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硅光电倍增管（Silicon photomultiplier，简称SiPM)，是一种新型的光电探测器件，由工作在盖革模式的雪崩二极管阵列组成，SiPM单光子探测器具有增益高、灵敏度高、偏置电压低、对磁场不敏感、结构紧凑等特点。SiPM单光子探测器发明于二十世纪九十年代末，广泛应用于高能物理及核医学（PET）等领域，代表着未来极微弱光探测器的发展方向。
SiPM单光子探测器主要参数：
| 有效面积 | 3mmX3mm |
| 像元尺寸 | 15um |
| 微孔数量 | 38800 |
| 探测效率 | 31% @ 430nm, ctrl=0.7V |
| 暗计数率 | 125kHz/mm3 |
| 串扰几率 | 18% |
| 残留脉冲几率 | 5% |
| 恢复时间 | 15ns |
| 跨阻增益 | 150V/A |
| 输出带宽 | 12.5MHz |
| 偏置电压 | 0-1V |
| 输入电压 | 5VDC |
| 功耗 | 350mW （typ.） |
| 外观尺寸 | 40mm×50mm×19.8mm |
| 工作温度 | 0-60oC |
SiPM单光子探测器应用图例：
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