红外后对准双面刻机

红外后对准双面刻机主要用于中小规模集成电路、二极管、三极管、LED、电力电子器件、MEMS和其它半导体器件制造工艺中的对准及曝光。该系列曝光机由4英寸、6英寸单/双面曝光机组成，可实现单/双面对准、单面曝光、间隙曝光、全曝光。
主要技术特点
对准工作台
对准精度高，漂移小。精密楔形误差补偿机构实现三点找平，找平力小，延长掩模版使用寿命。
曝光系统
采用柱体蝇眼透镜和高能力集光的椭球镜等精密光学件，具有较高的光强、均匀性、光学分辨率。
分离视场显微镜
在X、Y方向通过操作杆可实现大范围扫描观察，可进行单视场或双视场切换，提高对准效率和套刻精度，同时兼容CCD成像液晶显示功能。
控制系统
电气控制采用工控机，人机界面操作菜单清晰，操作方便，汞灯电源易于触发，可靠性高。该设备的关键件采用进口或厂家制造，提高了设备的稳定性、可靠性，同时提供个性化服务。

产品参数

对准工作台行程:

X向：±5mm Y向：±5mm

Z向：8mm θ向：±5°

□掩模尺寸：7″×7″

□基片尺寸：φ6″

□曝光方式：软接触、硬接触

真空接触、间隙曝光、全曝光

□顶部对准显微镜

总倍率：

100X （50X可选）

扫描范围：50mm×50mm

调焦范围：8mm

28-90mm（φ4″基片）

75-150mm（φ4″-φ6″基片）

对准精度：±0.5um

□底部对准显微镜

总倍率：330X

物镜分离距离：

X向：50-140mm

Y向：±12mm

对准精度：±2um

□曝光分辨率：1um （真空接触）

□曝光间隙： 1-500um

□曝光面积： φ160 mm或φ108 mm

□曝光时间：0-999s 连续可调

□曝光不均匀性：

±5% (曝光面积：φ160 mm)

±3% (曝光面积：φ108mm)

□曝光系统及波长

采用250W进口超高压汞灯，UV365

□所需设施：

输入电压：～220v±22v(50Hz)

整机功率：1KW

室内光线：红光、黄光

压缩空气: 0.5～0.7MPa

氮气： 0.2～0.4MPa

真空： -0.08～-0.14MPa