c07afe99.jpg[/img]图4:隔离区薄膜厚度剩余 20nm、10nm 和 0nm 的工艺模拟流程,及相应从光刻胶底部开始的沟槽刻蚀深度我们对循环模型进行近30次重复后,观察到隔离区的薄膜厚度已经达到0,并能追踪到沟槽区氧化物的刻蚀深度(当隔离区被完全刻蚀时,密集区 30nm 的氧化物已被刻蚀 28.4nm)。结论SEMulator3D 可用来创建刻蚀终点探测工艺的虚拟模型。这项技术可用来确定哪些材料在刻蚀工艺中被完全去除,也可测量刻蚀后剩下的材料(取决于刻蚀类型)。使用这一方法可成功模拟原位刻蚀深度控制。使用类似方法,也可以进行其他类型的自动工艺控制,例如深度反应离子刻蚀 (DRIE) 或高密度等离子体化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp][color=#3333ff]气相[/color][/url]沉积 (HDP-CVD) 工艺控制。参考资料:[1] Derbyshire, Katherine. In Situ Metrology for Real-Time Process Control, Semiconductor Online, 10 July 1998, https://www.semiconductoronline.com/doc/in-situ-metrology-for-real-time-process-contr-0001.[2] SEMulator3D V10 Documentation: Sequences, Loops, Variables, etc.[来源:大半导体产业网][align=right][/align]

  • AFM电刻蚀

    在用AFM进行电刻蚀时,用导电铂针进行刻蚀。但是每次刻蚀完之后用半接触模式很难扫描出清晰的图像。。。。。有没有什么方法能用铂针搜出清晰图像。

  • 【求助】等离子刻蚀参数对实验结果的影响

    各位做过等离子刻蚀的同行们: 我是一个新手,在刻蚀聚苯乙烯小球的时候自己设置了几个参数,但是具体每个参数对实验结果的影响还不是很清楚,先列出来Icp(w);RF(w);Pressure(mT)等。希望大家给予指点,不胜感激

  • Ar离子刻蚀制备EBSD样品

    想用离子刻蚀制备EBSD样品,材料是碳含量为0.5%左右的珠光体钢。但是不知离子刻蚀的具体参数,所以想请了解这方面的给些建议。

  • 【求助】XPS刻蚀

    我想用XPS刻蚀的方法测量高效减水剂在粉体材料上的吸附层厚度,应该如何制样,请各位高手请点!非常感谢!

  • 超牛的纳米刻蚀技术

    超牛的纳米刻蚀技术http://simg.instrument.com.cn/bbs/images/brow/em09507.gifhttp://202.118.73.154/gongkewuli/Reading/R_stm/Images/STM12.JPG

  • AFM做纳米刻蚀!

    有谁用AFM做过纳米刻蚀?效果怎么样?http://simg.instrument.com.cn/bbs/images/brow/em09507.gif可否分享下图片,让我们瞧瞧

  • 【求助】如何刻蚀我制备的聚合物复合物

    制备了环氧树脂、聚己内酯及in situ生成的SiO2复合物,想通过SEM看清楚三者的分布情况,请问该如何使用化学刻蚀?需要指出的是,三者之间都有化学键作用。 或者介绍我其他表征方法也行。谢谢!

  • 耐腐蚀高速电动针阀在圆晶湿法刻蚀清洗化学药液流量控制中的应用

    耐腐蚀高速电动针阀在圆晶湿法刻蚀清洗化学药液流量控制中的应用

    [size=16px][color=#339999][b]摘要:化学药液流量的精密控制是半导体湿法清洗工艺中的一项关键技术,流量控制要求所用调节针阀一是开度电动可调、二是具有不同的口径型号、三是高的响应速度,四是具有很好的耐腐蚀性,这些都是目前提升半导体清洗设备性能需要解决的问题。为此,本文提出了相应的解决方案,解决方案的核心是采用具有系列口径的高速和耐腐蚀的电动针阀。[/b][/color][/size][align=center][size=16px][img=高速耐腐蚀电动针阀流量控制在前道化学清洗机中的应用,550,271]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/04/202304261136485023_8685_3221506_3.jpg!w690x341.jpg[/img][/size][/align][size=18px][color=#339999][b]1. 问题的提出[/b][/color][/size][size=16px] 湿法蚀刻清洗工艺(如RCA清洗)是半导体制造工艺步骤中数量最多的工艺,湿法清洗的目的是去除晶圆上前一道工序的残留或者副产物,使之不进入后续工序。一般通过化学药液与晶圆表面去除物的反应,或改变不同特性化学清洗液处理以后的晶圆表面亲水性,达到去除残留物的目的。其中,化学反应强烈程度与温度、浓度、化学药液的反应量密切相关,而蚀刻量是检测此化学反应强烈程度的重要手段。因此,刻蚀量是湿法刻蚀工艺中最重要的工艺控制参数之一,而影响蚀刻量的三大因素分别是化学药液温度、化学药液浓度和化学药液流量,其中药液浓度和流量都与流量控制密切相关。典型的化学药液循环系统结构如图1所示。[/size][align=center][size=16px][color=#339999][b][img=01.化学药液循环系统结构示意图,690,247]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/04/202304261138411498_3193_3221506_3.jpg!w690x247.jpg[/img][/b][/color][/size][/align][align=center][size=16px][color=#339999][b]图1 化学药液循环系统结构示意图[/b][/color][/size][/align][size=16px] 针对当前和未来的湿法刻蚀清洗工艺,用于药液流量控制的针阀需要满足以下几方面要求:[/size][size=16px] (1)首先针阀要求是可电控针阀,如图1所示,由电动针阀、流量计和PID控制器可组成闭环控制回路,通过电动针阀的开度精细变化,可极大保证药液流量控制的精度。[/size][size=16px] (2)制程工艺中对药液流量有不同的要求,所以电子针阀需具有不同口径和流量范围。[/size][size=16px] (3)电动针阀要求具有极快的响应速度,能实现快速的打开和闭合,以减少初段流量稳定时间和末端流量控制时的“水锤效应”影响。[/size][size=16px] (4)在清洗过程中所采用的化学药液,往往具有很强的腐蚀性。尽管管路和阀门所采用的不锈钢材料具有很好的抗腐蚀性,但各种阀门密封件往往抗腐蚀性很差,所以要求电动针阀的接液密封件也需要具有很强的耐腐蚀性。[/size][size=16px] 药液流量控制中上述对调节阀的要求,都是目前半导体清洗设备中需要解决的问题。为此,本文提出了相应的解决方案,解决方案的核心是采用具有系列口径的高速和耐腐蚀的电动针阀。[/size][size=18px][color=#339999][b]2. 解决方案[/b][/color][/size][size=16px] 为了满足上述湿法清洗工艺化学药液流量控制对调节阀的需要,本文提出的解决方案是采用具有一系列不同口径、高速和耐腐蚀的电动针阀。系列电动针阀如图2所示。[/size][align=center][size=16px][color=#339999][b][img=02.强耐腐蚀性的高速电动针阀,450,385]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/04/202304261139215269_3851_3221506_3.png!w599x513.jpg[/img][/b][/color][/size][/align][align=center][size=16px][color=#339999][b]图2 NCNV系列耐腐蚀高速电动针阀[/b][/color][/size][/align][size=16px] 用于流量调节的NCNV系列数控电动针阀将步进电机的精度和可重复性优势与针阀的线性和分辨率相结合,其结果是具有1s以内的开闭合时间,小于2%滞后、2%线性、1%重复性和0.2%分辨率的可调流量控制,是目前常用电磁比例阀的升级产品。电动针阀直接用模拟电压信号控制,与PID控制器和流量计相结合,可构成快速准确的闭环控制系统。[/size][size=16px] NCNV系列数控电动针阀的其他技术特点如下:[/size][size=16px] (1)多规格节流面积:具有从低流量的直径0.9mm到高流量的直径4.10mm的多种规格针阀节流面积,可满足不同的流量控制需要。[/size][size=16px] (2)宽压力范围:入口环境可覆盖宽泛的压力范围(5或7bar)。步进电机的刚度和功率确保针阀在相同的输入指令下打开,与压力无关。[/size][size=16px] (3)快速响应:整个行程时间小于1秒,可提供及时快速的流量调节和控制。[/size][size=16px] (4)耐腐蚀性:阀体采用不锈钢,密封件采用FFKM全氟醚橡胶,超强的耐腐蚀性,可用于各种腐蚀性气体和液体。[/size][size=16px] (5)电源电压为24V,控制信号为0~10V模拟电压,也可采用RS485直接控制。[/size][b][size=18px][color=#339999]3. 总结[/color][/size][/b][size=16px] 综上所述,通过采用上述系列的电动针阀,可以很好的实现湿法清洗中化学药液流量的精密调节。特别是与相应的流量计、压力传感器和具有串级和比值控制功能的高精度PID控制器相结合组成闭环控制系统,可实现各种药液配比流量的高精度控制。[/size][size=16px][/size][align=center][b][color=#339999]~~~~~~~~~~~~~~~~~~~[/color][/b][/align][align=center][/align][align=center][b][color=#339999][/color][/b][/align]

  • 【求助】医院检验科所有科室

    求助 医院检验科除了“HIV”“PCR”“生化室”“免疫室”“抽血室”“血常规”“细菌室”“体液室”“标本处理室”“无菌室”“血库”还有哪些主要科室?各科室之间的先后关联关系?有哪些科室需要级别要求?需要缓冲才能进入?

  • 戴安应用文献之-AN119半导体刻蚀酸中阴离子型氟化物表面活性剂的测定

    特殊行业应用实例: 全氟化表面活性剂在半导体酸蚀刻溶液中起润湿剂的作用。酸蚀刻剂能够在二氧化硅材质上雕刻出细的划痕。在半导体的制作中,如果酸蚀刻剂的润湿性不好可能有气泡生成,这些气泡会附着在刻蚀表面,影响信号。可以通过增加少量的表面活性剂减少气泡的形成,从而提高溶液的润湿性。下载链接:http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100244/paperDetail.asp?ID=12249

  • 浓缩神器---可视氮吹仪

    浓缩神器---可视氮吹仪

    继上次的多管涡旋混合仪之后,一直为大家的前处理操心的小编又给大家带来新产品啦——可视氮吹仪。[align=center][img=,690,293]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2019/02/201902201538391779_1208_932_3.jpg!w690x293.jpg[/img][/align]说到氮吹仪,也许大家并不陌生,其广泛应用于农残分析、商检、食品、环境、制药、生物制品等行业,但是说到可视,可能你未必用过。话不多说,我们还是先来介绍一下吧:先讲讲氮吹仪的原理:通过将氮气吹入加热样品的表面,使样品中的溶剂快速蒸发、分离,从而达到样品无氧浓缩的目的,保持样品更纯净。今天我们介绍的是一款可视氮吹仪,这是一款区别于水浴氮吹仪的浓缩小设备,采用金属模块加热,方便、轻巧、效率高、易搬运。接下来说说这款产品的特点吧,首先最突出的就是:可视、可视、可视!最大的特点说三遍!就是样品浓缩时随时可观察到被浓缩样品的液面位置。其次,它的特点有:加热器加热迅速且加热模块可定制更换;气腔高度可以调节,充分配合浓缩液面的观察;每根氮吹针可单独控制气流、升降和吹扫;体积小巧,质量轻便,易于搬运和转移位置;LED屏显示,温度、时间设置简单方便。怎么样,说到这里,你是不是有点心动呢,不急,小编喜欢用数据说话,让我们看一下可视氮吹仪与水浴氮吹仪有哪些主要区别呢:[align=center][img=,576,217]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2019/02/201902201537212460_8924_932_3.jpg!w576x217.jpg[/img][/align]这是我们这款可视氮吹仪与普通水浴氮吹仪的最大区别,怎么样,是不是还在为不可视氮吹仪的样品液面而烦恼,是不是还在为水浴氮吹仪的加热速度和笨拙的体型而抓狂呢?不要慌,月旭可视氮吹仪为您解决所有烦恼![align=center][img=,577,692]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2019/02/201902201537219121_7674_932_3.jpg!w577x692.jpg[/img][/align]

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  • 制作福禄克VT02可视红外测温仪微距镜,扩大使用范围

    制作福禄克VT02可视红外测温仪微距镜,扩大使用范围

    [back=white] [/back][font=宋体]福禄克(FLUKE)VT02可视红外测温仪是全球第一款可视红外(带热图)测温仪,是福禄克公司于2012年底推出的全新测试工具,上市价格要4千元左右一台。现在,廉颇老矣,其功能已经跟不上时代的发展步伐,但丢了也可惜。给它制作附加微距镜,扩大使用范围,可以观察电路板上的贴片电子元件短路发热故障情况,提高维修效率,继续发挥余热。下面是制作过程。[/font][b][font=宋体]一、福禄克(FLUKE)VT02外观[/font][/b][img=,690,517]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307011259163450_935_1807987_3.jpg!w690x517.jpg[/img][font=宋体] 福禄克(FLUKE)VT02采用英国IRISYS公司生产的低成本热释电阵列传感器REDEYE-6A,物理分辨率较低,为31 x 31像素。VT02实际红外分辨率为15x15=225像数。为了增加辨识度、达到更好地观测效果,采用了热成像与可见光融合技术来补偿低分辨率红外传感器的系统。VT02配有一个视觉相机,根据需要,可将图像从全热成像混合至全视觉图像。因此,它有两个镜头,见下图。仪器前部是观测窗,一个是热红外镜头,采集物体散发的热辐射信号,供内部非制冷热释电阵列传感器REDEYE-6A工作;另一个是可见光镜头,采集物体表面反射的可见光,供内部视觉相机CCD(CMOS)传感器工作。[/font][img=,690,517]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307011259551154_6049_1807987_3.jpg!w690x517.jpg[/img][font=宋体]仪器热红外镜头采用锗玻璃镜头(不透明)、可见光镜头采用普通玻璃光学镜头:[/font][img=,690,517]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307011301015450_9441_1807987_3.jpg!w690x517.jpg[/img][font=宋体] VT02[/font][font=宋体]红外传感器波长范围6.5μm-14μm,VT02视觉相机为11025像素(现在看来,该像素简直是惨不忍睹)。VT02的焦距是固定的,不能自动对焦。最近观察距离(nerve档)为15cm,对于电路板上的微小贴片电子元件而言,这个距离还是太远,不能用于细微观察。下图是仪器近距离档(nerve档)观看某手机局部结构的图片(可见光模式),镜头贴近电子元件使得图像较大,但成像模糊根本看不清楚:[/font][font=宋体][img=,500,480]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307011301522309_62_1807987_3.jpg!w500x480.jpg[/img] [/font][b][font=宋体]二、选择微距透镜[/font][/b][font=宋体] 根据光学照相机加装微距镜的原理,只需在福禄克(FLUKE)VT02的双镜头前分别加装红外微距镜和普通光学微距镜,就可以改变其焦距、近距离观察电路板上微小的贴片元件。[/font][font=宋体]附加镜头与原仪器镜头两透镜叠加合成焦距估算公式:[/font][font=宋体]f[/font][font=宋体]合=(f1*f2)/(f1+f2-d),(d两透镜距离)本文中,f合=(15*5)/(15+5-1.8)=4.12(cm)[/font][font=宋体]加装微距镜后,观测电路板上微小电子元件的清晰度大大提高,可以分辨出元件类型,见下图(可见光模式):[/font][img=,500,480]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307011302314603_4499_1807987_3.jpg!w500x480.jpg[/img][b][font=宋体]普通光学微距透镜的选择:[/font][/b][font=宋体]由于福禄克(FLUKE)VT02的视觉相机(普通光学相机)像数很低,对于光学透镜的材质要求不高,玻璃及亚克力材质都行,选用焦距5cm~10 cm焦距的放大镜头比较适宜,镜片直径与VT02的视觉相机的镜头孔相等或稍大一些都行。本制作选用一片折叠放大镜上的直径12mm、焦距50mm的玻璃透镜,见下图:[/font][img=,690,517]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307011303086029_4284_1807987_3.jpg!w690x517.jpg[/img][b][font=宋体]红外热成像微距透镜的选择:[/font][/b][font=宋体]由于普通热成像工作波长一般在8~14um附近,普通光学玻璃透镜透过波长一般0.3~2.5um,因此对10um左右波长的黑体红外热辐射几乎是全吸收,不能用于红外热成像透镜,因此普通光学玻璃透镜不能作为红外镜头的附加微距镜。能穿透长波红外线的玻璃,用的最多的是锗玻璃和硒化锌玻璃。但锗玻璃很贵。考虑到低成本及取材容易,选用直径12mm、焦距50.8mm的硒化锌透镜(主要应用于二氧化碳激光雕刻机聚焦透镜),价格才几十元一片,波长范围0.5~22μm 左右,完全覆盖热成像对波长的要求,同时对500nm波段可见光也能透过,所以其玻璃透镜看起来是黄色透明的。[/font][img=,690,358]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307011303339731_4469_1807987_3.jpg!w690x358.jpg[/img][font=宋体]如果不知道手头透镜的焦距时,可以按照下面的方法计算:[/font][font=宋体] [/font][font=宋体]①采用平行光聚焦法确定透镜的焦距。需要凸透镜、白纸和标尺。凸透镜正对着阳光,观察白纸上光斑的形状。当达到最小和最亮时,用刻度尺测量光斑到凸透镜中心的距离,重复几次取平均值。(或在室内较暗处,用白炽灯代替阳光,凸透镜正对着白炽灯,观察白纸上光斑的形状。当显现钨丝达到最细和最亮时,用刻度尺测量光斑到凸透镜中心的距离,重复几次取平均值。)[/font][font=宋体]  ②采用非聚焦成像方法确定透镜的焦距。需要一个小电珠灯泡、一个凸透镜和一个标尺。用凸透镜由近及远观察灯泡中的灯丝。刚好从视线看不见的时候,用刻度尺测量两者之间的距离,重复几次,算出平均值。[/font][b][font=宋体]三、制作微距镜框架[/font][/b][font=宋体] 取1mm~1.5mm厚的塑料板制作微距镜框架。根据仪器观测窗镜头位置,钻两个直径12mm孔将镜片安装上(镜片凸面向外,边缘涂粘接剂),为了加固和美观,再粘两个黑色塑料外圈,框架旁边钻4个小孔,捆扎橡皮筋,用于固定在仪器镜头前,安装、取下都很方便:[/font][img=,690,517]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307011304360835_9512_1807987_3.jpg!w690x517.jpg[/img][img=,690,517]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307011305048906_4460_1807987_3.jpg!w690x517.jpg[/img][font=宋体]下图是固定好微距镜的仪器:[/font][img=,690,517]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307011305349796_4045_1807987_3.jpg!w690x517.jpg[/img][img=,690,517]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307011306170365_4114_1807987_3.jpg!w690x517.jpg[/img][b][font=宋体]四、仪器微距观测情况[/font][/b][font=宋体]仪器加装微距镜后,用于观察电路板上的贴片电子元件发热情况。下图是仪器近距离档(nerve档)安装微距镜后,拍摄的一些图片(室温16℃):[/font][font=宋体]笔记本电脑散热孔:[/font][img=,501,480]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307011306533779_9714_1807987_3.jpg!w501x480.jpg[/img][font=宋体]手机充电线,插头处发热情况:[/font][img=,500,480]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307011307299049_1528_1807987_3.jpg!w500x480.jpg[/img][font=宋体]某手机电路板边缘发热情况:[/font][img=,501,480]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307011307562509_4913_1807987_3.jpg!w501x480.jpg[/img][font=宋体]某手机电路板屏蔽罩发热情况:[/font][img=,502,480]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307011308348210_8379_1807987_3.jpg!w502x480.jpg[/img][b][font=宋体]观测需要注意问题:[/font][/b][font=宋体]福禄克(FLUKE)VT02最近观测距离(nerve档)为15cm。在此距离处,热成像与可见光图像融合良好,过近或过远,热成像与可见光图像融合不好,二者图像重合度差,仪器屏幕上热成像图像位置偏离物件实际位置,对要求高的观测,效果不理想。[/font][font=宋体]下图是距15厘米处,观察一根受热细铁丝,热成像与可见光图像融合良好:[/font][img=,499,480]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307011309104477_6243_1807987_3.jpg!w499x480.jpg[/img][font=宋体]下图是距离小于15厘米观察一根受热细铁丝,热成像呈下偏差:[/font][img=,500,480]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307011309553537_5445_1807987_3.jpg!w500x480.jpg[/img][font=宋体]下图是距离大于15厘米观察一根受热细铁丝,热成像呈上偏差:[/font][img=,501,480]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307011310249867_4967_1807987_3.jpg!w501x480.jpg[/img][font=宋体] [/font][font=宋体]同样的道理,当给仪器加装热成像及普通光学微距镜后,由于观测距离更近,热成像与可见光图像融合度更差,屏幕上两图像位置相距更远。这是仪器结构决定的,无法改动。在实际使用中,对一些要求较高的观测工作,可以按照下面的操作办法,得到较好的观测图像效果:[/font][font=宋体] 给仪器安装微距镜后,将仪器置于可升降观察架上,电路板置于工作台上,有一些适当的环境光。仪器开机,先置图像模式为全可见光,调节仪器镜头与被观察电路板的距离,使电子元件的光学成像清晰可见,然后再调节仪器热成像与可见光图像融合比例至合适观测位置(选择热成像70~100%),慢慢平移工作台上的电路板,寻找有异常发热故障的元件。下图是电路板上一段有电流线路(宽1mm)的全红外热图:[/font][img=,498,480]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/07/202307011311071217_5177_1807987_3.jpg!w498x480.jpg[/img][font=宋体] [/font][font=宋体]知道该仪器近距离观察物体有融合度不够好这个问题后,当被测发热点单一,观测工作要求不高,只需将仪器观测焦点(十字星)对准热成像中心,也能得到被测发热点温度值,不必要求图像100%融合后再测量,这样简单快捷一些。[/font][b][font=宋体]结语:[/font][/b][font=宋体]给热成像仪加装微距镜,不用昂贵的锗玻璃镜头,采用激光雕刻机使用的硒化锌聚焦透镜,取材容易,性价比最高。市面上绝大多数热成像仪配套的微距镜也是这种方案,值得一试。[/font]

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