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InGaAs PIN光电二极管MPGD3551Y
1、说明
基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm, φ75μm, φ300
μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm，φ5000μm
等光敏面积直径的系列产品，可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件
。
2、特点
平面正照结构、快响应时间、低暗电流、高响应度、高可靠性。
3、应用
光纤通信、数据/图象传输、光纤传感应用、快速光脉冲检测。
4、最大额定值
最大额定值 | 单位 | 最大额定值 | 单位 | ||
工作电压 | 15 | V | 功耗 | 10 | mW |
正向电流 | 10 | mA | 工作温度 | -40~100 | ℃ |
焊接条件 | 260（10秒） | ℃ | 存储温度 | -45~120 | ℃ |
5、参数性能（Ta=23℃）
参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 | |
光敏面直径 | Φ | 500 | μm | ||||
光参数 | 光谱响应范围 | λ | 900～1700 | nm | |||
响应度 | Re | VR=5V,λ=1.3μm，Φe=100μW | 0.85 | 0.90 | A/W | ||
VR=5V,λ=1.55μm，Φe=100μW | 0.90 | 0.95 | |||||
响应线性饱和功率 | VR =5V | 4 | mW | ||||
响应时间 | tr | VR=5V; RL=50Ω | 2.5 | ns | |||
电参数 | 电容 | C | f=1MHz,VR=5V | 9.0 | 12.0 | pF | |
反向击穿电压 | VBR | IR=10μA | 50 | V | |||
暗电流 | ID | VR=5V | 1 | 5 | nA | ||
分流电阻 | Rs | VR =10mV | 30 | MΩ | |||
6、封装、管壳框图及管脚接法 (单位：mm)
7、特性曲线
8、使用方法及注意事项
器件在反向偏置 5V下工作。
使用中防止剧烈震动、冲击，以免光窗被损坏。
使用前请用酒精脱脂棉将光窗擦拭干净。
在贮运、使用过程中必须采取适当的静电防护措施，以免器件失效。
筱晓（上海）光子技术有限公司
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上海市青浦区佳杰路99号长三角漕河泾绿洲智谷A5栋三楼
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