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应用:从蚀刻晶圆片上移除光刻胶
流程配置: RIE/ICP
工作原理
。使用等离子体源，生成单原子反应种。
。氧是最常见的反应物质。反应性物质与光阻结合形成灰，
。用真空泵将其除去。
。ICP结构避免了高能离子轰击和电容耦合，
。提供低衬底损伤。
可用气体: O2， N2O
主要性能:
。开放式设计，可快速加载和卸载晶圆。
。基片放置在石英上，以避免溅射/再沉积电极材料
。通过顶部电极上的“莲蓬头”进气口将气体注入工艺室
。电感耦合等离子体(ICP)和电极的独立射频发生器提供对离子能量和离子密度的独立控制
。高电导泵浦端口提供高的气体吞吐量，以最快的腐蚀速率
。使用等离子体源，生成单原子反应种。氧是最常见的反应物质。
保修期: 1年
是否可延长保修期: 否
现场技术咨询: 无
免费培训: 免费安装及技术培训
免费仪器保养: 6个月一次。
保内维修承诺: 经确认质量问题，免费更换。
报修承诺: 24小时内到达现场并开始维修
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