GSL-PECVD-300化学气相沉积
GSL-PECVD-300化学气相沉积

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沈阳科晶

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GSL-PECVD-300

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中国大陆

  • 银牌
  • 第15年
  • 生产商
  • 营业执照已审核
核心参数

产品简介:GSL-PECVD-300化学气相沉积采用等离子体增强型化学气相沉积技术,基本温度低,沉积速率,在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜,成膜质量好,针孔较少,不易龟裂,适制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。

产品型号

GSL-PECVD-300化学气相沉积

安装条件

本设备要求在海拔1000m以下,温度25±15,湿度55%Rh±10%Rh下使用。

1、水:设备配有自循环冷却水机(加注纯净水或者去离子水)

2、电:AC380V 50Hz,必须有良好接地

3、气:设备腔室内需充注/氩气(纯度99.99%以上),需自备实验所需气体气瓶(自带?10mm双卡套接头)及减压阀

4场地设备尺寸2200×2000mm×1500mm,承重1000kg以上

5、通风装置:需要

主要特点

1所需成膜温度低

2沉积速率快,应用广泛

3、体积小,操作简便

4、采用射频为增强源易于控制

5、清理安装便捷。

6、一体化触摸屏控制

技术参数

1、系统采用单室式结构,手动前开门;
2真空室组件及配备零部件全部采用优质不锈钢材料制造(304),氩弧焊接,表面采用喷玻璃丸+电化学抛光钝化处理配有可视观察窗口,并带挡板,真空有效尺寸为Φ300mm×300mm;
3极限真空度:≤6.67x10-4Pa (经烘烤除气后,采用600L/S分子泵抽气,前级采用4L/S);
系统真空检漏漏率:≤5.0x10-7Pa.l/S; 系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa,40分钟可达到; 停泵关机12小时后真空度:≤5 Pa;
4采用样品在下,喷淋头在上的电容式耦合方式进气;
5样品加热最高加热温度:500℃,温控精度:±1°C,采用控温表进行控温;
6喷淋头尺寸:Φ90mm,喷淋头与样品之间电极间距40-100mm在线连续可调(可根据工艺调整),并带有标尺指数显示;
7 沉积工作真空:0.133-133Pa(可根据工艺调整)
8射频电源:频率 13.56MHz,最大功率500W,全自动匹配;
9、.气体种类(用户提供),使用质量流量控制器控制进气。

10、系统设有尾气处理系统(用户自备)。

产品规格

整机尺寸:1200x1500x1500mm

标准配件

1

电源控制系统

1

2

真空机组

1

3

真空测量

1


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