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二极管

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二极管相关的仪器

  • InGaAs光电二极管 Fermionics公司于1991年在加利福尼亚成立,它是一家生产InGaAs光电二极管的独立生产商,产品主要是用于光学通信、测试仪器、传感和医学设备应用。高速InGaAs光电二极管(FD50~FD300)描述:1.探测速度非常快、电容低、暗电流低;2.适用于高比特率接收机、高速模拟和数字通信系统、LAN、FDDI、红外仪器和探测应用;3.所有的器件使用平面钝化技术制造;4.光灵敏表面镀有宽带增透膜;5.光灵敏区域直径:50、80、100、150和300微米;6.存储温度:-40~100℃;工作温度:-40~85℃。大面积InGaAs光电二极管(FD500~FD5000W)描述:1.大面积光电二极管用于红外仪器和探测、中速通信系统;2.在波长范围800到1700纳米响应良好;3.分流电阻对低光信号灵敏度高;4.所有器件使用平面钝化技术制造;5.光灵敏表面镀有宽带增透膜;6.光灵敏区域直径:500、1000、1500、2000、3000和5000微米。杭州谱镭光电技术有限公司(HangzhouSPL Photonics Co.,Ltd)是一家专业的光电类科研仪器代理商,致力于服务国内科研院所、高等院校实验室、企业研发部门等。我们代理的产品涉及光电子、激光、光通讯、物理、化学、材料、环保、食品、农业和生物等领域,可广泛应用于教学、科研及产品开发。 我们主要代理的产品有:微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件、飞秒/皮秒光纤激光器、KHz皮秒固体激光器、超窄线宽光纤激光器、超连续宽带激光器、He-Ne激光器、激光器附件及激光测量仪器、光学元器件、精密机械位移调整架、光纤、光学仪器、光源和太赫兹元器件、高性能大口径瞬态(脉冲)激光波前畸变检测干涉仪(用于流场、波前等分析)、高性能光滑表面缺陷分析仪、大口径近红外平行光管、Semrock公司的高品质生物用滤波片以及Meos公司的光学教学仪器等。 拉曼激光器,量子级联激光器,微型光谱仪,光机械,Oceanoptics,Thorlabs 。。。热线电话: / 传真:网址: /邮箱:
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  • 光电二极管 400-860-5168转3512
    光电二极管简介:GPD Optoelectronics提供Ge (p-n, p-i-n, APD),InGaAs探测器,双波长探测器,自由空间和光纤输入,波长覆盖可见光到近红外。GPD Optoelectronics提供Ge (p-n, p-i-n, APD),InGaAs探测器,双波长探测器,自由空间和光纤输入,波长覆盖可见光到近红外。 特点:低噪音近红外雪崩二极管覆盖波段900-1700nm有效面积20-350um最大带宽2Ghz自由空间和光纤输入 一、 Ge探测器二、 Ge 雪崩探测器 三、 高速InGaAs光电二极管 四、 InGaAs探测器 五、 扩展InGaAs光电二极管 六、 InGaAs雪崩光电二极管 七、 热电冷却的InGaAs光电二极管 八、InGaAs象限光电二极管 九、双波长探测器
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  • 光电二极管 400-860-5168转2255
    光电二极管 Related Products Thorlabs提供一系列分立光电二极管和经过校准的光电二极管。其中包括铟镓砷(InGaAs)光电二极管,磷化镓 (GaP)光电二极管,硅(Si)光电二极管, 和锗(Ge)光电二极管。我们也提供一些专用的光电二极管。例如DSD2双波段光电二极管,它在一个包装内同时提供硅光电二极管和铟砷化镓光电二极管,两者结合起来可以达到400到1700纳米的波长范围。FGA20是一个具有高响应率的铟镓砷光电二极管,波长范围从1200到2600纳米,能够探测到的波长范围比典型的铟镓砷光电二极管的1800纳米要高。我们也提供FGAP71,它是一种磷化镓(GaP)光电二极管,它的波长范围是我们所提供的光电二极管中最短的,从150纳米到550纳米。磷化镓光电二极管-紫外波长Zoom超短波长范围(150至550纳米)快速上升时间安装在带有蓝宝石窗口的密封封装内型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)時間a噪音等效功率(W/Hz1/2)暗电流接合电容aFGAP71150 - 5504.8 mm2(2.5 mm x 2.5 mm)-1 ns (140 ns)@ 5 V1.0 x 10-14@ 440 nm10 nA (最大)@ 5 V-a) 典型值 RL=50欧姆b) 详细的引脚配置请参见规格表ください。硅光电二极管-可见光波长ZoomFDS02特性:直接光纤耦合FC/PC封装系统,并且保持高速特性FDS010特性:紫外级融石英窗口,提供低至200纳米的灵敏度范围FDS100特性:TO-5型金属封装中最大的传感器FDS1010特性:安装在绝缘的陶瓷衬底上,在本系列中具有最大有效面积。型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流(典型値)结电容aFDS02 400 - 11000.25 mmTO-46FC/PC Connector47 ps (246 ps) @ -5 V9.3 x 10-1535 pAd @ 5 V0.94 pF@ 5 VFDS010200 - 11000.81 mm2(Ø 1 mm)TO-5/PIN@ 20 V5.0 x 10-14@ 900 nm2.5 nA10 pF@ 0 VFDS100350 - 110013 mm2(3.6 mm x 3.6 mm)TO-5/PIN10 ns (10 ns)@ 20 V1.2 x 10-14@ 900 nm20 nA20 pF@ 1VFDS1010400 - 1100100 mm2(9.7 mm x 9.7 mm)Ceramic Wafer45 ns (45 ns)@ 5 V5.5 x 10-13@ 900 nm0.6 µ A@ 5V375 pF @ 5Va) 典型値. RL = 50 欧姆b) 详细引脚配置请参看专门规格表d) 最大500 pA铟镓砷光电二极管&mdash 近红外到红外波长ZoomFGA04特性:直接光纤耦合FC/PC封装系统,并且保持高速特性FGA10特性:高速、有效面积大。FGA20特性:波长范围长FGA21特性:本系列中有效面积最大的产品。型号波长范围(nm)有效面积二极管封装形式b上升(下降)时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流(典型值)结电容aFGA04c800 - 18000.008 mm2(Ø 0.1 mm)TO-46 w/ FC/PC Connector100 ps (100 ps)@ 5 V1.5 x 10-15@ 1550 nm0.5 nA@ 5 V1.0 pF @ 5 VFGA10700 - 18000.81 mm2(Ø 1 mm)TO-5/PIN10 ns (10 ns)@ 5 V2.5 x 10-14@ 900 nm100 nA @ 5 V (max)80 pF @ 0 VFGA201200 - 26000.79 mm2(Ø 1 mm)TO-18/PIN23 ns (23 ns)@ 1 V2.0 x 10-1275 µ A @ 1 V (max)200 pF @ 1 VFGA21800 - 18003.14 mm2(Ø 2 mm)TO-5/PIN66 ns (66 ns)@ 0 V3.0 x 10-14@ 2300 nm200 nA @ 1 V500 pF @ 0 Va)典型値.RL=5欧姆b) 详细的引脚配置请参见规格表。c) 探测器本身的损伤阈值为70毫瓦(连续光)然而,封装内部的电线(非导线)在光电流超过10毫安的情况下可能会熔化,将会造成装置失效。当将FGA04用于更高功率的应用时,该区域中探测器具有高的响应率,请考虑使用 光纤衰减器。t锗光电二极管-近红外波长ZoomFDG03具有大有效面积,为TO-5封装。FDG05为陶瓷衬底并具有高速特性。FDG1010为陶瓷衬底,其上具有最大的有效面积。请注意,FDG05和FDG1010上的引线是通过导电的环氧树脂连接到传感器上,因为焊接会破坏传感器。这使得连接比较脆弱。参看内附的操作说明保护连接处。型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流(典型值)结电容aFDG03800 - 18007.1 mm2(Ø 3 mm)TO-5/PIN500 ns (500 ns)@ 3 V1.0 x 10-12@ 1550 nm4.0 µ A@ 1 V4 nF @ 1 VFDG05800 - 180019.6 mm2(Ø 5 mm)Ceramic Substrate220 ns@ 3 V4.0 x 10-12@ 1550 nm40 µ A @ 3 V3 nF @ 5 VFDG1010800 - 1800100 mm2(10 mm x 10 mm)Ceramic Substrate3.5 µ s@ 1 V4.0 x 10-12@ 1550 nm50 µ A (max.)@ 0.5 V30 nF @ 0.5 Va) 典型值。 RL=50欧姆b) 详细引脚图请参看规格表 双波段探测器Zoom 双探测器芯片设计-硅在铟镓砷上-具备宽探测范围4引脚的TO-5型封装大有效面积型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)时间aNEP(W/Hz1/2)典型暗电流结电容aDSD2400 - 11001000 - 1700Ø 2.54 mmØ 1.5 mmTO-5/PIN4 µ s (典型値)(两层)1.9 x 10-142.1 x 10-13-450 pF300 pFa) 典型値 RL =50欧姆b) 详细引脚图请参看规格表
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  • Cutting Edge Optronics(简称CEO)是Northrop Grumman公司的一个子部门,是世界上未安装二极管靶条、已封装激光二极管、DPSS泵浦增益模块、完整的DPSS激光系统和激光二极管驱动器的主要供应商。基于CEO二极管激光器的产品已经成为工业标准,并应用在多种商业、工业和军事应用中。CEO公司的主要产品包括:未安装二极管靶条、已封装激光二极管、DPSS泵浦增益模块、完整的DPSS激光系统和激光二极管驱动器。 未安装二极管靶条、已封装激光二极管CEO高功率激光二极管产品线可选多种(传导冷却型和水冷型)热沉设计,每个激光耙条的CW输出功率超过100W,QCW输过300W。CEO具有10年以上经验,封装类型超过200种,其生产的激光二极管广泛用于工业、军事和航空应用中。CEO波长范围从790nm到1550nm,其中包括808nm、885nm和940nm,且能为特殊的泵浦应用提供定制设计,可以根据客户应用要求提供标准产品或者设计完整的封装。产品特点• 可选两种工作模式:CW和QCW• 总输出功率可达20kW• 可选配准直:快轴或慢轴• 多种封装方式其它特点? 多种组装• 激光二极管耙条• 激光二极管子模块• 已封装激光二极管? 标准波长范围• 780nm – 815nm• 875nm – 890nm• 935nm – 945nm• 965nm – 975nm? 冷却方法• 传导冷却• 水冷• 微通道冷却 芯片和耙条CEO具备提供大批量激光二极管耙条的实力,不管是客户需求每年1000耙条还是数万耙条,CEO都有相应的产能来满足要求。这些耙条的特点是CEO的专利外延结构设计,有多种波长可供选择,标准波长(nm)包括:790-820、872-890、930-950、970-990(其它波长可定制)? CW输出功率可达:100W/bar ? QCW输出功率可达:300W/bar激光二极管芯片(子模块)可选Silver或者Golden Bullet封装技术,两者都使用长寿命激光二极管耙条且可选CW或QCW工作模式。有多种波长可供选择,标准波长(nm)包括:790-820、872-890、930-950、970-990(其它波长可定制)。? CW输出功率可达:100W/bar? QCW输出功率可达:300W/bar 散热类型:传导冷却型 HDS阵列功率密度达到了25 W/cm2。这种高密度堆栈(HDS)阵列是在尽可能小的面积上要求极大二极管密度的轻小型应用的理想选择。这些阵列可选多种波长,也可以封装在几乎所有的CEO激光二极管阵列平台上,包括G、Cs和Derringer封装。? QCW工作? 耙条数:5-20? 总输出功率:0.5 - 6kWG型封装分为G1、G2和G3封装。G1可使用多达8个QCW耙条,该配置可以提供高达2.4kW峰值输出功率;G2可使用最多22个QCW耙条,该配置可以提供高达6.6kW峰值输出功率;G3可使用多达26个QCW耙条,该配置可以提供高达7.8kW峰值输出功率。另外,G型封装也可选CW配置,连续光输出功率可达40W。? CW和QCW工作? 耙条数:1-26? QCW功率:0.1kW到7kW以上密闭封装能够防尘和湿气,可以防止性能退化,设计用于多种环境条件下。QCW输出功率可达2.4kW,而CW功率可达40W,这种密闭封装是激光照明和激光测距应用的理想选择。该封装带有10kΩ热敏电阻,用户可以监测器件的温度变化,可根据要求提供其它监测电路。? CW和QCW工作? 耙条数:1-8? CW功率可达40W,QCW可达2.4kWCs封装是激光器工业的一种标准,经常在大型激光系统中用作搭建模块,或者在实验室环境中用作独立单元。如果选择QCW配置可使用多达8个耙条,总峰值功率可高达2.4kW。也可选择单耙条40W CW版本。? CW和QCW工作? 耙条数:1-8? CW功率可达40W,QCW可达2.4kWA型封装分为A、AA、AAA和AAAA四种,是一种紧凑的传导冷却型激光二极管阵列,可选脉冲配置或连续波配置,脉冲功率Max.可达9.6kW,连续波功率可达160W。? CW和QCW工作? 耙条数:1-32? CW功率可达160W,QCW可达9.6kW 散热类型:水冷型E2封装是一种紧凑的水冷激光二极管阵列,可选CW或QCW配置。对于CW工作输出功率可达40W,对于QCW配置E2封装可用多达15个激光二极管耙条,总峰值功率可达4.5kW。? CW或QCW工作? 耙条数:1-15? CW功率可达40W,QCW功率可达4.5kDerringer封装的特点是使用了专利水冷设计,该阵列非常适合固态激光晶体的侧向泵浦。Derringer按照发光的输出长度分为三种,分别是125px、100px和75px,它们都可以选择QCW和CW配置。Shooter 5的CW和QCW功率分别可达200W和12kW;Shooter 4功率分别可达160W和9.6kW;Shooter 3功率分别可达120W和7.2kW。? CW或QCW工作? 耙条数可达40? CW功率可达200W,QCW功率可达12kWShooter封装是一种坚固的二极管阵列,非常适合工业应用。这种阵列的特点是高电流电气连接和电螺柱,它们能够确保阵列在高平均电流下工作。Shooter封装分为6 shooter、8 shooter、10 shooter和12 shooter四种,它们都能配置以CW或QCW模式工作。? CW或QCW工作? 耙条数可达96? CW功率可达480W,QCW功率可达29kW 散热类型:微通道冷却型微通道冷却型(MCS)封装安装耙条数分为三种,分别是1耙条、3耙条和6耙条版本,它们都可以选择CW或QCW配置,使用先进的冷却技术确保较佳的散热效果,因此可以比其它阵列类型有更高的输出功率。 ? CW或QCW工作? 耙条数:1-6? CW功率范围60-600W
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  • 连续激光二极管 用连续波(CW)驱动的连续激光二极管(CWLD)输出功率从mW量级到几个W。封装形式有多种,例如,C接口(C-mount),紧凑密封型和高热负载型等。滨松有多种LD产品,欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息!典型峰值波长:980nm 940nm 915nm 850nm 830nm 808nm典型输出功率:5W 2W 1W 0.5W 0.02W产品实例:产品图像产品型号产品名称产品型号峰值发射波长(typ.)输出功率(typ.)封装 L9418-42连续激光二极管L9418-42980 nm1 Wdia. 9.0CD L9418-62连续激光二极管L9418-62980 nm1 WSide-out OHS(2 mmt) L9418-72连续激光二极管L9418-72980 nm1 WHead-out OHS L9777-02连续激光二极管L9777-02808 nm5 WHHL L10402-62连续激光二极管L10402-62808 nm5 WSide-out OHS(3 mmt) L10402-72连续激光二极管L10402-72808 nm5 WHead-out OHS L10452-42连续激光二极管L10452-42808 nm0.5 Wdia. 9.0CD L10452-62连续激光二极管L10452-62808 nm0.5 WSide-out OHS(2 mmt) L10452-72连续激光二极管L10452-72808 nm0.5 WHead-out OHS L8763-42连续激光二极管L8763-42808 nm1 Wdia. 9.0CD
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  • 光电二极管模块 新势力光电供应光电二极管模块,简化光电二极管的使用。该系列光电二极管模块配套用于雪崩二极管、四象限探测器、位敏探测器,特别适合于系统集成和科学研究。不带电路板(集成放大电路)雪崩二极管(APD)TypeTransimpedance/OhmBandwidth/MHzChipPackageSeries 8 (for 800nm)AD230-8TO527502000AD230-8TO5227502000AD500-8TO527501000AD500-8TO5227501300Series 9 (for 900nm)AD500-9-8015TO52275050016AA0.13-9Ceramic10k500AD230-9TO52750600AD500-9TO52750500Series 10 (for 1064nm)AD800-10TO8S10k65带电路板(集成放大电路和温度补偿功能)雪崩二极管(APD)和雪崩二极管阵列(APD Array)ChipTypeAD1100-8USB-module APD-eval-kit25AA0.04-9125 MHz LIDAR APD-array-eval-kit64AA0.04-9125 MHz LIDAR APD-array-eval-kit带电路板(集成放大电路)位敏探测器(PSD)、四象限探测器(QP)、波长敏感探测器(WS)ChipTypePackageQP45-QQuadrant PDHVSDQP50-6Quadrant PDSD2QP50-6Quadrant PDSD2-DIAGQP50-6 (18µ m)Quadrant PDSD2QP50-6 (18µ m)Quadrant PDSD2-DIAGQP154-QQuadrant PDHVSDDL16-7PSDPCBA3DL100-7PSDPCBA3DL400-7PSDPCBAWS7.56Wavelength sensitive PDPCBA2X100-7 with ScintillatorGamma pulse counterShielded module高压电源模块Max.Voltage/VRipple/mVDescriptionFeature-5007.5High performance HV sourceUltra low ripple+5007.5High performance HV sourceUltra low ripple+2007.5High performance HV sourceUltra low ripple+20010Compact HV sourceSmall footprint+6010PIN-photodiode HV sourceVery small footprint相关商品 雪崩二极管(APD) 位敏探测器(PSD) 四象限探测器(QP) 波长敏感探测器(WS)
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  • 可集成到Instrument Systems测量系统中的光电二极管,用于快速测量辐射功率PD 100 光电二极管是一款紧凑型检测器,可以轻松集成到带有Instrument Systems积分球的测量系统中,用于测量光通量或辐射功率,特别适合生产线上的快速测量需求。将Instrument Systems的三开口积分球连接上 CAS 系列光谱仪,即可同时对待测物(DUT)进行光谱测量。通过对比待测设备的光谱与光电二极管的校准曲线,PD 100 能提供更准确的辐射功率或光通量测量值。适用于 450 nm 至 1650 nm 的光谱范围PD 100 光电二极管有两种型号,一种配备硅(Si)探测器,另一种配备铟镓砷(InGaAs)探测器。硅探测器型号的测量范围为450至1100 nm,适用于具有硫酸钡涂层的积分球 (如 ISP 75B 和 ISP 100B).配备InGaAs探测器的型号则专为900至1650 nm的光谱范围测量设计,通常安装在有PTFE涂层的积分球上。在测量波长超过1100 nm的待测物时,PTFE积分球的表现更出色,因为其反射率的波动较小,且一致性更高。PD 100 – 产品特长测量范围广,400-1100 nm(硅)或900-1700 nm(InGaAs)脉冲DUT的测量上升/衰减时间短可结合Instrument Systems的先进三开口积分球可追溯的校准,用于绝对测量和使用.dll或SpecWin Pro(从4.0开始)的LIV测量高度精确且可追溯的测量结果如同所有Instrument Systems的测量仪器,PD 100光电二极管的灵敏度已校准并可以追溯到PTB或NIST。校准曲线存储在光电二极管内,使用SpecWin Pro软件或PD.dll与光源的光谱对比,可以推算出精确的绝对辐射功率(或光通量)。这个过程实现了高度精确且可追溯的测量结果。PD 100光电二极管在获得ISO 17025认证的Instrument Systems测试实验室中进行校准,并且可以追溯到国家标准(例如PTB或NIST)。每个光电二极管都附带有关光谱灵敏度的个体测试报告。快速测量VCSEL或LED德国IS PD 100 光电二极管 是光谱辐射计(CAS系列)和积分球(ISP系列)测量系统的理想补充检测器。其快速响应时间能够精确测量脉冲光源,例如用于测量VCSEL的LIV曲线。如果使用具有高采样率的快速数字万用表(例如Keithley 7510,1 ms/sec),还可以可视化光学波形。技术数据型号PD100-SB-0001 orPD100-SB-0002PD100-IP-0001 orPD100-IP-0002 *探测器材料Silicon (Si)IndiumGalliumArsenide (InGaAs)光谱范围400 - 1100 nm900 - 1700 nm最高灵敏度的波长960 nm1550 nm上升/下降时间40 µ s (typ.)5 µ s (typ.)典型放大倍数 (ISP 100上)240 V/W (@940nm) or28 V/W (@940nm)2700 V/W (@1380nm) or12.5 V/W (@1380nm)* PD100-IP-0002 without calibration
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  • 我公司独特的半导体处理技术生产的硅光电二极管,涵盖了从近红外到紫外直至高能波长区域等宽广的波长范围。它们具有快速相应、高灵敏、低噪声的特性,广泛地应用于医疗和分析领域、科学计测、光通信以及一般性电子产品等。滨松提供硅光电二极管及阵列及模块、带放大器的Si光电二极管阵列、InGaAs 光电二极管及阵列、MSM光电探测器、平衡探测器、光学模块,以及光电传感器放大器、电荷放大器等附件产品。从金属、陶瓷、塑料封装到表面贴装,多种包装配备齐全,而且滨松还可以依据用户要求提供专门的设计产品。
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  • 可见光激光二极管 400-860-5168转4131
    特性输出功率:1 mW - 3000 mW可选中心波长:404 nm - 690 nm可选各种封装:TO封装和TO尾纤兼容Thorlabs的激光二极管和TEC控制器本页介绍了Thorlabs的中心波长404 nm到690 nm的激光二极管。激光二极管先按照波长,再按照功率排序。下面各表中列出了基本规格,帮助您快速缩小搜索范围。点击表格Info一栏中的蓝色信息图标可弹出一个窗口,它包含了该二极管的详细规格以及机械制图。中心波长注意事项虽然对每个激光二极管都列出了中心波长,但这只是典型值。每个产品的中心波长在生产过程中都会略有偏差,所以您收到的二极管可能不工作在典型中心波长上。激光二极管可通过温度调谐,从而改变激光波长。下面的许多产品表格中都有Wavelength Tested栏,说明这些型号的主要波长都经过测量并记录。对于其中很多型号,点击下面的"Choose Item"后会弹出一个列表,包括每个库存产品的主波长、输出功率和工作电流。点击序列号旁的红色文件按钮可打开一个PDF文件,它包含了该序列号产品的L-I-V和光谱特性曲线。封装和安装座我们的激光二极管以不同封装提供,包括标准的?3.8 mm、?5.6 mm和?9 mm的TO封装,以及带尾纤的TO封装二极管和非标准的?9.5 mm和TO-46封装。我们将TO封装的二极管引脚配置分成标准的A、B、C、D、E、F、G和H型引脚代码(见下图)。这个引脚代码使用户能很容易确定兼容的安装座。空间模式和线宽我们有不同输出特性(功率,波长,光束直径,形状等)的激光二极管。这里提供的大多数激光器为单一空间模式("单模"),少部分是为高功率多空间模式("多模")操作设计的。为了达到更好的边模抑制比(SMSR)特性,需要考虑如DFB激光器、DBR激光器或外腔激光器的其他设备。更多详细信息以及光电二极管的信息请查看激光二极管教程。我们提供具有不同输出特性(功率、波长、光束尺寸、形状等等)的激光二极管。这里提供的大多数激光器为单空间模式("单模"或SM),少部分设计用于高功率多空间模式("多模"或MM)工作。为了达到更好的边模抑制比(SMSR)性能,请考虑DFB激光器、DBR激光器或外腔激光器等。请通过激光二极管教程了解激光二极管的空间模式和线宽以及其它概述信息。激光二极管对静电冲击非常敏感。在操作时请采取适当的预防措施;请看我们的防静电冲击配件。激光二极管对光学反馈也很敏感,这在特定应用中可能会引起激光二极管输出功率的显著波动。对于所有的尾纤激光二极管,在连接到其它光纤或从其它光纤断开连接时,都要先关闭激光器,尤其是功率大于10 mW时。我们建议每次使用前清洁光纤接头,避免灰尘或任何其它污染物沉积在接头表面。光纤端面中心的激光强度可能非常高,如果有污染物存在很有可能会烧坏光纤端面。虽然发货前我们清洁了尾纤激光二极管的接头且盖上保护帽,但我们无法保证它们拆开包装后一直没有任何污染物。
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  • 高功率光纤耦合激光二极管 光纤耦合输出型激光二极管(Fiber out laser diode,FOLD)不仅具备直接输出型激光二极管(direct diode laser ,DDL)的特性,它的外观紧凑而轻巧;使之非常适用于三维加工。产品实例:产品图像产品型号产品名称 L10718-0011-4A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0011-6A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0031-6A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0031-8A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0041-6A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0041-8A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0051-4A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0051-6A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0051-8A高功率光纤耦合激光二极管详细参数 特性 高品质材料处理更少飞溅和均匀辐照 简易方便免维护和电流-功率的高线性 环保高电光转化效率和无空转 尺寸小,重量轻使用耦合光纤输出,可加工极小的面积应用 激光金属焊接 钎焊 切割(金属,塑料等) 激光塑料淬火 激光焊接 退火L10718系列光纤(A11612产品单)
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  • 特性法布里-珀罗(FP)、分布反馈(DFB)和体全息光栅(VHG)稳定型、光纤布拉格光栅(FBG)稳定型分布式布拉格反射体(DBR)激光二极管和垂直腔面发射激光器(VCSEL)输出功率高达2 W中心波长从705 nm至2000 nm提供多种封装:TO、TO尾纤、蝶形、C-Mount和COS(Chip on submount)通过我们的LD引脚可便捷地选择兼容的安装座兼容Thorlabs的激光二极管和TEC控制器提供OEM解决方案中心波长注意事项虽然对每个激光二极管都列出了中心波长,但这只是典型值。每个产品的中心波长在生产过程中都会略有偏差,所以您收到的二极管可能不工作在典型中心波长上。激光二极管可通过温度调谐,从而改变激光波长。下面的许多产品表格中都有Wavelength Tested栏,说明这些型号的主要波长都经过测量并记录。对于其中很多型号,点击下面的"Choose Item"后会弹出一个列表,包括每个库存产品的主波长、输出功率和工作电流。点击序列号旁的红色文件按钮可打开一个PDF文件,它包含了该序列号产品的L-I-V和光谱特性曲线。如果下方没有提供相关序列号产品的信息,客户也可以联系技术支持techsupport-cn@thorlabs.com来基于测试波长选择一种激光二极管。封装和安装座我们的激光二极管以不同封装提供,包括标准的?5.6 mm和?9 mm的TO封装,以及带尾纤的TO封装二极管、COS和C-Mount。我们将TO封装的二极管引脚配置分成标准的A、B、C、D、E、F、G和H型引脚代码(见下图)。这个引脚代码使用户能很容易确定兼容的安装座。Thorlabs的产品线对TO封装的二极管支持最广泛,其次是蝶形封装激光器。COS和C-Mount激光器更适合OEM应用。我们的一些二极管以开放式端头封装提供,它们可根据要求转换成密封的TO封装空间模式和线宽我们提供具有不同输出特性(功率、波长、光束尺寸、形状等等)的激光二极管。这里提供的大多数激光器为单空间模式("单模"或SM),少部分设计用于高功率多空间模式("多模"或MM)工作。一些单模激光二激管能够以有限的单纵模工作(请见下面的表格了解更多信息)。为了达到更好的边模抑制比(SMSR)性能,请考虑如DFB激光器、VHG稳定性激光器、DBR激光器或外腔激光器等。Thorlabs也提供极窄线宽的单频激光器(VHG稳定型和DFB激光器线宽≤20 MHz,DBR和ECL激光器线宽小于100 kHz),这些产品在表格中以绿色背景高亮显示。请通过激光二极管教程了解激光二极管的空间模式和线宽以及其它概述信息。激光二极管对静电冲击非常敏感。在操作时请采取适当的预防措施(请看我们的防静电冲击配件)。激光二极管对光学反馈也很敏感,这在特定应用中可能会引起激光二极管输出功率的显著波动。如需解决这个问题,请查看我们的光隔离器。对于所有的尾纤激光二极管,在连接到其它光纤或从其它光纤断开连接时,都要先关闭激光器,尤其是功率大于10 mW时。我们建议每次使用前清洁光纤接头,避免灰尘或任何其它污染物沉积在接头表面。光纤端面中心的激光强度可能非常高,如果有污染物存在很有可能会烧坏光纤端面。虽然发货前我们清洁了尾纤激光二极管的接头且盖上保护帽,但我们无法保证它们拆开包装后一直没有任何污染物。
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  • 激光二极管 激光二极管,简称LD(LaserDiode),也叫激光二极管器件,是一种可以产生激光的半导体器件。激光二极管是利用外加电流激发半导体中载流子的辐射复合作用,产生的光具有单色性、方向性和相干性等特点。 激光二极管具有多种封装形式,广泛应用于通信、医疗、制造工艺等领域。 我们的激光二极管产品具有如下优势: 波长选择多(覆盖445-1850nm波段) 封装多样式(各种自由空间光封装、光纤耦合式封装) 标准产品齐全 提供定制服务 激光二极管的功率、波长选择型号多样:激光二极管产品选型方法:我们还提供定制服务,如有定制需求,欢迎联系!关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商,产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等,涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等;可为客户提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等服务。
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  • 主要应用:-5G及其以上传输系统不断增长的高速及大容量需求对光电二极管提出了更高的要求. 铟镓砷 (InGaAs)二极管、磷化镓(GaP)二极管和硅(Si)光电二极管,锗(Ge)光电二极管....-光电二极管(光敏二极管),有机光电二极管,光电三极管(光敏三极管),光敏器件......-光谱响应测试-DIV测试,电容测试-光电二极管( Photodiode)灵敏度角度特性测试.
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  • 脉冲激光二极管 这些激光二极管在脉冲作用下有高峰值功率。峰值输出功率范围为10W到90W。发光区域面积从70 um到350 um。可用于激光雷达中的距离测量,安全性应用中的灾害监控等领域。产品实例:产品图像产品型号产品名称峰值发射波长(典型值)脉冲发射功率(典型值)封装 L6690-53脉冲激光二极管870 nm11 Wdia. 5.6CD L11348-307-05脉冲激光二极管870 nm21 Wdia. 5.6CD L11348-330-04脉冲激光二极管870 nm90 Wdia. 9.0CD L11649-120-04脉冲激光二极管870 nm22 Wdia. 9.0CD L11854-307-05脉冲激光二极管905 nm21 Wdia. 5.6CD
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  • 近红外激光二极管:中心波长1550 - 1575 nm特性激光二极管类型包括:法布里-珀罗(FP)分布反馈(DFB)体全息光栅(VHG)稳定型光纤布拉格光栅(FBG)稳定型分布式布拉格反射体(DBR)垂直腔面发射激光器(VCSEL)超低噪声(ULN)混合型输出功率最高2 W中心波长从1550 - 1575 nm提供多种封装:TO、TO尾纤、蝶形、加长蝶形、C-Mount和COS(Chip on submount)通过我们的LD引脚可便捷地选择兼容的安装座兼容Thorlabs的激光二极管和TEC控制器提供OEM解决方案中心波长注意事项虽然对每个激光二极管都列出了中心波长,但这只是典型值。每个产品的中心波长在生产过程中都会略有偏差,所以您收到的二极管可能不工作在典型中心波长上。激光二极管可通过温度调谐,从而改变激光波长。下面的许多产品表格中都有Wavelength Tested栏,说明这些型号的主要波长都经过测量并记录。
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  • Eblana激光二极管新势力光电供应Eblana激光二极管,波长:689nm、760nm、780nm、1278nm、1392nm、1512nm、1550nm、1571nm、1654nm、1742nm、1854nm、1877nm、2004nm、2108nm、2020nm、2100nm、1310nm 10G Fabry Perot、1310nm 2.5G Fabry Perot、1310nm 2.5G Discrete Mode、1550nm 2.5G Fabry Perot、1550nm 2.5G Discrete Mode、1550nm Narrow Line Width,特点:波长稳定、波长可调谐、线宽窄、抗干扰强。该系列激光二极管应用:气体检测(锶Sr、铷Rb、氧气O2、氟化氢HF、水H2O、氨气NH3、一氧化碳CO、甲烷CH4、氯化氢HCl、二氧化碳CO2、氧化亚氮N2O)、原子钟、激光雷达、激光陀螺、精准测量、光通讯。相关商品 eagleyard/Toptica激光二极管 窄线宽激光二极管 半导体激光二极管 单纵模激光器/单频激光器
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  • 硅光电二极管探测器 400-860-5168转1980
    仪器简介:硅光电二极管探测器分为双波长发射二极管与接收管,硅光电二极管探测器,雪崩二极管 三种不同系列产品,其中硅光电二极管探测器包含光导/光伏型光电探测器,紫外增强探测器,单点软X射线探测器,位置探测器这四种探测器。技术参数:双波长发射二极管与接收管1.陶瓷或塑料封装;发射管有背对背(二引脚)和共阳极(三引脚)连接方式。 2.660nm LED峰值波长偏差小于+/-3nm, 半波宽小于25nm,保证了测量数据的精准度。 3.相应提供最佳匹配度的探测器,可使仪器的设计更简单可靠。 4.发射管主要型号:DLED-660/905-CSL-2 ;DLED-660/940-CSL-3 DLED-660/880-CSL-2 DLED-660/895-CSL-2 DLED-660/905-LLS-2(陶瓷封装);DLED-660/940-LLS-3(陶瓷封装) 5.接收管型号:PIN-8.0-CSL;PIN-4.0-CSL;PIN-8.0-LLS(陶瓷封装);PIN-4.0-CSL(陶瓷封装)硅光电二极管探测器1.波长范围:350-1100nm 2.高速响应:光导型加偏压10ns 3.低暗电流:0.01nA 4.高灵敏度:0.65A/W紫外增强探测器1.高灵敏度:0.14A/W@254nm2.反转通道型:*100%内量子效率 3.平面扩散型:红外截止,高稳定度单点软X射线探测器1.探测范围:6eV-17600eV 2.直接探测,不需要闪烁体 3.不需要偏压 4.高量子效率,低噪声 5.真空低温可适应位置探测器1.四象限和线性位置探测; 高精度,高分辨率,高速响应; 2.在长时间和温度变化下仍何以保持高稳定性;雪崩二极管1.响应峰值波长: 820nm 2.响应速度快: 0.4ns @850nm,G=100 (APD-300) 3.高灵敏度: 42A/W @850nm, G=100 4.低偏置电压高增益:G=100@200V5.标准TO封装方式: TO-18;TO-5 6.有平面窗和适合光纤应用的球透镜可选;主要特点:双波长发射二极管与接收管应用:血氧探头(SpO2);血液分析;比例测量相关仪器硅光电二极管探测器 光导/光伏型光电探测器应用:光脉冲探测;光通信;条码读取;医疗设备;高速光度测量紫外增强探测器应用:污染监测;紫外荧光;紫外线测试;水质净化;紫外线验钞单点软X射线探测器应用:X光医疗设备;放射量测定;X光光谱仪;带电粒子探测位置探测器应用:光路准直;位置测量;测绘;导航系统;表面分析雪崩二极管应用:激光测距;高速光通讯;条码读取仪;光遥控;医疗仪器
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  • IMPATT雪崩二极管 400-860-5168转3512
    IMPATT雪崩二极管(IMPATT diodes)品牌: Terasense型号: IMPATT diodesIMPATT雪崩二极管 雪崩二极管是一类非常高效的微波和亚太赫兹波产生器件。其工作频率范围约为3-400GHz, 最主要的优点是它们具有很高的输出功率和紧凑小巧的外形封装。 雪崩二极管具有非常窄的工作频率带宽,所以二极管内部尺寸必须根据相应的频率来设计。 产品特点:l 80-120GHz 频率范围l 典型输出功率 10mWl 结构紧凑性价比高l 1年保修期 雪崩二极管技术参数:l 频率范围:80-140GHz l 可用的最低输出功率:10mWl 典型线宽:1MHz l 高输出功率选项(>50mW 射频功率输出)l 工作电压:15-16Vl 工作电流:110-120mAl 输入功率:2W可选项:l TTL 调制选项l 精确附加锥形角l 高输出功率选项(>50mW 射频功率输出) 性能更新后的典型IMPATT二极管参数规格: IMPATT diode@100GHzIMPATT diode @ 140 GHz操作频率≈100GHz≈140GHzTTL调制1us 上升或下降时间1us上升或下降时间高功率输出≈80mW≈30mW圆锥喇叭天线/法兰严格固定/WR-8 or WR-10严格固定/WR-6
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  • 总览Innolume 提供广泛的高功率、空间单模激光二极管产品组合,其波长范围为780-1340nm。这些器件可以采用带自由空间光束的 9 毫米 TO-can 封装,也可以采用单模或保偏 (PM) 光纤耦合标准 14 针蝶形封装。带有 PM 光纤的激光模块提供通常 18dB 的偏振消光比 (PER)。光纤耦合激光二极管可配置为以 CW(高达 600mW)或脉冲模式运行,并且可选择配备光纤布拉格光栅 (FBG) 以实现光谱稳定。Innolume 脉冲激光二极管专为播种(seeding)应用而设计,具有高达 1.2W 的低噪声峰值光功率,加宽的光谱可以抑制高功率光纤激光器中的受激布里渊散射 (SBS)。每条激光二极管产品线都通过了鉴定程序以证明其高可靠性。所有提供的激光器都通过了单独的筛选程序,并附有详细的出厂检验报告。通用参数 TO-can 单模激光二极管的典型输出功率平均波长输出功率工作电流阈值电流频谱带宽FWHM慢轴光束发散快轴光束发散角零件号nmmWmAmAnmdegdegSM-1000-TO-3001000300400300.6617SM-1064-TO-5001064500600300.6631SM-1085-TO-4001085400500400.6635SM-1155-TO-3001155300600404.5627SM-1155-TO-5001155500800405627SM-1170-TO-3001170300600307631SM-1180-TO-3001180300600307631SM-1200-TO-3001200300600404.5629SM-1200-TO-5001200500900405629SM-1210-TO-3001210300600404.5629SM-1210-TO-5001210500900405629SM-1230-TO-3001230300600407638SM-1310-TO-3001310300800807629
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  • APD(雪崩二极管)是通过施加反向偏压,使其高速和高增益工作的高灵敏度光电二极管。它比PIN光电二极管相比,具有更高的信噪比,被广泛应用于光学测距仪、空间光传输、闪烁侦检器等等。滨松提供多类APD及其阵列产品,还可根据客户需求进行定制。请下载样本了解详细信息。
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  • DT-670系列硅二极管温度传感器在更宽的温度范围内可提更高的精度。DT-670系列传感器符合标准电压-温度响应曲线,因此该系列可互换,且对于许多应用不需要单独标定。SD封装中的DT-670传感器有四个误差等级,其中三个适用于1.4 K至500 K温度范围内的通用低温应用,另一个可为30 K至室温的应用提供卓越的精度。DT-670传感器也有第七个公差带,B和E,只能作为裸芯片使用。对于需要更高精度的应用,DT-670-SD二极管可在整个1.4 K至500 K温度范围内进行标定。DT-670-SD√ 1.4 K-500 K温度范围内具有超高精度√ 30 K-500 K温度范围内极小误差√ 坚固可靠的SD封装设计,可承受重复热循环并尽可能地减少传感器自发热√ 符合标准曲线DT-670温度响应曲线√ 多种封装选项DT-670E-BR√ 温度范围1.4 K-500 K√ 裸装传感器是尺寸极小、热响应时间超快的二极管传感器√ 无磁传感器DT-621-HR√ 温度范围:1.4K-325K*√ 无磁封装√ 用于表面安装的裸露平面基板* 标定的低到1.4K,未标定的(曲线DT-670)低到20KDT-670E-BR极小尺寸+超快热响应DT-670E-BR裸片传感器提供了硅二极管产品中更小的物理尺寸和更快的热响应时间。这对尺寸和热响应时间至关重要的应用来说是一个重要的优势,包括用于蜂窝通信的焦平面阵列和高温超导滤波器。 DT-621-HR微型硅二极管DT-621传感器组件在其有效范围内显示出精确、单调的温度响应。传感器芯片与环氧圆顶直接接触,导致20 K温度下测试电压升,并阻止全量程曲线DT-670一致性。所以对于低于20 K的使用,需要标定。二极管测温二极管测温是基于在恒定电流(通常为10 µ A)下偏置的p-n结中正向电压降的温度依赖性。由于电压信号相对较大,在0.1V和6V之间,因此二极管易于使用,仪器操作也很简单。 Lake Shore SD封装:业界极坚固、多功能的封装SD封装直接将传感器与蓝宝石底座安装、气密密封和焊接Kovar导线,是业内极其坚固耐用、用途广泛的低温温度传感器,具有极佳的样品与芯片连接性能。该设计使导线上的热量可以绕过芯片,因此可以在 500 K 温度下工作数千小时(取决于型号),并且与大多数超高真空应用兼容。它可以铟焊到样品上,而不会改变传感器的标定。如果需要,也可提供不带Kovar引线的 SD 封装。DT-670温度传感器温度特性 典型的DT-670电压特性 典型的DT-670灵敏度特性DT-670误差带曲线
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  • 皮秒脉冲二极管激光器(Picosecond pulse diode laser)品牌: ALPHALAS型号: PICOPOWE-LDPICOPOWER™ -LD系列带驱动器的皮秒脉冲二极管激光器有效工作波长标准:375,405,450,488,635,670,785,976,1030,1064,1300,1550nm, 也可以定制其他特殊波长激光器 Fig1.皮秒激光器产品特点:1.脉宽于40ps2.特殊波长可高到3W的峰值功率3.独有的高频设计最短和最高峰值功率的激光二极管脉冲4.空间滤波器的平行输出5.可替换具有大范围的波长的激光头6.专利的激光二极管驱动器产生的皮秒高电流脉冲7.内置数字显示滤波器的频率发生器可把频率从0.1Hz调整到20MHz(可选40MHz、80MHz)8.外部的TTL触发功能和同步TTL输出9.可选光纤耦合配置应用范围:1. 荧光寿命测量2. 泵浦探测实验3. 光探测器和光电子响应时间测量4. 光通讯测试5. 光时域反射计(OTDR)6. 光纤激光器光源7. 光学层析成像 皮秒脉冲激光二极管性能:波长(nm)脉宽(ps)平均功率 @20 MHz /@40MHz1峰值功率(mW)光束发散角(mrad)注释375600.2/0.42501.3 405400.5/1.07501.2峰值功率可以达到3W450600.4/0.84501.2 488600.25/0.52501.4 635600.2/0.4200n/a光纤耦合670600.5/1.04501.3 785600.2/0.42000.5 976800.5/1.0500n/a 1030600.5/1.02501.5 1064500.5/1.03001.52)1300400.5/1.0250n/a光纤耦合1550400.5/1.0250n/a光纤耦合1更高的平均功率可以产生更长的脉宽2单频和光纤耦合可用于放大器光源。波长公差为1%。光斑模式是TEM00偏椭圆。激光为典型的1M,最大值为3B(取决于波长)。激光头机械指标:尺寸(? × D)?25×125mm可定制特殊外形操作温度15°Cto35°C(59°Fto95°F) 重量120g 皮秒激光二极管驱动器:PLDD-100-40技术参数规格注释机械方面尺寸(W×H×D)235×110×280 mm原厂规格和顾客特殊要求均可满足操作温度15°Cto35°C(59°Fto95°F) 重量2.6kg 电子方面频率发生器数字显示示波器8位显示器频率范围/0.2Hz-20MHz最大频率可选择40MHz和80MHz或者定制最大频率外部触发脉冲输入最大20MHz应用前沿的TTL信号一般化技术参数电压/电流要求100V AC/0.2A230V AC/0.1A12V DC电压消耗功率最大30W 可定制满足用户特殊参数要求
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  • 仪器简介:独到的二极管阵列检测器,实测0.1ug/L的灵密度,重现性0.2%RSD以下;与独一无二的高压四元泵(4台泵独立工作)结合,实际工作流量达:1ul/min--20ml/min实现了从UPLC到半制备的跨越,选配120位的自动进样器,可谓HPLC的极品。主要特点:质谱级的紫外检测器,可用于UPLC世界上灵敏度最高、并且遥遥领先的二极管阵列检测器专利的50mm流通池LightPipe是工业标准的5倍是目前二极管阵列检测器的100倍
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  • 半导体激光二极管 400-860-5168转2255
    量子电子元件Thorlabs的量子电子部门Covega在磷化铟和铌酸锂技术研发上处于世界领先地位。通过此次收购,Thorlabs非常荣幸地增加了一条光功率放大器(BOA)、半导体光放大器(SOA),超辐射发光二极管(SLD)、法布里-珀罗激光器(FPL),以及电信封装的电光调制器产品线。此外,Thorlabs现在提供两种新的激光二极管/TEC控制器:一种用于14管脚的蝶形封装,另一种用于双列直插式(DIL)封装。增益芯片 光学放大器 超辐射发光二极管 TQE Fabry-Perot激光器 单频率激光器 光学调制器 增益芯片通过收购Covega,Thorlabs 量子电子学部门的产品线中增加了一个单角面增益芯片产品线(SAF)。这些芯片有安装在Submount、热沉或附件上的多种选择。半蝶式增益芯片 SAF增益芯片,&lambda c = 1220纳米 SAF增益芯片,&lambda c = 1320纳米 SAF增益芯片,&lambda c = 1450纳米 SAF增益芯片,&lambda = 1550或者1590纳米 SAF增益芯片,&lambda c = 1650纳米 光学放大器Thorlabs Quantum Electronics(TQE)在InP和铌酸锂技术研发上处于世界领先地位。Thorlabs很高兴能够提供光学放大器产品线,其中包括半导体光学放大器(SOA)、增压光学放大器(BOA)和我们的战略合作伙伴Picoluz研发的稀土掺杂光纤放大器。在输入光偏振态未知或者波动的应用中必需使用偏振无关型放大器(例如SOA)。对于偏振态已知的应用,偏振相关型BOA比相应的SOA产品具有更高的增益、噪声、带宽和饱和功率。台式光学放大器 高速光学快门/开关 锥形放大器 铥掺杂光纤放大器 1050纳米增强型光放大器 O带光学放大器 C带光学放大器 L带光学放大器 超辐射发光二极管(SLD)Thorlabs提供有中心波长在1280、1310、1325或1550纳米的宽带发射的超辐射发光二极管。对于要求特殊带宽、波长和功率的应用,我们提供了精心挑选的SLDs。这些SLDs都单独标注了特性,方便用户选择最适合其应用的SLD。台式超辐射发光光源 可扩展的宽带SLD光源 带宽100n纳米 带宽100纳米 Fabry-Perot激光器TQE提供多种安装在子安装座、TO头和大面积激光器上的Fabry-Perot激光芯片。O波段法布里激光器 C波段法布里激光器 L和U波段法布里-珀罗激光器 1.94-2微米法布里-珀罗激光器 宽发射域激光器 高功率单频激光器 Related Products 概述规格图Documents & Drawings Feedback Tag Cloud 特性可定制1550纳米到1620纳米中心波长(相关细节请联系技术支持)中心波长公差:± 0.5纳米包含性能数据和个体工作参数集成的隔离器可以最小化有害的反馈1.5米的单模或保偏光纤,带有FC/APC接头 应用种子激光器激光通信计量非线性倍频用于LIDAR/远程传感系统的激光光源 接下来,Thorlabs将扩展单频激光器产品,以涵盖那些中心输出波长为1064、1310和2000纳米的激光器。 这些单频激光器的光谱特性可以和DFB激光器相提并论,但它们具有更窄的线宽和更高的输出功率。该单频、外控半导体激光器应用了专利的稳频技术,为紧凑的14引脚蝶形封装。这些激光器能兼容任何标准的14引脚激光器二极管安装座,包括Thorlabs的LM14S214引脚蝶形安装座。该单频激光器包含一个集成的热电制冷器、热敏电阻和隔离器,输出尾纤为单模或保偏输出光纤。关于电流和温度控制,SFL系列能兼标准激光二极管驱动器和温度控制器,包括ITC4001和LDC1300B,LDC1300B包含14引脚的蝶形激光二极管安装座。请注意:与DFB激光器不同,SFL系列不是无条件的单频。SFL系列激光器设计能够在一些工作电流和温度范围内提供高功率、单频工作,而在其他一些电流和温度组合条件下表现出多模的工作特性。为了帮助用户选择合适工作条件的激光器,我们随每个激光器提供了一份数据表,其中包含了特定激光器的工作特性和单频区域。 SFL1550S/SFL1550PSFL1620S/SFL1620P MinTypicalMaxMinTypicalMaxWavelength (nm)1549.515501550.51619.516201620.5Power (mW)2540-2540-Linewidth (kHz)-50100-50100电光调制器Thorlabs有自由空间振幅和相位调制器以及基于光纤的强度和相位调制器。自由空间电光调制器 相位和强度调制器 模拟调制器 相位调制器
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  • PLD-PS是一款结构紧凑的短脉冲种子激光二极管驱动器,用于为10/14针蝶形激光二极管模块供电,其应用要求的脉冲宽度约为50 ps。脉冲重复频率可在1 kHz至30 MHz之间可调。驱动电路需要一个5 V直流电源。所有其他所需电压均由电路板上的高频开关电源产生。驱动器为驱动器提供双向比例积分微分(PID)热电冷却器控制器(TEC)供电,其电流能力为1.5A,电压能力为4V。PLD-PS的主要参数(功率、重复频率、温度设定点)由计算机接口控制。PLD-PS有外部TTL兼容输入,用于从单次到30 MHz的重复频率控制。PLD-PS有一个外部输出,用于每个电流脉冲同步信号。驱动器有用于将蝶形激光二极管直接焊接到驱动器板上的焊盘,以及用于稳定散热的大型散热器。特点:用于10/14针蝶形激光二极管的特殊设计输出电流高达2000 mA顺从电压高达3 V超短50 ps脉冲宽度重复频率高达30 MHz外部触发选项USB, RS-232, CAN, UART接口LabView和Python库板上集成TEC控制器5VDC输入电源包含热沉紧凑尺寸85mm×60mm×21mm参数:参数最小值典型值最大值单位输入电压4.85.05.2V电流--0.6A外触发(50Ω )3.3-5VDC输出电流--2000mA顺从电压1-3V脉冲宽度4050150ps重复频率0.001-30MHz上升沿时间405060ps下降沿时间4050100psTEC电流-1.5-+1.5ATEC电压1-4VTEC温度设置152550℃温度工作温度+10-+50℃储存温度-20-+70℃温度,非冷凝--95%接口电源和接口连接器接线板(1-282834-0 TE接口)USB接口Mini-USB,Type B(1734035-1 TE接口)尺寸尺寸85 × 60 × 21 mm重量≤160 g*输出性能取决于激光二极管的特性不能保证所有类型激光器的性能。请参见光学输出波形。兼容激光引脚14-pin蝶形封装序号描述序号描述1TEC阳极8无2热敏电阻9无3监控PD阳极10LD阳极4监控PD阴极11LD阴极5热敏电阻12无6无13无7无14TEC阴极10-pin蝶形封装序号描述序号描述1TEC (+)6激光管阳极(+)2热敏电阻7激光管阴极(-)3监控阴极(-)8无4监控阳极(+)9外壳接地5热敏电阻10TEC (-)
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  • PLD-CW-1000-TII是一种恒流激光二极管驱动器,可用于需要在低信号射频调制模式下操作的14针蝶形激光二极管模块供电。驱动器提供精确的低纹波恒流调节。驱动器电路由一个5V直流电源供电。驱动器为双向PID热电冷却器控制器(TEC)供电,其电流为1.5A,电压为4 V。PLD-CW-1000-TII的主要参数(输出电流、设定温度监控光电二极管信号)由计算机接口控制。GUI可以控制通过can /USB集线器连接的多个驱动器。PLD-CW-1000-TI具有用于将蝶形激光二极管直接焊接到驱动器板上的焊盘,以及用于稳定散热的大型散热器。特点:10/14 pin 蝶形 typeII 激光器一体化设计恒流模式输出电流最大可达 1000 mA顺从电压最大可达 3 V低电流纹波电流稳定性好接口丰富USB, RS-232, CAN, UART兼容LabView兼容Python模拟射频调制光功率稳定模式板载TEC控制器5 V直流电源输入自带散热基板设计紧凑 85 mm × 60 mm × 21 mm参数:参数最小值典型值最大值单位输入电压4.85.05.2V电流--2A射频调制*0.005-500MHz输出电流--1000mA电流调节步进精度-0.1-mA电流纹波--1%电流稳定性--0.2%电流设置精度--1%顺从电压1-3VTEC电流设置范围-1.5-+1.5ATEC电压1-4VTEC温度设置52550℃TEC温度设置步进精度-0.1-℃TEC温控精度--0.1%温度工作温度+10-+50℃储存温度-20-+70℃温度,非结露--95%连接电源和连接器接线端子(1-282834-0 TE接口)USBMini-USB, Type B (1734035-1 TE接口)联锁接线端子(282834-2 TE接口)尺寸尺寸85 × 60 × 21 mm重量≤160 g*性能取决于激光二极管的特性可兼容的激光器管脚定义14-pin 蝶形封装类型 2 (电信)序号描述序号描述1热敏电阻8无2热敏电阻9外壳接地3激光直流偏压(阴极)(-)10外壳接地4监测PD阳级(-)11激光阳级(+),外壳接地5监测PD阴级(+)12激光射频阴极(-)6TEC(+)13激光阳极(+),外壳接地7TEC(-)14无
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  • 高亮度二极管(SLD) 这种高亮度激光二极管(SLD)既具备LD的高亮度 又具备了LED的低相干度;弥补了LD的相干噪声的缺陷。它们广泛应用于光学测量和医学成像。产品图像产品型号产品名称产品型号辐射通量中心发射波长(typ.)光谱半高宽(typ.) L8414-41高亮度二极管L8414-413 mW830 nm15 nm L11607-04高亮度二极管L11607-0430 mW875 nm10 nm详细参数 产品型号 L8414-41 辐射通量 3 mW 工作温度 - 10 to + 70 ℃ 贮存温度 - 20 to + 80 ℃ 中心发射波长(min.) 810 nm 中心发射波长(typ.) 830 nm 中心发射波长(max.) 850 nm 工作电流(typ.) 0.1 A 光谱半高宽(typ.) 15 nm 工作电压(typ.) 2 V 发射宽度 5 μm 光发散角(平行方向典型值) 23 ° 光发散角(竖直方向典型值) 35 ° 监控PD电流(typ.) 0.16 mA 相干长度 50 μm 封装 dia. 9.0CD 输出功率发光谱外形尺寸(单位 mm)详细参数 产品型号 L11607-04 辐射通量 30 mW 工作温度 - 10 to + 50 ℃ 贮存温度 - 20 to + 80 ℃ 中心发射波长(min.) 855 nm 中心发射波长(typ.) 875 nm 中心发射波长(max.) 895 nm 工作电流(typ.) 0.11 A 光谱半高宽(typ.) 10 nm 工作电压(typ.) 1.8 V 发射宽度 5 μm 光发散角(平行方向典型值) 10 ° 光发散角(竖直方向典型值) 35 ° 相干长度 28 μm 封装 dia. 9.0CD输出功率发光谱外形尺寸(单位 mm)
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  • 超辐射发光二极管,880 nm这些超辐射激光二极管用于OCT系统。它们具有不大于0.3 dB(RMS)极低增益波动,典型波动值为0.06 dB(RMS)。更多有关用于OCT系统的Thorlabs SLD的信息,请点击这里。注意,带宽会随着电流的减小而降低;下方的带宽规格指定在工作电流下。Item #SLD880S-A7SLD880S-A25ParameteraMinTypicalMaxMinTypicalMaxOperating Current (mA)--225--410Center Wavelength (nm)b860880900860880900Spectral ShapeFlat TopFlat TopASE Power (mW)c,d67-2325-Optical 3 dB Bandwidth (nm)c3540-3540-Optical 20 dB Bandwidth (nm)c-80--80-RMS Gain Ripple (dB)c,e-0.060.3-0.060.3Output Spectrum (Click to Enlarge)LIV Plot (Click to Enlarge)Fiber Type780HP点击上方规格标签可查看完整规格。这些装置的中心波长定义取决于光谱形状。请查阅上方规格标签。指定处于工作电流时。当ASE处于最小功率时,可以保证最小3 dB带宽。对应尾纤的输出。产品型号 - 公英制通用SLD880S-A7超辐射发光二极管,7 mW,CWL = 880 nm,40 nm 3 dB带宽,蝶形封装,单模光纤,FC/APCSLD880S-A25超辐射发光二极管,25 mW,CWL = 880 nm,40 nm 3 dB带宽,蝶形封装,单模光纤,FC/APC
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  • 无可比拟的灵敏度 Model 6000型二极管阵列检测器所采用的50mm光束式流通池的灵敏度是工业标准的5倍,由于其特殊的内表面设计,实现光的全反射,获得最小的光流失,最高的灵敏度。 流通池的体积为l2ul/10mm,出峰更尖、更高,从而大大提高灵敏度。 增强的氘灯和钨-卤素灯覆盖190nm至800nm的光谱区域,限制了基线噪音,在更高波长处提高了灵敏度。 精确度 6000型二极管阵列检测器的自检功能允许实时检测灯的强度和使用情况。一个内置的装有氧化钬溶液的透明小容器和自检软件可以检验波长准确性,并进行电路校正。 独特的验证程序不仅可以验证波长准确性,还可以验证线性、噪音和漂移。打印出的结果可以提供6000型检测器的性能。 性能 一个20Hz的高速二极管保证数据采集更加迅速,使窄峰获得更精确的重现。 可以选择的数据采集速率可降低文件的大小。 一个20位A/D转换器提供了更好的基线噪音数字分辨率,减少定量错误。 一个革新光束形成装置--堆栈光学纤维将收集流通池发出的光,在达到衍射光栅之前使之再成形为非常窄的垂直光束。与传统的机械&ldquo 狭缝&rdquo 不同,这时所有光均被搜集。 独有的光束变形技术,提高光通量,降低噪音技术参数: 噪音 ± 3 x 10-6AU/cm 漂移 1 x 10-3AU/Hr 光程/容积 5cm, 10ml 线性 2.0AU 扫描速度 &le 20Hz 波长范围 190-800nm 分辨率 1.2nm 波长准确性 ± 1nm 电源 220V, 50/60Hz 订货信息: 货号:TSUV6000046规格:6000型二极管阵列检测器, 带50mm光路流通池 包含光谱分析软件 货号:TSCHROM64010 规格:Chromquest 液相控制软件或选用CSChrom软件 货号:TSCSPEC64010 规格:Chromquest 光谱分析软件
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  • PLD-CW-2000/PLD-CW-2000-ZIF是一款恒流激光二极管驱动器,专门用于需要精确低纹波恒流调节的10/14针蝶形激光二极管供电。驱动器由一个5V直流电源供电。驱动器为双向PID热电冷却器控制器(TEC)供电,电流能力为4A,电压能力为4V。PLD-CW-2000/PLD-CW-2000-ZIF的主要参数(输出电流、设定温度监控光电二极管信号)由计算机接口控制。GUI可以控制通过can/USB集线器连接的多个驱动器。驱动器电流支持全振幅外部模拟调制(0~5v)和TTL信号调制。驱动器上有用于将蝶形激光二极管直接焊接到驱动器板上的焊盘,以及用于稳定散热的大型散热器。特点:用于10/14 pin 蝶形激光器的特殊设计恒流模式输出电流最高可达2000 mA顺从电压最大可达 3 V低电流纹波高电流稳定性接口丰富 USB, RS-232, CAN兼容LabView兼容Python模拟和数字全电流幅度调制光功率稳定模式板载TEC控制5V直流电源输入自带散热基板设计紧凑 85 mm × 60 mm × 21 mm参数:参数最小值典型值最大值单位输入电压4.85.05.2Vdc电流--3A输出电流--2000mA电流调节步进精度-0.1-mA电流纹波--0.1%电流稳定性--0.2%电流设置精度--1%顺从电压1-3VTEC电流设置范围-4-+4ATEC电压1-4VTEC温度设置52550℃TEC温度设置步进精度-0.1-℃TEC温控精度--0.1%温度工作温度+10-+50℃储存温度-20-+70℃温度,非结露--95%连接电源和连接器接线端子(1-282834-0 TE接口)USBMini-USB, Type B (1734035-1 TE接口)联锁接线端子(282834-2 TE接口)尺寸尺寸85 × 60 × 21 mm重量≤160 g*性能取决于激光二极管的特性接口引脚信息序号功能描述1GND驱动器接地2+5VDC电源输入3CANHCAN总线高电平4CANLCAN总线低电平5RS232 RXRS232 RX接收端口6RS232 TXRS232传输端口7GND驱动器接地8TTL触发器输入,连接到外部TTL信号发生器,用于触发输出电流。外部触发信号的振幅必须在3.3V到5V的范围内。输入阻抗为500Ω .通过PC软件选择“外部”模式,按下“ON/OFF”按钮,通过外部输入激活触发输出电流。通过PC软件设置电流幅度。外部触发信号的最大频率为3 kHz。9GND驱动器接地10MOD模拟调制输入。连接到外部模拟电压或外部正弦信号发生器以控制输出电流。0~5V模拟输入对应0~2A输出电流。电流设定值为400mA/V。输入阻抗为400Ω 。通过PC软件选择“ 模拟” 模式,然后按“ON/OFF”按钮可激活输出电流并通过模拟输入进行控制。外部正弦信号的最大频率为3 kHz,支持2A调制幅度。频率越高,调制幅度越小。联锁连接到外部联锁电路。打开:设备处于锁定状态。关闭:设备正常运行。内部由1kΩ电阻上拉电压到3.3 V。使用开路电极或干接点。注意:当联锁电路关闭时,激光器才能启动发射。兼容的激光器管脚定义14-pin蝶形封装序号描述序号描述1TEC阳极8无2热敏电阻9无3监控PD阳极10LD阳极4监控PD阴极11LD阴极5热敏电阻12无6无13无7无14TEC阴极10-pin蝶形封装序号描述序号描述1TEC (+)6激光管阳极(+)2热敏电阻7激光管阴极(-)3监控阴极(-)8无4监控阳极(+)9外壳接地5热敏电阻10TEC (-)
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