典型用户

基于硅基衬底的化学气相沉积设备

化学气相沉积（CVD）品牌：青岛赛瑞达电子装置股份有限公司型号：pecvd

仪器名称：

基于硅基衬底的化学气相沉积设备

英文名称：

Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

所属分类：

分析仪器 > 电化学仪器 > 其他

学科领域：

材料科学电子与通信技术

主要技术指标：

1）最大样品尺寸：Φ100mm；（2）膜厚均匀性：≤±5%；（3）膜厚重复性≤±3%；（4）样品台升降：（匀流）板-基（片）距30-60mm；（5）极限真空： ≤9.0×10-5Pa；（6）真空测量范围：大气～1×10-5Pa；（7）流量控制精度：满量程的25%～100% 时，≤±1%、2%～25%时≤±0.25%；（8）加热温度：室温～500℃；（9）控温精度：1%；（10）压力控制器精度优于0.2%。

主要功能：

在核辐射探测器基片上采用化学气相沉积（CVD）的方法来实现单晶硅掺杂、多晶硅、氮化硅、氧化硅等功能层的外延生长，实现微栅结构。主要用于与CsI(Tl)晶体配套采用的雪崩二极管（APD）的研制、硅微条探测器读出方式的改进、太阳能电池的原理性研究等多个方面。

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