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硅Si放大型DC/雪崩平衡探测器及模块 BAPD/APD系列400-1100nm
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筱晓光子

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APD-500M-B

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筱晓（上海）光子技术有限公司
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核心参数
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一,Si雪崩平衡探测器 BAPD系列 400-1100nm
Si雪崩平衡探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、 APD 温度补偿；隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响；APD温度补偿提高探测模块的稳定性。
Si雪崩平衡探测器 BAPD系列 400-1100nm ,Si雪崩平衡探测器 BAPD系列 400-1100nm

通用参数

产品特点

噪声低

高增益

内置高压电源

APD温度补偿

结构紧凑

内置低噪隔离电源


产品应用

光纤传感

纤通信

激光测距

光谱测量


产品参数

产品型号

BAPD-100M-B

BAPD-200M-B

BAPD-300M-B

BAPD-400M-B

BAPD-500M-B

BAPD-1G-B

BAPD-2G-B

单位

探测器类型

Si


波长

400~1100

nm

带宽

100M

200M

300M

400M

500M

1G

2G

Hz

探测器响应度

25

25

25

25

25

25

25

A/W@850nm

跨阻增益

300K

300K

300K

300K

300K

300K

300K

V/W

输出阻抗

50

50

50

50

50

50

50

Ω

NEP

0.18

0.18

0.18

0.18

0.18

0.18

0.2

pW/√(Hz)

输出耦合方式

 DC/AC

 DC/AC

 DC/AC

 DC/AC

 DC

 AC

 AC


供电电压

5

5

5

5

5

12

12

V

供电电流

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

A

光学输入

FC/APC(自由空间光可选)


射频输出

SMA


外形尺寸

80*90*25

mm





二, Si雪崩单元探测器 APD系列 400-1100nm



Si雪崩单元探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿；隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响；APD温度补偿提高探测模块的稳定性。雪崩光电探测器具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点
Si雪崩单元探测器 APD系列 400-1100nm,Si雪崩单元探测器 APD系列 400-1100nm

通用参数

产品特点

噪声低

高增益

内置高压电源

APD温度补偿

结构紧凑

内置低噪隔离电源


产品应用

光纤传感

光纤通信

激光测距

光谱测量

ns 级光脉冲探测


产品参数

产品型号

APD-100M-B

APD-200M-B

APD-300M-B

APD-400M-B

APD-500M-B

APD-1G-B

APD-2G-B

单位

探测器类型

Si


波长

400~1100

nm

带宽

100M

200M

300M

400M

500M

1G

2G

Hz

响应度

25

25

25

25

25

25

25

A/W@850nm

跨阻增益

300K

300K

300K

300K

300K

300K

300K

V/W

输出阻抗

50

50

50

50

50

50

50

Ω

饱和功率

13

13

13

13

13

13

30

uW

NEP

0.18

0.18

0.18

0.18

0.18

0.2

0.2

pW/√(Hz)

输出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC

AC

AC


供电电压

5

5

5

5

5

12

12

V

供电电流

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

A

光学输入

FC/APC（自由空间光可选）


射频输出

SMA


外形尺寸

65*50*20

mm




三,硅 Si 放大型 光电探测器 320-1100nm (DC-5MHz/200kHz)


光电探测器是一种额定带宽，固定增益的光电探测器，用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入，输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。LD-PD光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔，可以方便的安装固定。 外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈，这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用，可以方便适配外部光学部件，如滤光片，衰减片，镜头，FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。 每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源，该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。


硅 Si 放大型 光电探测器 320-1100nm (DC-5MHz/200kHz),硅 Si 放大型 光电探测器 320-1100nm (DC-5MHz/200kHz)

通用参数

产品特点：

低噪声，小于±lmV

过冲小，过冲电压小于2.5%

增益稳定：增益误差小于1%

暗偏置电压输出噪声：小于ImV (rms)


应用领域：

•显示面板检测

•LED照明频闪分析

•玩具灯闪烁频率及功率测量

•气体分析


搜狗截图20220217135438.png



参数

PN#

PDAM005B-Si

PDAM36A5B6G-SI

PDAM20A6B4G-InGaAs

电器特性




输入电压

±9VDC, 60mA

±9VDG 100mA

±9VDC. 100mA

探头

Silicon PIN

Silicon PIN

InGaAs PIN

感光面

2.65mm * 2.65mm

3.6mm * 3.6mm

Diameters@2 mm

波长

400 nm - 1100 nm

320 nm - 1100 nm

800 nm - 1700 nm

(Optional Extended

(可选扩展)   2600nm)

峰值响应

0.62A/W @850nm

0.6 A/W @960nm

0.9 A/W@1550nm


43.6mV/uW @850nm

1 mV/nW @960nm

9mV/uW@1550nm

饱和光功率

113pW@ 850nm (Hi-Z)

6uW @960nm (Hi-Z)

660 uW@1550nm (Hi-Z)

带宽

DC •-5MHz

DC - 200kHz

DC - 5MHz

NEP

7.2 pW/4HZ1/2

2.2 pW/HZ1/2

64.5 pW/HZ1/2

输出噪声（RMS）

700 uV

1 mV ・typ

1.3 mV .typ

暗电流偏置（MAX）

±5 mV

±1 mV

±5 mV

上升沿/下降沿（10%—90%）

65 ns

1.7 us

68ns

输出电压




Hi-Z

0- SV (Hi-Z)

0-6V (Hi-Z)

0-6V (Hi-Z)

500

0 • 2.5V (50ohm)

0 • 25V (50ohm)

0 • 25V (50ohm)

增益倍数




Hi-Z

67.5 kV/A

1.68 MV/A

10 kV/A

500

33.8 kV/A

0.84 MV/A

5kV/A

增益精度（typ）

±1%

±1%

±1%

其他参数





拨动开关

拨动开关

拨动开关

输出接口

BNC

BNC

BNC

尺寸

53*50*50mm

53*50*50mm

53*50*50mm

重量

150g

150g

150g

操作温度

10-50deg

10-50deg

10-50deg

存储温度

・25°C - 70°C

-25°C - 70°C

-25°C - 70°C

 



硅基光电探测器，带放大，固定增益,型号参考
目录波长带宽上升时间增益RMS噪声NEP感应面积工作温度电源
Hi-Z 负载50Ω 负载
PDA12A8B4G-VIS400 - 1100 nmDC - 140MHz2.5 nS1*104 V/A5*103 kV/A850µV .typ2*10-11 W/√HZ1.2mm*1.2 mm10-50℃包含（±9V）
PDA12A7B4G-VIS400 - 1100 nmDC - 50MHz7 nS5*104 V/A2.5*104 kV/A800µV .typ6.3*10-12 W/√HZ1.2mm*1.2 mm10-50℃包含（±9V）
PDA25A6B4G-VIS400 - 1100 nmDC - 5MHz68 nS1*105 V/A5*104 V/A700µV .typ5.3*10-12 W/√HZ2.5mm*2.5 mm10-50℃包含（±9V）
PDA36A5B6G-VIS320 - 1100 nmDC - 200KHZ1.7 µS1.68*106 V/A8.4*105 V/A1mV .typ2.2*10-12 W/√HZ3.6mm*3.6mm10-50℃包含（±9V）
PDA25A4B8G-VIS400 - 1100 nmDC - 20KHZ18 µS1*108 V/A—1.5mV .typ1.8*10-13 W/√HZ2.5mm*2.5 mm10-50℃包含（±9V）


四,硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 C12702系列 200 -1000nm
APD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。 

 C12702-12为短波型，有效面积：Φ3.0 mm APD 模块专为方便使用 Si APD 而设计。

硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 C12702系列 200 -1000nm,硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 C12702系列 200 -1000nm

通用参数

特点

使用高灵敏度Si APD。有四种类型，具有不同的光谱响应范围和感光区域。

针对APD评估优化的高灵敏度检测板。APD和高速电流电压放大器电路安装在紧凑的电路板上。高速电流-电压放大器电路具有低噪声配置，是APD信号读出的理想选择，工作速度快，灵敏度高。

易于操作,单个5 V电源操作

内置温度补偿偏置电压电路通过热传感器控制偏置电压，以保持APD增益恒定。增益稳定到±2.5%典型值。在25±10°C的环境温度下，通常高压电源固有的波纹噪声也被最小化。

小巧轻便

电路板大小不超过名片大小，重量仅37克。

定制设计的模块具有不同的尺寸和规格


产品应用

APD评估

空间透光条形码阅读器

激光雷达

光学测距仪

光通信


型号参考

 Type no.

感光面积（mm）

频率带宽-3 dB（Hz）

 Type of APD

峰值灵敏度波长（nm）

C12702-03

ϕ1.0

4 k to 100 M

Standard type

800

C12702-04

ϕ3.0

4 k to 80 M

C12702-11

ϕ1.0

4 k to 100 M

Short-wavelength type

620

C12702-12

ϕ3.0

4 k to 40 M

注意：装运前，增益（M）预设为30。(Note: Gain (M) is preset to 30 prior to shipping.)


结构/绝对最大额定值


 

 

Type No.

 

感光面积（mm）

 

电源电压 V

Current consumption

 (mA)消耗电流

 

电路板尺寸

 

(mm)

 

输出阻抗

 

(Ω)

Weight (g)

Absolute maximum ratings绝对最大额定值

Supply voltage

(V)

Maximum Incident light level

(mW)

最大入射光水平

工作温度Topr

(°C)

储存温度Tstg

(°C)

Min.

Typ.

Max.

Typ.

Max.

C12702-03

ϕ1.0

 

+4.75

 

+5

 

+5.25

 

+50

 

+80

 

80 × 50 × 22

 

50

 

37

 

+7

 

10

 

0 to    +60

 

-20 to +70

C12702-04

ϕ3.0

C12702-11

ϕ1.0

C12702-12

ϕ3.0

注：即使是暂时超过绝对最大额定值，也可能导致产品质量下降。始终确保在绝对最大额定值范围内使用产品。


电气和光学特性（典型Ta=25°C，Vcc=5 V，除非另有说明）

光电转换器部分（APD）

 

Type No.

光谱响应范围λ

(nm)

峰值灵敏度波长

λp(nm)

光敏性 S

M=1 (A/W)

增益温度稳定性

*1 25   °C ± 10 °C, M=(%)

λ=800 nm

λ=620 nm

Typ.

Max.

C12702-03

400 to 1000

800

0.5

-

 

±2.5

 

±5

C12702-04

C12702-11

200 to 1000

620

-

0.42

C12702-12



高速放大器部分

 

 

Type No

截止频率-3 dB

噪声等效功率NEP(pW/Hz1/2)

 

反馈电阻(kΩ)

 

光电灵敏度*1

including APD, M=30

 (104 V/W)

 

最小定向限制

 (nW rms)

High band

Low band

λ=800 nm

λ=620 nm

Min. (MHz)

Typ. (MHz)

Min. (kHz)

Typ. (kHz)

Typ.

Max.

Typ.

Max.

Min.

Typ.

Max.

Min.

Typ.

Max.

C12702-03

90

100

 

3

 

4

0.3

0.6

-

-

9.1

-6.4

-6.8

-7.1

-

3.0

6.0

C12702-04

70

80

0.4

0.8

-

-

3.0

-2.1

-2.3

-2.4

-

3.6

7.2

C12702-11

90

100

-

-

0.5

1.0

3.9

-2.3

-2.5

-2.7

-

5.0

10.0

C12702-12

30

40

-

-

1.0

2.0

3.0

-1.8

-1.9

-2.0

-

6.3

12.6

*1： 装运前，增益预设为30。(*1: Gain is preset to 30 prior to shipping.)



五, SI硅光电探测器模块320-1100nm 直径 1.2mm



C3A系列光电检测模块将光电二极管，放大电路和电源调理电路集成在一个小型化的模块内。不仅适用于各种实验室光学系统的搭建，也适用于在用户产品中进行集成。模块安装方便，并可实现光路的密封。模块可使用宽范围正负电源进行工作，模块内部含有线性整流电路以降低输入噪声并提高信噪比。

系列内可选不同的类型、尺寸和速度的光电二极管，诸如Si或InGaAs。 采用1 mm2 硅光电二极管的模块典型输出特性为 ±3V, 0~25MHz (正负5V电源时)。 

SI硅光电探测器模块320-1100nm 直径 1.2mm,SI硅光电探测器模块320-1100nm 直径 1.2mm
技术参数

产品特点

● 尺寸小巧

● 4个φ6mm通孔实现同轴安装

● 可实现光密和气密

● 多种传感器选择

● 可切换的20dB增益

● 宽电源输入: ±5至±20V


产品应用

● Q调制激光器监控

● 锁模激光器输出监控

● 微弱可见光探测器




项目

数值

光电探测器

Si探测器

光敏面大小

φ1.2mm (1.1 mm2)

光学窗口

Plane borosilicate glass

响应波长范围

320 – 1100nm

峰值波长

960nm

灵敏度

0.45A/W @660nm  0.55A/W   @830nm

方向性

±60º

NEP

6*10-15 W/Hz1/2

工作带宽

0 ~ 25MHz

跨阻增益

50k V/A @ 0dB Gain

500k V/A @20dB Gain

输出电压范围

0~+3V (into Hi-Z)

0~+1.5V (into 50Ω)

输出阻抗

50Ω

输入工作电压

V+: +5 ~ +20V

V- : -5 ~ -20V

工作温度

10~50 ºC

最大压力差

±50kPa


响应光谱

t5_副本.png


C3A-S1010光电探测器尺寸



售后服务承诺

保修期: 1年

是否可延长保修期: 是

现场技术咨询: 有

免费培训: 我司实验室可进行培训

免费仪器保养: 1年内

保内维修承诺: 免费更换零件 调试等

报修承诺: 约定时间内进行维修调试

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