碳化硅SiC、氮化镓、氧化镓和金刚石等第三代半导体是制造高温、高压、高频、大功率半导体器件的优良材料。受原子尺度制造的极限难度挑战，低阻p型SiC和原子尺度色心的制备仍是亟待解决的难题。基于离子注入和飞秒激光加工、原子尺度模拟、变温共聚焦拉曼/荧光光谱等方法，研究了Al离子注入SiC的电学性能，以及SiC硅空位、双空位色心、金刚石色心的加工产率。
