通过硅光技术促进光电子和微电子的融合成为当前的重要研究方向。其中极具产业化前景的技术路线之一是在硅晶圆上外延生长III-V族光电子器件。本报告主要介绍（1）通过阴极电流成像、阴极发光成像表征硅基III-V族薄膜中的缺陷及其对III-V/Si级联太阳能电池、片上光源性能的影响；（2）真空互联系统对III-V/Si外延集成可能带来的变革。
