大光敏面锗光电二极管
大光敏面锗光电二极管

¥3001 - 9999

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筱晓光子

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IRD-GE-05

--

美洲

  • 金牌
  • 第11年
  • 一般经销商
  • 营业执照已审核
该产品已下架
核心参数

IRD-GE-05 Ge大光敏面锗光电二极管-近红外波长

图片1.jpg 

 

产品描述

筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD),包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。

我们有高速硅光电二极管。也有9002600 nm的范围内具有高响应率,其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管,它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上,铟镓砷基底在下),组合波长范围从4001700 nm

为了丰富我们的光电二极管产品线,我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用,探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应,从而扭曲光电二极管的时域响应。因此,我们建议使光入射在有效面积中心。为此,可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。

 

产品特点:

? 小光敏面大光敏面可选 (100μm to 25mm)

? 800nm to 1800nm 光谱响应

? 高线性 > 10 dBm

? 可以定制透镜组合(Biconvex, Planoconvex, or Ball)

? 封装方式可选(TO-46, TO-18, TO-5, TO-8, TO-9 or BNC)

 

应用领域

激光功率计

?LED/LD老化诊断

?光谱学

?LED/LD特性

?眼睛安全激光检测传感器

技术参数、

Specifications

探测材料

Ge

响应波长

800 - 1800 nm

峰值波长

1550 nm (Typ.)

响应度

0.85 A/W (Typ.)

光敏面直径

19.6 mm(?5 mm)

上升/下降沿时间 (RL = 50 Ohms, 10 V)

220 ns / 220 ns (Typ.)

NEP, Typical (1550 nm)

4.0 x 10-12  W/Hz1/2 (Typ.)

暗电流 (5 V)

60 μA (Max.)

电容(10 V)
电容(0 V)

1800 pF (Max.)
16000 pF (Max.)

分流电阻

4000 Ohm (Typ.)

封装形式

TO-8

 

Max Ratings

最大击穿打压

10 V

操作温度

-55 to 60 °C

存储温度

-55 to 60 °C

1典型值;RL = 50 Ω,除非另有说明

2.NEP指定在光伏模式下

光谱响应曲线:

 

 

 

 

 

  

 

引脚定义

图片9.jpg 

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订购型号:

型号: IRD-GE-05  单价:1950/片 库存数量:2

描述:

光谱响应范围:800-1800nm

直径:5mm;

响应度@1550nm: 0.85 A/W

2Pin

 


售后服务承诺

保修期: 1年

是否可延长保修期:

现场技术咨询:

免费培训: 我司实验室可进行培训

免费仪器保养: 1年内

保内维修承诺: 免费更换零件 调试等

报修承诺: 约定时间内进行维修调试

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大光敏面锗光电二极管信息由筱晓(上海)光子技术有限公司为您提供,如您想了解更多关于大光敏面锗光电二极管报价、型号、参数等信息,筱晓光子客服电话:400-860-5168转3429,欢迎来电或留言咨询。
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