氮化镓晶片生产厂家
苏州恒迈瑞材料科技有限公司生产销售2英寸及4英寸蓝宝石氮化镓衬底片,衬底结构GaN-On-Sapphire。GaN氮化镓外延厚度有4.5um和20um两种。2英寸蓝宝石衬底厚度为430um,4英寸蓝宝石衬底厚度为650um。掺杂类型分为N型非掺杂,N型硅掺杂及镁掺杂。蓝宝石氮化镓晶片包装方式为单个晶圆盒或Cassette盒。
蓝宝石氮化镓衬底晶片尺寸:2 inch 50.8mm±1mm
蓝宝石衬底厚度:430um
衬底结构:GaN-On-Sapphire
掺杂类型:N型非掺杂/N型硅掺杂/P型镁掺杂
氮化镓外延厚度:4.5um±0.5um/ 20um±2um
晶向:C-plane(0001)A Axis 0.2±0.1°
位错密度:≤5x108cm-2
包装方式:晶圆盒或Cassette盒
抛光要求:单抛/双抛
氮化镓,分子式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,属于极稳定的化合物,自1990年起常用在发光二极管中。它的坚硬性好,还是高熔点材料,熔点约为1700℃,GaN具有高的电离度,在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是高的(0.5或0.43)。在大气压力下,GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。
保修期: 无
是否可延长保修期: 否
现场技术咨询: 无
免费培训: 无
免费仪器保养: 无
保内维修承诺: 无
报修承诺: 无
最多添加5台