GSL-CKJS-560-B2磁控溅射
GSL-CKJS-560-B2磁控溅射

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沈阳科晶

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GSL-CKJS-560- B2

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中国大陆

  • 银牌
  • 第15年
  • 生产商
  • 营业执照已审核
核心参数

产品简介:高真空溅射可用于金属、半导体、绝缘体等多种新型薄膜材料的制备,且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点,可广泛用于大专、科研院所的薄膜材料研究、制备。

产品型号

GSL-CKJS-560-B2磁控溅射

安装条件

本设备要求在海拔1000m以下,温度25±15,湿度55%Rh±10%Rh下使用。

1、水:设备配有自循环冷却水机(加注纯净水或者去离子水)

2、电:AC380V 50Hz,必须有良好接地

3、气:设备腔室内需充注/氩气(纯度99.99%以上),需自备/氩气气瓶(自带?10mm双卡套接头)及减压阀

4场地设备尺寸3500×1600mm,承重1000kg以上

5、通风装置:需要

主要特点

1真空度高

2、可制备多种薄膜,金属、半导体、绝缘体等,应用广泛。

3、体积小,操作简便。

4、清理安装便捷。

5控制可选一体化触摸屏控制

技术参数

1主溅射室尺寸:?560×355mm梨形真空室

2主溅射室真空度5×10-6Pa

3进样室尺寸: ?255×430mm

4进样室真空度5×10-4Pa

5永磁靶5套,靶材尺寸φ2,各靶射频与直流溅射兼容(其中1个靶可溅射铁磁材料

6公转样品台6个工位,5个水冷工位,1个加热工位,加热工位最高温度 600℃±1℃

7样品尺寸:φ1,可放置6片

8基片可加-200V负偏压

9进样室可一次性安装6片样品,可对被镀样品进行退火处理,退火温度 800℃±1℃

10、进样室可对基片进行反溅清洗

11进样室和主溅射室之间通过磁力样品机构进行样品传递

产品规格

整机尺寸:2700×900mm×2000mm

标准配件

1

电源控制系统

1

2

真空获得系统

1

3

真空测量装置

1


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