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InGaAs PIN光电二极管MPGT3552T
1、说明
基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm, φ75μm, φ300μm, φ500μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm，φ5000μm等光敏面积直径的系列产品，可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。
2、特点
平面正照结构，快响应时间，大光敏面积，高响应度，高可靠性。
3、应用
光功率计量监控等仪器仪表，光谱、光纤特性测试，激光测距、激光雷达等空间通信，其他应用如光纤传感。
4、最大额定值
最大额定值 | 单位 | 最大额定值 | 单位 | ||
工作电压 | 15 | V | 最大耗散功率 | 100 | mW |
正向电流 | 10 | mA | 工作温度 | -40~100 | ℃ |
焊接温度 | 260（10秒） | ℃ | 存储温度 | -45~120 | ℃ |
5、参数性能（Ta=23℃）
参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 | |||
光敏面直径 | Φ | 800 | μm | ||||||
光参数 | 光谱响应范围 | λ | 900～1700 | nm | |||||
响应度 | Re | VR=5V，λ=1.3μm，Φe=100μW | 0.90 | A/W | |||||
VR=5V，λ=1.55μm，Φe=100μW | 0.95 | ||||||||
响应线性饱和功率 | LR | VR =5V, λ=1.55μm | 10 | mW | |||||
响应度线性 | δR | VR =5V，λ=1.55μm， 1μW～10mW | ±0.1 | dB | |||||
响应时间 | tr | VR=5V,RL=50Ω | 3.5 | ns | |||||
电参数 | 暗电流 | ID | VR=5V | 2.0 | 10.0 | nA | |||
反向击穿电压 | VBR | IR=10μA | 60 | V | |||||
电容 | C | f=1MHz,VR=5V | 20 | 40 | PF | ||||
分流电阻 | RS | VR =10mV | 50 | MΩ | |||||
6、封装、管壳框图及管脚接法 (单位：mm)
标准封装：5501、FC插拔。
其他封装：陶瓷载体、衰减膜及其他用户要求的形式。
7、特性曲线
8、使用方法及注意事项
器件在反偏下工作。
使用中防止剧烈震动、冲击，以免器件损坏。
在使用前请将光窗用酒精和脱脂棉清洗干净。
在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施，以免器件失效。
筱晓（上海）光子技术有限公司
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