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筱晓（上海）光子技术有限公司

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光电探测器 InGaAs Si Ge大光敏面探测器

品牌： 完美光子
供货周期： 现货
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产品介绍

400-860-5168转3429

光电探测器

雪崩二极管

 

提供Si, InGaAs类型雪崩二极管（APD）及其模块。 

SAE系列雪崩二极管 

SAE230VS和SAE500VS是普遍通用的硅类雪崩光电二极管，在400~1000nm范围具有高灵敏度，相当快的响应速度，峰值响应位于650nm，适合可见波段目标探测。各种类型封装形式可选。 

特点： 

高量子效率 

低噪声，高速度 

高增益，M>100 

500um探测靶面 

平缓的增益曲线 

宽温工作范围 

雪崩光电二极管


 

 

 系列8 – 高速/高增益 

型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容上升时间温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μAM=100(pF)@M=100(ps)UBR (V/K)(W/Hz1/2)AD100-8TO52S1?0.1000.007850.05120-1900.8<180典型值：0.453×10-15AD230-8TO52S1?0.2300.0420.31.21801×10-14AD230-8LCC6.1AD500-8TO52S1?0.5000.1960.5-12.23502×10-14AD500-8TO52S2AD500-8LCC6.1AD800-8TO5i?0.8000.502.05.07004×10-14AD1100-8TO5i?1.1301.004.08.010008×10-14AD1900-8TO5i?1.9503.0015.020.014001.5×10-13AD2500-8TO5i?2.5205.0020.028.015003×10-13AD3000-8TO5i?3.0007.0730.045.020004.5×10-13AD5000-8TO8i?5.00019.6360.0120.030009×10-13

 

 

系列9 – 近红外增强响应 

型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容上升时间温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μAM=100(pF)@M=100(ps)UBR (V/K)(W/Hz1/2)AD230-9TO52S1?0.2300.0420.5180-2400.8500典型值：1.551×10-14AD230-9TO52S3AD500-9TO52S1?0.5000.1960.81.25502×10-14AD500-9TO52S2AD500-9TO52S3AD800-9TO5i?0.8000.502.02.013004×10-14AD1100-9TO5i?1.1301.004.03.013008×10-14AD1900-9TO5i?1.9503.0015.08.014001.5×10-13AD2500-9TO5i?2.5205.0020.012.015003×10-13AD3000-9TO5i?3.0007.0730.018.020004.5×10-13AD5000-9TO8i?5.00019.6360.045.030009×10-13

 

 

阵列

AA16-9DIL180.648×0.2080.1355.0100…3002.02000典型值：1.552×10-14AA16D-9SOJ22GL1.000×0.4050.405AA8-9SOJ22GL1.000×0.4050.4051.5AA16-0.13-9SOJ22GL0.648×0.2080.135-

 

 

系列10 – 1064nm 增强

型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容(pF)上升时间(ns) Vop温度系数噪声电流芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@Vop@ID = 2μA@Vop 100kHz@1064nm，50ΩVBR Tk(V/K)@Vop (A/Hz1/2)AD500-10TO5i? 0.5000.1965320-5000.85典型值：3.5典型值：1×10-12AD1500-10TO5i? 1.5001.7710300-5001.98

注：Vop – 工作电压

 

 

系列11 – 蓝光增强

型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容(pF)上升时间 (ns)温度系数噪声电流(A/Hz1/2)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μA@M=100,100kHz@410nm，50ΩVBR Tk(V/K)@M=100AD800-11TO52S1? 0.8000.51.0100-2002.51典型值：0.881×10-14AD1900-11TO5i? 1.9503.05.010.022.5×10-14

 

 

系列12 – 红光增强/高速

型号有效面积暗电流(nA)击穿电压电容截止频率温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)(nA)(V) (pF)(GHz)VBR Tk(V/K)(W/Hz1/2)AD230-12TO52S1? 0.2300.0420.160-1201.53典型值：0.21×10-14AD230-12LCC6.1AD500-12TO52S1? 0.5000.1960.24.5AD500-12LCC6.1

 

IAG系列雪崩二极管 

IAG系列雪崩二极管，是非常经济适用的InGaAs APD，在1000nm~1630nm具有高灵敏度和快速响应时间。峰值响应位于1550nm，特别适合人眼安全的激光测距，自由空间光通讯，OTDR及高分辨OCT。 

特点： 

80,200或350um探测面可选 

带宽可达2.5GHz 

1000nm~1600nm量子效率大于70% 

低暗电流&噪声 

TO-46或陶瓷封装 

  


UPD系列超快光电探测器（参造Alpha）

 

 

光电倍增管

 

光电倍增管（Photomultiplier Tube, PMT）是能够实现光信号与电信号的转化及电信号倍增的一类真空器件，是目前微弱光探测领域不可或缺的光电传感器，广泛应用于分析、医疗、核计测、高能物理、宇宙射线探测等领域。

Specifications 

Spectral Response 

185 to 900 nm 

Photocathode Material 

Multialkali 

Effective Area of PMT 

8 x 24 mm 

Supply Voltage 

1250 V dc 

Cathode Sensitivity 

Quantum Efficiency at 260 nm (Peak) 
Luminous 
Radiant 400 nm 


25.4 % typ.
250 μA/lm typ. 
74 mA/W typ. 

Anode Sensitivity 

Luminous
Radiant at 400 nm 


2500 A/lm typ. 
7.4 x 105 A/W typ. 

Gain 

1 x 105 typ. 

Anode Dark Current 
(After 30minute Storage in the darkness) 

3 nA 

  

PIN光电二极管

 

PIN光电二极管覆盖紫外到中红外，响应波长150nm~2.6μm，光敏面包括InGaAs，GaP，Si，Ge，以及四象限和双波段光电二极管。  

产品特性： 

· 光谱范围覆盖150nm~2.6μm 

· 高响应度，最高达100ps 

· 大面积光敏面达到?10mm 

· 提供FC/PC接口类型 

InGaAs

筱晓光子公司生产To-can封装系列光电探测器，采用自主设计生产的PD芯片，并且针对不同应用领域做了优化设计，使器件更加适用客户的应用条件。

产品特点

响应度高 

暗电流小 

响应速度快 

低背向反射

低互调失真

稳定性、可靠性好

 InGaAs PIN 光电探测器
型号：PDS443-C-C
特点：
◆ 平面半导体设计及介质钝化
◆ 3管脚同轴流线型外形设计，透镜管帽封装
◆ 优越的噪声特性和光电性能
◆ 气密封装、100%电老化
◆ 应用于CATV模拟接收、光纤通信系统、光功率检测等。
 

注意事项：
a 请在ESD防护下使用，避免在加电和加光时安装或拆卸器件；b 引线应尽可能短。


四象限光电二极管






 

型号有效面积典型的暗电流击穿电压最大电容间隙类型上升时间(ns)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@10V（nA）(V)@10V (pF)(μm) @850nm, 10V, 50ΩDP3.22-6TO51.4×2.33.220.3153.150, 氧化物微分30QP1-6TO5? 1.131.000.11.016, 氧化物四象限20QP2-6TO5? 1.602.000.12.020, 氧化物QP5-6TO5? 2.525.000.23.024, 氧化物QP5.8-6TO52.4×2.45.800.42.750, 氧化物QP10-6TO8S? 3.5710.000.55.028, 氧化物QP20-6TO8S? 5.0520.001.010.034, 氧化物30QP50-6TO8S?7.8050.002.025.042, 氧化物40QP100-6LCC10?11.20100.005.050.050, 氧化物50

 

型号有效面积暗电流击穿电压典型的电容间隙类型上升时间(ns)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@150V（nA）(V)@150V (pF)(μm) @1064nm, 150V, 50ΩQP45-QTO8i6.69×6.694×112020015.070四象限5QP100-QLCC1010×104×2525025.0506QP154-QTO1032i? 14.04×38.5100

 


 

位置敏感探测器

 

 

采用DUO侧向技术，连续的模拟信号输出，正比于光点偏移中心的位置。可进行一维或二维的位置测量。 

特点：                         应用： 

  

超线性输出                    光束对准 

超高精度                      位置感应 

宽动态范围                    角度测量 

高重复性                      表面轮廓 

DUO侧向结构       高度测量 

                                瞄准、导向系统 

                         运动分析 

位敏光电二极管



 

 

型号有效面积暗电流击穿电压电容维数上升时间(μs)噪声最小分辨率(μm)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@10V（nA）(V)@10V, 100kHz(pF) @865nm, 10V, 50Ω@632nm, 0.50 μWOD3.5-xSO83.5×13.56.53515单轴0.20.05OD6-7SO166.0×1610.015DL16-7CERsmd4×41630双轴0.50.06DL16-7CERpinDL100-7CERsmd10×101008030754.00.2DL100-7CERpinDL100-7LCC10DL400-7CERsmd20×204008001003500.3DL400-7CERpinDL100-LLCC1010×101005050406.00.5

 

 

频敏光电二极管



 

 

型号有效面积暗电流节电容(nF)上升时间(μs)并联电阻芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@5V（nA）Diode1, @0V(nF)Diode2, @0V(nF)Diode1, @0V, 1kΩDiode2, @0V, 1kΩDiode2, @10mVDiode2, @10mVWS7.56TO52.75×2.757.5610典型值：1.0典型值：0.11012GΩ100MΩWS7.56TO5i15

 


 

单子计数器

 

该系列单光子计数模块应用广泛，包括：共聚焦显微镜、粒子分析、荧光检测、激光雷达、天文学。特点：量子效率高、暗计数率低、计数稳定、光纤耦合可选、操作简便。 

  

Type 

Spectral range 

Dark count rate 

Efficiency 

Active dia. 

Timing resolution 

Dead time 

COUNT Series 

COUNT-500C 

400-1100nm 

<500Counts/s 

15% for 405nm
70% for 670nm
50% for 810nm 

100μm 

800ps 

55ns 

COUNT-250C 

<250Counts/s 

COUNT-100C 

<100Counts/s 

COUNT-50C 

<50Counts/s 

COUNT-20C 

<20Counts/s 

COUNT-10C 

<10Counts/s 

COUNT-blue Series 

COUNT-500B 

350-1000nm 

<500Counts/s 

55% for 405nm
70% for 532nm
55% for 670nm 

100μm 

800ps 

55ns 

COUNT-250B 

<250Counts/s 

COUNT-100B 

<100Counts/s 

COUNT-50B 

<50Counts/s 

COUNT-20B 

<20Counts/s 

COUNT-10B 

<10Counts/s 

Options 

Fiber 

FC-style fiber-optic receptable pre-aligned to the optical detector surface. 

COUNT-PSU 

Power supply for single photo counting. 

DSN 102 

Two-channel power supply for single photo counting, stand-alone version or OEM.

 


工商信息

企业名称

筱晓（上海）光子技术有限公司

企业信息已认证

企业类型

有限责任公司(自然人投资或控股)

信用代码

913101163987029680

成立日期

2014-06-26

注册资本

人民币1000.0000万元整

经营范围

从事“光电、通信、机械设备、电子、计算机、计算机网络”科技领域内的技术开发、技术咨询、技术服务,机电设备及配件,光电设备及配件,通信设备及相关产品,仪器仪表,电子元器件,计算机、软件及辅助设备,电线电缆,五金交电,建筑材料,日用百货销售,从事货物进出口及技术进出口业务,机电设备安装、维修,计算机软件开发。[依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动]

联系方式

筱晓（上海）光子技术有限公司

公司地址

上海市青浦区佳杰路99号长三角漕河泾绿洲智谷A5栋三楼

客服电话

400-860-5168转3429
光电探测器 InGaAs Si Ge大光敏面探测器由筱晓（上海）光子技术有限公司为您提供，如您想了解更多关于光电探测器 InGaAs Si Ge大光敏面探测器价格、规格、特点、分类选择等信息，欢迎咨询厂家。除供应光电探测器 InGaAs Si Ge大光敏面探测器外，还可为您提供平场凹面光栅 (Flat Field Concave Gratings) 波长:340 - 800nm 凹槽密度954g/mm、刻线式衍射光栅 (Ruled Gratings) 波长200-660nm 25.0 x 25.0 x 6mm、带通滤光片 760nm 带宽37nm 等耗材，公司有专业的客户服务团队，是您值得信赖的合作伙伴，筱晓光子客服电话400-860-5168转3429。
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公司名称： 筱晓（上海）光子技术有限公司

公司地址： 上海市青浦区佳杰路99号长三角漕河泾绿洲智谷A5栋三楼 联系人： 王秀祥 邮编： 201702 联系电话： 400-860-5168转3429

主营产品：

光学仪器组件 CCD相机/影像CCD 高光谱仪/高光谱成像仪 光源/氙灯光源/汞灯光源 光学平台 实验器材 红外光谱(IR、傅立叶) 近红外光谱(NIR) 激光拉曼光谱(RAMAN) 光纤光谱仪 金相显微镜 位移台 红外热成像仪 紫外成像仪 CMOS相机 三坐标测量机 激光干涉仪 轮廓仪 影像测量仪 位移传感器 压力控制器 压力传感器 测振仪 锁相放大器 光学类仪表 示波器 信号发生器 频谱分析仪 功率分析仪 滤波器 衰减器 放大器 射频和微波测量系统 其它光谱仪 光栅光谱仪(单色仪) 紫外、紫外分光光度计、紫外可见分光光度计、UV 原子荧光光谱仪(AFS) 分子荧光光谱 便携式分光光度计 激光产品 光学调整架 氨气分析仪/氨分析仪 CO2分析仪、CO分析仪 甲烷/非甲烷烃检测仪 其它气体检测 汽车尾气分析仪 臭氧分析仪（O3） 甲醛检测仪/甲醛分析仪 烟气汞连续监测系统（Hg-CEMS系统） 氮氧化物分析仪（NOX） 测距测绘仪器 传感器/敏感元件 其它测量/计量仪器 记录器 无线电计量仪器 无掩模光刻机/直写光刻机

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