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阴极发光成像技术的发展及其在表征半导体材料研究中的作用

主讲人:Sangeetha Hari(荷兰Delmic公司) 上传时间:2021/06/30 18:29
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阴极发光(CL)是一种多功能技术,用于研究具有深层亚波长分辨率的光学特性。阴极荧光光谱是一个强大的成像工具,用于探究和了解半导体的许多有趣关键属性,无论是块体还是微/纳米结构的形式。在本篇报告中,Sangeetha 将介绍用于在扫描电子显微镜中进行阴极发光成像的硬件和成像方法,并讨论其在半导体领域的最新应用成果。

讲师简介:

Sangeetha Hari于2005年获得印度德里大学物理学理学士(荣誉)学位,2007年获得物理学硕士学位。随后,她在印度孟买的塔塔基础研究所担任原子和分子物理学研究学者,开发用于研究电子-分子碰撞的飞行时间光谱系统。随后,她加入荷兰代尔夫特理工大学应用科学系,从事扫描电子显微镜(SEM)中30纳米以下光刻的新技术研究,并于2017年获得博士学位。她开发了从高分辨率SEM图像中提取定量信息的成像技术,使用二次成像和反向散射电子成像的组合。在此期间,她与鹿特丹伊拉斯姆斯Erasmus MC合作开展了一个跨学科研究项目,为光学超分辨显微镜开发校准标准。Sangeetha现任Delmic担任应用专家,致力于以SPARC系统为核心的阴极发光研究,以及基于SECOM系统的光电关联显微镜成像。

相关领域:

(仪器仪表)-(仪器仪表)

相关仪器:

(光学仪器及设备)-(电子显微镜)-(透射电子显微镜(透射电镜、TEM))

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