典型用户

离子束刻蚀设备

其它通用分析品牌：北京创世威纳科技有限公司型号：MIBE-150A

仪器名称：

离子束刻蚀设备

英文名称：

Ion beam etching equipment

所属分类：

其他仪器 > 其他 > 其他

学科领域：

物理学

主要技术指标：

1、刻蚀室极限真空度：≤9.0×10-5Pa； 2、刻蚀材料：硅、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物、陶瓷以及各种金属、非金属硬质薄膜等； 3、刻蚀速率：≥ 10 nm ~ 200 nm /min (视具体刻蚀材料与工艺)； 4、离子源：Φ150mm口径圆形直流离子源； 5、Ar+离子能量范围： 100~1000 eV； 6、离子束流密度： 0~1 mA/cm2。

主要功能：

本设备具有微结构光电子器件样品进行微米量级图形曝光制作的能力，可以作为刻蚀系统的后套工序在衬底上形成精细图形。

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