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原子层沉积系统

原子层沉积系统（ALD）品牌：锡迈纳德微纳技术有限公司型号：P-100-52

仪器名称：

原子层沉积系统

英文名称：

所属分类：

工艺试验仪器 > 加工工艺实验设备 > 其他

学科领域：

化学工程

主要技术指标：

原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基底上化学吸附并反应形成沉积膜的一种技术。当前驱体达到沉积基底表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗。由此可知沉积反应前驱体物质能否在被沉积材料表面化学吸附是实现原子层沉积的关键。任何气相物质在材料表面都可以进行物理吸附，但是要实现在材料表面的化学吸附必须具有一定的活化能，因此能否实现原子层沉积，选择合适的反应前驱体物质是很重要的。原子层沉积的表面反应具有自限制性(self-limiting)，实际上这种自限制性特征正是原子层沉积技术的基础。不断重复这种自限制反应就形成所需要的薄膜。根据上述原子层沉积的原理，前驱体的挥发性和稳定性、反应剂与基体材料和相互之间的反应是能够实现原子层沉积所必须考虑的因素。

主要功能：

原子层沉积技术在沉积反应原理、沉积反应条件的要求和沉积层的质量上都与传统的PVD和CVD不同，表1比较了它们之间的主要异同点。可以看出，对于超薄膜材料而言，原子层沉积除了其沉积速率较慢外，其他优点是传统的PVD和CVD技术所无可比拟的。对于不断缩微化的硅集成电路材料，其使用材料的几何厚度已低达1nm，这时沉积速率慢的缺点就不再是主要矛盾，而精确的薄膜厚度和成分控制、优秀的表面覆盖率和沉积均匀性更重要。

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