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TE系列：
原位芯片X-Ray氮化硅薄膜窗口TE系列，为满足科研人员对样品的观测需求，苏州原位芯片采用先进的微电子工艺，设计并制造了专门用于同步辐射线站及扫描电子显微镜(SEM)的标准氮化硅膜窗格。苏州原位芯片氮化硅膜窗格具有高洁净度，高X-射线透射性，低应力，高强度且膜厚均匀一致的特性，适用于高温(～1000℃)实验以及不同压力环境的测试。目前我们的产品已被全球范围内的科研人员广泛认可且用于其生物、材料、物理、化学等方面的研究。
产品应用
·纳米材料，半导体材料，光学晶体材料，功能薄膜材料
·胶体，气凝胶，有机材料和纳米颗粒的表征实验
·含碳样品分析（光阻剂，聚合物，食品，油品，燃料等)
·用于化学反应及退火效应的原位表征
·作为生物、细胞载体
技术参数
TE同步辐射氮化硅薄膜窗口 | |||
外框项目 | 参数 | 外框 | 参数 |
材料 | N/P 型硅片 | 电阻率 | 1~10Q*cm |
氮化硅项目 | 参数 | 氮化硅项目 | 参数 |
材料 | LPCVD 氮化硅 | 应力 | <250MPa |
介电常数 | 6-7 | 介电强度 | 10 (106V/cm） |
电阻率 | 1016Ω*cm | 粗糙度（Ra) | 0.28±5% nm |
折射率@630nm | 2.15-2.17 | 粗糙度(Rms) | 0.40±5% nm |
产品型号
产品编号 | 膜厚 | 窗口尺寸 | 框架大小 |
TE025Z | 10nm | 0.25x0.25mm | 5x5mm |
TE050Z | 10nm | 0.5x0.5mm | 5x5mm |
TE025Y | 20nm | 0.25x0.25mm | 5x5mm |
TE050Y | 20nm | 0.5x0.5mm | 5x5mm |
TE025A | 30nm | 0.25x0.25mm | 5x5mm |
TE050A | 30nm | 0.5x0.5mm | 5x5mm |
TE100A | 30nm | 1x1mm | 5x5mm |
TE025B | 50nm | 0.25x0.25mm | 5x5mm |
TE050B | 50nm | 0.5x0.5mm | 5x5mm |
TE100B | 50nm | 1x1mm | 5x5mm |
TE150B | 50nm | 1.5x1.5mm | 5x5mm |
TE200B | 50nm | 2x2mm | 5x5mm |
TE025C | 100nm | 0.25x0.25mm | 5x5mm |
TE050C | 100nm | 0.5x0.5mm | 5x5mm |
TE100C | 100nm | 1x1mm | 5x5mm |
TE150C | 100nm | 1.5x1.5mm | 5x5mm |
TE200C | 100nm | 2x2mm | 5x5mm |
TE75050C | 100nm | 0.5x0.5mm | 7.5x7.5mm |
TE75200C | 100nm | 2x2mm | 7.5x7.5mm |
TE100300C(5pcs) | 100nm | 3x3mm | 10x10mm |
TE100500C(5pcs) | 100nm | 5x5mm | 10x10mm |
TE010D | 200nm | 0.1x0.1mm | 5x5mm |
TE025D | 200nm | 0.25x0.25mm | 5x5mm |
TE050D | 200nm | 0.5x0.5mm | 5x5mm |
TE100D | 200nm | 1x1mm | 5x5mm |
TE150D | 200nm | 1.5x1.5mm | 5x5mm |
TE200D | 200nm | 2x2mm | 5x5mm |
TE250D | 200nm | 2.5x2.5mm | 5x5mm |
每盒包含10枚芯片 | |||
保修期: 电话支持
是否可延长保修期: 否
现场技术咨询: 无
免费培训: 附送操作说明书
免费仪器保养: 质量问题，不包含人为损坏
保内维修承诺: 质量问题，不包含人为损坏
报修承诺: 质量问题，不包含人为损坏
