典型用户

氮化硅PECVD

化学气相沉积（CVD）品牌：鲁汶仪器型号：LHQ-200

仪器名称：

氮化硅PECVD

英文名称：

Si3N4 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition System

所属分类：

工艺试验仪器 > 电子工艺实验设备 > 半导体集成电路工艺实验设备

学科领域：

化学信息与系统科学相关工程与技术材料科学化学工程

主要技术指标：

 主反应腔室：可提供高真空、射频、高温、等离子体环境的腔室，完成镀膜的场所；  LHQ-200 系统平台：镀膜系统还包括 RF 射频系统、供气系统、抽气系统、冷却系统，供气系统由流量计控制其流量，并由真空计测其真空度；  RF 射频系统：LHQ-200 的 RF 射频匹配器电源功率 1000W，使用范围 0~1000W；

主要功能：

本设备是一种新型的 PECVD（等离子增强化学气相淀积），它是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。本设备可以用于在基片上生成高质量 SiNx，SiO2和α-Si 等薄膜。

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