产地类别： 进口
有效像素： 1340 x 400
像素大小： 20 x 20 μm
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BLAZE高速光谱相机
依靠感光芯片技术，Blaze比传统背照式芯片在近红外波段拥有高达3倍的量子效率和更低的暗噪声，这让Blaze成为拉曼，荧光，光致发光等应用中强大的相机。 Blaze不仅具有每秒上千张光谱的高速能力，还可以真实制冷到-100oC来满足极弱信号的长时间采集。BLAZE®是微光光谱检测的理想相机，在可见光和近红外范围内提供非常高的灵敏度。由于暗电流低、速度快，BLAZE在450nm时的QE值在90%以上，在900nm时的QE值在98%以上，在1000nm时的QE值在75%以上。Blaze——让您的光谱实验脱颖而出！
Blaze关键参数包括：
高近红外量子效率 - 75% QE @ 1000 nm
快光谱速度 - 双ADC并行读出，MAX：32MHz
ArcTec™ 制冷专利技术 - 风冷可降至 -95°C，室温水冷（ 20°C制冷液）可达 -100°C
64位智能软件平台 LightField software 全面支持
产品特点：
1. 从可见光到近红外的高灵敏度
BLAZE配备了拥有eXcelon技术专利的HS传感器，提供非常高的可见近红外量子效率，450nm处的量子效率>90%，900nm处的量子效率为98%，1000nm处的量子效率为75%。BLAZE LD传感器是拉曼光谱和光致发光光谱的理想选择，可将暗电流降至非常低，适合于微光应用。
2. 高速
拥有高达16 MHz的读出速度和可定制的传感器的BLAZE是非常快的光谱CCD。 BLAZE提供每秒1650个全垂直方向的光谱图像，是竞争对手的14倍以上，动态光谱读出（kinetics mode）的光谱速率高达215kHz。* 16 MHz 速度仅适用于HR芯片, LD 芯片MAX速度为10 MHz。
3. 深度制冷
卓越的冷却能力与多阶段热电冷却系统与定制设计的Peltie设备，BLAZE可以运行在-95℃，低于竞争对手15℃。全金属超高压密封允许可靠的长期运行，仅风冷可达-95°C，室温水冷可达-100°C ，无需低温水冷机。
4. HR传感器
这种新一代传感器提供了所有光谱CCD中MAX的近红外性能。HR传感器具有高电阻率体硅的深空乏区，以在1000 nm处提供高达75%的量子效率，使其特别适合于在传统CCD和InGaAs探测器的灵敏度范围（即通常800至1100 nm）之间的波长区域进行光探测。空间分辨率是通过施加一个偏压来优化的，结果是一个“完全空乏”的硅区域，没有电荷扩散。偏置电压产生电场，将电荷推向正确的像素，并且不允许电荷迁移到相邻像素。
5. LD传感器
为了提高近红外波段的量子效率，研制了背照式深耗尽CCD。eXcelon技术进一步提升了性能，提供了从UV到NIR波长的高平均量子效率，而无需进行任何调整。LD传感器是新一代先进的深空乏型器件，采用反向模式工作，产生极低的暗电流，具有优良的宽带性能，提高了近红外量子效率。
6. 由LightField软件提供支持
强大和直观的软件与内置的数学引擎允许竞争控制等平面相机和光谱仪，实时图像分析和光谱数据。
LightField软件将硬件控制和直接数据采集无缝集成到诸如National Instruments的LabVIEW®和MathWorks的MATLAB®等程序中。该软件还完全支持智能自动波长和强度校准。
7. 量子效率（见1图）
产品参数：
100-HR | 100-HRX | 400-HR | 400-HRX | 100-LD | 100-LDX | 400-LD | 400-LDX |
传感器 | Exclusive Back-Illuminated Fully Depleted High-Resistivity-Silicon HR-Sensor (highest NIR quantum efficiency, includes anti-fringing coating) | Exclusive Back-Illuminated IMO Deep-Depletion LD-Sensor (low dark current with anti-fringing coating) | ||
活动区域（长x宽，像素） | 1340 x 100 | 1340 x 400 | 1340 x 100 | 1340 x 400 |
像素大小 | 20 x 20 μm | |||
图像区域 | 26.8 mm x 2.0 mm | 26.8 mm x 8.0 mm | 26.8 mm x 2.0 mm | 26.8 mm x 8.0 mm |
风冷，无液体辅助 | -95oC | |||
20oC液体辅助 | -100oC | |||
恒温精度 | +/- 0.05oC | |||
垂直时钟速度 | 4, 8, 10, 20 μs/row (software selectable) | |||
每秒MAX光谱* | Full Vertical Binning: 1,650 Cropped Mode, 10 rows: 3,500 Kinetics Mode, 1 row: up to 250 kHz | Full Vertical Binning: 577 Cropped Mode, 10 rows: 1,366 Kinetics Mode, 1 row: up to 250 kHz | Full Vertical Binning: 1,260 Cropped Mode, 10 rows: 2,675 Kinetics Mode, 1 row: up to 250 kHz | Full Vertical Binning: 488 Cropped Mode, 10 rows: 2,675 Kinetics Mode, 1 row: up to 250 kHz |
全帧速率* | 218 | 37 | 140 | 35 |
暗电流（典型@MAX冷却） | 0.0015 e-/pix/sec | 0.0005 e-/pix/sec | ||
ADC速度 | Low Noise: 2 x 100 kHz, 2 x 1 MHz, 2 x 4 MHz High Speed: 2 x 5 MHz, 2 x 10 MHz, 2 x 16 MHz | Low Noise: 2 x 100 kHz, 2 x 1 MHz, 2 x 5 MHz High Speed: 2 x 6.25 MHz, 2 x 8.33 MHz, 2 x 10 MHz | ||
系统读取噪声 | ≤3 e- @ 100 kHz ≤10 e- @ 1 MHz | ≤2.5 e- @ 100 kHz ≤8 e- @ 1 MHz | ||
读出模式 | Full Frame, Cropped, Bi-Directional, Kinetics | |||
全井产能 | 128 ke- | 180 ke- | ||
线性 | ≥99% | |||
数字化 | 16 bits | |||
数据接口 | USB 3.0 | |||
证书 | CE, UL/CSA, FCC Part 15, VCCI (Japan), BSMI (Taiwan), KN32 & KN35 (Korea), AS/NZS (Australia, New Zealand) | |||
I/0 信号 | Trigger In, TTL Out, Readout Monitor, Expose Monitor, Shutter Monitor, External Shutter Control | |||
100-B | 400-B | |
传感器 | Exclusive Back-Illuminated Silicon Sensor with anti-fringing | |
活动区域（长x宽，像素） | 1340 x 100 | 1340 x 400 |
像素大小 | 20 x 20 μm | |
图像区域 | 26.8 x 2.0 mm | 26.8 x 8.0 mm |
风冷，无液体辅助 | -95oC | |
20oC液体辅助 | -100oC | |
恒温精度 | +/- 0.05oC | |
垂直时钟速度 | 4、8、10、20μs/行（软件可选） | |
每秒MAX光谱* | Full vertical binning: 1,650 Cropped mode, 10 rows: 3,500 Kinetics mode, 1 row: up to 250 kHz | Full vertical binning:412 Cropped mode, 10 rows: 3,500 Kinetics mode, 1 row: up to 250 kHz |
全帧速率* | 218 | 54 |
暗电流（典型@MAX冷却） | 0.0003 e-/pix/sec | |
ADC速度 | Low Noise: 2 x 100 kHz, 2 x 1 MHz, 2 x 5 MHz High Speed: 2 x 6.25 MHz, 2 x 10 MHz, 2 x 16 MHz | |
系统读取噪声 | ≤3 e- @ 100 kHz ≤10 e- @ 1 MHz | |
读出模式 | Full Frame, Cropped, Bi-Directional, Kinetics | |
全井产能 | 200 ke- | |
线性 | ≥99% | |
数字化 | 16 bits | |
数据接口 | USB 3.0 | |
证书 | CE, UL/CSA, FCC Part 15, VCCI (Japan), BSMI (Taiwan), KN32 & KN35 (Korea), AS/NZS (Australia, New Zealand) | |
I/0 信号 | Trigger In, TTL Out, Readout Monitor, Expose Monitor, Shutter Monitor, External Shutter Control | |
产品应用：
拉曼光谱 | 光致发光 | 纳米材料
碳纳米管 | Pump-Probe 时域光谱| 荧光光谱 | 显微光谱
应用举例：
1. 用于早期癌症检测的NIR-I光谱区活体荧光成像
UV、VIS和NIR-I检测方法已经在各种科学和医学领域应用了几十年。然而，每种方法都有其局限性。例如，使用硅基CCD技术很容易检测到紫外和可见光波长的光，但由于反射和散射，无法穿透样品。
新的CCD相机可以探测到从750nm到1100nm的NIR-I波长，从而提供对样品的轻微穿透。不幸的是，在这个阈值以上，硅对光是透明的。这种CCD相机在药物发现应用中的应用有限。
NIR-II窗口，其波长范围扩展到1700nm，实现了更深入的样品渗透。在InGaAs和InSb探测器发展的推动下，NIR-II（又称短波红外）开辟了科学和医学应用的新天地。
2. 活体细胞的超光谱成像
目前流行的分子成像技术只能揭示被色素或荧光蛋白标记的特定分子在人体内的分布或行为。然而，拉曼光谱允许研究人员通过光谱分析来识别未标记分子的成分。因此，振动（拉曼）光谱通常被称为分子指纹。这种无标记分子成像的使用增加了发现身体意外变化和异常的可能性。
一种创新的基于拉曼光谱的技术，被称为超多路CARS光谱成像，在实验和临床应用中展示了微型化、无创、实时和细胞水平的分子诊断的巨大实用性。这项技术能够通过在宽光谱范围内同时收集的定量光子数据来观察和分析生物的结构和过程，并在不断完善和改进。
保修期: 1年
是否可延长保修期: 是
现场技术咨询: 有
免费培训: 2人免费技术培训
免费仪器保养: 3月1次
保内维修承诺: 免费维修更换零件
报修承诺: 24小时内响应，48小时内到达现场
