发光光谱仪

组合式荧光光谱测量系统-OmniPL系列光致发光（photoluminescence）即PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光。PL 荧光测量系统通常是用较强的单色光（如激光器等）激发样品/ 材料（如GaN/ZnO 等）产生荧光，通过对其荧光光谱的测量，分析该材料的光学特性。典型应用于LED 发光材料、半导体材料的研究。OmniPL 系列稳态荧光光谱测量系统采用模块化设计，在满足PL 光谱测量的同时，用户可以根据不同的实验需求，选择不同的配件，灵活的进行系统功能的扩展。系统组成：激发光源+ 样品室＋荧光光谱仪＋数据采集及处理系统＋软件＋计算机OmniPL-LF325型稳态光致发光光谱系统主要技术参数● 激发光源：HeCd激光器● 激发光功率：20mW● 激发波长：325nm● 瑞利散射截止滤光片，OD6● 荧光光谱仪光谱范围：300-850nm（可扩展至2500nm）● 荧光光谱分辨率：优于0.2nm（@1200g/mm光栅）● 波长准确度：±0.2nm● 波长重复性：±0.1nm● 光探测器：科研级制冷型背感光CCD，300-1000nm● 可选配闭循环超低温制冷机，最低温度可达2K● 系统扩展性：系统采用模块化设计，可扩展至近红外波段光谱测量● 软件提供灵活的实验运行步骤自定义功能，可随时储存和提取图谱，并能够进行复杂的光谱处理及光谱数据间的四则运算系统结构图PL图谱

光致发光(photoluminescence) 即PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光，在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光（波长如325nm、532nm、785nm 等）激发材料（如GaN、ZnO、GaAs 等）产生荧光，通过对其荧光光谱（即PL 谱）的测量，分析该材料的光学特性，如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息，是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法，因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。 传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合，但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中，存在很大的局限性，比如无法灵活的选择实验所需的激光器（特别对于UV 波段的激光器，没有足够适用的配件），无法方便的与超低温制冷机配合使用，采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题，都是采用标准显微镜难以回避的问题。 北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求，推出了“OmniPLMicroS”系列显微光致发光光谱仪，有效的解决了上述问题，是目前市场上最具性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。性能特点： 一体化的光学调校——所有光学元件只需要在初次安装时进行调校，确保高效性和易用 性 简单易用的双光路设计——可随意在水平和垂直光路上进行切换，适用于各种常见的样 品形态 超宽光谱范围**——200nm-1600nm 视频监视光路——可供精确调整测试点 独有的发射光谱校正功能*——让光谱测量更精准且具有可比性 多种激发波长可选**——325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等 自动mapping功能可选*——50mm×50mm测量区间，可定制特殊规格 电致发光(EL)功能可选*——扩展选项 显微拉曼光谱测量功能可选*——扩展选项 超低温测量附件可选*——提供10K以下的超低温测量*选配项，请详细咨询；**需根据实际需要进行配置确定。参数规格表*应用:不同制冷温度下GaN材料的PL谱激发波长：325nm，功率：20mW，制冷机最低制冷温度：10K ZnO材料的PL谱: 激发波长：325nm ZnO 薄膜样品在382nm 处有一个特别强的荧光谱带，而在500 ～ 600nm 波段，有个弱的可见光荧光谱带。通过研究这些谱带，可以反映ZnO 表面态对荧光的影响以及晶型和缺陷信息。

PMEye-3000光致发光光谱成像（PL-Mapping）测量系统是卓立汉光最新研制的，用于LED外延片、半导体晶片、太阳能电池材料等，在生产线上的质量控制和实验室中的产品研发检测。该系统对样品的PL谱进行Mapping二维扫描成像，扫描结果以3D方式进行显示，使检测结果更易于分析和比较。该系统的软件窗口界面友好，操作简单，只需简单培训就能使用。测试原理：PL（光致发光）是一种辐射复合效应。在一定波长光源的激发下，电子吸收激发光子的能量，向高能级跃迁而处于激发态。激发态是不稳定的状态，会以辐射复合的形式发射光子向低能级跃迁，这种被发射的光称为荧光。荧光光谱代表了半导体材料内部，一定的电子能级跃迁的机制，也反映了材料的性能及其缺陷。PL是一种用于提供半导体材料的电学、光学特性信息的光谱技术，可以研究带隙、发光波长、结晶度和晶体结构以及缺陷信息等等。应用领域举例：LED外延片，太阳能电池材料，半导体晶片，半导体薄膜材料等检测与研究。 主要特点：◆ PLMapping测量◆ 多种激光器可选◆ Mapping扫描速度：180点/秒◆ 空间分辨率：50um◆ 光谱分辨率：0.1nm@1200g/mm◆ Mapping结果以3D方式显示◆ 最大8吋的样品测量◆ 样品精确定位◆ 样品真空吸附◆ 可做低温测量◆ 膜厚测量一体化设计，操作符合人体工学PMEye3000 PL Mapping测量系统采用立式一体化设计，关键尺寸根据人体工学理论设计，不管是样品的操作高度和电脑使用高度，都特别适合于人员操作。主机与操作平台高度集成，方便于在实验室和检测车间里摆放。仪器侧面设计有可收放平台，可摆放液晶显示器和鼠标键盘。仪器底部装有滚轮，方便于仪器在不同场地之间的搬动。模块化设计PMEye-3000 PL Mapping测量系统全面采用模块化设计思想，可根据用户的样品特点来选择规格配置，让用户有更多的选择余地。激发光源、样品台、光谱仪、探测器、数据采集设备都实现了模块化设计。操作简便、全电脑控制PMEye-3000 PL Mapping测量系统，采用整机设计，用户只需要根据需要放置检测样品，无需进行复杂的光路调整，操作简便；所有控制操作均通过计算机来控制实现。全新的样品台设计，采用真空吸附方式对样品进行固定，避免了用传统方式固定样品而造成的损坏；可对常规尺寸的LED外延片样品进行精确定位，提高测量重复精度。两种测量方式,用途更广泛系统采用直流和交流两种测量模式，直流模式用于常规检测，交流模式用于微弱荧光检测。监控激发光源,校正测量结果一般的PL测量系统只是测量荧光的波长和强度，而没有对激发光源进行监控，而激发光源的不稳定性将会对PL测量结果造成影响。PMEye-3000 PL Mapping测量系统增加对激光强度的监控，并根据监控结果来对PL测量进行校正。这样就可以消除激发光源的不稳定带来的测量误差。激光器选配灵活PMEye-3000 PL Mapping测量系统有多种高稳定性的激光器可选，系统最多可内置2个激光器和一个外接激光器，标配为1个405nm波长高稳定激光器。用户可以根据测量对象选配不同的激光器，使PL检测更加精准。可选配的激光器波长有： 405nm，442nm，532nm、785nm、808nm等，外置选配激光器波长为：325nm。自动Mapping功能PMEye-3000 PL Mapping测量系统配置200× 200mm的二维电控位移台，最大可测量8英寸的样品。用户可以根据不同的样品规格来设置扫描区域、扫描步长、扫描速度等，扫描速度可高达每秒180个点，空间分辨率可达50um。扫描结果以3D方式显示，以不同的颜色来表示不同的荧光强度。 软件功能丰富,操作简便我们具有多年的测量系统操作软件开发经验，,熟悉试验测量需求和用户的操作习惯，从而使开发的这套PMEye-3000操作软件功能强大且操作简便。MEye-3000操作软件提供单点PL光谱测量及显示，单波长的X-Y Mapping测量，给定光谱范围的X-Y Mapping测量及根据测量数据进行峰值波长、峰值强度、半高宽、给定波长范围的荧光强度计算并以Mapping显示，Mapping结果以3D方式显示。同时具有多种数据处理方式来对所测量的数据进行处理。低温样品室附件该附件可实现样品在低温状态下的荧光检测。有些样品在不同的温度条件下，将呈现不同的荧光效果，这时就需要对样品进行低温制冷。如图所示，从图中我们可以发现在室温时，GaN薄膜的发光波长几乎涵盖整个可见光范围，且强度的最高峰出现在580nm附近，但整体而言其强度并不强；随着温度的降低，发光强度开始慢慢的增加，直到110K时，我们可以发现在350nm附近似乎有一个小峰开始出现，且当温度越降越低，这个小峰强度的增加也越显著，一直到最低温25K时，基本上就只有一个荧光峰。GaN薄膜的禁带宽度在室温时为3.40Ev,换算成波长为365nm，而我们利用PL系统所测的GaN薄膜在25K时在356.6nm附近有一个峰值，因此如果我们将GaN薄膜的禁带宽度随温度变化情况也考虑进去，则可以发现在理论上25K时GaN的禁带宽度为3.48eV，即特征波长为357.1nm，非常靠近实验所得的356.6nm，因此我们可以推断这个发光现象应该就是GaN薄膜的自发辐射。

Flex One 显微光致发光光谱仪欲了解更多信息请拨打：010-56370168-601 性能特点：● 一体化的光学调校——所有光学元件只需要在初次安装时进行调校，确保高效性和易用性● 简单易用的双光路设计——可随意在水平和垂直光路上进行切换，适用于各种常见的样品形态● 超宽光谱范围**——300nm-2200nm● 视频监视光路 ——可供精确调整测试点● 独有的发射光谱校正功能*——让光谱测量更精准且具有可比性 ● 多种激发波长可选**——325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等● 自动mapping功能可选*——50mm×50mm测量区间，可定制特殊规格● 电致发光(EL)功能可选*——扩展选项● 显微拉曼光谱测量功能可选*——扩展选项● 超低温测量附件可选*——提供10K以下的超低温测量*选配项，请详细咨询； **需根据实际需要进行配置确定。产品简介： 光致发光(photoluminescence) 即PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光，在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光（波长如325nm、532nm、785nm 等）激发材料（如GaN、ZnO、GaAs 等）产生荧光，通过对其荧光光谱（即PL 谱）的测量，分析该材料的光学特性，如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息，是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法，因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合，但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中，存在很大的局限性，比如无法灵活的选择实验所需的激光器（特别对于UV 波段的激光器，没有足够适用的配件），无法方便的与超低温制冷机配合使用，采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题，都是采用标准显微镜难以回避的问题。 北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求，推出了“Flex One( 微光）”系列显微光致发光光谱仪，有效的解决了上述问题，是目前市场上最具性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。( 产品图片仅供参考，以实际系统配置为准)系统组成● 激发光源部分：紫外-近红外波段各种波长激光器● 显微光路部分：优化设计的专用型显微光路● 光谱采集部分：影像校正光谱和高灵敏型科学级CCD或单点探测器和数据采集器● 样品台支架部分：xyz三维可调样品台（手动或自动）、超低温样品台参数规格表：主型号Flex One光谱范围300-2200nm光谱分辨率0.1nm激发光可选波长325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等探测器类型制冷型CCD 2000×256制冷型InGaAs512×1制冷型InGaAs512×1有效范围300-1000nm800-1700nm800nm-2200nm空间分辨率100μm注*：以上为基本规格，详细规格依据不同配置的选择会有差异，详情请咨询！InGaN/GaN多量子阱的PL谱和EL谱测试 ● 样品提供：KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于蓝宝石衬底MOCVD 生长的 InGaNGaN 量子阱● 测试条件：325nm激发，功率30mW● 光谱范围：340-700nm1. 光致发光(PL)光谱测量分别针对材料的正极( 红色) 和负极( 绿色) 测试得到光致发光光谱曲线如下，GaN 的本征发光峰365nm 附近以及黄带，InGaN 的发光峰475nm 附近。 2. 电致发光(EL)光谱测量将材料的正负极接到直流电源的正负极，电压加到2.5V 时可以有明显的蓝光发射，测量其电致发光光谱曲线如下（红色），峰值在475nm 附近。

OmniPL-MicroS组合式显微光致发光光谱系统 显微光路通常具有较高的通光效率，用在荧光光谱测量中，不仅可以进一步提升系统的信噪比，更可以实现微区测量。我公司除了可以提供“Flex One(微光）”系列显微光致发光光谱仪一体机，还为组合式系统的客户提供了两种类型的显微光路模块，一种是不带显微镜的水平光路显微模块，另一种是带有显微镜的垂直光路显微模块，它们都可以与我公司的光谱及配件组合成为显微光致发光光谱系统。 性能特点● 模块化的结构设计——水平和垂直光路可选，组合方便● 超宽光谱范围*——200nm-1600nm● 默认适配激光波长——325nm● 其它激光器波长可选*——405nm/532nm/633nm等● 电致发光(EL)功能可选**——扩展选项● **——可提供≤10K的超低温测量*需根据实际需要进行配置确定；**选配项，请详细咨询。 参数规格表(*)主型号OmniPL-MicroS光谱测量范围200-1600nm荧光光谱分辨率0.1nm激光波长325nm探测器类型制冷型CCD2000×256制冷型InGaAs512×1单点PMT单点制冷型InGaAs探测光谱范围200-1000nm800-1600nm200-870nm800-1600nm数据采集器--单光子计数器或锁相放大器锁相放大器注*：以上为基本规格，详细规格依据不同配置的选择会有差异，详情请咨询！OmniPL-MicroS-A垂直光路型 垂直光路型系统架构基于标准显微镜体和光谱仪等模块组合而成，光路垂直更有利于一般的样品放置，测量过程更方便。OmniPL-MicroS-B 水平光路型 水平光路型的系统不采用显微镜体，光路水平输出，需将样品竖直放置，系统可以配置多维可调的样品架，可以夹持固体、液体等多种类型的样品；水平光路更适合于液体样品，以及与低温制冷机配合使用时的光学布局。OmniPL-MSA-325型显微PL光谱系统主要技术参数（垂直光路型）系统指标与功能● 荧光光谱测量范围：350-800nm● 激发波长：325nm● 样品形态：固态（片状、粉末）● 预留CCD接口● 可升级电致发光（EL）测量● 可升级扩展至NIR波段测量（~1600nm）详细配置及规格参数- 光源? 类型：HeCd激光器? 功率：≥20W- 显微光路模块（OmniPL-KS-A）? 显微物镜：20X紫外? 光谱适用范围：250-800nm? 标准显微镜（带样品X-Y手动调节台）? 内置CCD监视光路? 可加装滤光片轮 - 荧光光谱仪（Omni-λ500i）? 焦距：500mm? f/#：f/6.5? 光谱覆盖范围：200-1000nm? 光谱分辨率：优于0.05nm@435.8nm（1200g/mm光栅）? 入口形式：狭缝? 出口形式：狭缝+CCD? 狭缝宽度：0.01-3mm? 通讯接口：USB2.0? 光谱仪整体支架- 光电倍增管（PMTH-S1-R928）? 光谱响应范围：200-870nm? 配HVC1800高压稳压电源- 单光子计数器（DCS202PC）? 有效计数率：≥5Mcps- 计算机（JSJ）? 一体机，安装光谱采集软件- 光学平台（OTB15-10）? 台面尺寸：1500*1000mmOmniPL-MSB-325型显微PL光谱系统主要技术参数（水平光路型）系统指标与功能● 荧光光谱测量范围：350-800nm● 激发波长：325nm● 样品形态：固态（片状、粉末）、液态● 预留CCD接口● 可升级扩展至NIR波段测量（~1600nm）● 可升级至超低温（10K）测量功能详细配置及规格参数- 光源? 类型：HeCd激光器? 功率：≥20mW- 显微光路模块（OmniPL-K1-325）? 显微物镜：20X紫外? 光谱适用范围：250-800nm? 样品架：固体（片状、粉末）、液体比色皿样品池，可五维手动调整? 内置监视光路 - 荧光光谱仪（Omni-λ500i）? 焦距：500mm? f/#：f/6.5? 光谱覆盖范围：200-1000nm? 光谱分辨率：优于0.05nm@435.8nm（1200g/mm光栅）? 入口形式：狭缝? 出口形式：狭缝+CCD? 狭缝宽度：0.01-3mm? 通讯接口：USB2.0- 光电倍增管（PMTH-S1-R928）? 光谱响应范围：200-870nm? 配HVC1800高压稳压电源- 单光子计数器（DCS202PC）? 有效计数率：≥5Mcps- 计算机（JSJ）? 一体机，安装光谱采集软件- 光学平台（OTB15-10）? 台面尺寸：1500*1000mm应用举例某用户提供的ZnO参杂发光材料（测试设备：OmniPL-MSA-325显微PL光谱系统）

仪器简介：PerkinElmer LS45/55型为多功能、可靠和易用的发光分光光度计。是在LS-50B型基础上的改进型。结合一定的附件和软件，本机可以有广泛的应用范围，不论工作中需要荧光、磷光或化学发光及生物发光的检测，这都是恰当的选择。LS 55荧光/磷光/发光分光光度计可测定荧光、磷光、生物发光或化学发光。激发狭缝2.5—15nm，发射狭缝为2.5—20nm。脉冲式氙灯（寿命长、电源供应简单，产生臭氧极少，不需长时间预热；大大减少光解作用；每一脉冲间测定暗电流，增进低荧光量的测定；用软件控制即可测定磷光，不需附件；磷光的灵敏度不损失脉冲率、延迟时间及门限时间均可变更）；信噪比：750：1（RMS，350nm处纯水拉曼谱带），基线处为2000：1（RMS）；大样品室保证可安装多种计算机控制的专用附件、可提供的附件最全；包括固体样品架；新概念的软件；FL WinLabTM（具有强大的二维/三维显示功能，开辟了分析复杂组份混合物的新途径）。技术参数：波长精度: ±1nm波长重复性: ±0.5nm带宽: 激发狭缝缝2.5-15nm, 发射狭缝2.5-20nm调节步距均为0.1nm扫描速度: 10-1500nm/分, 调节步距为1nm 亦可按时间收集数据发射滤光片: 290, 350, 390, 430, 及515nm, 5片 另有1%衰减片,均由软件选择灵敏度: 用350nm激发波长测定纯水拉曼谱带,在拉曼峰处最低信噪比为750:1(RMS), 在基线处最低信噪比为2500:1(RMS)主要特点：使用方面,性能稳定,可配备多种附件适应不同的应用范围。

碳纳米管，是一种具有特殊结构（径向尺寸为纳米量级，轴向尺寸为微米量级、管子两端基本上都封口）的一维量子材料。它主要由呈六边形排列的碳原子构成数层到数十层的同轴圆管。层与层之间保持固定的距离，约为0.34nm，直径一般为2～20nm。由于其独特的结构，碳纳米管的研究具有重大的理论意义和潜在的应用价值，如：其独特的结构是理想的一维模型材料 巨大的长径比使其有望用作坚韧的碳纤维，其强度为钢的100倍，重量则只有钢的1/6 同时它还有望用作为分子导线，纳米半导体材料，催化剂载体，分子吸收剂和近场发射材料等。 Specim可提供碳纳米管近红外光谱及影像分析工具，采用近红外光谱相机，搭载与近红外显微平台，并配合压电陶瓷纳米位移台，实现碳纳米管的影像及光谱扫描，不仅可以用于电致发光的光谱分析，也可用与光致发光光谱测量，为研究者提供大量的光谱及影像数据以供研究分析使用。光谱测量范围：970nm- 2500nm（900nm-1700nm）。

仪器简介： 光致荧光光谱测量是半导体材料特性表征的一个被普遍认可的重要测量手段。MiniPL为模块化设计、计算机自动控制的高灵敏度、宽带隙小型PL（光致荧光）光谱仪；MiniPL采用Photon Systems公司自行研发的深紫外激光器224nm(5.5eV)或248.6nm(5eV)作为激发光源，配合独特的光路设计，采用高灵敏度PMT作为探测器件，并通过仪器内置的门闸积分平均器（Boxcar）进行数据处理，实现微弱脉冲信号的检测。MiniPL可被用表征半导体材料掺杂水平分析、合成组分分析、带隙分析等，不仅可用于科研领用，更可用在半导体LED产业中的品质检测。技术参数：主要规格特点：■ 采用5.5(224nm)或5.0 eV(248.6nm)深紫外激光器■ 室温PL光谱测量范围：190~650nm（标准），190~850nm（选配）■ 高分辨率：0.2nm（@1200g/mm光栅，标配），0.07nm（@3600g/mm光栅，选配）■ 门闸积分平均器（Boxcar）进行微弱脉冲信号的检测■ 可实现量子效率测量■ 基于LabView的界面控制■ 光谱分析软件可获得光谱带宽、峰值波长、峰值副瓣鉴别、光谱数据运算、归一化等■ 最大可测量50mm直径样品，样品可实现XYZ三维手动调整（标准）■ 可选配自动样品扫描装置，实现Mapping功能■ 可用于紫外拉曼光谱测量■ 高度集成化，体积：15 × 18 × 36cm，重量：8kg主要特点： 光致荧光光谱测量是半导体材料特性表征的一个被普遍认可的重要测量手段。MiniPL为模块化设计、计算机自动控制的高灵敏度、宽带隙小型PL（光致荧光）光谱仪；MiniPL采用Photon Systems公司自行研发的深紫外激光器224nm(5.5eV)或248.6nm(5eV)作为激发光源，配合独特的光路设计，采用高灵敏度PMT作为探测器件，并通过仪器内置的门闸积分平均器（Boxcar）进行数据处理，实现微弱脉冲信号的检测。MiniPL可被用表征半导体材料掺杂水平分析、合成组分分析、带隙分析等，不仅可用于科研领用，更可用在半导体LED产业中的品质检测。

Gatan Mono CL4高分辨成像与光谱分析阴极发光成像系统 品牌： GATAN名称型号：MonoCL4新一代阴极发光系统制造商： GATAN公司经销商：欧波同有限公司 产品综合介绍：产品功能介绍MonoCL4是Gatan公司生产的世界领先的阴极发光(CL)系统中的最新一代。MonoCL成为高分辨阴极发光成像及光谱分析的代名词己经超过15年，已成功安装在成百上千的扫描电镜、透射电镜和电子探针上。MonoCL4在性能和功能上的最新进展使其继续站在CL领域的最前沿。Gatan阴极荧光谱仪MonoCL4是目前用于扫描电镜中，深入研究光电子学、半导体材料学以及地质勘探学材料发光成像方面最先进的仪器设备。品牌介绍美国Gatan公司成立于1964年并于70年代末进入中国市场。Gatan公司以其产品的高性能及技术的先进性在全球电镜界享有极高声誉。作为世界领先的设计和制造用于增强和拓展电子显微镜功能的附件厂商，其产品涵盖了从样品制备到成像、分析等所有步骤的需求。产品应用范围包括材料科学、生命科学、地球物理学、电子学，能源科学等领域， 客户范围涵盖全球的科研院所，高校，各类检测机构及大型工业企业实验室，并且在国际科学研究领域得到了广泛认同。经销商介绍欧波同有限公司是中国领先的微纳米技术服务供应商，是一家以外资企业作为投资背景的高新技术企业，总部位于香港，分别在北京、上海、辽宁、山东等地设有分公司和办事处。作为蔡司电子显微镜、Gatan扫描电子显微镜制样设备及附属分析设备在中国地区最重要的战略合作伙伴，公司秉承“打造国内最具影响力的仪器销售品牌”的经营理念，与蔡司，Gatan品牌强强联合，正在为数以万计的中国用户提供高品质的产品与国际尖端技术服务。产品主要技术特点：MonoCL4的设计使用直接耦合腔式单色器与高效率探测器。该设计的最大优势在于使阴极发光的采集效率达到最大化。这种方式的光损失最低，并在很宽的光谱范围内获得最大的灵敏度，从而使MonoCL4拥有无与伦比的灵敏度。因而可实现：低注入量，获得高空间分辨率，避免非平衡状态的产生及最小化光诱导假象；窄带宽操作，获得高光谱分辨率及单色成像；缩短采集时间，提高使用效率；为更多的样品提供CL应用.甚至可应用在某些束流有限的SEM；为产生阴极发光体积元有限的样品提供CL分析。比如薄膜、纳米线、纳米颗粒和TEM样品等。产品主要技术参数：采集镜1、可伸缩、可拆卸、金刚石加工的抛物面形CL采集镜，标准伸缩距离为75mm2、具有LED采集镜位置指示器。*3、采集镜厚度为8.75 mm光谱仪4、直接耦合腔式单色器与高效率探测器，与腔式单色仪直接光学耦合，达到阴极发光的采集效率达到最大化。5、高效消色差光学。6、马达驱动的反射镜，用于切换全色模式与单色模式。7、配备分光器：1200 l/mm 500nm闪耀波长的光栅，可对任一波长进行单光成像并可结合全光光谱图8、千分尺狭缝，用于控制光谱分辨率和带通。9、直列4位置过滤架，包括可移动的RGB过滤片。10、内置ITSL光谱校正灯。11、对应于每个探测器与衍射光栅组合的系统响应曲线（350nm到探测器的极限）。12、自动控制全光分光调节装置，可得全光影像，单光影像及谱图探测器13、内置前置放大器的PMT探测器，波长范围185nm~ 850nm控制器14、PA4控制器，用于控制单色仪和探测器。15、手动远程控制器，用于成像控制和PMT高压的数字读出。软件：*16、配置 Digital Micrograph软件，用于系统控制，数据记录、存档、展示与输出。MonoCL4软件插件，用于控制单色器、探测器和光谱的串行采集。启动仪器时将自动运行光谱校准程序，以及多个高斯曲线拟合的脉冲计数光谱程序。电脑：17、带Windows系统的计算机与22英寸的宽屏显示器。4.8、主流PC，Window 7 32位和22”纯平显示器产品主要应用领域：地质矿物学: 地层学, 断裂与成岩学, 锆石, 宝玉石陶瓷: 微观结构, 相组织, 烧结, 摩擦学研究新材料: 金刚石, 碳化硅光电材料：氮化物半导体薄膜，磷化锢和稀有掺杂材料应用举例地质学MonoCL4能够用来确定物源及成岩作用，提供一种简单的方法用来区别矿物，观察愈合裂纹、化学过增长和鉴定精细的振荡环带，因而CL在地质学中发挥着极其重要的作用。新材料MonoCL4的应用促进了导体材料和光电材料的理解和认识，这包括氮化物半导体薄膜、纳米结构和异质结及纳米结构氧化物（ZnO1 ZrO2和Y3Al5O12）、磷化锢和稀有掺杂材料。尽管硅是一种弱的发光体.但是MonoCL的高效收集效率、色散性能及探测能力使其成为硅基光伏材料和发光材料的一种重要的表征工具。医药工业MonoCL4可用来大量地筛选活性药物的成分，并提供光谱指纹图谱。在司法鉴定和食品科学中也具有重要的应用价值。生命科学结合荧光显微分析的优点和电子显微镜的高空间分辨能力，使CL能够作为发光标记使用。图A.石英晶体次生变化规律以及晶体内部织构图B. InGaN 多量子阱结构H:断裂与愈合的石英晶体，Dr R，Reed,Bureau of Economic Geology,University of Texas.J:GaN的平面图，显示出螺位错和杂质偏析

荧光光谱分析仪Flex One性能特点：● 一体化的光学调校——整机设计，结构稳固，光路稳定，确保高效性和易用性● 简单易用的双样品光路设计——可随意在水平和垂直光路上进行切换，适用于各种常见的样品夹具● 超宽光谱范围**——200nm-2500nm● 视频监视光路 ——通过监视器，查找微米级样品，可供精确调整，定位测试样品点● 多种激发波长可选**——266nm，325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等● 自动mapping功能可选*——50mm×50mm标准测量区间，可定制特殊规格，步进精度1μm特殊规格● 电致发光(EL)功能可选*——扩展选项● 显微拉曼光谱测量功能可选*——扩展选项● 超低温测量附件可选*——可配置多种低温样品台*选配项，请详细咨询； **需根据实际需要进行配置确定荧光光谱分析仪Flex One产品简介： 光致发光(photoluminescence) 即PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光，在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光（波长如325nm、532nm、785nm 等）激发材料（如GaN、ZnO、GaAs 等）产生荧光，通过对其荧光光谱（即PL 谱）的测量，分析该材料的光学特性，如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息，是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法，因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。 传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合，但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中，存在很大的局限性，比如无法灵活的选择实验所需的激光器（特别对于UV 波段的激光器，没有足够适用的配件），无法方便的与超低温制冷机配合使用，采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题，都是采用标准显微镜难以回避的问题。 北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求，推出了“Flex One( 微光）”系列显微光致发光光谱仪，有效的解决了上述问题，是目前市场上高性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。荧光光谱分析仪Flex One系统组成● 激发光源部分：紫外-近红外波段各种波长激光器● 显微光路部分：优化设计的专用型显微光路● 光谱采集部分：影像校正光谱和高灵敏型科学级CCD或单点探测器和数据采集器● 样品台支架部分：xyz三维可调样品台（手动或自动）、超低温样品台荧光光谱分析仪Flex One参数规格表：主型号Flex One光谱范围300-2200nm光谱分辨率0.1nm激发光可选波长266nm，325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等探测器类型单点Si单点PMT单点InGaAs制冷型CCD2000×256制冷型InGaAs阵列512×1制冷型InGaAs阵列512×1有效范围200-1100nm200-870nm800-2500nm300-1000nm800-1700nm800nm-2200nm空间分辨率50μm注*：以上为参考规格，详细规格依据不同配置的选择会有差异，详情请咨询！

组合式荧光光谱测量系统-OmniFluo系列荧光光谱测量系统介绍系统组成：在许多应用领域如材料学、生物学（叶绿素和类胡萝卜素）、生物医学（恶性病的荧光诊断）和环境应用中都需要用到荧光检测技术。荧光检测通常需要高灵敏度光谱仪，在大多数应用中荧光能量仅为激发光能量的0.1%，波长要长于激发光，而且是散射光。在荧光测量系统中，一定要避免激发光进入到光谱仪中。荧光实验光学布局中的一个重点是如何避免激发光进入光谱仪, 以下几种方法提供给各位参考:1. 选择TLS或TLSE系列可调单色光源作为荧光激发源，因其具有良好的单色性，杂散光低，能够较少的影响荧光的检测；2. 在光路上使用垂直90°配置，避免激发光直射或镜面反射至荧光光谱仪，可大幅降低激发光对荧光的干扰。可调单色光源+样品室＋荧光光谱仪＋数据采集及处理系统＋软件＋计算机系统优点：可同时做激发谱及发射谱,对于未知激发谱之材料可提供更有效分析工具。OmniFluo系列组合式荧光光谱测量系统OmniFluo 系列荧光光谱测量系统采用模块化的组合方式集成而成，通过不同配件的选择，不仅可以实现荧光光谱测量，还能够实现功能的多样化，如PL、拉曼、透射反射吸收、探测器定标等光谱测量；系统采用一体化的光学调校，可以完全固定在一块精密光学平板上，只需要在初次安装时进行调校，实际应用过程中只需要对样品进行简单调整，确保在仪器使用中始终保持高效率的操作。OmniFluo-113型光子计数级稳态荧光光谱系统主要技术参数:● 激发光源：TLSE1805i-X150可调单色光源，采用150W氙灯● 激发光功率：0.3mW（@500nm，单色）● 激发光谱范围：250-1500nm（可选200-1500nm）● 激发光谱带宽：0.15-10nm（连续可调@1200g/mm光栅）● 荧光光谱仪光谱范围：200-2500nm● 荧光光谱带宽：0.1-8nm（连续可调@1200g/mm光栅）● 波长准确度：±0.25nm（Ex），±0.2nm（Em）● 波长重复性：±0.1nm（Ex，Em）● 光探测器：光子计数级光电倍增管，200-850nm● 数据采集器：DCS200PC单光子计数器，计数率：100Mcps● 系统灵敏度：纯水拉曼峰信噪比：1,000:1（RMS@带宽5nm，积分时间1s）● 超大样品室设计，便于操作，并可选配多种滤光片附件及偏振附件● 提供荧光量子产率测量附件● 可选配闭循环超低温制冷机，最低温度可达2K● 系统扩展性：采用模块化设计，可扩展至近红外波段光谱测量● 可选配锁相放大器，特别适合红外波段测量时提升系统信噪比● 软件提供灵活的实验运行步骤自定义功能，可随时储存和提取图谱，并能够进行复杂的光谱处理及光谱数据间的四则运算

荧光光谱仪在许多领域中被广泛应用，如：材料学（宽禁带半导体材料发光特性检测）、生物学（叶绿素和类胡萝卜素检测）、生物医学（恶性病的荧光诊断）和环境监测中都可以用到荧光检测技术。 OmniFluo “卓谱”系列荧光光谱测量系统采用模块化的组合方式集成而成，吸收了我公司 15 年的光谱系统设计、制造经验，通过不同配件的选择，不仅可以实现荧光光谱测量，还能够实现功能的多样化，如 PL、拉曼、透射反射吸收、探测器定标等光谱测量，有效解决了传统荧光分光光度计光谱范围有限及拓展功能不足的问题。 OmniFluo “卓谱”系统采用高性能“谱王”Omni-λ系列光谱仪 / 单色仪、高灵敏度单通道或多通道探测器，采用单光子计数技术或锁相放大技术，极大的提高了荧光探测的灵敏度，使得纯水拉曼信噪比达到 1000:1 以上的水平。 OmniFluo“卓谱”组合式荧光光谱测量系统将 PL 和 PLE 两种荧光测试需求完美结合，采用模块化设计，可以根据需要进行系统架构的灵活调整，实现常温及低温下的荧光光谱、激发光谱测量。 OmniFluo“卓谱”组合式荧光光谱测量系统性能特点 ■ 模块化的结构设计——各功能模块完美结合，根据需要进行选择，后续升级方便■ 合理的空间布局——在满足功能需求的前提下尽可能占用更少的空间，且方便测量操作■ 超宽光谱范围*——200nm-2500nm■ 独有的发射光谱校正功能*——让光谱测量更精准且具有可比性■ 宽波段、高输出功率光源——150W、500W氙灯光源可选■ 多种激光器波长可选*——266nm/325nm/375nm/405nm/442nm/532nm/785nm/1064nm等■ 量子产率测量功能可选**——扩展选项■ 电致发光(EL)功能可选**——扩展选项■ 超低温测量附件可选**——可提供≤10K的超低温测量*需根据实际需要进行配置确定；**选配项，请详细咨询。OmniFluo“卓谱”组合式荧光光谱测量系统参数规格表(*) 主型号OmniFluo光谱测量范围200-2500nm荧光光谱分辨率0.1nm激发光源基于150W或500W氙灯可调单色光源激发光输出带宽0.1nm-30nm激光器可选波长266nm/325nm/375nm/405nm/442nm/532nm/785nm /1064nm等探测器类型制冷型CCD 2000×256制冷型InGaAs 512×1单点 PMT 单点制冷型 InGaAs探测光谱范围200- 1000nm800-2200nm200-870nm800- 2500nm数据采集器--单光子计数器或锁相放大器锁相放大器

光致发光(photoluminescence) 即PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光，在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光（波长如325nm、532nm、785nm 等）激发材料（如GaN、ZnO、GaAs 等）产生荧光，通过对其荧光光谱（即PL 谱）的测量，分析该材料的光学特性，如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息，是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法，因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。 传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合，但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中，存在很大的局限性，比如无法灵活的选择实验所需的激光器（特别对于UV 波段的激光器，没有足够适用的配件），无法方便的与超低温制冷机配合使用，采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题，都是采用标准显微镜难以回避的问题。 北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求，推出了“OmniPLMicroS”系列显微光致发光光谱仪，有效的解决了上述问题，是目前市场上最具性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。性能特点： 一体化的光学调校——所有光学元件只需要在初次安装时进行调校，确保高效性和易用 性 简单易用的双光路设计——可随意在水平和垂直光路上进行切换，适用于各种常见的样 品形态 超宽光谱范围**——200nm-1600nm 视频监视光路——可供精确调整测试点 独有的发射光谱校正功能*——让光谱测量更精准且具有可比性 多种激发波长可选**——325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等 自动mapping功能可选*——50mm×50mm测量区间，可定制特殊规格 电致发光(EL)功能可选*——扩展选项 显微拉曼光谱测量功能可选*——扩展选项 超低温测量附件可选*——提供10K以下的超低温测量*选配项，请详细咨询；**需根据实际需要进行配置确定。参数规格表*应用:不同制冷温度下GaN材料的PL谱激发波长：325nm，功率：20mW，制冷机最低制冷温度：10K ZnO材料的PL谱: 激发波长：325nm ZnO 薄膜样品在382nm 处有一个特别强的荧光谱带，而在500 ～ 600nm 波段，有个弱的可见光荧光谱带。通过研究这些谱带，可以反映ZnO 表面态对荧光的影响以及晶型和缺陷信息。

RPSE-A型超微弱发光光谱仪技术参数RPSE-A型超微弱发光光谱仪是由西安瑞迈分析仪器有限责任公司自主研制开发，基于Windows操作平台的高性能分析测试装置。它以超小型高分辨率全自动扫描单色仪为分光单元，可在宽光谱范围内快速、连续检测化学发光/电化学发光/生物发光信号,并以二维，三维方式显示时间/发光强度/波长之间的关系，是检测各种超微弱发光信号的有效装置。本仪器可应用于如下领域： 化学发光/电化学发光机理研究 化学发光/电化学应用研究 其他极微弱光光谱分析研究仪器的组成RPSE-A型超微弱发光光谱仪由控制主机、RPSE-A型超微弱发光光谱检测器组成。控制主机内部装有化学发光/电化学及电化学发光分析所需的恒电位、循环伏安、线性扫描等电化学方法及电化学电流检测及光电检测电子系统；集成了与系统计算机通讯的标准USB接口及有可升级扩展的通讯接口。可有效地完成系统计算机与其他仪器及相应控制部件的数据传输。并以二维，三维方式将测试结果在上位机显示时间/发光强度/波长之间的关系。超微弱发光光谱检测器可与本机或其他类型仪器结合进行流动注射化学发光，静态注射化学发光，微流控芯片化学发光及电致化学发光等各种发光检测，并可有效的屏蔽外来电磁干扰信号的影响。配有高分辨率单色仪作为为分光单元的全自动扫描系统，可在紫外、可见及近红外的宽光谱范围内快速、连续检测化学发/生物发光光谱信号。系统软件通过USB接口实现仪器与计算机的连接，完成对数据的的采集，对检测器及主机的联合控制功能，并对采集数据进行数据处理及分析。仪器的主要参数1 电化学相关参数 * 电位范围：-10 V ～ 10 V * 电流范围：±250 mA * 参比电极输入阻抗：≧10 MΩ * 灵敏度：1 x 10-9 ～1 x 10-2 A 共8个量程 * 输入偏置电流：50 pA 电位增量：1 mV * 扫描速率：0.001 ～ 65 V/S2单色器相关参数* 波长范围：300～800nm/200～800nm可选，默认300～800nm* 波长分辨率：4.32nm（可更换狭缝对改变分辨率，范围0.4nm～7.2nm,对应狭缝对0.05mm-1mm）* 波长精度：0.2%* 波长重复性：0.15%* 扫描速率：50nm/S(标准)，100nm/S（高速）* 出口狭缝：600μm* 扫描方式：定时扫描，定点扫描，区间扫描，循环扫描 3 超微弱发光光谱检测器 * 波长检测范围：230 ～ 700nm* 灵敏波长：420nm* 检测方式：单光子计数 * 计数(采样时间)：1ms , 5 ms , 10 ms , 50 ms , 100 ms , 500 ms ,1 s ,5 s , 10 s, 100 s, 1000 s , 3600 s

PMEye-3000光致发光光谱成像（PL-Mapping）测量系统是卓立汉光最新研制的，用于LED外延片、半导体晶片、太阳能电池材料等，在生产线上的质量控制和实验室中的产品研发检测。该系统对样品的PL谱进行Mapping二维扫描成像，扫描结果以3D方式进行显示，使检测结果更易于分析和比较。该系统的软件窗口界面友好，操作简单，只需简单培训就能使用。测试原理：PL（光致发光）是一种辐射复合效应。在一定波长光源的激发下，电子吸收激发光子的能量，向高能级跃迁而处于激发态。激发态是不稳定的状态，会以辐射复合的形式发射光子向低能级跃迁，这种被发射的光称为荧光。荧光光谱代表了半导体材料内部，一定的电子能级跃迁的机制，也反映了材料的性能及其缺陷。PL是一种用于提供半导体材料的电学、光学特性信息的光谱技术，可以研究带隙、发光波长、结晶度和晶体结构以及缺陷信息等等。应用领域举例：LED外延片，太阳能电池材料，半导体晶片，半导体薄膜材料等检测与研究。 主要特点：◆ PLMapping测量◆ 多种激光器可选◆ Mapping扫描速度：180点/秒◆ 空间分辨率：50um◆ 光谱分辨率：0.1nm@1200g/mm◆ Mapping结果以3D方式显示◆ 最大8吋的样品测量◆ 样品精确定位◆ 样品真空吸附◆ 可做低温测量◆ 膜厚测量一体化设计，操作符合人体工学PMEye3000 PL Mapping测量系统采用立式一体化设计，关键尺寸根据人体工学理论设计，不管是样品的操作高度和电脑使用高度，都特别适合于人员操作。主机与操作平台高度集成，方便于在实验室和检测车间里摆放。仪器侧面设计有可收放平台，可摆放液晶显示器和鼠标键盘。仪器底部装有滚轮，方便于仪器在不同场地之间的搬动。模块化设计PMEye-3000 PL Mapping测量系统全面采用模块化设计思想，可根据用户的样品特点来选择规格配置，让用户有更多的选择余地。激发光源、样品台、光谱仪、探测器、数据采集设备都实现了模块化设计。操作简便、全电脑控制PMEye-3000 PL Mapping测量系统，采用整机设计，用户只需要根据需要放置检测样品，无需进行复杂的光路调整，操作简便；所有控制操作均通过计算机来控制实现。全新的样品台设计，采用真空吸附方式对样品进行固定，避免了用传统方式固定样品而造成的损坏；可对常规尺寸的LED外延片样品进行精确定位，提高测量重复精度。两种测量方式,用途更广泛系统采用直流和交流两种测量模式，直流模式用于常规检测，交流模式用于微弱荧光检测。监控激发光源,校正测量结果一般的PL测量系统只是测量荧光的波长和强度，而没有对激发光源进行监控，而激发光源的不稳定性将会对PL测量结果造成影响。PMEye-3000 PL Mapping测量系统增加对激光强度的监控，并根据监控结果来对PL测量进行校正。这样就可以消除激发光源的不稳定带来的测量误差。激光器选配灵活PMEye-3000 PL Mapping测量系统有多种高稳定性的激光器可选，系统最多可内置2个激光器和一个外接激光器，标配为1个405nm波长高稳定激光器。用户可以根据测量对象选配不同的激光器，使PL检测更加精准。可选配的激光器波长有： 405nm，442nm，532nm、785nm、808nm等，外置选配激光器波长为：325nm。自动Mapping功能PMEye-3000 PL Mapping测量系统配置200× 200mm的二维电控位移台，最大可测量8英寸的样品。用户可以根据不同的样品规格来设置扫描区域、扫描步长、扫描速度等，扫描速度可高达每秒180个点，空间分辨率可达50um。扫描结果以3D方式显示，以不同的颜色来表示不同的荧光强度。 软件功能丰富,操作简便我们具有多年的测量系统操作软件开发经验，,熟悉试验测量需求和用户的操作习惯，从而使开发的这套PMEye-3000操作软件功能强大且操作简便。MEye-3000操作软件提供单点PL光谱测量及显示，单波长的X-Y Mapping测量，给定光谱范围的X-Y Mapping测量及根据测量数据进行峰值波长、峰值强度、半高宽、给定波长范围的荧光强度计算并以Mapping显示，Mapping结果以3D方式显示。同时具有多种数据处理方式来对所测量的数据进行处理。低温样品室附件该附件可实现样品在低温状态下的荧光检测。有些样品在不同的温度条件下，将呈现不同的荧光效果，这时就需要对样品进行低温制冷。如图所示，从图中我们可以发现在室温时，GaN薄膜的发光波长几乎涵盖整个可见光范围，且强度的最高峰出现在580nm附近，但整体而言其强度并不强；随着温度的降低，发光强度开始慢慢的增加，直到110K时，我们可以发现在350nm附近似乎有一个小峰开始出现，且当温度越降越低，这个小峰强度的增加也越显著，一直到最低温25K时，基本上就只有一个荧光峰。GaN薄膜的禁带宽度在室温时为3.40Ev,换算成波长为365nm，而我们利用PL系统所测的GaN薄膜在25K时在356.6nm附近有一个峰值，因此如果我们将GaN薄膜的禁带宽度随温度变化情况也考虑进去，则可以发现在理论上25K时GaN的禁带宽度为3.48eV，即特征波长为357.1nm，非常靠近实验所得的356.6nm，因此我们可以推断这个发光现象应该就是GaN薄膜的自发辐射。

国家重大科研仪器研制项目（21427808）产学研成果仪器简介：化学发光、生物发光和电化学发光等非稳态辐射与自发光辐射的光谱分析正在化学、生物和医学等领域获得广泛应用。山东国晨生物科技有限公司和山东大学电化学发光团队于2022年成立化学发光技术联合研发中心，推出实施化学发光、生物发光和电化学发光定量分析研究的新型科研设备GCFG-B型电/化学发光光谱分析仪。该设备采用山东大学电化学发光团队的专利技术(ZL20202194766.9)，突破了总光强测量型化学发光和电化学发光科研设备的局限性，能够为化学发光和电化学发光技术在化学与生命科学领域的更广泛应用提供支持。GCFG-B型电/化学发光光谱分析仪采用散分光和曝光摄谱原理实施光谱分析，曝光摄谱时间可调，具有长时间持续曝光摄谱和时间分辨在线摄谱等功能。GCFG-B适用于化学成分的识别与检测、核酸分析、肿瘤诊断、兴奋剂检测及多指标分析等。仪器特点●光学元器件集成度高、光谱检测灵敏度高，适用于实施化学发光、生物发光、电化学发光和其他超弱自发光光谱的定性分析与高灵敏 定量分析研究，推动非稳态和自发光辐射研究由“黑白型”总光强测量模式跨越至“彩色型”光谱分析模式●光谱分辨率高、光强测定准确度高，适用于以光谱分辨、组分分辨或发光团分辨等方式，实施分子发光与纳米发光的高精度定量分析和创新研究●仪器运行采用山东国晨生物科技自主研发的专用科学仪器软件；●光学探测器、单色仪和电化学系统(用户另配)同步运行，电化学分析和光谱分析兼容 应用领域 ●多组分或多指标型免疫检测与分子诊断研究●生物分子相互作用研究●电/化学发光机理研究●电/化学发光传感●非稳态辐射光谱检测●核酸分析与肿瘤标志物检测●体外诊断与传染性疾病研究●超微弱非稳态光谱分析与定量检测●电/化学发光光谱的实时检测●电/化学发光过程与动力学研究●量子点电荷注入与转移机制研究技术参数●光谱分析：光学响应范围：400-900 纳米单次采谱时间：50毫秒-10分钟时间分辨率：10毫秒-10分钟波长分辨率：1.5纳米连续摄谱次数： 1-50 次●面阵CCD (制冷温度-65 ℃)空间分辨率： 2048*263像素像素尺寸：15*15微米暗电流：0.02electron/pix/s●最大曝光摄谱时间：≥3000s●电化学发光检出限：50 pmol/L Ru(bpy)3 2+●光强检测准确度：RSD＜0.5%（标准汞谱线）●防尘效果：整机无静电防尘

Flex One 显微光致发光光谱仪欲了解更多信息请拨打：010-56370168-601 性能特点：● 一体化的光学调校——所有光学元件只需要在初次安装时进行调校，确保高效性和易用性● 简单易用的双光路设计——可随意在水平和垂直光路上进行切换，适用于各种常见的样品形态● 超宽光谱范围**——300nm-2200nm● 视频监视光路 ——可供精确调整测试点● 独有的发射光谱校正功能*——让光谱测量更精准且具有可比性 ● 多种激发波长可选**——325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等● 自动mapping功能可选*——50mm×50mm测量区间，可定制特殊规格● 电致发光(EL)功能可选*——扩展选项● 显微拉曼光谱测量功能可选*——扩展选项● 超低温测量附件可选*——提供10K以下的超低温测量*选配项，请详细咨询； **需根据实际需要进行配置确定。产品简介： 光致发光(photoluminescence) 即PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光，在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光（波长如325nm、532nm、785nm 等）激发材料（如GaN、ZnO、GaAs 等）产生荧光，通过对其荧光光谱（即PL 谱）的测量，分析该材料的光学特性，如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息，是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法，因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合，但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中，存在很大的局限性，比如无法灵活的选择实验所需的激光器（特别对于UV 波段的激光器，没有足够适用的配件），无法方便的与超低温制冷机配合使用，采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题，都是采用标准显微镜难以回避的问题。 北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求，推出了“Flex One( 微光）”系列显微光致发光光谱仪，有效的解决了上述问题，是目前市场上最具性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。( 产品图片仅供参考，以实际系统配置为准)系统组成● 激发光源部分：紫外-近红外波段各种波长激光器● 显微光路部分：优化设计的专用型显微光路● 光谱采集部分：影像校正光谱和高灵敏型科学级CCD或单点探测器和数据采集器● 样品台支架部分：xyz三维可调样品台（手动或自动）、超低温样品台参数规格表：主型号Flex One光谱范围300-2200nm光谱分辨率0.1nm激发光可选波长325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等探测器类型制冷型CCD 2000×256制冷型InGaAs512×1制冷型InGaAs512×1有效范围300-1000nm800-1700nm800nm-2200nm空间分辨率100μm注*：以上为基本规格，详细规格依据不同配置的选择会有差异，详情请咨询！InGaN/GaN多量子阱的PL谱和EL谱测试 ● 样品提供：KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于蓝宝石衬底MOCVD 生长的 InGaNGaN 量子阱● 测试条件：325nm激发，功率30mW● 光谱范围：340-700nm1. 光致发光(PL)光谱测量分别针对材料的正极( 红色) 和负极( 绿色) 测试得到光致发光光谱曲线如下，GaN 的本征发光峰365nm 附近以及黄带，InGaN 的发光峰475nm 附近。 2. 电致发光(EL)光谱测量将材料的正负极接到直流电源的正负极，电压加到2.5V 时可以有明显的蓝光发射，测量其电致发光光谱曲线如下（红色），峰值在475nm 附近。

仪器简介： 电子束入射到样品上，即可用光学方法接收并分析阴极发光（CL），从而提供样品详细的物理特性。它是一种无损的分析方法，结合电镜可提供与形貌相关的高空间分辨率光谱结果，是纳米结构和体材料的独特分析工具。 HCLUE是一款基于反射镜耦合优化的CL系统，结合了Jobin Yvon光谱技术制造的光谱仪模块，具有高灵敏度性能，适用于弱信号测量。可同时配备两个探测器，以获得更大光谱范围。 原理图主要特点：● 反射镜直接耦合● 高灵敏度● 扫描成像、线扫描、点测量● 多种光栅选项● 多种焦长光谱仪选项：320mm-550mm● 可配双探测器以获得最大光谱范围：185nm-2500nm重点应用领域： 阴极发光光谱仪（CL）是用来表征材料中的缺陷，元素和杂质追踪的强大分析工具，广泛适用于各个应用领域。1、材料科学● 半导体和光电材料● 介电/陶瓷 ● 氧化物膜 ● 玻璃2、矿物、地质● 碳酸岩 ● 晶体 ● 金刚石 ● 锆石、方解石、白云石3、生命科学4、公安CL光谱及成像：■CL光谱：使用CL测量光谱时，可在电镜下观察并选择待测样品区域。■快速CL成像：将扫描电子束与您的光谱仪同步，提供快速成像方案。使用HCLUE系统测量的GaN样品，测量中使用了超快SWIFTTM成像模式。矿物样品中的白云石和磷酸钙。测量使用Flex-CLUE系统，配备iHR320光谱仪和开放电极式CCD探测器。感谢Prof A. Jambon, UPMC France提供数据左图：使用伪彩色显示350nm-450nm之间发射光谱区。figure 1, Hyperspectral CL mapping中图：电镜下的样品图像。figure 2, SE image右图：对应的光谱，其中不同色彩区域与左图中显示的颜色对应。figure 3, CL spectral (RGB)

GCHW-A近红外化学发光光谱分析仪化学发光免疫检测的常规科研设备和体外诊断产品通常采用光电倍增管/光子计数器检测器类点式探测器，其光学响应的上限为900~1000 纳米。围绕突破化学发光基础研究的可见光和近红外I区限制，山东国晨生物科技采用国产化技术整合 色散装置、近红外面阵探测器和超低温热电制冷器件，主导开发了光学响应位于900-1700 纳米波段的科研级近红外化学发光光谱分析仪。仪器特点●光学系统高度集成，精密光路自主设计，整机国产化程度高，超低温热电制冷、曝光时间积分和面阵探测器纵向积分技术相结合，适用于实施超弱、非稳态辐射的近红外光谱分析●信号响应灵敏度高，光强测定准确度高 (RSD 0.5%)，推动近红外区域自发光与免激发光源类辐射的定性分析与高灵敏定量分析●仪器运行采用国晨生物科技自主研发的专用科学仪器软件，兼容 LightField等商业软件●硬件支持与其它科研设备的同步启动与联用，软硬件的开放性和兼容性良好●光谱响应范围宽 900-1700 纳米，单次采谱宽幅优于 300 纳米，采用转动光栅设计调整光学响应波段，适用于在指定波段实施近红外辐射的基础与应用研究应用领域● 超微弱与近红外化学发光过程研究● 长波段化学发光物质与发光体系开发 ● 量子点化学发光机理研究● 长波段化学发光免疫检测研究 ● 超越禁带宽机制的量子点化学发光 ● 长波段化学发光分子诊断研究

傅里叶变换光致发光光谱仪FTPL-10产品简介光致发光（Photoluminescence, PL）光谱作为一种有效的无损光谱检测手段广泛应用于半导体的带隙检测、杂质缺陷分析、复合机制与品质签定等。但在光致发光的红外区这一弱信号检测领域，市场上现有的测量系统对使用者的光谱实验技能要求高，使用者需要耗时费力调整光路，才能找到微弱的PL光谱信号，光谱测量效果往往也难以得到保证。 傅里叶变换（Fourier transform, FT）光谱具有完善的理论和仪器基础。与传统色散型光谱仪相比，傅里叶变换光谱仪具有多通道、全通量、低等效噪声、快速扫描等优势，信噪比和探测灵敏度提升了一个数量级，非常适合红外波段的光谱测量。 应用领域* 前沿光电材料科学研究* 半导体晶圆品质检测* 稀土发光材料性能检测* 红外光电器件品质检测产品特点* 红外波段弱信号探测能力强FTPL-10信号采集使用傅里叶变换干涉分光技术，规避了传统光谱仪中严重限制光通量的狭缝，显著提高通光量；无需按波段分光检测，显著提升红外波段微弱光谱信号的探测能力，光谱分辨率和信噪比提升一个数量级。* 光谱扫描速度快在常用的分辨率条件下，FTPL-10能够在不到1秒的时间内扫描一张质量很好的光谱图。在此基础上，采用多次重复快速扫描的方式，可以降低随机误差，进一步提高光谱信噪比。* 较低的使用门槛FTPL-10采用预先优化准直的光路设计，将激发光引导至预设的位置，该位置同时是优异的光信号收集位置。使用者不需要进行复杂的光路调节工作，只需要将样品固定，通过三维位移台将样品调节到预设位置，即可满足测量要求。使用门槛较低，只需简单培训即可上机操作。产品参数FTPL-10实测样品数据效果展示样品A In0.5Ga0.5As/GaAs/In0.5Al0.5As量子点，采用分子束外延技术制备。[The InGaAs/GaAs/InAlAs quantum-dots sample was grown by molecular beam epitaxy (MBE) technique.]测试条件：样品温度状态：77K泵浦激光：532nm激发功率：50mW 仪器参数设置：光谱分辨率：8cm-1光谱范围：4000-12500cm-1扫描设置：单谱重复采样16次取平均，重复测量5次，每次间隔2分钟 测试结果：单谱测量时间约为14秒，5次测量结果在整个谱峰范围（9000-9800cm-1）内的相对偏差1%，谱峰偏离±0.4 cm-1 ，谱峰附近（9300~9400cm-1）的信噪比均达到1600以上。测试条件：样品温度状态：杜瓦中液氮耗尽，温度由77K自然升温至室温293K左右 泵浦激光：532nm激发功率：50mW 仪器参数设置：光谱分辨率：8cm-1光谱范围：4000-12000cm-1扫描设置：单谱重复采样16次取平均，间隔5分钟自动采样，全过程约2小时20分 测试结果：尽管因试验条件所限，无法获取整个过程中的样品温度数据，但可以从光谱图中观察到随着时间变化（温度逐步升高），样品的PL谱峰位置由9338cm-1逐步红移至8803cm-1，PL谱峰高度由1.33逐步下降至0.011。这样规律性变化也从侧面反映了系统的长时稳定性。 样品BIn0.53Ga0.47As(2.5nm)/GaAs(18nm)量子点，采用分子束外延技术制备。[The InGaAs/GaAs quantum-dots sample was grown by molecular beam epitaxy (MBE) technique.]测试条件：样品温度状态：室温泵浦激光：532nm激发功率：10-210mW 逐步递增，间隔20mW 仪器参数设置：光谱分辨率：8cm-1光谱范围：4000-12500cm-1扫描设置：单谱重复采样16次取平均 测试结果：随泵浦激光的功率逐步上升，PL谱峰高度随激光功率近似线性增强，样品的PL谱峰位置发生轻微的红移。考虑到本次测试未对样品进行任何恒温控制，泵浦激光功率较强可能造成样品温度轻微升高，造成谱峰位置红移。样品CGaSb单晶材料，由液态封装的切克劳斯基（LEC）方法，以高纯度（99.9999％）的Ga和Sb金属为原料生长。[The GaSb single-crystal sample was grown by liquid encapsulated Czochralski (LEC) method using high-purity (99.9999%) Ga and Sb metals as the raw materials.]文献报道GaSb材料的禁带宽度与温度关系:测试条件：样品温度状态：杜瓦中液氮耗尽，温度由77K自然升温至室温293K左右泵浦激光：532nm激发功率：75mW 仪器参数设置：光谱分辨率：8cm-1光谱范围：4000-12500cm-1扫描设置：单谱重复采样16次取平均，间隔2分钟自动采谱 测试结果：随着样品温度逐步升高，PL谱峰的位置发生明显红移，主峰高度明显下降。同时，在6400cm-1附近的次峰相对凸显，这是带尾态引起的光致发光，能带宽度不随温度变化。选型表

本系统可以测试半导体材料或其他发光特性材料在激光激发下产生的荧光光谱。通常情况下采用紫外或近紫外激光激发半导体材料（如GaN、Zno、CdTe 等）产生荧光；或用可见、红外激光器激发稀土参杂的玻璃或晶体材料产生的荧光，通过对其荧光光谱的测量，分析材料能带结果等特征。 系统型号系统特点7-PLSpec I常温扫描型7-PLSpec II低温扫描型7-PLSpec MMini 摄谱型 技术指标光谱范围：200-2500nm (可根据实际需要选择）波长准确度：± 0.2nm光谱分辨率：± 0.1nm光谱带宽：0.2-10nm 可调光源波长：224nm、248nm、266nm、325nm、488nm、532nm、946nm、1946nm等可选可升级做透射、反射光谱测试

OmniPL-MicroS组合式显微光致发光光谱系统 显微光路通常具有较高的通光效率，用在荧光光谱测量中，不仅可以进一步提升系统的信噪比，更可以实现微区测量。我公司除了可以提供“Flex One(微光）”系列显微光致发光光谱仪一体机，还为组合式系统的客户提供了两种类型的显微光路模块，一种是不带显微镜的水平光路显微模块，另一种是带有显微镜的垂直光路显微模块，它们都可以与我公司的光谱及配件组合成为显微光致发光光谱系统。 性能特点● 模块化的结构设计——水平和垂直光路可选，组合方便● 超宽光谱范围*——200nm-1600nm● 默认适配激光波长——325nm● 其它激光器波长可选*——405nm/532nm/633nm等● 电致发光(EL)功能可选**——扩展选项● **——可提供≤10K的超低温测量*需根据实际需要进行配置确定；**选配项，请详细咨询。 参数规格表(*)主型号OmniPL-MicroS光谱测量范围200-1600nm荧光光谱分辨率0.1nm激光波长325nm探测器类型制冷型CCD2000×256制冷型InGaAs512×1单点PMT单点制冷型InGaAs探测光谱范围200-1000nm800-1600nm200-870nm800-1600nm数据采集器--单光子计数器或锁相放大器锁相放大器注*：以上为基本规格，详细规格依据不同配置的选择会有差异，详情请咨询！OmniPL-MicroS-A垂直光路型 垂直光路型系统架构基于标准显微镜体和光谱仪等模块组合而成，光路垂直更有利于一般的样品放置，测量过程更方便。OmniPL-MicroS-B 水平光路型 水平光路型的系统不采用显微镜体，光路水平输出，需将样品竖直放置，系统可以配置多维可调的样品架，可以夹持固体、液体等多种类型的样品；水平光路更适合于液体样品，以及与低温制冷机配合使用时的光学布局。OmniPL-MSA-325型显微PL光谱系统主要技术参数（垂直光路型）系统指标与功能● 荧光光谱测量范围：350-800nm● 激发波长：325nm● 样品形态：固态（片状、粉末）● 预留CCD接口● 可升级电致发光（EL）测量● 可升级扩展至NIR波段测量（~1600nm）详细配置及规格参数- 光源? 类型：HeCd激光器? 功率：≥20W- 显微光路模块（OmniPL-KS-A）? 显微物镜：20X紫外? 光谱适用范围：250-800nm? 标准显微镜（带样品X-Y手动调节台）? 内置CCD监视光路? 可加装滤光片轮 - 荧光光谱仪（Omni-λ500i）? 焦距：500mm? f/#：f/6.5? 光谱覆盖范围：200-1000nm? 光谱分辨率：优于0.05nm@435.8nm（1200g/mm光栅）? 入口形式：狭缝? 出口形式：狭缝+CCD? 狭缝宽度：0.01-3mm? 通讯接口：USB2.0? 光谱仪整体支架- 光电倍增管（PMTH-S1-R928）? 光谱响应范围：200-870nm? 配HVC1800高压稳压电源- 单光子计数器（DCS202PC）? 有效计数率：≥5Mcps- 计算机（JSJ）? 一体机，安装光谱采集软件- 光学平台（OTB15-10）? 台面尺寸：1500*1000mmOmniPL-MSB-325型显微PL光谱系统主要技术参数（水平光路型）系统指标与功能● 荧光光谱测量范围：350-800nm● 激发波长：325nm● 样品形态：固态（片状、粉末）、液态● 预留CCD接口● 可升级扩展至NIR波段测量（~1600nm）● 可升级至超低温（10K）测量功能详细配置及规格参数- 光源? 类型：HeCd激光器? 功率：≥20mW- 显微光路模块（OmniPL-K1-325）? 显微物镜：20X紫外? 光谱适用范围：250-800nm? 样品架：固体（片状、粉末）、液体比色皿样品池，可五维手动调整? 内置监视光路 - 荧光光谱仪（Omni-λ500i）? 焦距：500mm? f/#：f/6.5? 光谱覆盖范围：200-1000nm? 光谱分辨率：优于0.05nm@435.8nm（1200g/mm光栅）? 入口形式：狭缝? 出口形式：狭缝+CCD? 狭缝宽度：0.01-3mm? 通讯接口：USB2.0- 光电倍增管（PMTH-S1-R928）? 光谱响应范围：200-870nm? 配HVC1800高压稳压电源- 单光子计数器（DCS202PC）? 有效计数率：≥5Mcps- 计算机（JSJ）? 一体机，安装光谱采集软件- 光学平台（OTB15-10）? 台面尺寸：1500*1000mm应用举例某用户提供的ZnO参杂发光材料（测试设备：OmniPL-MSA-325显微PL光谱系统）

仪器简介：PerkinElmer LS45/55型为多功能、可靠和易用的发光分光光度计。是在LS-50B型基础上的改进型。结合一定的附件和软件，本机可以有广泛的应用范围，不论工作中需要荧光、磷光或化学发光及生物发光的检测，这都是恰当的选择。LS 55荧光/磷光/发光分光光度计可测定荧光、磷光、生物发光或化学发光。激发狭缝2.5—15nm，发射狭缝为2.5—20nm。脉冲式氙灯（寿命长、电源供应简单，产生臭氧极少，不需长时间预热；大大减少光解作用；每一脉冲间测定暗电流，增进低荧光量的测定；用软件控制即可测定磷光，不需附件；磷光的灵敏度不损失脉冲率、延迟时间及门限时间均可变更）；信噪比：750：1（RMS，350nm处纯水拉曼谱带），基线处为2000：1（RMS）；大样品室保证可安装多种计算机控制的专用附件、可提供的附件最全；包括固体样品架；新概念的软件；FL WinLabTM（具有强大的二维/三维显示功能，开辟了分析复杂组份混合物的新途径）。技术参数：波长精度: ±1nm波长重复性: ±0.5nm带宽: 激发狭缝缝2.5-15nm, 发射狭缝2.5-20nm调节步距均为0.1nm扫描速度: 10-1500nm/分, 调节步距为1nm 亦可按时间收集数据发射滤光片: 290, 350, 390, 430, 及515nm, 5片 另有1%衰减片,均由软件选择灵敏度: 用350nm激发波长测定纯水拉曼谱带,在拉曼峰处最低信噪比为750:1(RMS), 在基线处最低信噪比为2500:1(RMS)主要特点：使用方面,性能稳定,可配备多种附件适应不同的应用范围。

阴极发光辅助微区光谱仪 阴极发光辅助微区光谱仪是在显微镜的基础之上增了光谱分析的功能；即以阴极发光作为激发源，采集无机矿物、材料的光谱信息。能够实现微纳米级样品的反射光谱、荧光光谱、拉曼光谱等光谱分析。 阴极发光技术是在普通显微镜技术基础上发展起来用于研究固体材料组分特征的一种快速简便的分析手段。该方法最初用于矿物组成和结构分析，比如快速准确判别石英碎屑的成因和方解石胶结物的生长组构、鉴定自生长石和自生石英以及描述胶结过程；深入了解砂岩的原始孔隙度和渗透率，并且获得一系列有关蚀源区地质体的组成，产状、成因的信息等，主要做定性或半定量分析研究使用。 阴极射线激发发射光谱是在电子束激发样品观察到的荧光光谱，根据电子束的能量大小，涉及深度在10um左右，高于常规紫外光和X射线，发射光谱最大可延伸到200-850nm范围。 阴极发光（CL）是从某种受到高能电子轰击的材料发出的，特定波长的光量子。电子束通常在一个微探针（EPMA）中，或是探测电子显微镜中（SEM-CL），或是依赖岩相显微镜（Optical-CL）的阴极发光微探针中产生。一种材料中的CL特性是该材料的组成成分、晶格（格子）结构、重叠拉力和材料结构损坏的复值函数。不同的矿物展现不同的荧光或是磷光运动行为，这些可以影响CL图像的质量，这要看图像是通过何种方式获得的。用入射辐射或是颗粒照射某些材料表面，会导致其发出电磁辐射，这一电磁辐射 比热黑体辐射产生的要多。这一放射可以在可见光下（400-700 nm）、紫外光下（紫外光400 nm）或是红外光下（红外光700 nm）。这一通常现象被称为发光。发光的类型通常是根据入射辐射或是粒子的不同，以及根据辐射过程的动力学来区别的。在以后的例子中，如果当入社辐射停止后10-8 秒内，有发光射线产生，这一发光特性被定义为发荧光。如果在入伍后辐射停止后10-8 秒内，发光射线继续发射，这一发光特性被定义为磷光现象。固态能带理论为解释发光现象一种方法。一种绝缘的材料（像石英或是方解石）可被描述为具有一个价带和一个带有中介带隙（禁带宽度）的导带。 【顶端】在价带和导带之间有宽带隙的绝缘体，有假想的代带隙的电子带（水平线）。【中部】从价带到导带激发的电子，留下所谓的“洞”【底部】当电子直接落回到价带基态时可能经过的路线包括：（左）电子直接落回到价带，通常引起紫外线（中部）电子遭遇单个收集器，发射与能量释放成比例的CL，该能量是当电子落到价带上被收集器临时捕获的，（右）电子遭遇多个收集器，发射与能量释放成比例的CL，该能量是当电子落到下一个收集器或是价带被收集器临时捕获的。 如果一个晶体被电子以足够的能量轰击，低能量价带的电子会被提升到更高的导带上。当高能电子试图回到价带基态时，它们可能会暂时（在微妙级别上）被内在的（结构缺陷）和/或外部的（杂质）陷收集器捕获。如果当电子逃离捕获时损耗的能量被激发，并在一个合适的能量/波长范围内，就会导致发光。大部分照片落在电磁波谱（波长400-700 nm）的可见部分，同时一些落在电磁波谱的紫外（UV）和红外（IR）部分。 收集器之间相互影响以发光的可能方式有很多种（图1.）。一旦电子被激发到导带，它们可能遭遇一个收集器并落入价带，或者它们随机地通过晶体结构，直到遇到一个收集器。从那个收集器，电子可能返回到价带基态，或是可能遭遇多个收集器而发出照片，照片的波长取决于能量的不同。CL的强度通常是收集器密度的函数。 在一个 10 μm的扁平样本中，由于在显著更大的深度/体积中被激发，CL图像的分辨率将会固定地减小（可参见电子束相互作用）。RELIOTRON阴极发光仪技术参数 阴极发光仪利用非破坏性的阴极发光技术，多数用于碳酸盐岩中的沉积岩以及碎硝岩等固体样品结构和组成的定性分析手段。同时不会对样品造成任何破坏。它具有换样快速方便，设计简单紧凑的特点。适用光学显微镜及数码成细系统联机使用，更适合现在的科研和教学实验要求。此外，该阴极发光仪的样品室对样品的制备范围广，并对于适合低温产生阴极光的岩石样品控温能力强。真 空 度：最高极限为0.25帕,最大限度保护样品。电 子 枪：电子枪是一种水平式冷阴极电子束射线型，高达30 KV，通常使用在5KV至25 KV之间调节。阴 极 电压：0-30KV，过压保护。最 佳 电流：0.15-1mA，连续可测，过流保护 最大束流到5mA。聚 焦：能够散聚焦到点聚焦的调节功能，电子束光斑可根据样品适用要求调节。 数 字 显示：电压、电流、真空度、自动/手动操作模式及仪器状态、高压开启、电子枪输出极限等等。显微镜要求：适合多种不同型号的显微镜，在物镜和载物台之间，必须为真空室的高度保留足够空间。通常使用长工作距离的物镜及聚光镜即可实现空间的需求。Figure 1: 复杂的石英环带, 6.5kV 0.5mA；Figure 2: 两相近的无色宝石, 红色是蓝宝石 接近淡黄色的中含有锰离子,12kV 0.9mA；Figure 3: 部分融化的斜长石, 透长石中的部分融化的斜长石，6.5 kV 0.5mA。阴极发光辅助微区光谱仪类似于显微光谱系统或显微分光光度计技术，在显微镜的基础之上增了光谱分析的功能；能够实现微米级样品的反射光谱、荧光光谱、拉曼光谱等光谱分析。超越影像，洞悉光谱——显微光谱是显微镜系统与光谱仪检测系统的结合，能够在显微图像分辨的基础之上精确采集空间分辨的光谱信息。 我们的方案——在各类显微镜和光纤光谱仪的基础之上，采用共轭成像、快速定位和光路分束的显微光谱解决方案。①共轭成像——基于商用显微镜，在更大的视野之下，可以选择一个精确的区域进行精细的光谱测量。②快速定位——配备专利技术的微区光纤和指示照明光源，可以准确地在视野中定位光谱测量区域。③光路切换——配备CMS光路切换器，可以支持两档光路切换，能够实现光谱测量与图像分析的同步，或不同测量波段的切换。④显微光谱系统——基于各类显微镜，搭配复享专有显微光谱配件CMS，实现显微光谱设备的特有功能。⑤多款光谱仪——多款光谱仪可选，满足用户对分辨率以及灵敏度的不同需求，波段可覆盖250~2500 nm。⑥专业服务——根据用户实际需求，提供显微镜适配服务、显微镜代购服务以及专业工程师安装培训服务。⑦角分辨功能——在显微光谱的空间分辨之上可以进一步增加角度分辨的功能。⑧波段的扩展——在基本的350~1100 nm波段之上，可以进一步将显微光谱的探测波段扩展至近红外波段。⑨Raman扩展——可以加载532, 785, 1064 nm波段的拉曼光谱测量探头，实现显微拉曼光谱测量。 与传统显微镜分光光度计相比，复享显微光谱系统具有高兼容性、低改装成本、覆盖光谱范围广、采样面积小的特点，可以进行紫外－可见光－红外光谱段的反射分析，透射分析，荧光分析和偏振分析。复享显微光谱系统目前已在微纳光学、材料学、生物技术、矿物分析、纸币防伪等领域得到广泛应用。典型应用领域各种矿物及材料的测试 例如石墨烯探测 石墨烯的主要特征峰，即 G 峰，是由碳原子的面内振动引起的，它出现在 39500pxˉ1 附近；该峰对应力影响非常敏感，并能有效反映石墨烯层数；这需要使用具有共焦能力的显微拉曼光谱技术。 细胞生物学 单细胞拉曼光谱能提供细胞内核酸、蛋白质、脂质含量等大量信息，可在不损伤细胞的条件下检测细胞分子结构变化；这需要具有较高空间分辨能力的仪器分析手段。 微区拉曼探头 具有以下显著特点： 可通过显微镜微区探头耦合模块适配绝大多数常见的正置显微镜； 2 最低 3750pxˉ1 波数 内置一组精确匹配的光片，将激发光的波数抑制在 3750pxˉ1 之内，能够为研究人员带来额外的低波数探测能力； 3 即插 & 即用 无需调节滤光片和光路，插上显微镜即可使用，节省大量实验准备时间。技术参数型号 描述fP-532-R 支持 532nm 激光输入fP-785-R 支持 785nm 激光输入性能参数激发波长： 依不同型号而不同光谱范围： 150~100000pxˉ1，低波数扩展激光抑制比：优于 OD6，有效滤除激光 Rayleigh 散射光纤接口： 激光激发接口为 SMA905，拉曼接收接口为 SMA905探头焦距： ∞ 焦距，平行光输出；可加载 7.5mm 焦距镜头光纤芯径： 激光激发端 100μm，拉曼接收端 200μm数值孔径： 0.22 N.A.结论 阴极发光辅助微区光谱仪，即采用类似微区光谱系统或显微分光光度计技术，在显微镜的基础之上增了光谱分析的功能。能够实现微米级样品的反射光谱、荧光光谱、拉曼光谱等光谱分析。

面向有机发光材料的角分辨光谱仪0~360° 变角度 / 最宽 220~2500nm / PL & EL 角分辨光谱 / 分子取向 R1-OLED 有机发光材料角分辨光谱仪 支持 0~360° 全角度测量，波段最宽可扩展至 220~2500nm。可应用于 TADF 材料、磷光材料、荧光上转换材料光致/电致荧光光谱各向异性研究，为 OLED 器件、OPV 器件和相关超构材料提供表面光场调控表征。搭配专用软件，模拟出射光谱变角度强度分布，获取分子取向因子，为有机发光材料检测提供全新体验。典型应用领域： 角分辨 PL&EL 测量 有机发光材料具有辐射空间分布，需要系统具有角分辨光谱采集能力。 微结构光场调控 钙钛矿超构材料对不同角度入射光具有光场调控效应，需要系统具有角度分辨能力。 偶极分子取向 有机发光材料分子取向影响外量子效率 (External Quantum Efficiency, EQE)，需要系统具有检测分子取向的能力。 R1-OLED 有机发光材料角分辨光谱仪 在以上领域的应用得益于如下几个特点： 1 0~360° 完整角度探测 R1-OLED 有机发光材料角分辨光谱仪采用两个高精度定位旋转电机，实现完整的 0~360° 变角度 光谱探测。 2 宽谱段 PL&EL 测量 R1-OLED 有机发光材料角分辨光谱仪采用面阵背照式光谱仪进行光谱采集，搭配激发光源及源表，最宽可实现 220~2500nm 波段 PL&EL 光谱探测。 3 光学仿真拟合 搭配配套软件，R1-OLED 有机发光材料角分辨光谱仪可根据发光材料结构参数，模拟出射光谱变角度强度分布，获取 分子取向因子。 4 可扩展性 R1-OLED 有机发光材料角分辨光谱仪可兼容氘灯、激光器等外接光源，满足多种实验对不同光源的需求。同时样品台采用模块化设计，支持 定制化改造，适配不同尺寸样品。 测试案例：

碳纳米管，是一种具有特殊结构（径向尺寸为纳米量级，轴向尺寸为微米量级、管子两端基本上都封口）的一维量子材料。它主要由呈六边形排列的碳原子构成数层到数十层的同轴圆管。层与层之间保持固定的距离，约为0.34nm，直径一般为2～20nm。由于其独特的结构，碳纳米管的研究具有重大的理论意义和潜在的应用价值，如：其独特的结构是理想的一维模型材料 巨大的长径比使其有望用作坚韧的碳纤维，其强度为钢的100倍，重量则只有钢的1/6 同时它还有望用作为分子导线，纳米半导体材料，催化剂载体，分子吸收剂和近场发射材料等。 Specim可提供碳纳米管近红外光谱及影像分析工具，采用近红外光谱相机，搭载与近红外显微平台，并配合压电陶瓷纳米位移台，实现碳纳米管的影像及光谱扫描，不仅可以用于电致发光的光谱分析，也可用与光致发光光谱测量，为研究者提供大量的光谱及影像数据以供研究分析使用。光谱测量范围：970nm- 2500nm（900nm-1700nm）。

仪器简介： 光致荧光光谱测量是半导体材料特性表征的一个被普遍认可的重要测量手段。MiniPL为模块化设计、计算机自动控制的高灵敏度、宽带隙小型PL（光致荧光）光谱仪；MiniPL采用Photon Systems公司自行研发的深紫外激光器224nm(5.5eV)或248.6nm(5eV)作为激发光源，配合独特的光路设计，采用高灵敏度PMT作为探测器件，并通过仪器内置的门闸积分平均器（Boxcar）进行数据处理，实现微弱脉冲信号的检测。MiniPL可被用表征半导体材料掺杂水平分析、合成组分分析、带隙分析等，不仅可用于科研领用，更可用在半导体LED产业中的品质检测。技术参数：主要规格特点：■ 采用5.5(224nm)或5.0 eV(248.6nm)深紫外激光器■ 室温PL光谱测量范围：190~650nm（标准），190~850nm（选配）■ 高分辨率：0.2nm（@1200g/mm光栅，标配），0.07nm（@3600g/mm光栅，选配）■ 门闸积分平均器（Boxcar）进行微弱脉冲信号的检测■ 可实现量子效率测量■ 基于LabView的界面控制■ 光谱分析软件可获得光谱带宽、峰值波长、峰值副瓣鉴别、光谱数据运算、归一化等■ 最大可测量50mm直径样品，样品可实现XYZ三维手动调整（标准）■ 可选配自动样品扫描装置，实现Mapping功能■ 可用于紫外拉曼光谱测量■ 高度集成化，体积：15 × 18 × 36cm，重量：8kg主要特点： 光致荧光光谱测量是半导体材料特性表征的一个被普遍认可的重要测量手段。MiniPL为模块化设计、计算机自动控制的高灵敏度、宽带隙小型PL（光致荧光）光谱仪；MiniPL采用Photon Systems公司自行研发的深紫外激光器224nm(5.5eV)或248.6nm(5eV)作为激发光源，配合独特的光路设计，采用高灵敏度PMT作为探测器件，并通过仪器内置的门闸积分平均器（Boxcar）进行数据处理，实现微弱脉冲信号的检测。MiniPL可被用表征半导体材料掺杂水平分析、合成组分分析、带隙分析等，不仅可用于科研领用，更可用在半导体LED产业中的品质检测。

应用方向：发光分析化学、 流动注射发光分析、 电化学发光分析、毛细管电泳发光分析、 生物传感器发光分析、 纳米材料催化发光分析、自由基生物学、 抗氧化剂分析、 药物研究、细胞学超微弱发光、 肿瘤医学、 自由基临床检验、农业种质研究、 花卉果实超微弱发光、 农作物抗逆性研究。 检测器采用高灵敏度光电倍增管（PMT）最大采集波长范围：185-850nm或者230-920nm程控检测器制冷模块，避免温度漂移，降低本底（选配）。程控高压模块， 0-1500V，精度0.1V 灵敏度和稳定性采用自研10^-13W超微弱标准光源计量灵敏度优于10^-15W（单光子级别）长期稳定性优于1.5%（RSD，标准光源测试） 测量方式1、发光动力学：测量发光光强随时间变化曲线时间分辨率：10 μs采集速率：0.01-10000 ms 任选每秒最大计数：250万cps量程：5个数量级2、滤片扫描测量：发光光谱分析扫描速率：1秒/圈扫描圈数：1-10圈 样品温控温控范围：室温-65℃温控精度：0.5℃ 滤光片范围：可见光/全光谱直径：15/58 mm 数量： 21片测量方式：自动扫描/手动更换 大样品室规格：14×14×10 cm1个上注射孔、4个左右进出样口适合各种流动注射等改造 数据分析可以显示为点状图、折线图、曲线图，同时具有曲线平滑、曲线拟合（指数、对数和多项式等）、高斯函数拟合（Gaussian）、劳伦兹函数拟合（Lorentz），傅里叶变换、自动寻峰、自动积分等，并能重新生成新的原始数据并保存。

瞬态电致发光模块 及推荐系统配置及功能整套包括: 成像光谱仪及冷冻CCD面阵检测器；单光子计数检测器；时间分辨多通道采集模块；真空液氮变温样品支架；积分球及器件夹具；常温样品支架；光激励用激光器；外加电场的电致发光驱动模块；标准发光光源；相关软件；以上功能模块可以根据需要取舍；选择需要的系统模块满足 光/电致发光 及 时间分辨测试（瞬态测试） 需要；电致发光光谱ELS电致发光效率QE时间分辨电致发光TREL外建偏压电场对发光寿命影响发光色度；时间分辨发射光谱TRPL/TRES瞬态电致发光模块EzTime-EL 主要技术指标1. 时间分辨区间：25ps-10s；2. 波长：350nm-1050nm；（依赖于配置）3. 电驱动脉宽20ns-1s可调区间；4. 电驱动电压 0-12V 步进0.1V；5. 外加电场延迟时间0-1000微秒可调；技术理解时间分辨的光致发光，可以了解材料的发光分子内部及分子间相互作用及能量转移效率，包括发光中心的空间间距； l 电致发光：发光对应开关电压，电压V-电流I关系；发光光谱；色坐标，发光效率QE；l 观察角度：采用高光谱模式，球面任意位置强度分布及发光光谱；l 时间分辨电致发光：发光器件对驱动电场的响应；发光衰减曲线；l 外建偏压电场：了解偏压对发光衰减的影响； l 真空和液氮低温环境：减少器件的气氛及温度干扰；

阴极发光辅助能谱系统工作原理: 将阴极发光仪固定在光学显微镜的载物台上，通过主控箱控制阴极发光仪的相关操作。通过在真空室的观察窗的位置配备能谱分析探测器附件，然后将探测器与真空室连接，并将探测器连接到电脑上。通过高压电子枪激发样本的阴极X荧光，用探测器探测X荧光，并通过能谱分析软件控制获取能谱图并进行能谱定性和半定量分析。阴极发光仪辅助能谱系统组装图1、电脑主机；2、电脑显示器；3、数字脉冲处理器；4、真空样品室；5、探测器；6、CCD采集系统；7、显微镜；8、探测器附件；9、高压电子枪；10、主控制箱；11、电源适配器；12、真空泵。配套特点： 1、20世纪60年代早期，随着电子探针的发展，开始使用特征X射线辐射分析矿物标本。这项工作的一个附属产品是阴极发光观测，并迅速成为一个非常重要的独立研究领域，从而促使电子束源向更简单、显微镜式发展，使用冷阴极作为该电子束源。不会在真空内产生热量，对样品及探头有很好的保护作用。 2、冷阴极基础上的阴极发光仪是能谱分析系统的基础，正如RELIONⅥCL,该类型的电子枪用于阴极发光显微镜的附加装置（CMA）中，是基于冷阴极放电原理，相对电子显微探针（EMP）和扫描电子显微镜(SEM)应用最广泛、简单。 它还提供了一个中和的环境，所以没必要使用具有导电涂层的样品，便于样品制备。电子轰击生成阴极发光的过程中会产生X射线。将X射线检测器用于阴极发光显微镜的附加装置中，结合阴极发光和透光观测，提供了快速元素分析这样一种通用功能。 3、阴极发光仪采用冷阴极的是电子枪，电子枪在冷阴极放电下产生电子束。系统工作气压一般在40到100毫托之间即可，当束流高达1-2mA的时候，电子枪内会产生1到25Kv的电子束。通常高压在8-15Kv时，碳酸盐（岩）、石英、锆石、烃包裹体以及碎硝盐岩等岩石、矿物的阴极发光图像已经非常亮；样品上的散聚焦射束点大约为10mm,散聚焦至点聚焦可以连续可调；能谱采集时可缩小到直径0.5mm或更小。阴极发光和能谱系统图片 阴极发光上使用的能谱系统,基本的分析功能及其探测范围等都和其他的EDS系统相同，因为它们都依赖于电子光源。RELIOTRON阴极发光设备安装紧凑，同时可以与多种显微镜配套使用来观测阴极发光及EDS图谱，同时用来辅助对预定位置进行的分析，从而在样品测试时可以得到图像、谱线、数据更多信息。 阴极发光仪及能谱系统主要技术参数如下:真 空 度：最高极限为0.25帕，最大限度保护样品。电 子 枪：电子枪是一种水平式冷阴极电子束射线型，高达30 KV，通常使用在5 KV至25 KV之间调节。阴 极 电压：0-30KV，过压保护。最 佳 电流：0.15-2mA，连续可测，过流保护。聚 焦：能够散聚焦到点聚焦的调节功能，电子束光斑可根据样品适用要求调节。探测器类型：硅漂移探测器 (SDD)、尺寸10mm2、硅厚度500&mu m；(可选)能量分辨率：最低145 eV（可选）；信 噪 比: 8200:1Be窗 厚度： 12.5um、25&mu m（可选） 具有以下主要特点：1：价格实惠。2：操作的高速性。3：操作和维护方便和简易。4：采样准备工作简捷方便。5：能够保持良好的光学显微镜的各项能力。6：对于采样的显微照相处理能够方便实现。7：具备普通透射光（TRL）, 偏振光（POL）, 阴极发光（CL）以及EDS的联合观测能力。