发射器

703型Waterloo地下水修复发射器1.8英寸, 3.8英寸和5.8英寸Waterloo地下水修复发射器 Waterloo地下水修复发射器是一种简单低成本的设备, 它设计用来受控并且统一的释放氧气或者其他生物提高调整剂, 从而促进和维持原位污染地下水生物降解所需的微生物的生长。 使用专利的技术*使得可以通过加压的硅有机树脂或者LDPE（低密度聚乙烯）管来稳定而又直接的将氧气扩散到一个地下蓄水层中. 氧气持续而稳定的释放到管中, 这就创建了一个非常理想的浓度梯度, 驱动着这个被动系统, 不会因为形成气泡而溢出过剩氧量。 发射器非常适合于需氧的BTEX和MTBE生物降解. 扩散过程为增强需氧生物降解提供了即时的分子氧生物利用率, 因此不会发生损失调整气体的情况. Waterloo地下水修复发射器还能促进需要的无机反应（pH调整, 水解等）。 简单的多功能系统 Waterloo地下水修复发射器可以适配2英寸, 4英寸和6英寸（50毫米, 100毫米和150毫米）的井. 它们可以安装在开放井中, 或者使用沙袋永久性的安装在钻井或者沟渠中. 51英寸（130厘米）长的Waterloo地下水修复发射器可以单独的或者以叠加到另一个发射器顶端的方式来安装, 以便确保完全覆盖污染羽状物. 它们还可以在水平应用中使用. 因为无需最小液压压头, 发射器在水下任何深度都有效. 当连接在封隔器和/或循环泵时, 作用半径也会增加. Waterloo地下水修复发射器独特的扩散技术允许使用任何化学物当作调整剂来治理受到污染的地下水. PVC框架容纳了监测或者采样设备以便在补救过程中观察地下水状况. 工作原理 Waterloo地下水修复发射器由盘绕在一个PVC骨架上的硅有机树脂或者聚乙烯管组成. 当液体被引入管中时, 一个浓度梯度便在管和地下水之间建立. 发射器工作原理是菲克扩散定律, 扩散会一直发生, 直至管内外的化学物浓度有了平衡. 使用发射器技术, 氧气（或其他调整剂）被持续地补充, 因为地下水持续地流经发射器, 所以平衡永远不会发生. 这便导致从发射器到地下水有持续的扩散. 当气体被应用于发射器时, 施加压力的增量和扩散到地下水的气体增量之间有一个正相关, 然而扩散是调整剂被添加到地下水的唯一的机制. 安装如果一种增强气体被用于补救, 可以使用小型或中型尺寸的高压气筒. 根据需要的增强气体的量来选择发射器管并设置气压. 单个高压气筒可以为多个串联的发射器提供气源.发射器管内的气体补充可以通过定期的清洗来实现（1-2周一次） 或者在系统的末端使用针形放泄阀来缓慢而恒定的补给. 1、确定目标 用驱动点剖面器来为使用发射器绘制/描绘的污染羽状物的加强生物降解, 确定最有效的区域, 2、确定数量 - 使用多级系统来精确的描绘污染物的面积和运动 - 使用离散监测系统更精确的聚焦补救策略 - 监测修复效果3、解决问题 使用Waterloo地下水修复发射器为受污染的地下水受控的释放氧气（或其他调整剂） – 不起泡。示意图显示了使用Waterloo地下水修复发射器的分段羽状物补救, 使用放在斜坡下面的CMT地下水连续监测系统或Waterloo多水位地下水监测系统的横切来监测. 应用 为BTEX和MTBE的需氧生物降解释放氧气 为溶剂的厌氧还原去氯释放氢气 为当作示踪物而引入溶解的SF6, 氩等 为调整pH值而释放二氧化碳 释放轻质烷烃以促进MTBE的新陈代谢生物降解 羽状物迁移屏障, 首要补救设备或者抛光优点 低成本 为恒定的微生物活性稳定的释放补救剂 易于安装和卸载 最少的维护和操作 没有因为起泡而造成调整剂损耗 没有引入或造成有害物质 无泥浆混入, 处理或注入 无需电子设备

光纤通讯用光IC发射器、接收器、LED 用于塑料光纤通信的光IC发射接收器。欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！部分产品：产品图像产品型号产品名称类型1配件序号带宽 L11354-01光通信用光IC发射器适用MOST汽车网络S11355-01150 Mbps P11379-03AT光通信用光IC适用MOST汽车网络150 Mbps S11355-01光通信用光IC发射器适用MOST汽车网络L11354-01150 Mbps L8045光通信用红光LED适用POF数据链路S8046DC到50 Mbps L10063-01光通信用光IC发射器适用MOST汽车网络S10064-01BDC到50 Mbps L10663-01光通信用光IC发射器适用MOST汽车网络S10664-01DC到50 Mbps L10881光通信用红光LED适用于POF数据链路S7727DC到156 Mbps S7140-10光通信用光IC接收器适用于POF数据链路L8045DC到50 Mbps S7727光通信用光IC接收器适用于POF数据链路L108814 to 156 Mbps S8046光通信用光IC接收器适用于POF数据链路L80454 to 50 Mbps S10064-01B光通信用光IC接收器适用MOST汽车网络L10063-014 to 50 Mbps S10664-01光通信用光IC接收器适用MOST汽车网络L10663-014 to 50 Mbps

超宽谱太赫兹发射器自旋电子太赫兹（THz）发射器基于一个优化的金属薄膜堆栈包括自旋电子材料。在飞秒泵浦脉冲的照射下，太赫兹脉冲产生。太赫兹带宽覆盖0.1到30太赫兹的频率，没有任何谱段间隙。发射器是完全被动的，包括集成的磁铁设计，允许简单且完全控制线性太赫兹极化。 超宽谱太赫兹发射器主要特点： ■ 无光谱间隙的超宽带太赫兹辐射 ■ 高太赫兹产生效率，被动式器件 ■ 集成磁铁，可完全轻松360°控制线性太赫兹极化 ■ 稳定性好，可长期使用 ■ 与许多光学装置兼容 ■ 太赫兹光束参数继承泵浦光束 ■ 泵浦光适用波段宽，从中红外到X射线 ■ 泵浦光和太赫兹光束的共线性使太赫兹光谱仪易于实现和直接校准超宽谱太赫兹发射器应用领域： ■ 超宽带线性太赫兹光谱■ 非线性太赫兹光谱■ 太赫兹近场显微镜■ 太赫兹扫描隧道显微镜■ X射线束层析成像■ 超快光电探测器（由泵浦脉冲包络确定的太赫兹脉冲）超宽谱太赫兹发射器指标参数：更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿；产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

MEJ 除静电离子棒通常使用在生产机器上，可以短距离电离，且没有移动机器部件干扰电离。Simco-Ion 防静电离子棒的性能与 MEB 型相同，除了 MEJ小的圆形尺寸，使其很容易适应狭小的空间，可以通过机器框架中的孔安装此防静电离子棒。MEJ是一种高效、通用的静电消除器，在许多行业有着广泛的应用。MEJ静电离子棒需要配合一个操作电源使用。 特点工作距离30 mm触摸发射器无电击感当一些发射器引起短路时（例如由于严重的污垢）静电离子棒可继续正常工作圆棒，可通过机架中的孔轻松安装 深圳市荣盛源科技有限公司 ( VSY-Technology Co.,Ltd )，成立于2009年。我们一直专注于电子/工业领域的静电控制，静电接地与在线监测与防护系统、静电驻极设备、除尘洁净设备及IML模内静电贴标的应用设计、研制和销售一体的供应商。二十年来紧跟现代工业生产的步伐并不断学习钻研和累积，非常了解现代各工业领域生产环节上所碰到的相关问题。在IML模内贴标、包装、电子组装、静电驻极等方面的非标设计和解决方案！我们将秉承务实、负责的经营理念为大家提供适合的服务和解决方案！电子应用：静电控制设备、无尘室洁净设备、除静电表面清洁机、净化环境工程解决方案；工业应用：静电控制设备、薄膜/片材表面洁净、印染涂布、纸品印刷除尘洁净系统、覆膜贴合、无纺布静电应用配套设计；包装应用： IML模内静电自动贴标、食品包装非标静电发射器的设计与解决方案；接地检测：人员与设备的静电在线检测和监控；防静电耗材：导电材料、导电毛刷、防静电袋、屏蔽袋。

无线测温接收器，无线发射器1）稳定性好本温度变送器在传统的基础上，通过采用优异元器件、高精度可靠信号调理电路、防干扰电路、软硬补偿等多方面技术，并通过大量实验和检测使得仪表具有测量数据精确、抗干扰能力强、易于操作等优点。2）、无线传输以往的各种温度变送器一般具有4～20mA输出信号，有的还是就地显示方式，需要通过导线将信号送到值班室采集或值班人员到现场抄录数据，由于工业现场环境较为恶劣，供电系统不稳定、维护设备造成导线损坏及难于管理等原因，造成数据取得的不可靠、不真实。本温度变送器采用比较好的的微功率无线通讯技术，测控仪表、监测装置均工作在2.4GHz无线开放频段；现场的数据、报警、保护等参量，均能无线、可靠传输到值班室，克服了以往需要人员现场抄表和用导线长距离输送的不便，从而达到以人为本、节约的目的。3）、节能环保传统的温度变送器，需要有市电交流或直流供电；而本仪表采用新低功耗技术，用高功率锂电池供电，3.6V单节高温电池可以可靠使用一年半以上，仪表无需考虑后端的负载问题，无后续的A/D转换，直接将高精度的测量数据值无线发送到值班室的接收终端机上，再通过终端机上传后台进行统一的数据管理。

Max ION防静电离子棒的每个单独发射器都可以电容耦合到高压上。因此，当意外触摸发射器时，您不会有电击。无电感坚固耐用的Max ION防静电离子棒具有强化的外形，可很大限度地减少意外弯曲造成的损害。Max ION背面的滑动插槽使用户能够根据需要定位安装螺栓，从而提高安装灵活性。使用刷子可轻易清洁发射器污垢，您可以轻松地将污染物从两端扫出。 特点工作距离可达400 毫米由于玻璃纤维增强塑料外形，防静电离子棒变形的风险越小触摸发射器无电击感紧凑型尺寸铝合金材质深圳市荣盛源科技有限公司 ( VSY-Technology Co.,Ltd )，成立于2009年。我们一直专注于电子/工业领域的静电控制，静电接地与在线监测与防护系统、静电驻极设备、除尘洁净设备及IML模内静电贴标的应用设计、研制和销售一体的供应商。二十年来紧跟现代工业生产的步伐并不断学习钻研和累积，非常了解现代各工业领域生产环节上所碰到的相关问题。在IML模内贴标、包装、电子组装、静电驻极等方面的非标设计和解决方案！我们将秉承务实、负责的经营理念为大家提供适合的服务和解决方案！电子应用：静电控制设备、无尘室洁净设备、除静电表面清洁机、净化环境工程解决方案；工业应用：静电控制设备、薄膜/片材表面洁净、印染涂布、纸品印刷除尘洁净系统、覆膜贴合、无纺布静电应用配套设计；包装应用： IML模内静电自动贴标、食品包装非标静电发射器的设计与解决方案；接地检测：人员与设备的静电在线检测和监控；防静电耗材：导电材料、导电毛刷、防静电袋、屏蔽袋。

太赫兹发射器 (碰撞雪崩渡越时间二极管)TeraSense公司简介： TeraSense是一家俄罗斯的太赫兹设备生产商，主要产品包括：低成本、便携式亚太赫兹成像相机、太赫兹发射源和超快探测器等。TeraSense拥有一支强大的技术团队，包括20多位富有经验的科学家和工程师。他们中的大多数都拥有微波和太赫兹研究领域的博士学位，代表了俄罗斯物理学家的年轻一代。科学组已经取得了多项研究成果，并且在国际同行业评审期刊上发表了超过300篇论文。太赫兹发射器产品描述： TeraSense系列太赫兹源（IMPATT diode，碰撞雪崩渡越时间二极管），是一种硅双漂移二极管，过渡区域0.6um，安装在铜散热器上。双偏移二极管的分层：重掺杂(p +)层，适度掺杂（p-）层，适度掺杂（n-）层和重掺杂(n +)层。(p +)和(n+)层允许欧姆电触点接触到外部电路。设备依靠负电阻产生和维持振荡。 Terasense现在提供雪崩渡越二极管的升级版本。升级后的雪崩渡越二极管配备防护隔离器，大大提高了输出功率的稳定性。你可以根据需要，选择带有严格固定的喇叭天线的雪崩渡越二极管，或带有WR -法兰的雪崩渡越二极管。优化频率为100 GHz时，雪崩渡越二极管的典型输出功率可以达到100mW。太赫兹发射器产品特点： 可用频率: 100 GHz ，140 GHz 大功率输出 (80 mW，30mW) 稳定性高 线宽缩小至1 MHz 工作电流: 150 – 180 mA 价格低廉 结构紧凑，体积小，易于集成 太赫兹发射器规格参数：型号IMPATT diode @ 100 GHz IMPATT diode @ 140 GHz 频率最佳频率：100 GHz最佳频率：140 GHz隔离器带有防护隔离器带有防护隔离器调制方式TTL 调制 (1us rise/fall time)TTL 调制 (1us rise/fall time)输出功率高功率 (80 mW 输出功率)高功率 (30 mW 输出功率)输出方式圆锥喇叭天线 (固定)或 法兰类型 (WR-8 或 WR-10)圆锥喇叭天线 (固定) 或 法兰类型 (WR-6)功耗输入功率 2W 电源外部电源 (24 V) 确保输入电流稳定线宽典型的线宽可以缩小至1 MHz太赫兹发射器使用图例： TeraSense 太赫兹发射器（IMPATT diode）

SHAW SDT-Ex是一种紧凑的、3线、4-20mA的露点发射器，设计用来满足严格工业应用的要求。SDT-Ex 本质安全认证，符合 ATEX II I GD Ex ia IICT4 Ex ia D20 T135 °C (-20 °C ≤Ta+60 °C) 使用信号隔离器用于危险区域。结合了先进的电子设备，SDT-Ex供电为7-28V直流非隔离电源，配置输出一个线性、 隔离的,4 - 20 mA 信号，最大传输距离达1000米。利用超高电容SHAW露点传感器，不同露点范围覆盖从 -100 °C to +20°C ，4-20mA输出，可配置以 °C , °F , ppm(v), g/m3 and lbs/MMscf 为单位。这个样品单元包含坚固的外壳，提供 IP66/NEMA 4X级的防风雨保护。SDT-Ex随机提供了校准证书，可追溯到国家和国际湿度标准，说明手册，2米线缆。特点：3 线, 24 V, 4 - 20 mA 露点发射器本质安全： ATEX II I GD Ex ia IIC T4多测量范围: 覆盖 -100 °C to +20 °C 露点输出配置单位 ：°C 露点, °F 露点,ppm(v), g/m3和 lbs/MMscf精度： ±2 °C 露点 (±3.6 °F)防风雨等级： IP66/NEMA 4X开路/短路检测4 - 20 mA 线性信号输出自带包装, 坚固 、可靠提供校准证书可追溯至国家和国际湿度标准

美国SONOTRONICS公司——PT系列微型信号发射器美国Sonotronics公司推出PicoTag系列发射器，它们是Sonotronics产品线中最小的声学发射器，水中重量从0.6克开始。这些微型发射器将使研究人员获得以前不可能获得的关于小型物种的有价值的信息。PicoTag是标准的水滴状封装，如图所示。这种封装更常用于内部植入物或粘接发射器的情况下。可定制略微延长的封装，可包含用于外部安装的小钻孔。包装变化会导致重量和尺寸规格的变化。型号及参数：型号长度直径重量（水中）重量（空气中）范围寿命PT-116 mm7.1 mm0.6 g1.25 g300m+7天PT-219 mm7.1 mm1.0 g1.7 g500m+12天PT-319 mm7.8 mm1.0 g2.0 g750m+21天PT-425 mm9.0 mm2.3 g4.1 g750m+90天 更多关键词：微型信号发射器

TeraBlast无偏压大面积THz发射器(TeraBlast-Bias-free Large-area Emitters)品牌： Protemics型号： TeraBlast Eachwave推出的新型无偏压THz发射器是fs光学泵浦的THz源，可以用各种激光器来泵浦（如波长在700-1600nm的低功率振荡器、或者放大器）。它们是理想的近场成像THz源，我们同时有THz微探针可选。当然我们的THz发射器也可以应用与远场光谱的研究以及其他THz应用。我们的THz发射器是基于一个专利技术（德国专利号：DE102012010926 A1），利用双金属光栅结构实现无偏压的光学泵浦THz辐射。THz发射器具有一个很大的可激发面积，激发光的功率可以从5mW高至1W，并不会引起转换效率饱和的现象。主要特点：高的转换效率（得益于其先进的纳米级双金属结构设计）高的辐射功率（得益于其大的可激发面积）非常适用于TeraSpike微探针的THz源无与伦比的简单易用可以被当做点光源来使用，亦或者阵列辐射器辐射出光具有线偏性非常的耐用因为没有偏压没有暗电流技术规格： Type TeraBlast TD-1550-L-165 Excitation wavelength range700 .. 1600 nm Typ. average excitation power range5 mW .. 1000 mW Average THz emission power 2.5 μW (a) Active area diameterca. 11 mm (b) Adapter dimension (Outer diameter)1/2 inch 辐射特性和工作原理:太赫兹脉冲发射的太赫兹发射器通过飞秒近红外或红外脉冲产生。脉冲持续时间为150飞秒,所发射的太赫兹辐射是直线偏振光。下面的图显示的是发射的太赫兹场线扫过的terablast发射器使用teraspike探针在时域测量中心示范（型号：td-800-x-hrs）。明亮的快速振荡太赫兹频率分量被很好地局限于几个毫米大小的光圈区域，而在更宽的范围内发射的千兆赫辐射。发射谱可以很容易地调整，通过调整光激发光束的聚焦。THz pulse emission is generated by optical excitation of the THz emitter through femtosecond near-infrared or infrared pulses. Pulse durations 150 fs are recommended. The emitted Terahertz radiation is linearly polarized. The following plot is showing an exemplary measurment of the emitted THz field which is line scanned across the center of the TeraBlast emitter in time-domain using a TeraSpike microprobe (Model: TD-800-X-HRS). The bright fast oscillating THz frequency components are well confined to an aperture area of few millimeter size, whereas GHz radiation is emitted over a much wider range. The emission profile can be easily adapted by adjusting the focussing of the optical excitation beam.尺寸：激励方案：THz发射过程是基于肖特基场诱导侧光电流（JPH）在多种非对称金属/半导体结。

Micro Hybrid红外发射器JSIR 350-4产品型号：JSIR 350-4产品介绍红外发射器，TO8 接头上有 4 个芯片，用于测量浓度低的气体或吸收特性低的气体。标准 TO8 外壳中带有无窗反射器的版本也适用于从 30 厘米起的长测量距离。这种基于 MEMS 的灯丝发射器对应物具有显着更长的寿命和更少的漂移。与灯丝红外源不同，JSIR 350 Quad 发射器是可调制/可脉冲的，不需要额外的斩波器。高性能纳米无定形碳膜片可实现高达 850 °C 的膜片温度，以实现长期稳定的辐射输出。 JSIR 350 Quad IR 发射器非常适合工业航空航天和其他要求苛刻的应用中的各种气体分析应用。IR 照明器可与 MTS 热电堆探测器或 MPS pyro 探测器一起使用。与 Micro-Hybrid IR 检测器的组合可确保在分析气体浓度时获得更好的性能并确保准确的测量结果。性能特点 宽发射率 2 - 15 µ m 膜温度高达 850 °C 高辐射输出 调制频率高 长寿命（膜的高稳定性带来的可靠性） 提供 HermeSEAL 技术 天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

EP-SH-N离子棒的每个发射极分别电容耦合至高压。如果触摸发射器，这将防止电击。另一个优点是，即使多个发射极短路（例如由于严重污染），离子棒仍可继续工作。 特点短工作距离：150毫米（MAX）触摸安全发射器即使许多点短路（例如由于严重污染），活塞杆仍可继续工作 规格参数工作压力：7 kV交流工作距离：150mm（Max）外壳材料：阳极氧化铝内棒材料：聚氯乙烯发射点：特殊合金电缆：金属屏蔽重量：0.5公斤/米环境温度：0-55°C使用条件：工业选配：弯角电缆出口匹配电源：A2A7S / MPM认证：UL认证 深圳市荣盛源科技有限公司 ( VSY-Technology Co.,Ltd )，成立于2009年。我们一直专注于电子/工业领域的静电控制，静电接地与在线监测与防护系统、静电驻极设备、除尘洁净设备及IML模内静电贴标的应用设计、研制和销售一体的供应商。二十年来紧跟现代工业生产的步伐并不断学习钻研和累积，非常了解现代各工业领域生产环节上所碰到的相关问题。在IML模内贴标、包装、电子组装、静电驻极等方面的非标设计和解决方案！我们将秉承务实、负责的经营理念为大家提供适合的服务和解决方案！电子应用：静电控制设备、无尘室洁净设备、除静电表面清洁机、净化环境工程解决方案；工业应用：静电控制设备、薄膜/片材表面洁净、印染涂布、纸品印刷除尘洁净系统、覆膜贴合、无纺布静电应用配套设计；包装应用： IML模内静电自动贴标、食品包装非标静电发射器的设计与解决方案；接地检测：人员与设备的静电在线检测和监控；防静电耗材：导电材料、导电毛刷、防静电袋、屏蔽袋。

MCM30 高压发生器是一个强大的开关模式静电发生器，提供暂时性粘合材料的加静电和各种静电发射器所需高压输出应用。MCM30小巧而功能强大，为各种生产工艺提供简单经济的解决方案。主体采用ABS(UL94V-0)材质，轻巧而耐用，12个端口多用途连接口，面板采用LED 灯显示模式，包含：工作模式(电压/电流)、输出强弱显示(0%)、工作电源、超载警示、正常、损坏以及输出水平强弱，旋转调节键(非数显)人性化设计。 规格参数输入电压：24VDC,3A (75W)工作电压：3-30KV / DC输出电流：0.1-1mA (max)（30W）工作温度：0-40℃外壳：ABS塑料（UL94V-0），黑色输出端口： 1规格尺寸： 197 x 76 x 67 mm本体重量： 0.77kg安装模式： 4孔固定深圳市荣盛源科技有限公司 ( VSY-Technology Co.,Ltd )，成立于2009年。我们一直专注于电子/工业领域的静电控制，静电接地与在线监测与防护系统、静电驻极设备、除尘洁净设备及IML模内静电贴标的应用设计、研制和销售一体的供应商。二十年来紧跟现代工业生产的步伐并不断学习钻研和累积，非常了解现代各工业领域生产环节上所碰到的相关问题。在IML模内贴标、包装、电子组装、静电驻极等方面的非标设计和解决方案！我们将秉承务实、负责的经营理念为大家提供适合的服务和解决方案！电子应用：静电控制设备、无尘室洁净设备、除静电表面清洁机、净化环境工程解决方案；工业应用：静电控制设备、薄膜/片材表面洁净、印染涂布、纸品印刷除尘洁净系统、覆膜贴合、无纺布静电应用配套设计；包装应用： IML模内静电自动贴标、食品包装非标静电发射器的设计与解决方案；接地检测：人员与设备的静电在线检测和监控；防静电耗材：导电材料、导电毛刷、防静电袋、屏蔽袋。

OPTO DIODE LED 发射器OD-250Opto Diode Corporation 总部位于加利福尼亚州卡马里奥，在提供传感器、光电二极管、探测器和 LED 方面拥有悠久的历史。光电二极管产品提供标准和定制设计，30 多年来一直为光子行业提供支持，并以高性能、质量和可靠性赢得了声誉。随着 2011 年收购 International Radiation Detectors (IRD) 和 2014 年合并 Cal Sensors (CSI)，Opto Diode 现在提供从极紫外到中红外 (mid-IR) 区域的业界性能探测器。电磁频谱。我们的产品提供高能粒子、电子、X 射线和紫外线检测，以及区分痕量气体或检测中红外光谱中的热量、火花或火焰的灵敏度。特性&bull 四线键在模具角&bull 非常均匀的光束&bull 标准3引线TO-39密封封装&bull 芯片尺寸:0.026“x 0.026”总输出功率，Po IF = 500 mA 160 250 mW峰值发射波长，λP IF = 50 mA 850 nm光谱带宽在50%，Δλ IF = 50 mA 40 nm半强度光束角，θ IF = 50毫安110度正向电压，VF IF = 500 mA 1.7 2伏反向击穿电压，VR IR = 10µ A 5 30伏上升时间IFP = 50 mA 20 nsec下降时间IFP = 50 mA 20 nsec功耗1 1000mw连续正向电流500毫安峰值正向电流(10µ s, 200 Hz)2 1.5 A反向电压5v铅焊温度(1/16"从外壳10秒)260°C存储和工作温度范围-40°C至100°C热阻，RTHJA1 145°C/W典型热阻，RTHJA2 75°C/W典型天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

产品名称： Sheaumann Laser发射器CMC-A64-3000-XXX产品型号： CMC-A64-3000-XXX产品介绍： Sheaumann 的高质量、高功率激光芯片子安装件（COS）产品安装在氮化铝载体上的铜瓦或铜子安装件上，采用 In 或 AuSn 键合。Sheaumann 的激光芯片设计具有高质量和长使用寿命。波长发射范围为 780-1710 nm。任何激光二极管发出的激光都是不可见的，可能对人眼有害。设备运行时，请避免直视激光光圈。与本产品一起使用光学仪器会增加对眼睛的危害。二极管故障的主要原因是意外静电放电。为防止设备故障，用户在处理二极管激光器时应始终佩戴防静电腕带，将所有适用的工作表面接地，并遵循防静电技术。 性能特点： 金锡 (AuSn) 键合，铜子安装可选微型透镜超低和高 AR 涂层选项可选功能与配件： 可选微型透镜超低和高 AR 涂层选项技术参数： 产地：美国波长：1064 nm工作功率：3 W工作电流：3.8 A 可达4.2A工作电压：1.7 V 可达2.2 V阈值电流：340 mA 可达550 mA斜率效率：0.8 W/A垂直远场@FWHM：30 °水平远场@FWHM：8 °工作温度：-20 至 50 ℃降解速度：随着温度升高，器件降解速度加快产品应用： 工业、航天、国防、环境领域

产品概述：DPR500是世界上第一台单双通道可选的计算机控制超声脉冲发射接收器，具有两个独立的通道，用户可以选择单通道也可以选择双通道，可以选择两个通道不同的带宽进行组合。DPR500采用远程脉冲前置放大结构，可大大减少探头和发射器之间因电缆长度而产生的损耗。广泛应用于超声显微镜、超声探伤、超声测厚、探头特性测量、材料特性测量等诸多领域。技术特点：◇ 两个独立的通道，可任意可选购单通道或双通道；◇ 50MHz、300MHz、500MHz带宽可选，各通道任意组合；◇ 远程脉冲发射器，前置结构，降低噪声；◇ 72/80dB增益低噪音接收器；◇ 脉冲回波模式（Pulse-Echo）、穿透模式(Through Transmission)；◇ 可通过计算机自行开发相关应用。

阴极发射体 Kimball Physics设计和制造各种高性能电子发射器，以满足客户的各种需求。这些发射器专为高亮度、长寿命或坚固的可靠性而设计，用于Kimball Physics电子枪以及我们客户的高性能仪器和工具。阴极/发射器既有标准产品，也有定制设计，应用包括电子显微镜、光刻、X射线生成、自由电子激光器、电子加速器等。阴极发射体阴极类型： 阴极发射体基座类型：● 六硼化镧（LaB6）高亮度单晶 ● 带有Kovar或钼引脚的高公差陶瓷 LaB6高亮度单晶——标准和保护环 ● 标准陶瓷AEI底座 LaB6用于电子显微镜-适用于大多数系统 ● Compact Kimball Physics CB-104基座● 圆盘阴极 ● 各种显微镜底座 钽（Ta）标准耐火圆盘 ● 阴极也可以安装在客户提供的底座上 用于低温操作的氧化钡（BaO）涂层圆盘 钇（Y2O3）涂层铱盘，可承受较差的真空度阴极发射体选型参考表* electron microscope Bases Available: Zeiss, VG-AEI replacement, VG, Philips, Perkin Elmer/ ETEC, Leica-AEI, JEOL-K, JEOL-GC (JSM, JEOL-E, ISI 2-pin, Hitachi S, ETEC, Electroscan-AEI, Camscan-AEI, Cameca-AEI, BioRad-AEI, Amray, AEI* Configurations Available: Code (Cone angle – microflat size(microns): 60-06, 90-15, 90-20Note- not all combinations are available (Cone angle, microflat dimension, with/without GR and base style, or Disc dimension and base). However, custom options are often available.** Richardson constant (A/m2K2 ) LaB6 = 29, Other materials for reference CeB6 = 3.6★★★ 更多电镜方面产品信息，比如，磁透镜、真空腔等，可咨询上海昊量光电设备有限公司。关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

美国IMAGMANT公司生产的JSR牌超声脉冲发射接收器DPR300，完美替代奥林巴斯脉冲发生接收器5077PR/5058PR，参数完全包容，品牌悠久，质量上乘，价格合理。DPR300-脉冲发射接收器 Pulser/ReceiverDPR300-脉冲发射接收器、超声回波分析仪-Pulser/ReceiverDPR300是一款计算机控制的超声脉冲发射接收器，具有极低的噪声接收响应和高性能的脉冲发射控制功能。连接超声探头和示波器使用，广泛应用于超声探伤、超声测厚、探头特性测量、材料特性测量等诸多领域。◇ 35MHz带宽（最50MHz和60MHz可选）；◇ 极低的噪声（49 μVp-p input referred @ 35 MHz BW）；◇ 可调脉冲幅度高达475V（900V可选）；◇ 16档阻尼值设定；◇ 可选的高低通滤波器（高低各6个）；◇ 可选的脉冲阻抗和脉冲能量；◇ 80dB接收增益范围；◇ 操作模式：计算机控制、手动控制、计算机+手动◇ 可通过计算机自行开发相关应用。发射器Pulser 脉冲类型Pulse Type 负尖峰脉冲 Negative spike pulse 下降时间Fall Time 小于5ns(10%-90%) 脉冲幅度Pulse Amplitude 100V-475V（最900V可选） 脉冲宽度Pulse Duration 10-70ns(FWHM@50Ω) 脉冲能量Pulse Energy 4档可选 脉冲阻抗Pulse Impedance 高低可选 阻尼设置Damping 24.6、26.3、28.1、30.3、32.7、35.7、39.2、43.5 48.7、55.6、64.5、76.9、95.2、125、182、333Ω 工作模式Mode 脉冲回波模式（Pulse-Echo）、穿透模式(Through Transmission) 穿透隔离 Through-Trans.Isolation 80dB@10MHz 脉冲重复频率 Pulse Repetition Rate 内部：100Hz-5KHz，内部振荡器频率16档可选 外部：0-5KHz 同步输出Sync Output 最+5V 触发信号Trigger Source 内部或外部信号，外部信号3-5V 接收器Receiver 增益Gain -13 to 66dB，1dB步长 带宽Bandwidth(-3dB) 1KHz-35MHz(1KHz-50MHz可选) 相位Phase 0度（noninverting非反向） 输入阻抗Input Impedance 500Ω（Through Transmission） 输出阻抗Output Impedance 50Ω 高通滤波High Pass Filter 1.0、2.5、5.0、7.5、12.5MHz 低通滤波Low Pass Filter 1KHz-35MHz带宽：3、7.5、10、15、22.5MHz 1KHz-50MHz带宽：5、10、15、22.5、35MHz 噪声Noise 49 μVp-pinput referred @ 35 MHz BW,60dB 59 μVp-p input referred @ 50 MHz BW,60dB 输出信号 ±1Vp-p@50Ω 主 机 输入电源AC Input 100-240VAC，50-60Hz，30W 操作温度Operation Temp. 0-50℃ 主机尺寸Dimension 宽216x高89x深305mm 主机重量Weight 4.54Kg 计算机接口PC Interface RS-232,RJ45 8-conductor cable 软件Software 带控制软件，且用户可开发

天津瑞利光电科技有限公司优势经销德国MENLOSYSTEMS太赫兹光电导发射天线TERA15-TX-FC产品型号：TERA15-TX-FC关键字：MENLOSYSTEMS太赫兹光电导发射天线TERA15-FC关键字描述：产品介绍：针对100MHz重复频率下1560 nm附近和脉冲宽度100 fs的激光器进行了优化具有单极性调制的较高偏置电压发射器/接收器应用的特定天线设计柔性光纤耦合模块两个垂直安装可能性（M4螺纹）MENLOSYSTEMS的用于1560 nm激光波长的光纤耦合TERA15-FC天线模块是灵活，强大的全光纤THz-TDS系统的独特解决方案。 高功率天线技术基于具有发射 高电压偏置的InGaAs / InAlAs多层台面结构。为了获得高THz带宽，为发射器和检测器提供了优化的结构。保偏（PM）耦合光纤即使在恶劣的环境条件下也可确保可靠且稳定的操作。参数：发射器天线材料：InGaAs / InAlAs感光度：高达1.57μm天线结构带状线，间隙：100 µ m光纤连接：PM-PANDA，l = 100厘米FC / APC连接器，根据要求提供SMF 28光纤天线电气连接：1 m连接器电缆，LEMO 0S外壳直径：24.95 mm平均光功率：30 mW脉冲持续时间：100 fs重复频率：100 MHz（80 ... 250 MHz）偏置电压：100 V调制，100 V（单极）调制频率：高达75 kHz（单极）THz脉冲形状：峰对峰值时间差800 fsFourier频谱：max. 0.3 THz20 dB等级： 1.5 THz本底噪声： 4.5 THz天津瑞利光电创立以来一直秉承'以诚兴业，共存共荣'的经营理念，视客户与伙伴为挚友，视员工为公司的宝贵财富，团结一致，开拓创新，勇于打破行业发展瓶颈，逐步构建并扩大公司在自动化领域的全球一体化供销网络与服务中心。'整合行业 资源，力争行业好口碑，勇做行业发展引擎'将是瑞利人永远的追求，我们愿与更多的用户和国内外 品牌供应商携手并进，一起为国内工业发展贡献力量，共同发展，共同繁荣。

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总览垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。Die 2222 795 S 1M S5, S6, S7 0.13mW 0.16X0.20 795 nm , VCSEL单模垂直腔面发射激光器GaAs,795 nm , VCSEL单模垂直腔面发射激光器GaAs中心波长795nm输出功率0.13mW技术参数应用原子钟磁力计特点:包装: 裸片芯片工艺: GaAs 垂直腔面发射激光器激光波长: 795 nm辐射剖面: 单模ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)最大额定值Ta = 80°C 参数符号值操作/焊接温度DC = 100%TS最小值最大值-20°C110°C储存温度Tstg最小值最大值-40°C125°C正向电流（保持单模）直流操作 DC = 100% TS = 75°CIf最大值1.5 mA正向电流直流操作 DC = 100% TS = 75°CIf最大值3mA反向电压不适合反向操作ESD耐电压acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)VESD最大值250 V 注意:超出绝对最大额定值范围的应力可能会对设备造成永jiu性损坏。 特点Ta = 80°C, IF = 1.4 mA DC = 100% - Group 3 参数符号值正向电流VF典型值1.8 V输出功率Φ典型值 0.13 mW阈值电流Ith典型值0.75 mA斜率效能SE典型值 0.21 W / A单模抑制比SMSR最小值 20 dB偏振消光比5)PER最小值15 dB峰值波长λpeak-v最小值典型值最大值794.5 nm795 nm795.5 nm光谱线宽度Λlinewidth最大值100 MHz调频调制带宽Fm最小值3.4 GHz波长温度系数TCλ典型值0.055 nm / K半峰全宽处视场(50% of Φmax)φxφY典型值典型值12°12°1/e2处 视场φxφY典型值 典型值20°20° 注意:波长,输出功率根据操作温度和电压的变化而变化。相对光谱发射 1)辐射特征 1)正向电流 1) 2)光输出功率 1) 2)尺寸图 3)产品标签包装注意事项 根据操作模式的不同，这些设备发射出高度集中的可见光和非可见光，这可能对人眼有害。包含这些设备的产品必须遵循IEC 60825-1中给出的安全预防措施。 除其他物质外，该装置的子组件还含有金属填充材料，包括银。金属填充材料可能会受到含有侵略性物质的环境影响。因此，我们建议客户在存储、生产和使用过程中尽量减少设备接触腐蚀性物质。当使用上述试验进行试验时，显示出可见变色的装置在规定的试验持续时间内未显示出故障限值范围内的性能偏差。 IEC60810中描述了相应的故障限值。 术语 1) 典型值：由于半导体器件制造工艺的特殊条件，技术参数的典型数据或计算关联只能反映统计数字。这些不一定对应于每个产品的实际参数，这些参数可能不同于典型值和计算相关或典型特征线。由于技术改进，这些典型值数据将被更改，恕不另行通知。2) 测试温度: TA = 85°C ± 2°C3) 尺寸公差:除非图纸中另有说明，公差以±0.1规定，尺寸以mm规定。4) 波长:连续波长测量，分辨率±0.1 nm。5) 偏振: 在安装或封装引起的模具应力条件下，偏振消光比会降低。订购信息 描述工作模式订购代码Group 1 - Die 2222 795 S 1M S5,S6,S7 0.13mW 0.16X0.20Ta = 60±10°C IF = 1.4 mA DC = 100%, 795nmV00145 Group: 1Group 2 - Die 2222 795 S 1M S5,S6,S7 0.13mW 0.16X0.20Ta = 70±10°C IF = 1.4 mA DC = 100%, 795nmV00145 Group: 2Group 3 - Die 2222 795 S 1M S5,S6,S7 0.13mW 0.16X0.20Ta = 80±10°C IF = 1.4 mA DC = 100%, 795nmV00145 Group: 3Group 4 - Die 2222 795 S 1M S5,S6,S7 0.13mW 0.16X0.20Ta = 90±10°C IF = 1.4 mA DC = 100%, 795nmV00145 Group: 4Group 5 - Die 2222 795 S 1M S5,S6,S7 0.13mW 0.16X0.20Ta = 100±10°C IF = 1.4 mA DC = 100%, 795nmV00145 Group: 5 795 nm , VCSEL单模垂直腔面发射激光器GaAs,795 nm , VCSEL单模垂直腔面发射激光器GaAs

总览大面积激光二极管（也称为宽发光截面半导体激光器,宽条形或者宽发射器激光二极管，单发射器激光二极管和高亮度二极管激光器）是一种边发射激光二极管，其中位于前表面的发射区域的形状为宽条形。由于发射器是非对称的，光束的性质在两个方向上也是不同的大面积激光二极管是多模光源，可提供高达数十瓦的高输出功率。我们提供从 1030nm 到 1330nm 光谱范围的广泛广域激光二极管产品组合。标准产品具有不同的孔径尺寸（90/130/250um）和最大5mm的腔体长度。可以安装在submount, C-mount, TO-can 和光纤耦合封装中。更高亮度的光纤耦合源采用多芯片设计。我们的激光二极管用于广泛的应用：医疗设备（例如激光治疗） -工业材料加工（如焊接、焊接、钎焊） -泵浦固态和光纤激光器（例如Nd：YAG激光器） -传感器（例如意识传感器、气体传感器） -科研 -无线能量传输等。我们随时帮助您找到适合您工作的光源。如果您在我们的标准产品列表中没有找到合适的设备，我们可以提供适合您需求的定制解决方案。innolume Broad-area宽发射大面积激光二极管 1000-1330nm,innolume Broad-area宽发射大面积激光二极管 1000-1330nm通用参数C-mount与Submount封装型号参考部件号散热片 封装平均波长(Mean wavelength)输出功率工作电流阈值电流斜率效率Slope efficiency频谱带宽FWHM波长温度可调性慢轴光束发散快速轴光束发散台面宽度Mesa width mnWAAW/Amnnm/°CdegdegumBA-1020-XX-6WC-mount接口Submount接口1020670.60.8440.461690BA-1064-XX-6WC-mount接口Submount接口1064670.40.8640.463590BA-1064-XX-8WC-mount接口Submount接口10648100.50.8640.4735130BA-1064-XX-12WC-mount接口Submount接口106412140.70.9340.4835250BA-1064-XX-15WC-mount接口Submount接口106415180.70.9140.41034250BA-1120-XX-6WC-mount接口Submount接口1120680.70.8140.563490BA-1120-XX-8WC-mount接口Submount接口112081110.7940.4736130BA-1150-XX-4WC-mount接口Submount接口1150480.40.52100.584090BA-1160-XX-7WC-mount接口Submount接口116071410.53100.51035250BA-1180-XX-3WC-mount接口Submount接口1180360.50.39100.573890BA-1190-XX-6WC-mount接口Submount接口11906141.10.49100.5840250BA-1210-XX-4WC-mount接口Submount接口121047.50.50.56100.583490BA-1210-XX-5WC-mount接口Submount接口121059.50.60.57110.5833130BA-1210-XX-9WC-mount接口Submount接口12109171.00.5780.5927250BA-1240-XX-9WC-mount接口Submount接口12409171.50.59100.5929250BA-1280-XX-4WC-mount接口Submount接口128047.50.50.5890.573090BA-1280-XX-5WC-mount接口Submount接口12805100.70.55110.5730130BA-1290-XX-9WC-mount接口Submount接口12909201.80.5290.51131250BA-1310-XX-5WC-mount接口Submount接口13105111.00.50110.5830130BA-1320-XX-2WC-mount接口Submount接口1320230.60.5960.542830BA-1320-XX-3WC-mount接口Submount接口1320370.30.47100.584090光纤耦合封装功率参考 Broad-area大面积激光二极管(2-pin封装)波长，nm 单发射器2-pin 封装105um光纤400um光纤678785*80810306W11W10606W11W11006W11W11206W11W11503.2W11803.2W12003.2W12103.2W12703.2W13103.2W

产品概述：DPR300是一款计算机控制的超声脉冲发射接收器，具有极低的噪声接收响应和高性能的脉冲发射控制功能。连接超声探头和示波器使用，广泛应用于超声探伤、超声测厚、探头特性测量、材料特性测量等诸多领域。技术特点：◇ 35MHz带宽（60MHz可选）；◇ 极低的噪声（49 µ Vp-p input referred @ 35 MHz BW）；◇ 可调脉冲幅度高达475V（900V可选）；◇ 16档阻尼值设定；◇ 可选的高低通滤波器（高低各6个）；◇ 可选的脉冲阻抗和脉冲能量；◇ 80dB接收增益范围；◇ 操作模式：计算机控制、手动控制、计算机+手动◇ 可通过计算机自行开发相关应用。

产品描述FA233W无线发射接收器是专为电力，港口，厂矿等环境及大型机械设备研制的，实现风速风向数据的无线传输。系统稳定性高、抗干扰能力强，安装使用简便。 配合 FA 系列传感器和显示器，能实现无线发射或者接收功能。 采用加强型 ZIGBEE 无线技术，传输距离远。 采用 2.4G DSSS 直序扩频技术，抗干扰能力强。 具备中继功能，可扩展传输距离。技术参数工作电压 18V-30V DC工作电流 100mA通讯方式 RS485（9600bps）/Zigbee网络结构 星形网络天线规格 胶棒天线 2.4G 频段 5DB 增益驻波1.5 SMA 公头接口发射功率 25dbm无线频率 2.4G ISM 免费频段无线速率 固定 250K传输距离 2000m工作温度 -40 C ~ +70 C参考重量 1.0 kg外观颜色 黑色 RAL9005

一,852±10nm单模VCSEL激光器 1mw PhilipsPhilips单模VCSEL激光器具有出光功率高，线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测，以及795nm用于Rb原子钟实验，还有852nm用于CS原子冷却。852±10nm单模VCSEL激光器 1mw Philips,852±10nm单模VCSEL激光器 1mw Philips产品特点● 垂直腔面发射激光器● 窄线宽 ● 内部TEC和热敏电阻 ● 2 nm TEC的可调性● 为铷共振激发而设计TO46&TEC● 特定工作条件：激光电流IOP = 2 mA 目标波长 λt = 794.7 nm @ TOP (由TEC调节)产品应用● CPT原子钟● 光学相干实验通用参数产品尺寸带TEC管脚配置不带TEC管脚定义技术参数参数符号最小值典型值最大值单位备注入射波长λR851852853nmT = 20°C, ITEC = 0, POP= 0.5 mW阈值电流ITH0.50mAT = 20°C输出功率Popt0.50mWT = 0 … 50°C阈值电压UTH1.80V激光电流IOP2.0mAPopt = 0.5 mW激光电压UOP2.0VPopt = 0.5 mW电光转换率ηWP12%Popt = 0.5 mW斜率效能ηS0.3W/AT = 20°C微分串联电阻RS250ΩPopt = 0.5 mW3dB调制带宽ν3dB0.10GHzPopt = 0.5 mW(由于ESD防护二极管)相对噪声强度RIN-130-120dB/HzPopt = 0.3 mW @ 1 GHz波长调谐电流0.6nm/mA波长调谐温度0.06nm/K热电阻Rthermal35K/mW边模式抑制30dB光束发散度θ1025°Popt = 0.5 mW满1/e2带宽光谱带宽Δν100MHzPopt = 0.5 mWTEC电流ITEC500mA需适当散热器NTC热敏电阻9.510.010.5kΩT= 25°C,NTC温度依赖性10/exp[3892(1/298K-1/TOP)]kΩ波长调谐TEC电流0.008nm/mATEC电流 200 mA绝对最大值● 储存温度 -40～125°C ● 工作温度 -20～80°C● 电功率损耗 5 mW● 正向激光电流 2 mA● 反向电流 10 mA ● 焊接温度* 270C°● *TEC 温度必须低于 150°C光谱图二, VCSEL 垂直腔面发射半导体激光器 1567/1550nm 1mW垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。它具有较小的远场发散角，发散角光束窄且圆；并且阈值电流低，调制频率高，能达到300KHz。通过改变激光电流跟温度可以实现波长调谐。内置TEC和PD的包装，它专为高速光纤通信而设计。VCSEL 垂直腔面发射半导体激光器 1567/1550nm 1mW ,VCSEL 垂直腔面发射半导体激光器 1567/1550nm 1mW产品特点● 7 Pin 小尺寸● 非球面透镜帽● 集成TEC控制温度稳定● 输出功率1.6mW● 单模，可以通过C-L波段● 具有宽谱调谐范围：8nm● 快速波长调谐（~100KHz）产品应用● TDLAS 测量气体系统● 人脸识别● 激光雷达● 数据中心，云计算通用参数条件：P=20°C，IO P=2.0mA，除非另有说明(P=芯片背面温度，由TEC控制)参数符号值单位Min典型Max光输出峰值功率@25 CP1.01.6mW工作偏置电流Iop01825mA工作温度范围Top-402585°C阈值电流Ith812mA斜率效率(CW，Tc=25°C)Se0.140.18mW/mA激光驱动电压VCC01.52.5V阻力RS50Ω中心波长请在订购单中注明所需的中心波长。Δλ15251575nm保证调谐范围施加正电压会降低峰值波长。λ810nm最大频率调谐响应fmax100200-KHz侧模抑制比SMSR3040dB线宽(-3dB半高宽)，连续偏压=IOPσ300MHz相对强度噪声RIN-128dB/Hz调谐电压Vture0Test SheetTest SheetV调谐电流Itune0-100μATec电压VTEC0.351.5VTec电流ITEC0.050.6A实验数据我们对于VCSEL激光器进行了相关实验，测量了VCSEL激光器的电压，电流与波长的关系，以及频率的关系。 VCSEL光谱图 VCSEL激光器测量底座1、电压与波长的关系我们给激光器加载4-18V的电压，每2V电压增加一个点，测量如上图数据，我们会发现，随着电压的增加，波长随着减小，减小了8nm左右，呈现负向接近线性曲线。2、电流与波长的关系我们保持电压恒定，电流调节，从13到25mA,每3mA测试一次，发现电流调节，波长大小变化比较大，且呈现一个正向线性曲线。3、加载不同频率的变化加载5V电压，20KHz频率波形 加载5V电压，40KHz频率波形加载5V电压，60KHz频率波形 加载5V电压，80KHz频率波形加载5V电压，100KHz频率波形加载5V电压，120KHz频率波形加载5V电压，140KHz频率波形固定给5V电压，调整频率值，得到以上图形，我们的调制频率很高，可以携带更多的信息，响应速度更快。VCSEL激光的产生主要由三部分组成，即激光工作物质、泵浦源和光学谐振腔。利用泵浦源对工作物质进行激励，形成粒子数反转，发出激光。在通过底部和顶部反射镜组成的谐振腔，在激光腔内放大振荡，并从顶部反射镜输出，输出的光线只集中在中间不带有氧化层的部分输出，形成了垂直腔面的激光发射，从而得到稳定，持续，有一定功率的高质量激光。

产品详情德Optosol-K3 太阳能吸收率发射率检测仪： K3型发射率检测仪由一个被加热到70℃的发光体（作为热辐射源）和三个对波长在8-14μm范围的光线敏感的探测器组成。 来自发光体的辐射均匀分布在用作漫射辐射源的积分球内。检测器以与样品表面法线成12°的角度安装。被测量的是由样品反射回来的辐射。在上述波长范围内，用两个已知发射值的样品来进行检测信号的校准，这两个样品其中一个发射率高，如玻璃；另一个样品的发射率低或者其发射率与待测样品相接近。Manual absorber centrol K3-V9两种类型的测量误差只能通过小心使用仪器来避免。首先,球体通量取决于样品的反射率。这种效应在一定程度上纠正了数值。 但是推荐使其次,样品可以在测量期间可以被次级辐射加热。次级辐射限制了测量精度。当测量高发射率样品或参考物时，效果更为显着。另外，建议将样品与积分球体接触的时间，只在进行必要测量的时间段。使用吸收率检测仪器进行高精度检测的注意事项：- 在运行吸收率检测仪期间应尽量避开交流调制的环境光线。- 特别注意要关掉荧光灯光源。日光或其它直流人工光线不会对吸收率检测仪的工作造成影响。- 在使用Alphameter检测仪和发射率检测仪进行检测时，应避开空气对流或暴露于热源下（包括直射的太阳光线！）。- 在开始检测前1小时运行发射率检测仪。- 在不使用吸收率检测仪时，应保持探头和校准用标准件的清洁 测量首先，检测平面或圆柱体面样品时请确保使用正确的附件。请确保发射率检测仪有足够的加热时间(半小时以上)。alphameter检测头可与检测孔可以向上和向下使用。 对于小件和参考测量的测量，建议使用向上的位置。 测量结束后，蓝色状态栏中的会显示“Ready”指示。如果您正在测量各种非均质样品，请确保样品始终处于正确的位置，此时对于测量的建议，应该让样品的不同取向与积分球校准后进行。在每个样品完成检测后，其检测结果会在窗口上进行显示并储存到IRAM.txt文件中。建议首先输入样品名称和检测起始号。如果用户未设置检测起始号，检测编号将自动递增。检测结果文件记录以下数据：。日期。时间。样品名称（如用户所输入的名称）。检测的类别（吸收率、发射率或者两者都有）。太阳能吸收率或发射率检测值。每一波长范围内的检测值所有的检测结果将储存到 iram.txt 文件中。不会有检测结果丢失的现象发生。为快速的找到检测数据，建议将检测数据储存在AlphaM.txt文件中或间隔一定周期（比如每周或每月）对iram.txt文件进行重新命名。或者直接复制这些数据到一个电子制表软件(例如 Excel)，以获得更快的数据访问。如果您想打印出检测曲线，请按“Print”按钮。 建议间隔一定时期（如1小时）重新进行一次参考检测。目的是检测白色参考插头的稳定性。测得的值如在95%到97%之间，则视为稳定. 使用alphamter检测仪进行检测在使用Alphameter检测仪进行检测前，必须先完成三个参考检测：一个是理想的黑色表面物的检测、一个是“灰色”表面物的检测以及一个白色表面物的检测.为了获得上述三个参考检测值，第一步（取下管状样品参考后，按下Dark ref 按钮（功能键F1）。之后出现一个信息对话窗口，提示您将参考品翻入暗室中（将黑色参考插头（随机附带）放置到Alphameter检测仪探测器的探头孔上｝。通过按下电脑上的Space键可进行连续检测，然后按下回车键或用鼠标点击OK。Manual absorber control K3 – V9 Optosol GmbH10此处所指的暗室可以是一个空间足够大的纸板箱，以避免环境光线进入Alphameter检测仪探头的积分球内。请确保Alphameter检测仪探头开孔外的10cm范围内无任何物体。否则所测得的吸收率可能只是待测件的部分吸收率，原因或许是检测环境没有达到理想的黑色环境。按下 White ref （功能键 F2）即可开始第二项校准。同样会出现一个信息对话窗口，提示您将白色参考插头（随机附带）放置到Alphameter检测仪探测器的探头孔上。随后的操作步骤同上。请注意，白色标准件（White Standard）指示的96%反射比为原始系数，其中未考虑球体透光修正。存储在文件iram.ini中的更正值为97.5％。白色参考检测是最为重要的检测项目，要尽可能地进行多次检测。考虑到球体的透光率，还需进行第三种参考样品的检测。球壁的反射比决定了探测器接收到的辐射量或决定了所谓的球体透光率。当样品作为球壁的一个组成部分的情况下，球体的透光率将取决于样品的透光率。其数字上的修正通过检测第三个参考样品得以完成。按下Grey ref(功能键F3) 按钮即可进行灰色参考值检测。此项检测不经常进行，只有在检查球体透光率是否因球面不干净而发生变化时进行。 参考测量的校准系数存储在IRAN.ini文件（目录IRAM）中。当参考测量完成时，参考按钮（功能键F1-F3）从粗体变为正常。 否则将使用旧设置进行样品测量。 我们建议在设备关闭时，时常重复参考测量。 当进行参考测量时，参考测量的标签从粗体字符变为正常。如果您认为白色参考样品不是理想的白色，可以在去离子水用240号砂纸对参考插头进行清洁。Manual absorber control K3 – V9 Optosol GmbH11通过把平面样品直接放置在alphameter检测器头的检测孔上之后，通过按下 样品（F4功能键）来进行吸收测量。对于测量波长范围（0.38-1.55μm）的时候，完整的太阳能吸收值可以立即被计算出，存储并显示在屏幕上。 使用发射率检测仪进行检测发射率检测仪检测的是黑色发光体发射出的和待测样品反射出的辐射。 发射率检测仪的开口式设计可以进行平板表面或圆柱形表面物体的检测，而且平面样品可以直接放在发射率检测仪探测头的探测孔上，但是这种设计使发射器对温度的变化很敏感，因此，应慢慢的操作发射率检测仪，以避免空气流动而导致发射器温度变凉。同时，还要考虑高发射率样品可能被快速加热这一因素。被加热样品的辐射会对检测产生干扰。因此，对高发射样品的检测应尽快完成。 样品必须具有小于70％的发射率，以确保测量的足够的精度。在启动检测仪器半小时后，等到能源和积分球处于平衡状态之前，请先等待。 使用发射率检测仪进行检测要求先进行两种参考标准的检测，一个为低发射率参考标准检测，另一个为高发射率参考标准检测。平面样品：首先通过按下按钮 Low e ref(F6功能键）对低发射率（金属片）参考标准进行检测，然后通过按下按钮 High e ref (F7功能键）对高发射率（镀金属片）参考标准进行检测。 管状样品：首先通过按下按钮 Low e ref(F6功能键）对低发射率（金属部分）参考标准进行检测，然后通过按下按钮 High e ref (F7功能键）对高发射率（弯曲的金属板）参考标准进行检测。 按下 Sample (F9功能键）可以开始对样品进行测量。在波长范围3.9-50 （线性外推法）μm用一个加权积分和在iram.ini 文件中指定的普朗克黑体辐射定律热发射率被计算出。同样，全部的检测结果将储存到IRAM.txt文件里。不会有检测结果丢失现象发生。综合测量建议一起进行吸收和发射测量，因为发射率也由NIR值决定。这可以通过用按钮（F11功能键）测量吸收率，随后进行发射测量（F12功能键）（将样品转移到发射装置）之后进行。光谱的两个部分将被合并和显示。 单次测量（左）和组合测量（右）之间的差异如果选择了组合测量，则光谱反射率的插入曲线会被显示（右侧图）。现在 这个太阳能吸收率和热发射率在波长范围0.38-50（线性外推法）μm被计算出来，并存储在IRAM.txt 文件里的一行中。 故障排除指南Alphameter检测仪的二级管不亮请检查串行端口的定义或检查电子盒主开关上的保险丝。使用Alphameter检测仪进行检测时，检测值异常请使用诊断窗口选项检查原始数据值。进行重复检测后某个光源仍有较大误差时，说明该光源存在故障。使用发射率检测仪进行检测时，检测值异常请确保红外光源处于正常的工作状态。交付的物品交付的物品包括在内的是：-电子控制主机-alphameter 检测器头：-alphameter 配件：白色参考物灰色参考物黑色参考物-发射率检测仪探头-发射率检测仪配件：低发射率参考标准物（金属）高发射率参考标准物-电脑连接线-电源线-软件-电脑（可选）

THA2700氦等离子体发射光谱分析模块仪器功能 THA2700氦等离子体发射光谱分析模块可以安装于气相色谱分析仪，作为色谱分析的检测器，用于定量分析各种气体成分浓度。由于分析模块具有很高的灵敏度，因此适合不同浓度范围的分析，尤其适合微量或痕量气体分析，并使得色谱分析更加简便，分析结果更加准确。工作原理氦等离子体发射光谱分析模块采用高频高压电源电离气体，产生正电荷离子和自由电子，形成等离子体环境。正电荷离子、自由电子在电场的作用下分别加速移向负极、正极。由于碰撞，离子和电子将自身能量传递给原子，使得气态原子被激发。原子被激发后，其外层电子发生能级跃迁，在返回基态时发射特征光谱。通过对特征光谱的检测，分析出各种气体成分的浓度。技术参数 工作环境温度: (5～40)℃；输出信号：-2.5V～+2.5V；24V直流电源：≥10W，纹波电流≤120mVp-p；气路接口：1/16英寸；流量范围：10mL/min～100mL/min；常规流量：20mL/min。技术指标分析成分：H2,O2,N2,CH4,CO,CO2,H2S,N2O,CNHM等；载气：高纯氦气；检出限：≤10×10-9；含尘量：≤0.1um；重量：约1.5kg；主体尺寸：约170*111*90mm。技术优势u 原子发射光谱，灵敏度高，准确度高。u 高频高压电离源，稳定性好，无辐射、放射性问题。u 无消耗性部件，仪器使用寿命长。典型工程应用领域u 空分氦气分析u 高纯气体分析u 科学实验室气相色谱u 工业在线气相色谱

FeaturesPhotoconductive antenna THz emitter and detectorBuild-in hyper-spherical high-resistivity silicon lens0.1&ndash 3 THz spectral rangeSub-picosecond temporal resolutionApplicationsTHz time domain spectroscopyTHz imagingOptical pump-THz probe spectroscopyIntroductionThe terahertz (THz) and sub-THz frequency region (100 GHz &ndash 10 THz) of the electromagnetic spectrum bridges the gap between the microwaves and infrared. The &ldquo THz gap&rdquo is attractive because of many possible applications of terahertz radiation: absorption or reflection spectroscopy, imaging of biological and other objects, THz tomography, ultrafast pump-probe spectroscopy.Ekspla introduces the main building blocks for any THz system &ndash THz emitter and detector. THz emitter and/or THz detector consists of a microstrip photoconductive antenna fabricated on low-temperature grown GaAs (LT-GaAs) substrate pumped by ultrafast laser with shorter than 150 fs pulse duration. THz radiation is collected and collimated by integrated Si lens, mounted on X-Y stage. Photoconductive antenna geometry, parameters of the Si lens, as well as the properties of LT-GaAs epitaxial layers are optimized for highest THz radiation output efficiency while preserving optimal bandwidth. As a result, typical emitted THz radiation power exceeds 10 µ W when pumped by mode-locked Ti:S laser with 100 mW output power and 150 fs pulse duration. FWHM bandwidth of detection system exceeds 700 GHz with usable spectral range of 0.1&ndash 3 THz.THz imagingTHz radiation has an ability to penetrate deep into many organicsmaterials, which makes THz imaging attractive for imaging of biological samples. Image of the sample can be obtained by raster-scanning ofthe sample trough the focused THz beam. Sub-millimeter resolution was reported in scientific literature.THz Time Domain SpectroscopyFig. 1. THz time domain spectrosopy optical layoutThe most typical application of THz emitter and detector is THz Time Domain Spectroscopy (THz-TDS). THz-TDS setup is shown in Fig. 1. Subpicosecond pulses of THz radiation are detectedafter propagation through a sample and an identical length of a free space. A comparison of the Fourier transforms of these pulse shapes gives the absorption spectra of the sample under investigation.Pump-Probe THz ExperimentsFemtosecond lasers let to investigate ultrafast nonequilibrium dynamics in semiconductors. For this aim, optical-pump-optical-probe techniques are usually employed. In such experiments, an intense optical pump pulse is used to excite free carriers in a sample, while a weaker probe beam monitors changes in its optical properties. In contrary to the optical probe, terahertz probe pulses are non-resonant with the band gap of semiconductor under investigation and, because of this, can be used as direct probes of free-carrier dynamics avoiding numerous experimental artefacts typical for optical-pump-optical-probe systems.THz Spectroscopy KitOur &ldquo THz spectroscopy kit&rdquo contains all the components necessary to build THz-TDS system. The standard kit consists of photoconductive antenna THz emitter and detector, pump laser beam guiding optics, motorized delay line and bias power supply, THz beam guiding mirrors, sample holder and lock-in amplifier. All the components are assembled and tested on the baseplate of 60× 80 cm dimensions. The configuration of the kit can be easily modified, for example, sample holder can be mounted on motorized X-Y stage for imaging experiments.Fig. 2. THz pulse waveform (a) and spectrum (b)Typical examples of data collected are shown in Fig. 2. The THz pulse waveform and its Fourier spectrum were measured without sample inserted between emitter and detector in ambient air or argon atmosphere. The distance between emitter and detector is 30 cm.Requests for custom-made version are welcome!

FeaturesLow temperature (LT) grown GaBiAs dipole structureOptimized for lasers with 1030 nm and shorter wavelength (cost effective)Wide spectral range 0.2-5 THzBuild-in hemispherical high-resistivity silicon lensApplicationsTHz time domain spectroscopyTHz imagingOptical pump &ndash THz probe spectroscopyTHz emitterTHz emitter from LT GaBiAs epitaxial layer has on its surface a coplanar Hertzian dipole type antenna structure with a width of 70 µ m, the width of the photosensitive gap is 20 µ m. GaBiAs layer is mesa-et ched in order to achieve high dark resistance and to simplify the laser beam alignment. High photosensitivity of the material allows to use for the excitation very low average power generated by, e.g., femtosecond fiberlasers. The efficiencyof the optical to THz power conversion reaching 0.0007 is larger than for other photoconductive THz devices.Average THz power as a function on the bias on GaBiAs emitter measured by the Golay cellTHz DetectorTHz detectors manufactured from newly developed GaBiAs epitaxial layers can be used for in TDS systems activated by 1060 nm and shorter wavelength laser pulses. High electron mobility (~5000 cm2/Vs) in the layer guaranties excellent sensitivity of the device due to the shorter than 0.5 ps electron lifetime the detector is sensitive in the frequency range from 200 GHz to 5 THz. Detector is mounted together with 15 mm diameter hemispherical lens from high-resistivity silicon in an opto-mechanical holder with in-plane micro positioning capability and SMA connector.

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