MOSFET&IGBT开关时间测试仪ITC57300替代产品
MOSFET&IGBT开关时间测试仪ITC57300替代产品

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ST-DP_X(1200V200A)

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中国大陆

核心参数
产品系列
晶体管图示仪
半导体分立器件测试筛选系统
静态参数测试(包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等)
动态参数测试(包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等)
环境老化测试(包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等)
热特性测试(包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)

可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件

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ST-DP_X(1200V200A)

MOSFET&IGBT开关时间测试仪 ITC57300替代产品

用于 Si/SiC/GaN 材料的 MOSFET&IGBT开关时间参数测试
1200V/200A的输出能力,覆盖几乎所有的半导体分立式单管器件

           
开通延迟 td(on) 0.1ns~10us    关断延迟 td(off) 0.1ns~10us
     上升时间 tr 0.1ns~10us           下降时间 tf 0.1ns~10us
         开通时间 ton 0.1ns~10us        关断时间 toff 0.1ns~10us
            开通损耗 Eon 1uJ~1000mJ     关断损耗 Eoff 1uJ~1000mJ
                                                 拖尾电流 0.1A~30A




?产品简述
      ST-DPX 系列产品是主要针对 半导体功率器件的动态参数测试 而开发设计。通过DUT适配器的转换,可测试各类封装外观的 IGBTs,MOSFETs,DIODEs等功率器件,包括器件、模块、DBC衬板以及晶圆。产品功能模块化设计,根据用户需求匹配功能单元。测试功能单元有DPT(双脉冲测试 Double Pulse Testing,以下简称DPT。包含开通特性、关断特性、反向恢复特性)栅电荷、短路、雪崩、结电容、栅电阻、反偏安全工作区等。测试方案完全符合IEC60747-9国际标准。
      产品功能及输出功率进行了模块化设计,满足用户潜在的后期需求,*高测试电压电流可扩展至10KV/10KA,变温测试支持常温到200℃,支持生产线批量化全自动测试。

?产品特点
? 测试系统电压以1500V为一个模块,电流以2000A为一个模块,可扩展至10KA/10KV
? 内置7颗标准电感负载可选用, 另有外接负载接口,可实现不同电感和电阻负载测试需要(20/50/100/200/500/1000/2000uH)
? 另有程控式电感箱可供选择
? 针对不同结构的封装外观,通过更换 DUT适配器即可
? 可进行室温到200℃的变温测试,也可实现子单元测试功能
? 测试软件具有实验模式和生产模式,测试数据可存储为Excel文件
? 门极电阻可任意调整, 系统内部寄生电感为*小至50nH
? 系统测试性能稳定,适合大规模生产测试应用(24hr 工作)
? 安全稳定(PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁)
? 系统具有安全工作保护功能,以防止模块高压大电流损坏时对使用者造成伤害,设计符合CE认证
? 支持半自动和全自动测试
? 采用品牌工控机,具有抗电磁干扰能力强,排风量大等特点
? 自动化:单机测试时只需手动放置DUT,也可连接机械选件实现自动化测试线
? 智能化,通过主控计算机进行操控及数据编辑,测试结果自动保存及上传指定局域网
? 安全性,防爆,防触电,防烫伤,短路保护等多重保护措施,确保操作人员、设备、数据及样品安全。


?参数指标







售后服务承诺

保修期: 1年

是否可延长保修期:

现场技术咨询:

免费培训: 一次

免费仪器保养: 一年内

保内维修承诺: 维修

报修承诺: 跟技术协商

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