产品简介:用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。广泛应用于大专院校、科研院所进行薄膜材料的科研与小批量制备。与同类设备相比,其不仅应用广泛,且具有体积小便于操作及清理方便的优点,是一款实验室制备材料粉末的理想设备。
产品型号 | GSL-450-PLD(Pulsed Laser Deposition) | ||
安装条件 | 本设备要求在海拔1000m以下,温度25℃±15℃,湿度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水:设备配有自循环冷却水机,水温小于25℃,水压0.25-0.4Mpa,流量高于12 l/min(加注纯净水或者去离子水); 2、电:AC380V 50Hz,功率大于10KW,波动范围:小于±6%,必须有良好接地(对地电阻小于2Ω); 3、气:设备腔室内需充注氮/氩气(纯度99.99%以上),需自备氮/氩气气瓶(自带?10mm双卡套接头)及减压阀 4、场地面积:设备尺寸2000mm×2000mm,承重1000kg以上 5、通风装置:需要(外排废气管道); | ||
主要特点 | 1、由于激光光子能量很高,可溅射制备很多困难的镀层:如高温超导薄膜,陶瓷氧化物、氮化物薄膜,多层金属薄膜等; 2、体积小,操作简便可以非常容易的连续融化多个材料,实现多层膜制备; 3、可以通过控制激光能量和脉冲数,精密的控制膜厚; 4、易获得期望化学计量比的多组分薄膜,即具有良好的保成分性; 5、沉积速率高,试验周期短,衬底温度要求低,制备的薄膜均匀; 6、工艺参数任意调节,对靶材的种类没有限制; | ||
技术参数 | 1、极限真空度:≤6.67x10-5 Pa (经烘烤除气后); 2、系统真空检漏漏率:≤5.0x10-7 Pa.l/S; 3、系统短时间暴露大气并充干燥氮气后,再开始抽气,20分钟可达到5x10-3 Pa; | ||
基片参数 | 1、基片尺寸:可放置φ2″基片(带挡板); 2、基片加热最高温度 800℃±1℃,由热电偶闭环反馈控制,采用抗氧化材料作加热器; 3、基片可连续回转,转速5~60转/分,电机驱动磁耦合机构控制; 4、基片与靶台之间距离30~90mm可调; | ||
转靶参数 | 1、每次可以装四块靶材,靶材尺寸:φ1″或φ2″; | ||
真空腔体 | 1、球型真空室尺寸Ф450mm,选用优质不锈钢材料制造,氩弧焊接,表面进行特殊工艺抛光处理,接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封; 2、真空腔体带RF150活开门,方便取、放样品; 3、RF100法兰2套(1套紫外石英玻璃窗口用于激光器,另1套盲板红外石英玻璃窗口用于测温可选配); 4、RF100光学玻璃窗口1套(用于观察); | ||
产品规格 | 整机尺寸:1800mm×1000mm×1600mm; | ||
标准配件 | 1 | 电源控制系统 | 1套 |
2 | 真空获得机组 | 1套 | |
3 | 真空测量 | 1套 |
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