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InGaAs PIN四元探测器MPGD3540T
1、说明
基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm，φ75μm, φ300μm，φ500μm，φ800μm，φ1000μm，φ3000μm，φ5000μm等光敏面积直径的系列产品，可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。
2、特点
平面正照结构，低暗电流，高均匀性，高可靠性。
3、应用
激光导引头，激光经纬仪，光电跟踪、定位，光电准直仪器等。
4、最大额定值
最大额定值 | 单位 | 最大额定值 | 单位 | ||
工作电压 | 5 | V | 功耗 | 10 | mW |
正向电流 | 10 | mA | 工作温度 | -40~100 | ℃ |
焊接条件 | 260℃，10秒 | 存储温度 | -45~120 | ℃ | |
5、参数性能（Ta=23℃）
参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 | |
光敏面直径 | Φ | 4×1500 | μm | ||||
光参数 | 光谱响应范围 | λ | 900～1700 | nm | |||
响应度 | Re | VR=10mV,λ=1.3μm，φe=100μw | 0.85 | 0.90 | A/W | ||
VR=10mV,λ=1.3μm，φe=100μw | 0.90 | 0.95 | |||||
响应线性饱和功率 | VR =10m V | 3 | mW | ||||
电参数 | 暗电流 | ID | VR=10mV | 0.2 | 1.0 | nA | |
反向击穿电压 | VBR | IR=10μA | 50 | V | |||
电容 | C | f=1MHz,VR=10mV | 300 | pF | |||
分流电阻 | Rsh | 30 | MΩ | ||||
6、封装、管壳框图及管脚接法 (单位：mm)
管脚接法
7、使用方法及注意事项
器件在零偏下使用
。
使用中防止剧烈震动、冲击，以免器件损坏。
在使用前请将光窗用酒精和脱脂棉清洗干净
。
在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施，以免器件失效。
筱晓（上海）光子技术有限公司
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上海市青浦区佳杰路99号长三角漕河泾绿洲智谷A5栋三楼
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