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等离子增强化学气相沉积与反应刻蚀复合系统-进口

化学气相沉积（CVD）品牌：矽基科技型号：SKE102012

仪器名称：

等离子增强化学气相沉积与反应刻蚀复合系统-进口

英文名称：

PECVD

所属分类：

工艺试验仪器 > 电子工艺实验设备 > 半导体集成电路工艺实验设备

学科领域：

信息科学与系统科学

主要技术指标：

1.1 技术指标 1、工艺腔室 1.1 PECVD腔体尺寸：約 Ø320 (D) mm × 150 (H) mm 1.2腔体材质：SUS304不锈钢 1.3全周氩焊，内部、外部电解抛光处理 1.4 RIE腔体尺寸：約 Ø320 (D) mm × 250 (H) mm 1.5腔体材质：SUS304不锈钢 1.6全周氩焊，内部、外部电解抛光处理 1.7外箱尺寸：约1200 (D) mm × 1300 (W) mm × 1700 (H) mm 1.8外箱材质：铁机架烤漆处理可适用于半导体无尘室，整体机台架构含底部活动导轮与高度可调式固定撑盘 1.9两腔为手动上开式门 1.10两腔体侧壁2 inch窗口，可观察内部等离子反应情況 1.11两腔体均采用多层式气体导入 (shower head)，金属气孔分布电极设计 2、真空系统 2.1▲两腔共用干式真空泵，干泵采用Hanbell P602-A，最高排气速度500 m3/hour (50Hz)，吸气口径ISO100转接NW50法兰，排气口径NW40，极限压力<=7.5*10-4 torr="">

主要功能：

PECVD设备可用于在基片上沉积SiO2、Si3N4薄膜，RIE设备兼有物理和化学作用对各种金属、氧化物膜等进行刻蚀，形成各种精细的图案

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