电米膨胀计

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电米膨胀计相关的厂商

  • 我公司常年生产销售:橡胶止水带,中埋式橡胶止水带,中置式橡胶止水带,遇水膨胀橡胶止水带,外贴式橡胶止水带,背贴式橡胶止水带,钢边橡胶止水带,丁基橡胶钢板止水带,PVC塑料止水带,橡胶止水片,三元乙丙橡胶止水带,闸门水封,止水橡皮,P型止水带,遇水膨胀止水条,丁基橡胶腻子片,双组份聚硫密封胶(膏),双组份聚氨酯密封胶(膏),止水胶,遇水膨胀止水胶,单组份聚氨酯密封胶,聚乙烯闭孔泡沫板,注浆管,塑料胶泥, 聚氯乙烯胶泥,桥梁支座,网架橡胶支座,板式橡胶支座,桥梁伸缩缝,各种异型橡胶板,橡胶垫块,GB柔性填料;SR塑性填料,三元乙丙橡胶防渗保护盖片,氯丁橡胶棒,PVC棒,底胶,面板坝止水材料,水泥基渗透结晶型防水涂料,透水软管,塑料盲沟,排水盲沟,土工布,土工膜,防水板及各种土工材料.本公司经营各种工程用止水材料,免费提供各种工程止水材料报价.
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  • 环球君业(北京)科技有限公司是环球(香港)科技有限公司的子公司,油田勘探开发部销售粘度计、流变仪、渗透性堵塞仪、虑失仪、滑块摩阻仪、固相含量测定仪、高温滚子炉、高温高压腐蚀测定仪、动态线性膨胀仪、润滑仪、电阻率测试仪、电稳定性测定仪、毛细管吸入时间测定仪、高温高压稠化仪、钻井液分析设备、油井水泥分析设备、岩心分析测试设备、激光粒度分布仪、电位仪、高压柱塞泵、高温高压养护釜、水泥抗压强度测试仪、超声波水泥分析仪、静胶凝强度测定仪、水泥膨胀测试装置、水泥渗透率测试仪、气窜分析仪、恒速搅拌器、搅拌式失水仪、岩心钻机、岩心切片机、岩心孔隙度测试仪储藏渗透率测定仪、动态虑失及地层伤害评价系统、润滑评价系统、激光散射颗粒度分析测试仪、高精度纳米级的颗粒测量仪、纳米粒度电位分析仪等产品专业生产加工的公司,拥有完整、科学的质量管理体系。环球(香港)科技有限公司的诚信、实力和产品质量获得业界的认可。欢迎各界朋友莅临参观、指导和业务洽谈。
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  • 南通中天精密仪器公司总部位于鱼米之乡、工业高度发达的长三角腹地江苏省海安县。公司成立于2001年,是一家集研发、生产、销售于一体的高新技术企业,致力于农业、水利、道路、环境和实验室分析检测仪器和传感器的研制、生产和系统集成。公司拥有30多台专业测试设备、高密度PCB焊接生产线、高等级无尘防静电装配线、数控激光切割和数控多轴加工中心等确保精密测试仪器和传感器生产的一流硬件设施。公司在测试仪器、传感器和在线检测领域等相关领域拥有多项发明专利,拥有中高级专业技术人员20多名、结构完整的产品研发中心和企业研究生工作站,并且与数所国内外著名高校、科研院所建立了长期的技术合作关系。公司总经理兼技术总监李博士是新近创新创业海归专业人士,拥有超过25年海外从事分析仪器、专用测试仪器、物理及化学传感器设计开发应用实际经验,亲自主导公司产品的升级换代、新产品系列系统开发及国际国内市场开拓。公司自成立以来先后为水利部“南水北调工程坝基渗漏监测”、中铁6局“京沪高铁路基施工质量监测”、长沙理工大学“交通部广西南宁到友谊关高速公路膨胀土路基监测”、黑龙江省农垦局“国家水稻粮食供应基地建设”、河海大学“水文与水资源国家重点实验室水文模拟装置数据采集系统”等重大项目提供仪器设备、技术解决方案。公司成功通过ISO9001、ISO14001和ISO18001体系认证。公司产品获国家重点新产品、高新技术产品等称号,获EU、CE认证,批量出口欧美,在多个领域高端应用中被广泛采用。公司宗旨以自主创新为主轴,以科技造福社会为己任,努力成为国内领先国际一流的传感器和科学仪器器件生产供应商、系统集成服务商和解决方案提供商。
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电米膨胀计相关的仪器

  • ECD-4 nano Electrochemical Dilatometer ECD-4 nano 锂电池电化学膨胀计/电化学纳米膨胀仪测量电池在质子和水电解质中高度的的变化,位移分辨率≤5 nmECD- 4 Nano ECD- 4Nano电化学纳米级膨胀计 ECD-4 Nano型电化学纳米级膨胀计可测量5纳米以下的位移信号, 如此高分辨率得以开拓电化学膨胀新的研究领域。 例如,准二维电极过程像锂离子电池中的 SEI 膜形成或金属表面钝化层的电化学驱动的增长,可能会成为未来的热膨胀研究的重要课题。ECD- 4 Nano电化学纳米膨胀计的核心是一个电化学池,此电化学池可密封锁紧,以保证与外界环境的绝对隔离。内侧的两个电极被硬玻璃熔块隔开并固定。上部的 (工作) 电极被薄金属膜密封,通过它将微小的高度变化信息传递给传感器,到达测量的目的。典型配置标准配置:ECD-4-nano膨胀计是质子电化学研究的重要装备(膨胀计池体、传感器和直流电压输出范围-10 + 10 V的传感器控制器),集成的USB数据记录器。升级包:用黄金部件取代不锈钢部件,从而使膨胀计兼容水溶液电化学研究。ECD-4 Nano型电化学纳米级膨胀计主要特点 500和250微米变化范围量程, ≤5纳米的分辨率 测试不同的电极类型bound films:(直径10毫米,厚达1毫米),无粘结剂粉末或单晶/谷物 通过更换部件可以兼容质子以及水溶液电化学的试验。(金或不锈钢1.4404,PEEK、和三元乙丙橡胶密封垫) 最少只需要约0.2毫升电解质 在长期实验下,有超高的信号稳定性(漂移≤20纳米/小时) 容易组装,便于搬运和坚固耐用 固定负载工作电极(130克)。同时可满足负荷改变的要求。 温度范围广泛,-20 + 80°C,需结合温度控制 模块化设计,拆卸组装方便。可以很容易的放在手套箱,温度室里,或特别设计的空间里。技术资料 149 mm x 64 mm x 67 mm(高度x宽度x深度) 重量:2.0公斤 电极- 10毫米直径,厚度最大1.0毫米 有机电化学(可选含水的),电解质体积0.2毫升 高精度电容传感器系统 分辨率≤5纳米,最大测量变化范围 到250μm 线性度 全部范围的0.1% 气体压力传感:0 to 3 bar 使用温度:-20 to 80° C 直流输出电压-10 + 10 v
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  • 主轴热膨胀测量主轴膨胀测量系统SGS4701(SpindleGrowthSystem)专门为高速铣床应用开发。由于加工过程中主轴的高速旋转和由此产生的热量,高精密铣床主轴的线性热膨胀需要被补偿,以确保机床的加工精度。德国米铱公司提供的SGS传感器可以测量机床主轴由于发热和离心力的作用导致的伸长尺寸。SGS的测量值可以作为修正值直接输入到数控机床的数控系统,补偿定位误差。SGS4701测量系统采用电涡流测量原理。正是由于采用了这种非接触测量原理,使探头免于磨损。另外,测量过程也不受热,灰尘和油污的干扰。系统设计SGS4701测量系统包含探头,探头电缆和控制器。在出厂时,被校准为适合测量铁磁性材料或非铁磁性材料。两支微型电涡流探头,可以直接安装于主轴旁。由于直接测量变形发生的部位,避免了长测量链导致的误差。除了测量位移信息以外,探头同时可以测得温度信息并输出。控制器可以通过法兰盘被安装于主轴箱内或直接安装在主轴内。目前世界主流高精度,高转速主轴生产商,如瑞士的Fischer,STEP-TECH,德国的GMN和Kessler都在使用德国米铱公司提供的主轴膨胀测量系统。特点和为客户带来的好处:-高性价比设计-小型化探头外形设计-微型紧凑的控制器-可以测量铁磁性材料或非铁磁性材料-同时测量温度信息
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  • DLPY-DW低温膨胀系数测定仪,低温膨胀仪一、概述: 该仪器适用于测量从低温(-30℃)至180℃之间金属材料,陶瓷、釉料、耐火材料、塑料以及其它非金属材料等随温度变化发生的体积变化(膨胀和收缩)。仪器参考标准:GB/T1036-2008《塑料线性膨胀系数的测定-石英膨胀计法》,GB/T2572-2005 纤维增强塑料平 均线膨胀系数试验方法。二、主要技术参数: 1、温度范围:-30~180℃2、测定变形范围:±2.5mm。3、位移传感器灵敏度0.1um,自动校正量程;4、控温精度:±1℃;5、计算机自动计算膨胀系数、体膨胀、线膨胀量; 6、自动计算补偿系数并自动补偿,也可人工修正; 7、试样尺寸:Ф6~10×50mm、10×10×50mm,方形、圆形样品均可;8、电源:220V,2KW;9、自动控温、记录、存储、打印数椐,打印温度-膨胀系数曲线。所有试验操作均由计算机界面完成,操作方便易学并提供全套软件。经销商含16%税含运费报价名称单位数量单价(元)合价(含16%专票) 低温膨胀仪台14300043000电脑台120002000合计45000
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  • 电池膨胀行为研究:圆柱电芯膨胀特性的表征方法
    圆柱电芯的膨胀力主要源于电池内部的化学反应和充放电过程中的物理变化。在充电过程中,正极上的活性物质释放电子并嵌入负极,导致正极体积减小,负极体积增大。同时,电解液在充电过程中发生相变及产气副反应,也会造成一定的体积变化。这些因素共同作用,使得圆柱电芯在充放电过程中也会产生膨胀力。随着充放电次数的增加,这种膨胀力逐渐累积,导致电芯的尺寸发生变化。这种尺寸变化不仅会影响电池的外观和使用寿命,还可能对电池的安全性产生影响。因此,准确表征圆柱电芯的膨胀力对于优化电池设计、提高电池性能和安全性具有重要意义。表征圆柱电芯膨胀行为的方法电池的膨胀行为分为尺寸上的膨胀量和力学上的膨胀力测量。目前,对于软包电池、方壳电池膨胀行为的测量表征,已有较多研究和相应的测试手段及设备,在此不再赘述。但对于圆柱型电池的膨胀行为研究相对较少,也没有较好的商业化膨胀力评估手段。目前在文献资料中,常见的圆柱电芯膨胀行为的表征手段主要有以下几种:1、估算法如图1和图2所示,有研究表明圆柱型电池的膨胀变化与电池的SOC和SOH状态具有一定的相关性。但该方法建立在圆柱型电池的膨胀在整个圆周上是均匀的。图 1 单次充放电过程中,圆柱型电池的可逆膨胀变化图 2 电池老化过程中,圆柱型电池的SOH变化与不可逆膨胀之间的关系直接测量法通过在圆柱电芯外部施加压力,通过贴附应变片测量应变,该方式计算复杂,无法直观体现膨胀力。2、影像分析法影像分析法是一种无损检测方法,如利用CT断层扫描、中子成像、X射线、超声波等影像技术观察电芯内部的形变情况,通过分析影像的变化来测算电芯尺寸变化。这种方法适用于多种类型的圆柱电芯,且对电芯无损伤。然而,影像分析法需要使用昂贵的专业设备,且测量精度易受到设备性能和操作人员经验的影响。3、薄膜压力法一般需解剖圆柱电池,在电芯内部嵌入薄膜压力传感器或压敏纸的方式,从而获得圆柱电芯在不同方位上的膨胀力分布情况。但薄膜压力传感器精度一般较低,成本高;而压敏纸分析,具有滞后性。该测试均为破坏性测试。表征圆柱电芯膨胀行为存在的问题有研究表明,圆柱型电池电池实际的膨胀是明显偏离预期的均匀膨胀,在周长上会形成膨胀和收缩的区域,这取决于圆柱型电池的卷芯卷绕方向。因此,使用体积变化来研究老化或预测SOC需要特别谨慎,因为膨胀会因测量位置而显著不同,测量结果可能因测量方法而有偏差。电弛膨胀测试解决方案电弛自主研发的电池膨胀测试系统,高度集成了温控、充放电、伺服控制、高精度传感器等模块,并提供企业级系统组网功能。该系统可对多种电池种类和电池形态的电池进行膨胀行为测试,包括碱金属离子电池(Li/Na/K)、多价离子电池(Zn/Ca/Mg/Al)、其他二次金属离子电池(金属-空气、金属-硫)、固态电池,以及单层极片、模型扣式电池(全电池、半电池、对称电池、扣电三电极)、软包电池、方壳电池、圆柱电池、电芯模组。同时,可为不同形态电池提供定制化夹具,开展手动加压、自动加压、恒压力、脉冲恒压、恒间距、压缩模量等不同测试模式的研究。本产品还可方便扩展与电池产气测试、内压测试、成分分析的定制集成。为锂电池材料研发、工艺优化、充放电策略的分析研究提供了良好的技术支持。参考文献Jessica Hemmerling, 2021. Non-Uniform Circumferential Expansion of Cylindrical Li-Ion Cells—The Potato Effect. Batteries, 7, 61.
  • 金属所在基于金刚石/膨胀垂直石墨烯的层状限域双电层电容行为的研究获进展
    多孔或层状电极材料具有丰富的纳米限域环境,表现出高效的电荷储存行为,被广泛应用于电化学电容器。而这些限域环境中形成的双电层(限域双电层)结构与建立在平面电极上的经典双电层之间存在差异,导致其储能机理尚不清晰。因此,解析限域双电层结构对探讨这类材料的电化学电容存储机理和优化电化学电容器件的性能具有重要意义。中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心项目研究员黄楠团队与比利时哈塞尔特大学教授杨年俊合作,设计并制备了具有规则有序0.7 nm层状亚纳米通道的膨胀垂直石墨烯/金刚石复合薄膜电极。其中,金刚石与垂直膨胀石墨烯纳米片共价连接,作为机械增强相为构筑层状限域结构起到支撑作用。进一步,研究发现,该电极表现出离子筛分效应,离子部分脱溶等典型的限域电化学电容行为,是研究限域双电层的理想电极材料。基于该材料,科研人员利用原位电化学拉曼光谱和电化学石英晶体微天平技术分别监测充放电过程中电极材料一侧的响应行为和电解液一侧的离子通量发现,在阴极扫描过程中,电极材料一侧出现拉曼光谱   峰劈裂现象,溶液一侧为部分脱溶剂化阳离子主导的吸附过程。该研究综合以上实验结果并利用三维参考相互作用位点隐式溶剂模型的第一性原理计算方法,在原子尺度上评估了限域双电层中离子-碳宿主相互作用,揭示了在限域环境中增强的离子-碳宿主相互作用会诱导电极材料表面产生高密度的局域化图像电荷。该工作完善了限域双电层电容的电荷储存机理,为进一步探讨纳米多孔或层状材料在电化学储能中的功能奠定了基础。   8月9日,相关研究成果以Highly localized charges of confined electrical double-layers inside 0.7-nm layered channels为题,在线发表在《先进能源材料》(Advanced Energy Materials)上。研究工作得到国家自然科学基金和德国研究联合会基金的支持。图1. 层状限域双电层膨胀垂直石墨烯/金刚石薄膜电极的制备和表征:(A)制备流程示意图;(B)石墨插层化合物的拉曼光谱;(C-D)XRD图谱;(E)SEM和TEM图像。图2. 层状限域双电层膨胀垂直石墨烯/金刚石薄膜电极的电化学行为:(A)CV曲线;(B)微分电容-电极电势关系;(C)离子筛分效应;(D)EIS图谱;(E-F)动力学分析。图3. 层状限域双电层膨胀垂直石墨烯/金刚石薄膜电极的原位电化学拉曼光谱:(A-D)原位电化学拉曼光谱;(E-F)拉曼特征演变幅度分析。图4. 层状限域双电层电容的储能机理分析:(A)拉曼光谱中的G峰劈裂;(B)电化学石英晶体微天平分析;(C)电极质量变化和拉曼特征变化的关联性;(D)DFT-RISM计算获得的图像电荷分布。
  • 反常热膨胀光学晶体研究获进展 有望提升精密光学仪器稳定性
    近日,中国科学院理化技术研究所研究员林哲帅、副研究员姜兴兴等提出实现晶体热膨胀的超各向异性,为光学晶体反常热膨胀性质的调控提供了全新的方法,对于光学晶体中轴向反常热膨胀性质的功能化具有重要意义。   在外界温度变化时,常规光学晶体因“热胀冷缩”效应,无法保持光信号传输的稳定性(如光程稳定性等),限制了其在复杂/极端环境中精密光学仪器的应用。探索晶体的反常热膨胀性质如零热膨胀,“对冲”外界温场对晶体结构的影响是解决这一问题的有效途径。   然而,通过晶格在温度场作用下的精巧平衡来实现零热膨胀颇为困难,一方面,热膨胀率严格等于零的晶体在自然界中不存在;另一方面,目前化学组分调控晶体热膨胀性质的方法,例如多相复合、元素掺杂、客体分子引入和缺陷生成等,影响晶体的透光性能,不利于光学应用。如何在严格化学配比的晶体材料中,利用其本征的热膨胀性能来实现大温度涨落下的光学稳定性,具有重要的科技意义。   该研究团队提出实现晶体热膨胀的超各向异性,即沿晶体结构的三个主轴方向分别具有零、正、负热膨胀性,来调控光学晶体反常热膨胀性质的新方法。研究通过数学推导严格证明了当沿着三个主轴方向分别具有零、正、负热膨胀时,晶体具有最大的热膨胀可调性,可实现热膨胀效应和热光效应的精巧“对冲”,获得完全不随温度变化的光程超级稳定性。   研究在具有高光学透过的硼酸盐材料中探索,系统分析了晶格动力学特征。在此基础上,研究在AEB2O4 (AE=Ca或Sr)中发现了首个沿着三个主轴方向零、正、负热膨胀共存的特性。原位变温X射线衍射实验证明AEB2O4晶体具有宽的零、正、负热膨胀共存的温区(13 K ~ 280 K)。   在相同温度区间内,光程的变化量比常规光学晶体(石英、金刚石、蓝宝石、氟化钙)低三个数量级以上。第一性原理结合变温拉曼光学揭示了AEB2O4这种新奇的热膨胀性质源自离子(AEO8)基团拉伸振动和共价(BO3)基团扭转振动之间热激发的“共振”效应。相关研究成果发表在Materials Horizons上。   近年来,该团队致力于光电功能晶体反常热学和反常力学性能的研究,发现了系列具有负热膨胀、零热膨胀、负压缩以及零压缩性能的光电功能晶体,有望为复杂/极端环境下光学器件的稳定性和灵敏度问题提供解决方案。

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  • 采用激光干涉法测试量块的热膨胀系数
    本文介绍了一种在室温附近测试各种量块和其它相似形状材料的高精度热膨胀系数测试仪器的研究开发。量块热膨胀所引起的长度变形通过一个差分平面镜干涉仪进行测量,采用特殊的干涉相位检测技术来补偿极化混合带来的非线性误差,再结合电子相位计可以实现纳米量级的精度。由于是在真空中进行量块热膨胀测量,从而无需进行空气折射率补偿。对于导热系数较高的被测试样,缓慢的辐射热交换使得试样上的温度梯度很小并具有很好的热平衡稳定性。在所获得典型的10~30℃温度之间热膨胀测试曲线,其线性和二次方热膨胀系数都等于在20℃参考温度时的热膨胀系数。本文对此激光干涉法热膨胀仪的测量不确定进行了详细分析,而且此测量不确定度也通过国际比对得到了验证。
  • 用推杆式热膨胀仪检测玻璃的热膨胀系数、玻璃化转变温度和软化点性能
    热膨胀系数(CTE)、玻璃化转变温度和软化点是表征玻璃材料性能的关键参数。而推杆式热膨胀仪则能简便快速的测试这些性能。差动传感器的最优化设计使得仪器即使是在没有额外恒温设备时都可以提供超高重现性。仪器采用卧式设计,这种设计的优点在于炉子容易操作,装载样品简便。即使非理想尺寸的样品都可以很轻松的放进管状样品支架的凹槽中。热电偶直接接近样品测温,保证温度测量的重复性。同时该仪器的 c-DTA 功能使得仪器在测试热膨胀系数的同时还能测得样品的吸放热效应。
  • 耐驰:使用推杆式热膨胀仪测量固态/熔融金属的体积膨胀与密度变化
    随着金属工业的飞速发展,人们越来越多地使用电子计算机参与模具设计,进行铸造过程的模拟。由此,需要对金属材料的热物理性能,包括材料在固、液与熔融区的导热系数、热扩散系数、比热、密度变化等物性参数有很深入的了解。本文介绍了一种新的测量方法,通过使用标准的推杆式膨胀仪,对金属在固态、液态与熔融过程中的体积膨胀与密度变化进行测量。并使用该方法,对Cu、Fe、铝合金LM-25 及以镍为主要成分的超耐热合金 Inconel 718 进行了测试。

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  • 热膨胀仪(干涉计法)

    关于有关顶杆热膨胀仪的几个问题作者美国安特公司的王恒博士1.如果想达到更高的准确度,应该用非接触干涉膨胀仪。干涉膨胀仪的优点是,光学非接触、绝对测量、测量准确度高。但造价昂贵、仪器结构及操作都很复杂、温度不容易超过1000℃,对样品形状及表面要求苛刻,不适用于材料的烧结过程的研究。一般,为建立一级热膨胀标准的权威机构采用非接触干涉膨胀仪为主要手段。请注意一下,干涉计本身的测长很准,但组装在膨胀仪上后,因为与样品有关的热系统的关系,对于样品的随温度变化的真正伸长量的测量准确度会随温度升高而下降。比如在日本计量所作的双路差频干涉计和在美国西海岸的Precision Mesurement and Instrument Corp作的迈可耳逊干涉计,其本身的位移变化量可测到1nm到3nm左右,但用在热膨胀测量应用上,因热系统的各部份的热变形等原因,“零点漂移”在几百度时就达到了30至50nm,属于随机误差,不能修正的。请见国际热物理杂志Internation1 J. Thermophys. Vo1 23, No.2,2002年3月的文章“Development of a Laser Interferometric Dilatometer for Measurment of Thermal Expansion of Solid in Temperature range 300 to 1300K”d在的549页关于干涉仪的零漂的3.2节中的图4中,在300 to 1300K的温度范围内的零漂达到了50nm。这是不能修正的,必须考虑在误差分析内。因此,对于干涉法热膨胀仪来讲,伸长量的测量准确度受系统的热稳定性影响而不能达到干涉计本身的测长准确度的。商品化的干涉膨胀仪的最高温度是700℃。2.作为最传统的热膨胀仪的测量手段的顶杆法热膨胀仪的优点是,使用容易、结构简单适用各种形状的样品等。缺点是,属于接触、相对测量方法,需要用标准样品对系统定标,测长准确度低,但可达到很高温度,适用于材料的烧结过程的研究。顶杆法热膨胀仪结构特点是,用比样品长几倍的顶杆与试样接触,把试样的长度变化传递给加热炉外的与其接触的位移传感器。这样,在顶杆上存在从高温(试样)到室温(位移传感器)的温度变化,整体的热稳定性或者说“热环境”与干涉膨胀仪的情况比,就“差”了更多,温度超高越严重,这是自然引起而不可避免的。这是不能用标准样品的定标来完全消除的。这将导致位移传感器读数的波动,在有些情况下,甚至导致测量结果的突变。在文章“Examination of Thermal Expansion Uniformity of Glassy Carbon as a Candidate Standard Reference Material For Thermal Expansion Measurements”中的第94页第一段,指出对于玻璃碳材料的测量,第一次的测量结果不可靠而必须取消,在高温段和低温段的数据也要取消。即使顶杆法热膨胀仪的位移传感器本身测量准确度能达到了0.1微米以下,对试样的热膨胀量引起的真正伸长量测量准确度也很难说达到0.1微米。日本计量所曾把一个双路差频干涉计组装到一台顶杆法热膨胀仪的位移测量的头部作过实验,表明了这一点。当时的课题是考核顶杆法热膨胀仪的特性。就好比是用微伏电压表接一般的热电偶测温,尽管电压表可以读到微伏,但在毫伏读数以下对测温已没有任何意义了。3.LVDV本身的测量位移量的准确度达不到nm量级(1)目前最好螺旋测微仪的准确度是±1微米。Nech用于标定LVDT的是螺旋测微仪,所有的被定标的仪器的测量准确度不可能超过用于定标的仪器的测量准确度,所以即使用最好的螺旋测微仪定标,其热膨胀仪的LVDT也不可能得到优于1微米的准确度。离开准确度,来谈灵敏度是没有实际意义的。在日本计量所考核Netzsch的DIL402时,为了修正LVDT的读数,正是基于这个道理,用双路差频干涉计而不用螺旋测微仪。(2)LVDT的线性度用双路差频干涉计对Netzsch 的DIL402的LVDT的考察的结果表明,当位移量为105.23微米时,LVDV的读数与干涉计的读数的偏差达到0.69微米。因此,线性度实际上为0.66%之大,已排出了热效应的影响。而在NETZSCH的所有产品中,并没有对线性度进行修正的。这也说明了所谓nm量级读数的不正确性,是没有意义的。(3)在TN105中提到的其它因素,如对电压、温度、处理电路等极其敏感,易引起漂移,等等,其nm量级的读数在噪声之中。需要经常进行定标等。4.采用数字位移传感器在顶杆热膨胀仪上,比LVDV有很多的优点,请见TN105数字位移传感器的0.5微米的测长分辨率(也可以说准确度),对于顶杆热膨胀仪来讲,具有实际的意义,完全满足顶杆热膨胀仪的各种应用场合。5.对于低膨胀(如10-7/K)量级的材料在有限的温度范围内(如几十度)内的热膨胀的高精度的测量,顶杆热膨胀仪不适用,应采用非接触绝对的干涉热膨胀仪,并用阶梯等温的加热方式。我们接到过超低膨胀(如10-7/K)的材料在有限的温度范围内的高精度的测量的课题,比如说,一组10-7/K的量级的玻璃,要求分辨出不同成份、工艺下对热膨胀的影响。曾用Netzsch的DIL402和双路差频干涉膨胀仪进行了研究,同时也对DIL402的测量误差进行分析。结果表明,干涉膨胀仪能在10℃的温度间隔内,分辨到1.5X10-8/K,这里的分辨指的是在可能 的最大测量误差范围(或者说是极限误差,3σ程度)外。如果最大测量误差大于1.5X10-8/K,就不能说分辨到1.5X10-8/K。而DIL402的结果(加热范围为300℃,已得到足够的膨胀量),对于所有的材料都没有给出意义的分辨,因所测的各种材料的热膨胀率都在其测量误差范围内,即在12X10-8/K(最大误差,3σ)的误差带内。作为这一课题的附带结果再次表明,Netzsch关于达到1.25nm/digit的测长sensitivity的声称是没有实际意义的。如果有意义的话,已达到了干涉热膨胀仪的测长精度,而为什么实际的测量误差却是干涉热膨胀仪的测量误差的10倍?!有任何问题,欢迎随时交流。

  • 热膨胀仪(干涉计法)

    关于有关顶杆热膨胀仪的几个问题作者美国安特公司的王恒博士1.如果想达到更高的准确度,应该用非接触干涉膨胀仪。干涉膨胀仪的优点是,光学非接触、绝对测量、测量准确度高。但造价昂贵、仪器结构及操作都很复杂、温度不容易超过1000℃,对样品形状及表面要求苛刻,不适用于材料的烧结过程的研究。一般,为建立一级热膨胀标准的权威机构采用非接触干涉膨胀仪为主要手段。请注意一下,干涉计本身的测长很准,但组装在膨胀仪上后,因为与样品有关的热系统的关系,对于样品的随温度变化的真正伸长量的测量准确度会随温度升高而下降。比如在日本计量所作的双路差频干涉计和在美国西海岸的Precision Mesurement and Instrument Corp作的迈可耳逊干涉计,其本身的位移变化量可测到1nm到3nm左右,但用在热膨胀测量应用上,因热系统的各部份的热变形等原因,“零点漂移”在几百度时就达到了30至50nm,属于随机误差,不能修正的。请见国际热物理杂志Internation1 J. Thermophys. Vo1 23, No.2,2002年3月的文章“Development of a Laser Interferometric Dilatometer for Measurment of Thermal Expansion of Solid in Temperature range 300 to 1300K”d在的549页关于干涉仪的零漂的3.2节中的图4中,在300 to 1300K的温度范围内的零漂达到了50nm。这是不能修正的,必须考虑在误差分析内。因此,对于干涉法热膨胀仪来讲,伸长量的测量准确度受系统的热稳定性影响而不能达到干涉计本身的测长准确度的。商品化的干涉膨胀仪的最高温度是700℃。2.作为最传统的热膨胀仪的测量手段的顶杆法热膨胀仪的优点是,使用容易、结构简单适用各种形状的样品等。缺点是,属于接触、相对测量方法,需要用标准样品对系统定标,测长准确度低,但可达到很高温度,适用于材料的烧结过程的研究。顶杆法热膨胀仪结构特点是,用比样品长几倍的顶杆与试样接触,把试样的长度变化传递给加热炉外的与其接触的位移传感器。这样,在顶杆上存在从高温(试样)到室温(位移传感器)的温度变化,整体的热稳定性或者说“热环境”与干涉膨胀仪的情况比,就“差”了更多,温度超高越严重,这是自然引起而不可避免的。这是不能用标准样品的定标来完全消除的。这将导致位移传感器读数的波动,在有些情况下,甚至导致测量结果的突变。在文章“Examination of Thermal Expansion Uniformity of Glassy Carbon as a Candidate Standard Reference Material For Thermal Expansion Measurements”中的第94页第一段,指出对于玻璃碳材料的测量,第一次的测量结果不可靠而必须取消,在高温段和低温段的数据也要取消。即使顶杆法热膨胀仪的位移传感器本身测量准确度能达到了0.1微米以下,对试样的热膨胀量引起的真正伸长量测量准确度也很难说达到0.1微米。日本计量所曾把一个双路差频干涉计组装到一台顶杆法热膨胀仪的位移测量的头部作过实验,表明了这一点。当时的课题是考核顶杆法热膨胀仪的特性。就好比是用微伏电压表接一般的热电偶测温,尽管电压表可以读到微伏,但在毫伏读数以下对测温已没有任何意义了。3.LVDV本身的测量位移量的准确度达不到nm量级(1)目前最好螺旋测微仪的准确度是±1微米。Netzsch用于标定LVDT的是螺旋测微仪,所有的被定标的仪器的测量准确度不可能超过用于定标的仪器的测量准确度,所以即使用最好的螺旋测微仪定标,其热膨胀仪的LVDT也不可能得到优于1微米的准确度。离开准确度,来谈灵敏度是没有实际意义的。在日本计量所考核Netzsch的DIL402时,为了修正LVDT的读数,正是基于这个道理,用双路差频干涉计而不用螺旋测微仪。(2)LVDT的线性度用双路差频干涉计对Netzsch 的DIL402的LVDT的考察的结果表明,当位移量为105.23微米时,LVDV的读数与干涉计的读数的偏差达到0.69微米。因此,线性度实际上为0.66%之大,已排出了热效应的影响。而在NETZSCH的所有产品中,并没有对线性度进行修正的。这也说明了所谓nm量级读数的不正确性,是没有意义的。(3)在TN105中提到的其它因素,如对电压、温度、处理电路等极其敏感,易引起漂移,等等,其nm量级的读数在噪声之中。需要经常进行定标等。4.采用数字位移传感器在顶杆热膨胀仪上,比LVDV有很多的优点,请见TN105数字位移传感器的0.5微米的测长分辨率(也可以说准确度),对于顶杆热膨胀仪来讲,具有实际的意义,完全满足顶杆热膨胀仪的各种应用场合。5.对于低膨胀(如10-7/K)量级的材料在有限的温度范围内(如几十度)内的热膨胀的高精度的测量,顶杆热膨胀仪不适用,应采用非接触绝对的干涉热膨胀仪,并用阶梯等温的加热方式。我们接到过超低膨胀(如10-7/K)的材料在有限的温度范围内的高精度的测量的课题,比如说,一组10-7/K的量级的玻璃,要求分辨出不同成份、工艺下对热膨胀的影响。曾用Netzsch的DIL402和双路差频干涉膨胀仪进行了研究,同时也对DIL402的测量误差进行分析。结果表明,干涉膨胀仪能在10℃的温度间隔内,分辨到1.5X10-8/K,这里的分辨指的是在可能 的最大测量误差范围(或者说是极限误差,3σ程度)外。如果最大测量误差大于1.5X10-8/K,就不能说分辨到1.5X10-8/K。而DIL402的结果(加热范围为300℃,已得到足够的膨胀量),对于所有的材料都没有给出意义的分辨,因所测的各种材料的热膨胀率都在其测量误差范围内,即在12X10-8/K(最大误差,3σ)的误差带内。作为这一课题的附带结果再次表明,Netzsch关于达到1.25nm/digit的测长sensitivity的声称是没有实际意义的。如果有意义的话,已达到了干涉热膨胀仪的测长精度,而为什么实际的测量误差却是干涉热膨胀仪的测量误差的10倍?!有任何问题,欢迎随时交流。

  • 热膨胀仪(干涉计法)

    关于有关顶杆热膨胀仪的几个问题作者美国安特公司的王恒博士1.如果想达到更高的准确度,应该用非接触干涉膨胀仪。干涉膨胀仪的优点是,光学非接触、绝对测量、测量准确度高。但造价昂贵、仪器结构及操作都很复杂、温度不容易超过1000℃,对样品形状及表面要求苛刻,不适用于材料的烧结过程的研究。一般,为建立一级热膨胀标准的权威机构采用非接触干涉膨胀仪为主要手段。请注意一下,干涉计本身的测长很准,但组装在膨胀仪上后,因为与样品有关的热系统的关系,对于样品的随温度变化的真正伸长量的测量准确度会随温度升高而下降。比如在日本计量所作的双路差频干涉计和在美国西海岸的Precision Mesurement and Instrument Corp作的迈可耳逊干涉计,其本身的位移变化量可测到1nm到3nm左右,但用在热膨胀测量应用上,因热系统的各部份的热变形等原因,“零点漂移”在几百度时就达到了30至50nm,属于随机误差,不能修正的。请见国际热物理杂志Internation1 J. Thermophys. Vo1 23, No.2,2002年3月的文章“Development of a Laser Interferometric Dilatometer for Measurment of Thermal Expansion of Solid in Temperature range 300 to 1300K”d在的549页关于干涉仪的零漂的3.2节中的图4中,在300 to 1300K的温度范围内的零漂达到了50nm。这是不能修正的,必须考虑在误差分析内。因此,对于干涉法热膨胀仪来讲,伸长量的测量准确度受系统的热稳定性影响而不能达到干涉计本身的测长准确度的。商品化的干涉膨胀仪的最高温度是700℃。2.作为最传统的热膨胀仪的测量手段的顶杆法热膨胀仪的优点是,使用容易、结构简单适用各种形状的样品等。缺点是,属于接触、相对测量方法,需要用标准样品对系统定标,测长准确度低,但可达到很高温度,适用于材料的烧结过程的研究。顶杆法热膨胀仪结构特点是,用比样品长几倍的顶杆与试样接触,把试样的长度变化传递给加热炉外的与其接触的位移传感器。这样,在顶杆上存在从高温(试样)到室温(位移传感器)的温度变化,整体的热稳定性或者说“热环境”与干涉膨胀仪的情况比,就“差”了更多,温度超高越严重,这是自然引起而不可避免的。这是不能用标准样品的定标来完全消除的。这将导致位移传感器读数的波动,在有些情况下,甚至导致测量结果的突变。在文章“Examination of Thermal Expansion Uniformity of Glassy Carbon as a Candidate Standard Reference Material For Thermal Expansion Measurements”中的第94页第一段,指出对于玻璃碳材料的测量,第一次的测量结果不可靠而必须取消,在高温段和低温段的数据也要取消。即使顶杆法热膨胀仪的位移传感器本身测量准确度能达到了0.1微米以下,对试样的热膨胀量引起的真正伸长量测量准确度也很难说达到0.1微米。日本计量所曾把一个双路差频干涉计组装到一台顶杆法热膨胀仪的位移测量的头部作过实验,表明了这一点。当时的课题是考核顶杆法热膨胀仪的特性。就好比是用微伏电压表接一般的热电偶测温,尽管电压表可以读到微伏,但在毫伏读数以下对测温已没有任何意义了。3.LVDV本身的测量位移量的准确度达不到nm量级(1)目前最好螺旋测微仪的准确度是±1微米。Netzsch用于标定LVDT的是螺旋测微仪,所有的被定标的仪器的测量准确度不可能超过用于定标的仪器的测量准确度,所以即使用最好的螺旋测微仪定标,其热膨胀仪的LVDT也不可能得到优于1微米的准确度。离开准确度,来谈灵敏度是没有实际意义的。在日本计量所考核Netzsch的DIL402时,为了修正LVDT的读数,正是基于这个道理,用双路差频干涉计而不用螺旋测微仪。(2)LVDT的线性度用双路差频干涉计对Netzsch 的DIL402的LVDT的考察的结果表明,当位移量为105.23微米时,LVDV的读数与干涉计的读数的偏差达到0.69微米。因此,线性度实际上为0.66%之大,已排出了热效应的影响。而在NETZSCH的所有产品中,并没有对线性度进行修正的。这也说明了所谓nm量级读数的不正确性,是没有意义的。(3)在TN105中提到的其它因素,如对电压、温度、处理电路等极其敏感,易引起漂移,等等,其nm量级的读数在噪声之中。需要经常进行定标等。4.采用数字位移传感器在顶杆热膨胀仪上,比LVDV有很多的优点,请见TN105数字位移传感器的0.5微米的测长分辨率(也可以说准确度),对于顶杆热膨胀仪来讲,具有实际的意义,完全满足顶杆热膨胀仪的各种应用场合。5.对于低膨胀(如10-7/K)量级的材料在有限的温度范围内(如几十度)内的热膨胀的高精度的测量,顶杆热膨胀仪不适用,应采用非接触绝对的干涉热膨胀仪,并用阶梯等温的加热方式。我们接到过超低膨胀(如10-7/K)的材料在有限的温度范围内的高精度的测量的课题,比如说,一组10-7/K的量级的玻璃,要求分辨出不同成份、工艺下对热膨胀的影响。曾用Netzsch的DIL402和双路差频干涉膨胀仪进行了研究,同时也对DIL402的测量误差进行分析。结果表明,干涉膨胀仪能在10℃的温度间隔内,分辨到1.5X10-8/K,这里的分辨指的是在可能 的最大测量误差范围(或者说是极限误差,3σ程度)外。如果最大测量误差大于1.5X10-8/K,就不能说分辨到1.5X10-8/K。而DIL402的结果(加热范围为300℃,已得到足够的膨胀量),对于所有的材料都没有给出意义的分辨,因所测的各种材料的热膨胀率都在其测量误差范围内,即在12X10-8/K(最大误差,3σ)的误差带内。作为这一课题的附带结果再次表明,Netzsch关于达到1.25nm/digit的测长sensitivity的声称是没有实际意义的。如果有意义的话,已达到了干涉热膨胀仪的测长精度,而为什么实际的测量误差却是干涉热膨胀仪的测量误差的10倍?!有任何问题,欢迎随时交流。

电米膨胀计相关的耗材

  • 热膨胀芯(TEC)光纤跳线
    热膨胀芯(TEC)光纤跳线特性热膨胀芯增大了模场直径(MFD),便于耦合不仅更容易进行自由空间耦合,还能保持单模光纤的光学性能工作波长范围:980 - 1250 nm或1420 - 1620 nm光纤的TEC端镀有增透膜,以减少耦合损耗库存的光纤跳线:2.0 mm窄键FC/PC(TEC)到FC/PC接头2.0 mm窄键FC/PC(TEC)到FC/APC接头具有带槽法兰的?2.5 mm插芯到可以剪切的裸纤如需定制配置,请联系技术支持Thorlabs的热膨胀芯(TEC)光纤跳线进行自由空间耦合时,对位置的偏移没有单模光纤那样敏感。利用我们的Vytran® 光纤熔接技术,通过将传统单模光纤的一端加热,使超过2.5 mm长的纤芯膨胀,就可制成这种光纤。在自由空间耦合应用中,光纤经过这样处理的一端可以接受模场直径较大的光束,同时还能保持光纤的单模和光学性能(有关测试信息,请看耦合性能标签)。TEC光纤经常应用于构建基于光纤的光隔离器、可调谐波长的滤光片和可变光学衰减器。我们库存有带TEC端的多种光纤跳线可选。我们提供两种波长范围:980 nm - 1250 nm 和1460 nm - 1620 nm。光纤的TEC端镀有增透膜,在指定波长范围内平均反射率小于0.5%,可以减少进行自由空间耦合时的损耗。光纤的这一端具有热缩包装标签,上面列出了关键的规格。接头选项有2.0 mm窄键FC/PC或FC/APC接头、?2.5 mm插芯且可以剪切熔接的裸光纤。?2.5 mm插芯且可以剪切的光纤跳线具有?900 μm的护套,而FC/PC与FC/APC光纤跳线具有?3 mm的护套(请看右上表,了解可选的组合)。我们也提供定制光纤跳线。更多信息,请联系技术支持。 自由空间耦合到P1-1550TEC-2光纤跳线光纤跳线镀有增透膜的一端适合自由空间应用(比如,耦合),如果与其他接头端接触,会造成损伤。此外,由于镀有增透膜,TEC光纤跳线不适合高功率应用。清洁镀增透膜的接头端且不损坏镀膜的方法有好几种。将压缩空气轻轻喷在接头端是比较理想的做法。其他方法包括使用浸有异丙醇或甲醇的无绒光学擦拭纸或FCC-7020光纤接头清洁器轻轻擦拭。但是请不要使用干的擦拭纸,因为可能会损坏增透膜涂层。Item #PrefixTECEnd(AR Coated)UncoatedEndP1FC/PC (Black Boot)FC/PCP5FC/PC (Black Boot)FC/APCP6?2.5 mm Ferrule with Slotted FlangeScissor CutCoated Patch Cables Selection GuideSingle Mode AR-Coated Patch CablesTEC Single Mode AR-Coated Patch CablesPolarization-Maintaining AR-Coated Patch CablesMultimode AR-Coated Patch CablesHR-Coated Patch CablesStock Single Mode Patch Cables Selection GuideStandard CablesFC/PC to FC/PCFC/APC to FC/APCHybridAR-Coated Patch CablesThermally-Expanded-Core (TEC) Patch CablesHR-Coated Patch CablesBeamsplitter-Coated Patch CablesLow-Insertion-Loss Patch CablesMIR Fluoride Fiber Patch Cables耦合性能由于TEC光纤一端的纤芯直径膨胀,进行自由空间耦合时,它们对位置的偏移没有标准的单模光纤那样敏感。为了进行比较,我们改变x轴和z轴上的偏移,并测量自由空间光束耦合到TEC光纤跳线和标准光纤跳线时的耦合损耗(如右图所示)。使用C151TMD-C非球面透镜,将光耦合到标准光纤和TEC光纤。在980 nm 和1064 nm下,测试使用1060XP光纤的跳线和P1-1060TEC-2光纤跳线,同时,在1550 nm下,测试使用1550BHP光纤的跳线和P1-1550TEC-2光纤跳线。通过MBT616D 3轴位移台,让光纤跳线相对于入射光移动。 下面的曲线图展示了所测光纤跳线的光纤耦合性能。一般而言,对于相同的x轴或z轴偏移,TEC光纤跳线比标准跳线的耦合损耗低。而在x轴或z轴偏移为0 μm 时,标准跳线与TEC跳线的性能相似。总而言之,这些测试结果表明,TEC光纤对光纤位置的偏移远远没有标准光纤那样敏感,同时还能在zui佳光纤位置保持相同的耦合损耗。请注意,这些测量为典型值,由于制造公差的存在,不同批次跳线的性能可能有所差异。测量耦合性能装置的示意图。上图显示了用于测量耦合性能的测试装置。1060XP标准光纤和P1-1060TEC-2热膨胀芯光纤之间的耦合性能比较图。1060XP标准光纤和P1-1060TEC-2热膨胀芯光纤之间的耦合性能比较图。11550BHP标准光纤和P1-1550TEC-2热膨胀芯光纤之间的耦合性能比较图。 损伤阀值激光诱导的光纤损伤以下教程详述了无终端(裸露的)、有终端光纤以及其他基于激光光源的光纤元件的损伤机制,包括空气-玻璃界面(自由空间耦合或使用接头时)的损伤机制和光纤玻璃内的损伤机制。诸如裸纤、光纤跳线或熔接耦合器等光纤元件可能受到多种潜在的损伤(比如,接头、光纤端面和装置本身)。光纤适用的zui大功率始终受到这些损伤机制的zui小值的限制。虽然可以使用比例关系和一般规则估算损伤阈值,但是,光纤的jue对损伤阈值在很大程度上取决于应用和特定用户。用户可以以此教程为指南,估算zui大程度降低损伤风险的安全功率水平。如果遵守了所有恰当的制备和适用性指导,用户应该能够在指定的zui大功率水平以下操作光纤元件;如果有元件并未指定zui大功率,用户应该遵守下面描述的"实际安全水平"该,以安全操作相关元件。可能降低功率适用能力并给光纤元件造成损伤的因素包括,但不限于,光纤耦合时未对准、光纤端面受到污染或光纤本身有瑕疵。关于特定应用中光纤功率适用能力的深入讨论,请联系技术支持。Quick LinksDamage at the Air / Glass InterfaceIntrinsic Damage ThresholdPreparation and Handling of Optical Fibers空气-玻璃界面的损伤空气/玻璃界面有几种潜在的损伤机制。自由空间耦合或使用光学接头匹配两根光纤时,光会入射到这个界面。如果光的强度很高,就会降低功率的适用性,并给光纤造成yong久性损伤。而对于使用环氧树脂将接头与光纤固定的终端光纤而言,高强度的光产生的热量会使环氧树脂熔化,进而在光路中的光纤表面留下残留物。损伤的光纤端面未损伤的光纤端面裸纤端面的损伤机制光纤端面的损伤机制可以建模为大光学元件,紫外熔融石英基底的工业标准损伤阈值适用于基于石英的光纤(参考右表)。但是与大光学元件不同,与光纤空气/璃界面相关的表面积和光束直径都非常小,耦合单模(SM)光纤时尤其如此,因此,对于给定的功率密度,入射到光束直径较小的光纤的功率需要比较低。右表列出了两种光功率密度阈值:一种理论损伤阈值,一种"实际安全水平"。一般而言,理论损伤阈值代表在光纤端面和耦合条件非常好的情况下,可以入射到光纤端面且没有损伤风险的zui大功率密度估算值。而"实际安全水平"功率密度代表光纤损伤的zui低风险。超过实际安全水平操作光纤或元件也是有可以的,但用户必须遵守恰当的适用性说明,并在使用前在低功率下验证性能。计算单模光纤和多模光纤的有效面积单模光纤的有效面积是通过模场直径(MFD)定义的,它是光通过光纤的横截面积,包括纤芯以及部分包层。耦合到单模光纤时,入射光束的直径必须匹配光纤的MFD,才能达到良好的耦合效率。例如,SM400单模光纤在400 nm下工作的模场直径(MFD)大约是?3 μm,而SMF-28 Ultra单模光纤在1550 nm下工作的MFD为?10.5 μm。则两种光纤的有效面积可以根据下面来计算:SM400 Fiber:Area= Pi x (MFD/2)2 = Pi x (1.5μm)2 = 7.07 μm2= 7.07 x 10-8cm2 SMF-28 Ultra Fiber: Area = Pi x (MFD/2)2 = Pi x (5.25 μm)2= 86.6 μm2= 8.66 x 10-7cm2为了估算光纤端面适用的功率水平,将功率密度乘以有效面积。请注意,该计算假设的是光束具有均匀的强度分布,但其实,单模光纤中的大多数激光束都是高斯形状,使得光束中心的密度比边缘处更高,因此,这些计算值将略高于损伤阈值或实际安全水平对应的功率。假设使用连续光源,通过估算的功率密度,就可以确定对应的功率水平:SM400 Fiber: 7.07 x 10-8cm2x 1MW/cm2= 7.1 x10-8MW =71 mW (理论损伤阈值) 7.07 x 10-8cm2x 250 kW/cm2= 1.8 x10-5kW = 18 mW (实际安全水平)SMF-28 UltraFiber: 8.66 x 10-7cm2x 1MW/cm2= 8.7 x10-7MW =870mW (理论损伤阈值)8.66 x 10-7cm2x 250 kW/cm2= 2.1 x10-4kW =210 mW (实际安全水平)多模(MM)光纤的有效面积由纤芯直径确定,一般要远大于SM光纤的MFD值。如要获得zui佳耦合效果,Thorlabs建议光束的光斑大小聚焦到纤芯直径的70 - 80%。由于多模光纤的有效面积较大,降低了光纤端面的功率密度,因此,较高的光功率(一般上千瓦的数量级)可以无损伤地耦合到多模光纤中。 Estimated Optical Power Densities on Air / Glass InterfaceaTypeTheoretical Damage ThresholdbPractical Safe LevelcCW(Average Power)~1 MW/cm2~250 kW/cm210 ns Pulsed(Peak Power)~5 GW/cm2~1 GW/cm2a. 所有值针对无终端(裸露)的石英光纤,适用于自由空间耦合到洁净的光纤端面。b. 这是可以入射到光纤端面且没有损伤风险的zui大功率密度估算值。用户在高功率下工作前,必须验证系统中光纤元件的性能与可靠性,因其与系统有着紧密的关系。c. 这是在大多数工作条件下,入射到光纤端面且不会损伤光纤的安全功率密度估算值。插芯/接头终端相关的损伤机制有终端接头的光纤要考虑更多的功率适用条件。光纤一般通过环氧树脂粘合到陶瓷或不锈钢插芯中。光通过接头耦合到光纤时,没有进入纤芯并在光纤中传播的光会散射到光纤的外层,再进入插芯中,而环氧树脂用来将光纤固定在插芯中。如果光足够强,就可以熔化环氧树脂,使其气化,并在接头表面留下残渣。这样,光纤端面就出现了局部吸收点,造成耦合效率降低,散射增加,进而出现损伤。与环氧树脂相关的损伤取决于波长,出于以下几个原因。一般而言,短波长的光比长波长的光散射更强。由于短波长单模光纤的MFD较小,且产生更多的散射光,则耦合时的偏移也更大。为了zui大程度地减小熔化环氧树脂的风险,可以在光纤端面附近的光纤与插芯之间构建无环氧树脂的气隙光纤接头。我们的高功率多模光纤跳线就使用了这种设计特点的接头。曲线图展现了带终端的单模石英光纤的大概功率适用水平。每条线展示了考虑具体损伤机制估算的功率水平。zui大功率适用性受到所有相关损伤机制的zui低功率水平限制(由实线表示)。确定具有多种损伤机制的功率适用性光纤跳线或组件可能受到多种途径的损伤(比如,光纤跳线),而光纤适用的zui大功率始终受到与该光纤组件相关的zui低损伤阈值的限制。例如,右边曲线图展现了由于光纤端面损伤和光学接头造成的损伤而导致单模光纤跳线功率适用性受到限制的估算值。有终端的光纤在给定波长下适用的总功率受到在任一给定波长下,两种限制之中的较小值限制(由实线表示)。在488 nm左右工作的单模光纤主要受到光纤端面损伤的限制(蓝色实线),而在1550 nm下工作的光纤受到接头造成的损伤的限制(红色实线)。对于多模光纤,有效模场由纤芯直径确定,一般要远大于SM光纤的有效模场。因此,其光纤端面上的功率密度更低,较高的光功率(一般上千瓦的数量级)可以无损伤地耦合到光纤中(图中未显示)。而插芯/接头终端的损伤限制保持不变,这样,多模光纤的zui大适用功率就会受到插芯和接头终端的限制。请注意,曲线上的值只是在合理的操作和对准步骤几乎不可能造成损伤的情况下粗略估算的功率水平值。值得注意的是,光纤经常在超过上述功率水平的条件下使用。不过,这样的应用一般需要专业用户,并在使用之前以较低的功率进行测试,尽量降低损伤风险。但即使如此,如果在较高的功率水平下使用,则这些光纤元件应该被看作实验室消耗品。光纤内的损伤阈值除了空气玻璃界面的损伤机制外,光纤本身的损伤机制也会限制光纤使用的功率水平。这些限制会影响所有的光纤组件,因为它们存在于光纤本身。光纤内的两种损伤包括弯曲损耗和光暗化损伤。弯曲损耗光在纤芯内传播入射到纤芯包层界面的角度大于临界角会使其无法全反射,光在某个区域就会射出光纤,这时候就会产生弯曲损耗。射出光纤的光一般功率密度较高,会烧坏光纤涂覆层和周围的松套管。有一种叫做双包层的特种光纤,允许光纤包层(第二层)也和纤芯一样用作波导,从而降低弯折损伤的风险。通过使包层/涂覆层界面的临界角高于纤芯/包层界面的临界角,射出纤芯的光就会被限制在包层内。这些光会在几厘米或者几米的距离而不是光纤内的某个局部点漏出,从而zui大限度地降低损伤。Thorlabs生产并销售0.22 NA双包层多模光纤,它们能将适用功率提升百万瓦的范围。光暗化光纤内的第二种损伤机制称为光暗化或负感现象,一般发生在紫外或短波长可见光,尤其是掺锗纤芯的光纤。在这些波长下工作的光纤随着曝光时间增加,衰减也会增加。引起光暗化的原因大部分未可知,但可以采取一些列措施来缓解。例如,研究发现,羟基离子(OH)含量非常低的光纤可以抵抗光暗化,其它掺杂物比如氟,也能减少光暗化。即使采取了上述措施,所有光纤在用于紫外光或短波长光时还是会有光暗化产生,因此用于这些波长下的光纤应该被看成消耗品。制备和处理光纤通用清洁和操作指南建议将这些通用清洁和操作指南用于所有的光纤产品。而对于具体的产品,用户还是应该根据辅助文献或手册中给出的具体指南操作。只有遵守了所有恰当的清洁和操作步骤,损伤阈值的计算才会适用。安装或集成光纤(有终端的光纤或裸纤)前应该关掉所有光源,以避免聚焦的光束入射在接头或光纤的脆弱部分而造成损伤。光纤适用的功率直接与光纤/接头端面的质量相关。将光纤连接到光学系统前,一定要检查光纤的末端。端面应该是干净的,没有污垢和其它可能导致耦合光散射的污染物。另外,如果是裸纤,使用前应该剪切,用户应该检查光纤末端,确保切面质量良好。如果将光纤熔接到光学系统,用户首先应该在低功率下验证熔接的质量良好,然后在高功率下使用。熔接质量差,会增加光在熔接界面的散射,从而成为光纤损伤的来源。对准系统和优化耦合时,用户应该使用低功率;这样可以zui大程度地减少光纤其他部分(非纤芯)的曝光。如果高功率光束聚焦在包层、涂覆层或接头,有可能产生散射光造成的损伤。高功率下使用光纤的注意事项一般而言,光纤和光纤元件应该要在安全功率水平限制之内工作,但在理想的条件下(ji佳的光学对准和非常干净的光纤端面),光纤元件适用的功率可能会增大。用户首先必须在他们的系统内验证光纤的性能和稳定性,然后再提高输入或输出功率,遵守所有所需的安全和操作指导。以下事项是一些有用的建议,有助于考虑在光纤或组件中增大光学功率。要防止光纤损伤光耦合进光纤的对准步骤也是重要的。在对准过程中,在取得zui佳耦合前,光很容易就聚焦到光纤某部位而不是纤芯。如果高功率光束聚焦在包层或光纤其它部位时,会发生散射引起损伤使用光纤熔接机将光纤组件熔接到系统中,可以增大适用的功率,因为它可以zui大程度地减少空气/光纤界面损伤的可能性。用户应该遵守所有恰当的指导来制备,并进行高质量的光纤熔接。熔接质量差可能导致散射,或在熔接界面局部形成高热区域,从而损伤光纤。连接光纤或组件之后,应该在低功率下使用光源测试并对准系统。然后将系统功率缓慢增加到所希望的输出功率,同时周期性地验证所有组件对准良好,耦合效率相对光学耦合功率没有变化。由于剧烈弯曲光纤造成的弯曲损耗可能使光从受到应力的区域漏出。在高功率下工作时,大量的光从很小的区域(受到应力的区域)逃出,从而在局部形成产生高热量,进而损伤光纤。请在操作过程中不要破坏或突然弯曲光纤,以尽可能地减少弯曲损耗。用户应该针对给定的应用选择合适的光纤。例如,大模场光纤可以良好地代替标准的单模光纤在高功率应用中使用,因为前者可以提供更佳的光束质量,更大的MFD,且可以降低空气/光纤界面的功率密度。阶跃折射率石英单模光纤一般不用于紫外光或高峰值功率脉冲应用,因为这些应用与高空间功率密度相关。MFD定义模场直径的定义模场直径(MFD)是对在单模光纤中传播的光的光束尺寸的一种量度。它与波长、纤芯半径以及纤芯和包层的折射率具有函数关系。虽然光纤中的大部分光被限制在纤芯内传播,但仍有极小部分的光在包层中传播。对于高斯功率分布,MFD是指光功率从峰值水平降到1/e2时的直径。MFD的测量通过在远场使用变孔径法来完成MFD的测量。在光纤输出的远场处放置一个通光孔径,然后测量强度。在光路中放置连续变小的通光孔径,测量每个通光孔径下的强度水平;然后以功率和孔径半角(或数值孔径)的正弦为坐标作图得到数据。使用彼得曼第二定义确定MFD,该数学模型没有假设功率分布的特定形状。使用汉克尔变换可以从远场测量值确定近场处的MFD大小TEC光纤跳线,980 nm - 1250 nmItem #Fiber TypeOperating WavelengthMode Field DiameteraAR CoatingbMax AttenuationcNAdCladding/Coating DiameterConnectorsJacketTECStandardTECStandardP1-1060TEC-21060XP980 - 1250 nm12.4 ± 1.0 μm6.2 ± 0.5 μm850 - 1250 nm≤2.1 dB/km @980 nm≤1.5 dB/km @ 1060 nm0.070.14125 ± 0.5 μm /245 ± 10 μmFC/PC (TEC) to FC/PC?3 mmFT030-YP5-1060TEC-2TEC光纤跳线,1460 - 1620 nm,镀增透膜,FC/PC(TEC)到FC/APC,2 mP6-1550TEC-2TEC光纤跳线,1460 - 1620 nm,镀增透膜,?2.5 mm插芯(TEC)到裸纤,2 m
  • DIL 805淬火膨胀计 - 系统组件 - 传动杆 | 863426.002
    订货信息:DIL 805 Quenching Dilatometer - System Components - Transmission Rods863426.002Transmission Rod Solid Al2O3 (Dia. = 4 mm, Length = 133.5 mm) for DIL805863497.002Transmission Rod Solid Fused Silica (Dia. = 3 mm, Length = 133.5 mm) for DIL805863266.001Transmission Rod Al2O3 (Dia. = 4 mm Length = 100.5 mm) for DIL805T863265.001Transmission Rod Fused Silica (Dia. = 4 mm Length = 100.5 mm) for DIL805T863420.003Transmission Rod Fused Silica (Length = 113.5 mm) for DIL805863420.002Transmission Rod Fused Silica (Dia. = 4 mm Length = 123.5 mm) for DIL805863421.001Transmission Rod Fused Silica (Dia. = 3 mm Length = 163.5 mm) for DIL805A/805L863414.001Transmission Rod with hole for gas Fused Silica (Dia. = 4 mm Length = 145 mm) for DIL805 Alpha863426.001Transmission Rod with hole for gas Al2O3 (Dia. = 4mm Length = 133.5 mm) for DIL805A/805L863420.001Transmission Rod with hole for gas Fused Silica (Dia. = 4 mm Length = 133.5 mm) for DIL805A/805L863427.001Transmission Rod Al2O3 (Dia. = 3 mm Length = 163.5 mm) for DIL805A/805L863262.001Transmission Rod Al2O3 (Dia. = 4 mm Length = 145 mm) for DIL805 Alpha863497.001Transmission Rod Solid Fused Silica (Dia. = 2 mm Length = 133.5 mm) for DIL805A/805L863560.901Transmission Rod Solid Fused Silica (Dia. = 2 mm, Length = 145 mm) for DIL805 Alpha863560.902Transmission Rod Solid Fused Silica (Dia. = 3 mm, Length = 145 mm) for DIL805 Alpha863505.001Transmission Rod Solid Fused Silica (Dia. = 2 mm Length = 126.5 mm) for DIL805A S/N: 4013863525.001Transmission Rod Solid Fused Silica (Dia. = 2 mm Length = 138 mm) for DIL805A S/N: 4013863541.001Transmission Rod Fused Silica (Dia. = 4 mm Length = 133.5 mm) for DIL805A instruments up to S/N: 6925863542.001Transmission Rod Fused Silica (Dia. = 4 mm Length = 163.5 mm) for DIL805A instruments up to S/N: 6925863396.001Heating Ring Mo for DIL805A863397.001Heating Ring Pt for DIL805A863261.001Molybdenum Disk (Dia. = 8 mm Thickness = 0.1 mm) for DIL805D
  • DIL 805淬火膨胀计 - 系统组件 - 样品支架 | 863600.901
    订货信息: DIL 805 Quenching Dilatometer - System Components - Sample Supports863600.901Clamping Device for Flat Samples for DIL805T863267.001Spacer Ring (for 9 mm tension tests) for DIL805T863251.901Flat Sample Clamping Dil805863252.901Clamping Jaws for Flat Sample Clamping Dil805863253.901Toolkit for Flat Sample Clamping Dil805863503.001Sample Support (M7) Right for DIL805T863504.001Sample Support (M7) Left for DIL805T863428.002Opposite Support Solid Al2O3 (Dia. = 4 mm) for DIL805863496.002Opposite Support Solid Fused Silica (Dia. = 3 mm) for DIL805863263.001Opposite Support Al2O3 (Length = 64 mm OD = 4 mm) for DIL805 Alpha863446.001Opposite Support Fused Silica (Length = 64 mm OD = 4 mm) for DIL805 Alpha863413.001Holder for Opposite Support Fused Silica (including compression spring and clamping bar) for DIL805 Alpha863561.001Opposite Support Solid Fused Silica (Dia. = 2 mm, Length = 64 mm) for DIL805 Alpha863561.002Opposite Support Solid Fused Silica (Dia. = 3 mm, Length = 64 mm) for DIL805 Alpha863446.002Opposite Support (Dia. = 4 mm Shifted 7 mm) for DIL805 Alpha Optical863422.003Opposite Support Fused Silica (Length = 55.5 mm) for DIL805863422.002Opposite Support Fused Silica (Length = 65.5 mm) for DIL805863428.001Opposite Support Al2O3 (Dia. = 4 mm) for DIL805A/805L863422.001Opposite Support Fused Silica (Dia. = 4 mm) for DIL805A/805L863415.001Opposite Support with Hose Connection Fused Silica(OD = 4 mm Length = 64 mm) for DIL805 Sub-Zero863543.001Opposite Support with Hose Connection Fused Silica (Dia. = 4 mm Length = 63.5 mm) for DIL805A Sub-Zero instruments up to S/N: 6925863496.001Opposite Support Solid Fused Silica (Dia. = 2 mm) for DIL805A863506.001Opposite Support Fused Silica (Dia. = 8 mm) for DIL805A instrument S/N: 4013
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